JPS61292219A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜の磁気
記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、基体上に強磁性金属薄膜を磁性層として形成
した磁気記録媒体において、 上記磁性層である強磁性金属薄膜をＣｒＦｉｉｌｌｉ層
とＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜層の２層構造とし、保磁力を大き
なものとするとともに、耐蝕性のより一層の向上を図ろ
うとするものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ−
Ｆ　ｅ　ｔ　Ｏｓ　＋　Ｃｏを含有するｒ　　Ｆ６ｚＯ
ｉ＋Ｆ　ｅ　ｘ　Ｏｔ＊　ＣＯを含有するＦ　＠　２０
ｔ、　ｒ　　Ｆ　８１ｏｚとＦ２Ｏ３とのベルトライド
化合物、Ｃｏを含有するベルトライド化合物、Ｃｒｙ、
等の酸化物強磁性粉末あるいはＦｅ、Ｃｏ、　Ｎｉ等を
主成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニ
ル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウ
レタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗
料を塗布・乾燥することにより作製される塗布型の磁気
記録媒体が広く使用されている。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、この種の磁気記録媒体において、強磁性金属
材料としては、結晶磁気異方性により高保磁力が得られ
角形性に優れたＣｏが最適であると考えられ、これにｐ
ｔを添加してより一層の保磁力の増大や耐蝕性の改善を
図ったＣｏ−Ｐｔ合金膜を磁性層とする磁気記録媒体の
開発が進められている。

ところで、上述のＣｏ−ｐｔ合金膜は、優れた磁気特性
と耐蝕性とを兼ね備えているものの、その成分として貴
金属であるｐｔを含有するために、その入手が困難で大
量生産が難しく、また製造コストも増大するという欠点
がある。

上記欠点を解消するためには、ｐｔの含有量を減少させ
ればよいが、この場合には所定の磁気特性、耐蝕性を確
保することは難しい。

そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案されたもので
あって、Ｐｔの含有量を減少させても磁気特性や耐蝕性
が劣化せず、面内等方的な異方性と高保磁力、高角形比
を合わせもち、高密度記録に対処することが可能な磁気
記録媒体を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者は、ｐｔを減少させても磁気特性や耐蝕性が劣
化しないような工夫をあらゆる角度から検討した結果、
Ｃｒ薄膜を下地層として、Ｃｏ−ｐｔ膜をその上に成膜
することが非常に有効であることを見出し本発明を完成
するに至ったものであって、基体上にＣｒよりなる薄膜
層およびＣ。

−ｐｔよりなる磁性薄膜層を順次形成したことを特徴と
するものである。

〔作用〕

Ｃｒ薄膜を下地層として形成すると、このＣｒ薄膜の影
響でこの上に被着形成されるＣｏ−Ｐｔ合金のＣ軸の配
向が良好なものとなり、Ｃｏ−Ｐｔ合金薄膜の保磁力が
非常に大きなものとなる。

したがって、同じ保磁力を得ようとする場合には、ｐｔ
含有量が少なくて済む。

また、下地膜のＣｒがＣｏ−Ｐｔ薄膜の表面に拡散し、
不動態膜が形成されて耐蝕性が向上する。

〔実施例〕

以下、本発明を実験結果に基づいて説明する。

本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

また、上記磁性層である強磁性金属薄膜やＣｒ薄膜層は
、真空蒸着法やイオンブレーティング法。

スパッタリング法等の真空薄膜形成技術により連Ｍｌｌ
！として形成される。

上記真空蒸着法は、１０−’〜１０−’Ｔｏｒｒの真空
下で金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱
等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強磁性
金属材料やＣｒ）を沈着するというものであり、基板に
対して斜めに蒸着する斜方蒸着法や基板面に対して垂直
方向から蒸着する垂直蒸着法等がある。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−４〜１０−３Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦ　　グロー放電を起こして、放電
中で上記金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０−”　１０−’Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。

本実施例においては、Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜は二重同時蒸
着法およびスパッタ法により形成し、下地層のＣｒ薄膜
も真空蒸着法およびスパッタ法により形成した。なお、
上記いずれの場合にも、真空蒸着の真空度は６　Ｘ　１
０−’Ｔｏｒｒとし、スパッタ法のＡｒ分圧は５　Ｘ　
１０−”Ｔｏｒｒとした。

上述の方法に従い、第１図に示すように、基体（１）上
にＣｒ薄膜層（２）を設け、さらにこのＣｒ薄膜層（２
）上に膜厚５００人のｃｏ−ｐｔ磁性薄膜層（３）（Ｐ
ｔ含有量ＩＯ原子％）を形成した。

上記Ｃｒ薄膜層（２）の膜厚を変え、この膜厚と得られ
る磁気記録媒体の保磁力の関係を調べた。結果を第２図
に示す、なお、この第２図において、曲ｗＡａは真空蒸
着法によった場合を、曲ｖＡｂはスパッタ法によった場
合をそれぞれ示す。

この第２図より、Ｃｒ薄膜層（２）の効果による保磁力
の増大が認められ、Ｃ’ｒ　＊膜層（２）の膜厚が６０
０〜８００人のときに、保磁力はＣｒ薄膜層（２）がな
いときに比べておよそ２倍にも達することがわかった。

したがって、このような効果により、例えば保磁力２０
００エルステツドを得るには、従来Ｃ。

−Ｐｔ膜におけるＰｔの含有量が２０原子％必要であっ
たのに対して、本発明によれば、ＣｒＦｉｒ層（２）を
形成しＣｏ−Ｐｔ膜のｐｔ含有量を１０原子％とすれば
よいと考えられる。

また、Ｃｒ薄膜を設けたことによる角形比や飽和磁束密
度等への影響を調べるために、膜厚５００人のＣｒ１ｌ
ｉｉ膜層を形成し、この上にＣＯｏ、ａｓＰ　ｔｏ、＋
ｓ　（組成は原子比）からなるＣｏ−ｐｔ磁性薄膜層を
形成した磁気記録媒体の磁気特性を、Ｃｒｌ膜層を形成
しないものと比較して測定した。結果を次表に示す。な
お、この表において、飽和磁束密度はＣｒ薄膜層を形成
しないものを１として求めた。

表 □□≠≠≠ この表より、Ｃｒ薄膜層による角形比、飽和磁束密度に
与える影響は小さく、Ｃｏ−Ｐｔ１性薄膜の特徴である
高磁束密度、高角形比を損なうことはないことが明白な
ものとなった。

さらに、Ｃｒ薄膜層を形成しｐｔ含有量を減らしたこと
による耐蝕性を評価するために、Ｃｒ薄薄層層上Ｃｏ、
１゜ＰｔＯ，Ｉ。からなる磁性薄膜層を形成したサンプ
ルと、Ｃｒ薄膜層を形成せずにＣｏａｌ。ｐｔ、０．。

からなるサンプル（保磁力はいずれも２０００エルステ
ツド）を作製し、耐蝕性試験を行った。耐蝕性試験は、
６０℃、相対湿度９５％の恒温恒温条件下で行った。結
果を第３図に示す。

この第３図より、耐蝕性は後者の方がわずかに盪れてい
るものの、ｐｔを減少した悪影響はほとんどあられれて
いないことがわかる。これは、下１１！！層であるＣｒ
薄膜層のＣｒが表面に拡散し、不１］態膜を形成するた
めと考えられる。

〔発明の効果〕

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上にＣｒよりなる薄膜層およびＣｏ−Ｐｔよりなる
   磁性薄膜層を順次形成したことを特徴とする磁気記録媒
   体。