JPS61250836A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS61250836A JPS61250836A JP9199485A JP9199485A JPS61250836A JP S61250836 A JPS61250836 A JP S61250836A JP 9199485 A JP9199485 A JP 9199485A JP 9199485 A JP9199485 A JP 9199485A JP S61250836 A JPS61250836 A JP S61250836A
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- magnetic
- film
- coercive force
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば磁気ディスク、磁気テープ等に使用さ
れる高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体の製造方法に
関する。
れる高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体の製造方法に
関する。
本発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を形成してな
る磁気記録媒体の製法において、Ｇｏ−Ｐｔ又はＣｏ−
Ｎｊ−Ｐｔを不活性ガス雰囲気中で真空蒸着して磁性薄
膜を形成することにょろり、高い保磁力を得るようにし
たものである。
る磁気記録媒体の製法において、Ｇｏ−Ｐｔ又はＣｏ−
Ｎｊ−Ｐｔを不活性ガス雰囲気中で真空蒸着して磁性薄
膜を形成することにょろり、高い保磁力を得るようにし
たものである。
近年、磁気記録の高密度化の目的で薄膜磁気記録媒体、
即ち非磁性支持体上に強磁性金属による磁性薄膜を形成
させた磁気記録媒体についての研究が盛んである。この
ような薄膜磁気記録媒体として、磁性薄膜にＣｏ−Ｐｔ
膜を用いた磁気記録媒体が知られている。このＧｏ−Ｐ
ｔ 膜はスパッタリング法により形成した場合、高い保
磁力及び高い角形比が得られる。
即ち非磁性支持体上に強磁性金属による磁性薄膜を形成
させた磁気記録媒体についての研究が盛んである。この
ような薄膜磁気記録媒体として、磁性薄膜にＣｏ−Ｐｔ
膜を用いた磁気記録媒体が知られている。このＧｏ−Ｐ
ｔ 膜はスパッタリング法により形成した場合、高い保
磁力及び高い角形比が得られる。
しかし、Ｃｏ−Ｐｔ膜をスパッタリング法にて成膜した
場合には、膜形成速度が遅く、量産性の面で問題がある
。これに対し、Ｃｏ−Ｐｔ膜を真空蒸着法で成膜ずれば
、膜形成速度は速く、量産に適する。
場合には、膜形成速度が遅く、量産性の面で問題がある
。これに対し、Ｃｏ−Ｐｔ膜を真空蒸着法で成膜ずれば
、膜形成速度は速く、量産に適する。
゛ この真空蒸着法ではＣｏとＰｔの蒸気圧が大きく異
なるため２つの蒸着源を用いて蒸着が行われる。しかし
乍ら、このような真空蒸着法で作製されたＣｏ−Ｐｔ膜
は保磁力が小さい。この原因を追求した結果、Ｃｏとｐ
ｔが完全に合金化していないこと、結晶構造が均一であ
ること、柱状構造が明確でないこと等が原因であること
が判明した。
なるため２つの蒸着源を用いて蒸着が行われる。しかし
乍ら、このような真空蒸着法で作製されたＣｏ−Ｐｔ膜
は保磁力が小さい。この原因を追求した結果、Ｃｏとｐ
ｔが完全に合金化していないこと、結晶構造が均一であ
ること、柱状構造が明確でないこと等が原因であること
が判明した。
本発明は、上述の点に泥み、真空蒸着法によりｃｏ及び
ｐｔを主成分とした高保磁力の磁性薄膜を形成できるよ
うにした磁気記録媒体の製法を提供するものである。
ｐｔを主成分とした高保磁力の磁性薄膜を形成できるよ
うにした磁気記録媒体の製法を提供するものである。
本発明は、非磁性支持体上に（ＧＯｌｏｏ −ｘ Ｎ
ｉｘ） １００−ｙ Ｐ ｔｙと表わしたときに０≦Ｘ
≦２０原子％、Ｑ＜ｙ＜５０原子％を満足するようなＧ
ｏ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔを不活性ガス雰囲気中で
真空蒸着して磁性薄膜を形成するようになす。
ｉｘ） １００−ｙ Ｐ ｔｙと表わしたときに０≦Ｘ
≦２０原子％、Ｑ＜ｙ＜５０原子％を満足するようなＧ
ｏ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔを不活性ガス雰囲気中で
真空蒸着して磁性薄膜を形成するようになす。
非磁性支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリアミドイミド。
ート、ポリアミド、ポリアミドイミド。
ポリイミド等の高分子フィルム、＾１３Ａ１合金、Ｃｕ
等の金属基板、ガラス、セラミック、サファイア等を用
いることができる。
等の金属基板、ガラス、セラミック、サファイア等を用
いることができる。
真空蒸着時の不活性ガス雰囲気としては、Ｎ。
Ｈｅ 、 Ｎｅ 、＾ｒ、 Ｋｒ＋ Ｘｅ、 ＣＯ２等
のガス又はそれらの混合ガスによるガス雰囲気を挙げる
ことができる。
のガス又はそれらの混合ガスによるガス雰囲気を挙げる
ことができる。
（Ｃ０１００−ｘ Ｎ ｌｘ） １００ −ｙ Ｐ ｔ
ｙにおいて、ｐｔの組成量ｙが５０原子％を越えると保
磁力の低下が著しい。またＮｉの添加は角形比を向上さ
せるが、保磁力の低下を招く。従って保磁力の点からＮ
ｌの組成量Ｘは２０原子％を限度とするのが好ましい。
ｙにおいて、ｐｔの組成量ｙが５０原子％を越えると保
磁力の低下が著しい。またＮｉの添加は角形比を向上さ
せるが、保磁力の低下を招く。従って保磁力の点からＮ
ｌの組成量Ｘは２０原子％を限度とするのが好ましい。
Ｇｏ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔを不活性ガス雰囲気中
で真空蒸着して磁性薄膜を形成することにより高い保磁
力の磁気記録媒体が作製される。
で真空蒸着して磁性薄膜を形成することにより高い保磁
力の磁気記録媒体が作製される。
即ち、不活性ガスを導入して真空蒸着することによって
、ＣＯとｐｔが不活性ガスにより散乱して混合し、完全
に合金化する。これによりＣｏ−Ｐｔの合金相に規則相
と不規則相の２つの相ができる。この２つの相で磁壁が
生成するエネルギーが太き（異なる。これが大きな保磁
力となる主な原因であるが、さらに不活性ガスを導入し
たことにより、柱状構造が明確になり、磁壁移動が粒界
によって妨げられるという効果によっても保磁力が増加
する。
、ＣＯとｐｔが不活性ガスにより散乱して混合し、完全
に合金化する。これによりＣｏ−Ｐｔの合金相に規則相
と不規則相の２つの相ができる。この２つの相で磁壁が
生成するエネルギーが太き（異なる。これが大きな保磁
力となる主な原因であるが、さらに不活性ガスを導入し
たことにより、柱状構造が明確になり、磁壁移動が粒界
によって妨げられるという効果によっても保磁力が増加
する。
真空蒸着によってＣｏ及びｐｔを主体とした高保磁力の
磁性薄膜が得られるので、この種の磁気記録媒体の量産
化ができる。
磁性薄膜が得られるので、この種の磁気記録媒体の量産
化ができる。
また、磁性薄膜の形成に際し、非磁性支持体に対して垂
直方向から蒸着するときは、磁性薄膜に配向性が生ずる
ことがなく、従って磁性薄膜は磁気的に面内等方性を有
する。
直方向から蒸着するときは、磁性薄膜に配向性が生ずる
ことがなく、従って磁性薄膜は磁気的に面内等方性を有
する。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に適用される真空蒸着装置である。この
真空蒸着装置（１１においては真空チャンバー（２）内
に非磁性支持体（３）が供給ロール（４）及び巻取ロー
ル（５）間に走行するように配され、非磁性支持体（３
）に対向してＣｏ又はＣｏ−Ｎｉの蒸着源（６）とｐｔ
の蒸着源（７）が配される。Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉと、ｐ
ｔとはその蒸気圧が大きく異なるために、この様な２つ
の蒸着源（６）及び（７）が配される。蒸着源（６）及
び（７）は図示しないが例えば電子銃からの電子ビーム
の衝撃によって蒸着材が蒸発するようになされる。（８
）は各蒸着源（６）及び（７）と非磁性支持体（３）と
の間に配された遮蔽板である。（９）は真空チャンバー
（２）内に不活性ガスを導入するガス導入管、ａωは膜
厚モニターヘット、（１１）は排気系である。
真空蒸着装置（１１においては真空チャンバー（２）内
に非磁性支持体（３）が供給ロール（４）及び巻取ロー
ル（５）間に走行するように配され、非磁性支持体（３
）に対向してＣｏ又はＣｏ−Ｎｉの蒸着源（６）とｐｔ
の蒸着源（７）が配される。Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉと、ｐ
ｔとはその蒸気圧が大きく異なるために、この様な２つ
の蒸着源（６）及び（７）が配される。蒸着源（６）及
び（７）は図示しないが例えば電子銃からの電子ビーム
の衝撃によって蒸着材が蒸発するようになされる。（８
）は各蒸着源（６）及び（７）と非磁性支持体（３）と
の間に配された遮蔽板である。（９）は真空チャンバー
（２）内に不活性ガスを導入するガス導入管、ａωは膜
厚モニターヘット、（１１）は排気系である。
この装置では、ガス導入管（９）を通じて真空チャンバ
ー（２）内に不活性ガスを導入し、この不活性ガス雰囲
気中でＣｏ又はＧｏ−Ｎｉの蒸着源（６）及びｐｔの蒸
着源（７）から同時にＣｏ又はＣｏ−Ｎｉと、ｐｔを蒸
発させ、その混合蒸気流を遮蔽板（８）のスリン１−（
１２）を通して供給ロール（４）から巻取ロール（５）
へ移送させる非磁性支持体（３）上に堆積させて、Ｇｏ
−Ｐｔ磁性薄膜又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ磁性薄膜を被着形
成するようになされる。Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉとｐｔとの
蒸発量の制御は夫々の金属蒸着源（６）及び（７）の近
傍にある膜厚モニターヘッドＱｆｆｌを通じて自動的に
行われ、これによって（Ｃｏ１ｏＯ−Ｘ Ｎ １ｘ）Ｉ
ＱＱ−ｙ Ｐ ｔｙ膜組成が自由に変えられる。
ー（２）内に不活性ガスを導入し、この不活性ガス雰囲
気中でＣｏ又はＧｏ−Ｎｉの蒸着源（６）及びｐｔの蒸
着源（７）から同時にＣｏ又はＣｏ−Ｎｉと、ｐｔを蒸
発させ、その混合蒸気流を遮蔽板（８）のスリン１−（
１２）を通して供給ロール（４）から巻取ロール（５）
へ移送させる非磁性支持体（３）上に堆積させて、Ｇｏ
−Ｐｔ磁性薄膜又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ磁性薄膜を被着形
成するようになされる。Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉとｐｔとの
蒸発量の制御は夫々の金属蒸着源（６）及び（７）の近
傍にある膜厚モニターヘッドＱｆｆｌを通じて自動的に
行われ、これによって（Ｃｏ１ｏＯ−Ｘ Ｎ １ｘ）Ｉ
ＱＱ−ｙ Ｐ ｔｙ膜組成が自由に変えられる。
また非磁性支持体（３）上の膜厚は蒸発量と非磁性支特
休（３）の移送速度により変えることができる。
休（３）の移送速度により変えることができる。
実施例１
第１図の真空蒸着装置（１）を使用し、窒素ガスを導入
して高分子フィルムよりなる非磁性支持体に厚さ１．０
００人のＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜を蒸着して磁気記録媒体を
作製した。窒素ガス分圧ＰＮ２は夫々ＯＴｏｒｒ。
して高分子フィルムよりなる非磁性支持体に厚さ１．０
００人のＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜を蒸着して磁気記録媒体を
作製した。窒素ガス分圧ＰＮ２は夫々ＯＴｏｒｒ。
４ Ｘ １０””Ｔｏｒｒ、 ７ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒとし、夫々の磁気記録媒体についてｐｔの組成量ｙ
を変えたときの保磁力の測定結果を第１図に示す。曲線
■は窒素ガス分圧ＰＨ２が７ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ
の窒素ガス雰囲気中で蒸着した場合、曲線■は窒素ガス
分圧ＰＮ２が４ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒの窒素ガス雰
囲気中で蒸着した場合、曲線■は窒素ガスを導入しない
で蒸着した場合である。
ｒｒとし、夫々の磁気記録媒体についてｐｔの組成量ｙ
を変えたときの保磁力の測定結果を第１図に示す。曲線
■は窒素ガス分圧ＰＨ２が７ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ
の窒素ガス雰囲気中で蒸着した場合、曲線■は窒素ガス
分圧ＰＮ２が４ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒの窒素ガス雰
囲気中で蒸着した場合、曲線■は窒素ガスを導入しない
で蒸着した場合である。
第１図から明らかなように、窒素ガスを導入しなければ
（曲線■参照） Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜の保磁力は３００
０ｅ適度である。しかし、窒素ガスを導入しその分圧Ｐ
Ｈ２を４ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ或は７ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒとすると（曲線■及び■参照）、保磁力は
ｐｔ組成量ｙが２５原子％で最大となり、前者で１５０
００ｅ 、後者で２００００ｅに達する。そして保磁力
はｙ〉２５原子％で最大値より減少するもｙ〉５０原子
％の範囲では大きい。
（曲線■参照） Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜の保磁力は３００
０ｅ適度である。しかし、窒素ガスを導入しその分圧Ｐ
Ｈ２を４ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ或は７ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒとすると（曲線■及び■参照）、保磁力は
ｐｔ組成量ｙが２５原子％で最大となり、前者で１５０
００ｅ 、後者で２００００ｅに達する。そして保磁力
はｙ〉２５原子％で最大値より減少するもｙ〉５０原子
％の範囲では大きい。
実施例２
第１図の真空蒸着装置（１）を使用し、夫々窒素ガス雰
囲気中とアルゴンガス雰囲気中で（ガス正分はいずれも
同じ７ Ｘ １Ｏ−４Ｔｏｒｒである）高分子フィルム
の非磁性支持体上に厚さ１０００人のＧｏ−Ｐｔ磁性薄
膜を蒸着して磁気記録媒体を作製した。両磁気記録媒体
についての保磁力を測定した結果を第２図に示す。曲線
■は窒素ガス雰囲気で蒸着した場合、曲線■はアルゴン
ガス雰囲気で蒸着した場合である。
囲気中とアルゴンガス雰囲気中で（ガス正分はいずれも
同じ７ Ｘ １Ｏ−４Ｔｏｒｒである）高分子フィルム
の非磁性支持体上に厚さ１０００人のＧｏ−Ｐｔ磁性薄
膜を蒸着して磁気記録媒体を作製した。両磁気記録媒体
についての保磁力を測定した結果を第２図に示す。曲線
■は窒素ガス雰囲気で蒸着した場合、曲線■はアルゴン
ガス雰囲気で蒸着した場合である。
第２図から明らかなように、同じガス分圧で比較した場
合、アルゴンガス雰囲気での保磁力は窒素ガス雰囲気の
場合より小さいが、それでも１００００ｅ以上となり、
十分実用範囲に入る。
合、アルゴンガス雰囲気での保磁力は窒素ガス雰囲気の
場合より小さいが、それでも１００００ｅ以上となり、
十分実用範囲に入る。
窒素ガス、アルゴンガスの他にもｌｌｅ ＋ Ｎｅ ＋
Ｋｒ。
Ｋｒ。
Ｘｅ、 ＣＯ２等のガスを導入することによっても保磁
力を大きくすることができる。このように不活性ガスを
選ぶことができるのは真空蒸着法の利点である。スパッ
タリング法ではスパッタ速度の関係から質量数の小さな
元素を用いることは不利である。
力を大きくすることができる。このように不活性ガスを
選ぶことができるのは真空蒸着法の利点である。スパッ
タリング法ではスパッタ速度の関係から質量数の小さな
元素を用いることは不利である。
実施例３
第１図の真空蒸着装置（１）を使用し、窒素ガスを導入
して高分子フィルムの非磁性支持体（３）上に厚さ４０
０人のＣｏｅｏ Ｐｔ２ｏ磁性薄膜を蒸着して磁気記録
媒体を作製した。この磁気記録媒体について窒素ガス分
圧ＰＮ２を変えたときの保磁力及び磁性薄膜に含有する
窒素含有量（原子％）を測定した結果を第３図に示す。
して高分子フィルムの非磁性支持体（３）上に厚さ４０
０人のＣｏｅｏ Ｐｔ２ｏ磁性薄膜を蒸着して磁気記録
媒体を作製した。この磁気記録媒体について窒素ガス分
圧ＰＮ２を変えたときの保磁力及び磁性薄膜に含有する
窒素含有量（原子％）を測定した結果を第３図に示す。
曲線■は保磁力、曲線■は窒素含有量である。
第３図から明らかなように窒素ガス分圧ＰＨ２が高くな
ると保磁力は急激に大きくなり、ＰＮ２が約８ Ｘ １
０−’ Ｔｏｒｒで最大となり、３００００ｅにも達す
る。
ると保磁力は急激に大きくなり、ＰＮ２が約８ Ｘ １
０−’ Ｔｏｒｒで最大となり、３００００ｅにも達す
る。
また磁性薄膜中の窒素含有量は蒸着中の窒素ガス分圧が
増加すると増える傾向となる。窒素含有量としでは３〜
３５原子％の範囲が好ましい。
増加すると増える傾向となる。窒素含有量としでは３〜
３５原子％の範囲が好ましい。
実施例４
真空蒸着法とスパッタリング法によるＣｏ−Ｐｔ磁性薄
膜の保磁力の違いを調べた。
膜の保磁力の違いを調べた。
先ず、第１図の真空蒸着装置（］）を使用し、窒素ガス
を導入して（窒素ガス分圧６ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、
残留ガス分圧５ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ）非磁性支持体
上に厚さ８００人のＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜を蒸着して磁気
記録媒体を作製した。次に、スパッタリング法により非
磁性支持体上に厚さ８００人のＧｏ−Ｐｔの磁性薄膜を
形成して磁気記録媒体を作製した。但しスパッタリング
法による作製条件は最も高い保磁力が得られるように選
び、スパッタリング中のＡｒガス分圧を５ Ｘ １０”
３Ｔｏｒｒ、残留ガス分圧を５ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ
とした。そして夫々の磁気記録媒体について、ｐｔ組成
量を変えたときの保磁力を測定した結果を第４図に示す
。曲線■は真空蒸着法の場合、曲線■はスパッタリング
法の場合である。
を導入して（窒素ガス分圧６ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、
残留ガス分圧５ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ）非磁性支持体
上に厚さ８００人のＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜を蒸着して磁気
記録媒体を作製した。次に、スパッタリング法により非
磁性支持体上に厚さ８００人のＧｏ−Ｐｔの磁性薄膜を
形成して磁気記録媒体を作製した。但しスパッタリング
法による作製条件は最も高い保磁力が得られるように選
び、スパッタリング中のＡｒガス分圧を５ Ｘ １０”
３Ｔｏｒｒ、残留ガス分圧を５ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ
とした。そして夫々の磁気記録媒体について、ｐｔ組成
量を変えたときの保磁力を測定した結果を第４図に示す
。曲線■は真空蒸着法の場合、曲線■はスパッタリング
法の場合である。
第４図から明らかなように、全域にわたって真空蒸着法
によるＣｏ−Ｐｔ膜の方がスパッタリング法によるＣｏ
−Ｐｔ１ｌ！より大きな保磁力を示す。しかも、スパッ
タリング法では作製条件から図示した保磁力が最大値に
近いのに対し、真空蒸着法では窒素ガス分圧をさらに高
くするれば、より大きな保磁力が得られるのもであり、
スパッタリング法より有利である。
によるＣｏ−Ｐｔ膜の方がスパッタリング法によるＣｏ
−Ｐｔ１ｌ！より大きな保磁力を示す。しかも、スパッ
タリング法では作製条件から図示した保磁力が最大値に
近いのに対し、真空蒸着法では窒素ガス分圧をさらに高
くするれば、より大きな保磁力が得られるのもであり、
スパッタリング法より有利である。
実施例５
実施例４で作製した真空蒸着法及びスパッタリング法に
よる夫々の磁気記録媒体について残留磁束密度を測定し
た。その結果を第５図に示す。曲線Ｘは真空蒸着法によ
る場合、曲線■はスパッタリング法による場合である。
よる夫々の磁気記録媒体について残留磁束密度を測定し
た。その結果を第５図に示す。曲線Ｘは真空蒸着法によ
る場合、曲線■はスパッタリング法による場合である。
第５図から明らかなように、残留磁束密度はスパッタリ
ングによるＣｏ−Ｐｔ膜より真空蒸着によるＧｏ−Ｐｔ
膜の方が全体に大きい。これは、スパッタリング法で
は１Ｏ−３Ｔｏｒｒ台のガス雰囲気中で成膜するのに対
し、真空蒸着法では１０−’ Ｔｏｒｒ台のガス雰囲気
中で成膜するので、磁性薄膜のバンキングが高くなるた
めである。残留磁束密度が大きいことは再生出力の点で
有利である。
ングによるＣｏ−Ｐｔ膜より真空蒸着によるＧｏ−Ｐｔ
膜の方が全体に大きい。これは、スパッタリング法で
は１Ｏ−３Ｔｏｒｒ台のガス雰囲気中で成膜するのに対
し、真空蒸着法では１０−’ Ｔｏｒｒ台のガス雰囲気
中で成膜するので、磁性薄膜のバンキングが高くなるた
めである。残留磁束密度が大きいことは再生出力の点で
有利である。
実施例６
第１図の真空蒸着装置（１）を使用し、窒素ガス雰囲気
（分圧Ｐ Ｎ２ ＝ ４ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ）中
で非磁性支持体上に（Ｃｏ１００ −Ｘ Ｎ ｉｘ）
８ｏ Ｐ ｔ２ｏ磁性薄膜を蒸着して磁気記録媒体を作
製した。この磁気記録媒体について旧の組成量Ｘを変え
たときの保磁力及び角形比の測定結果を第６図に示す。
（分圧Ｐ Ｎ２ ＝ ４ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ）中
で非磁性支持体上に（Ｃｏ１００ −Ｘ Ｎ ｉｘ）
８ｏ Ｐ ｔ２ｏ磁性薄膜を蒸着して磁気記録媒体を作
製した。この磁気記録媒体について旧の組成量Ｘを変え
たときの保磁力及び角形比の測定結果を第６図に示す。
曲線■は保磁力、曲線■は角形比を夫々示す。また曲線
可ｖは比較のためのスパッタリング法により（Ｃ０１０
０ −Ｘ Ｎ ｉｘ） １００ −ｙ Ｐ ｔｙ膜を形
成したときの保磁力を夫々示す。
可ｖは比較のためのスパッタリング法により（Ｃ０１０
０ −Ｘ Ｎ ｉｘ） １００ −ｙ Ｐ ｔｙ膜を形
成したときの保磁力を夫々示す。
第６図から明らかなように、Ｎｉが添加されると角形比
は向上する。但しＮ１の添加で保磁力が減少するのでＮ
ｉの組成量ＸはＧｏに対しＸ≦２０原子％の範囲とする
のがよい。
は向上する。但しＮ１の添加で保磁力が減少するのでＮ
ｉの組成量ＸはＧｏに対しＸ≦２０原子％の範囲とする
のがよい。
実施例７
真空蒸着によるＣｏｅｏ Ｐｔ２ｏ磁性薄膜と、真空蒸
着による（ Ｃｏ５ｏ Ｎｉ＋ｏ ） ｅｏ Ｐｔ２ｏ
磁性薄膜とスパッタリングによるＣｏ５ｏ Ｐ ｔ２ｏ
磁性薄膜を夫々有した磁気ディスクＡ、Ｂ及びＣを作製
し、その記録密度特性を測定した。その結果を第７図に
示す。曲線Ｗは磁気ディスクＡ、曲線ＸｖＩは磁気ディ
スクＢ、曲線Ｘ■は磁気ディスクスの場合である。なお
、磁気ディスクＡ、Ｂ及びＣの磁気特性を表１に示す。
着による（ Ｃｏ５ｏ Ｎｉ＋ｏ ） ｅｏ Ｐｔ２ｏ
磁性薄膜とスパッタリングによるＣｏ５ｏ Ｐ ｔ２ｏ
磁性薄膜を夫々有した磁気ディスクＡ、Ｂ及びＣを作製
し、その記録密度特性を測定した。その結果を第７図に
示す。曲線Ｗは磁気ディスクＡ、曲線ＸｖＩは磁気ディ
スクＢ、曲線Ｘ■は磁気ディスクスの場合である。なお
、磁気ディスクＡ、Ｂ及びＣの磁気特性を表１に示す。
表１
記録再生では、ギャップ長０．２５μｍｓＦラック幅２
５μ−のＭｎ−Ｚｎフェライト磁気ヘッドを使用した。
５μ−のＭｎ−Ｚｎフェライト磁気ヘッドを使用した。
ヘッド浮上量は０．２μ鋼で、ディスク回転数は１２０
０ ｒｐｍ、相対速度は７．９ｍ／ｓである。
０ ｒｐｍ、相対速度は７．９ｍ／ｓである。
記録密度の目安となるＤ６０は表２に示す如くなる。
、表２
第７図及び表２から・記録密度特性においても、スパッ
タリ、ングによる磁性薄膜より、真空蒸着による磁性薄
膜の方が優れていることが認められる。
タリ、ングによる磁性薄膜より、真空蒸着による磁性薄
膜の方が優れていることが認められる。
上述した本発明によれば、不活性ガス雰囲気中で真空蒸
着によりＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ磁性
薄膜を形成することにより、高い保磁力を有し、また記
録密度特性にも優れ、高密度記録に適した磁気記録媒体
が得られる。
着によりＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ磁性
薄膜を形成することにより、高い保磁力を有し、また記
録密度特性にも優れ、高密度記録に適した磁気記録媒体
が得られる。
磁性薄膜の形成に際し、スパッタリング法にょる成膜速
度は毎秒数人〜１０数人程度であるが、真空蒸着法によ
る成膜速度は毎秒数十人程度が可能であり、従って本発
明製造方法は量産性に適するものである また、本発明では、非磁性支持体に対して垂直方向から
の真空蒸着で磁性薄膜を形成するので、磁性薄膜に配向
性が生ずることがなく、磁気的に面内等方法である。特
に磁気ディスクの場合には、配向性があると出力のエン
ヘロープ波形のモジュレーションが大きく、使用が困雌
であるが本発明で得られる磁気記録媒体は配向性がない
ので、磁気ディスクに適用して好適である。
度は毎秒数人〜１０数人程度であるが、真空蒸着法によ
る成膜速度は毎秒数十人程度が可能であり、従って本発
明製造方法は量産性に適するものである また、本発明では、非磁性支持体に対して垂直方向から
の真空蒸着で磁性薄膜を形成するので、磁性薄膜に配向
性が生ずることがなく、磁気的に面内等方法である。特
に磁気ディスクの場合には、配向性があると出力のエン
ヘロープ波形のモジュレーションが大きく、使用が困雌
であるが本発明で得られる磁気記録媒体は配向性がない
ので、磁気ディスクに適用して好適である。
第１図は本発明に適用される真空蒸着装置の一例を示す
構成図、第２図は各窒素ガス分圧におけるｐｔ組成量と
保磁力の関係を示す特性図、第３図は不活性ガスの種類
と保磁力の関係を示す特性図、第４図は窒素ガス分圧と
保磁力及び窒素含有量との関係を示す特性図、第５図は
スパッタリング法及び真空蒸着法による成膜と保磁力と
の関係を示す特性図、第６図はスパッタリング法及び真
空蒸着法による成膜残留磁束密度の関係を示す特性図、
第７図は（Ｃ０１００−ｘ Ｎ ｉｘ） ｓｏ Ｐ ｔ
２ｏの保磁力及び角形比とＮ＋組成量Ｘの関係を示す特
性図、第８図は磁性薄膜の記録密度特性図である。 （１）は真空蒸着装置、（２）は真空チャンバー、（３
）は非磁性支持体、（６）はＧｏ又はＣｏ−Ｎｉ蒸着源
、（７）はｐｔ蒸着源、（９）は不活性ガス導入管であ
る。 晰 ｍ９ （の 曖 毒 Ｒ（さ） 学 廻 Ｑ （ｌり ＊ 箇 ｐ（き） 己 さ −１−］や−門（週） ε ″。 区 ロロ 塚 よ）譜＠個慄（史） （波） へ 学 慴 毅（ｄ）
構成図、第２図は各窒素ガス分圧におけるｐｔ組成量と
保磁力の関係を示す特性図、第３図は不活性ガスの種類
と保磁力の関係を示す特性図、第４図は窒素ガス分圧と
保磁力及び窒素含有量との関係を示す特性図、第５図は
スパッタリング法及び真空蒸着法による成膜と保磁力と
の関係を示す特性図、第６図はスパッタリング法及び真
空蒸着法による成膜残留磁束密度の関係を示す特性図、
第７図は（Ｃ０１００−ｘ Ｎ ｉｘ） ｓｏ Ｐ ｔ
２ｏの保磁力及び角形比とＮ＋組成量Ｘの関係を示す特
性図、第８図は磁性薄膜の記録密度特性図である。 （１）は真空蒸着装置、（２）は真空チャンバー、（３
）は非磁性支持体、（６）はＧｏ又はＣｏ−Ｎｉ蒸着源
、（７）はｐｔ蒸着源、（９）は不活性ガス導入管であ
る。 晰 ｍ９ （の 曖 毒 Ｒ（さ） 学 廻 Ｑ （ｌり ＊ 箇 ｐ（き） 己 さ −１−］や−門（週） ε ″。 区 ロロ 塚 よ）譜＠個慄（史） （波） へ 学 慴 毅（ｄ）
Claims (1)
- 非磁性支持体上に不活性ガス雰囲気中で真空蒸着により
（Ｃｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘＮｉ＿ｘ）＿１＿０＿０＿
−＿ｙＰｔ＿ｙ（但しｘ、ｙは原子％を表わし、０≦ｘ
≦２０、０＜ｙ＜５０を満足する）からなる磁性薄膜を
形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9199485A JPS61250836A (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9199485A JPS61250836A (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61250836A true JPS61250836A (ja) | 1986-11-07 |
Family
ID=14041987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9199485A Pending JPS61250836A (ja) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61250836A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230818A (en) * | 1991-12-20 | 1993-07-27 | Eastman Kodak Company | Coating compositions for master media for anhysteretic recording |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832234A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59217224A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
-
1985
- 1985-04-29 JP JP9199485A patent/JPS61250836A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832234A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59217224A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230818A (en) * | 1991-12-20 | 1993-07-27 | Eastman Kodak Company | Coating compositions for master media for anhysteretic recording |
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