JPS62120627A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体に関するものであり、特にコンピ
ュータのメモリ装置等に用いられる磁気ディスク等の磁
気記録媒体として、優れた特性をもつ合金薄膜を存する
磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

近年、磁気記録媒体として広く用いられているものは、
ｒ　　ＦｅｚＯ３，Ｆｅ＊Ｏａ、Ｃ０−Ｆｅｘ０４＝Ｃ
Ｏ−ｒ−ＦｅｚＯ３等の磁性微粒子を顔料とする磁性塗
料を基体上に塗布した、いわゆる粉末塗布型媒体である
。しかしながら、このような粉末塗布型媒体では、生産
技術上の問題からその厚さを０．２μｍ以下にすること
が困難であり、さらに記録密度にも限界がある。

このような状況から、新しい磁気記録媒体として、メッ
キ法、真空１着法、スパッタ法等により作製された結合
剤を使用しない合金薄膜が有望視され種々提案されてい
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、メッキ法による金属薄膜においては、長
期間における耐蝕性が劣ることや、化学的活性化処理が
廃液による公害問題を発生させる恐れがあり、その処理
に多大の出費を要することなどから未だ充分に実用化さ
れていない。

また、真空蒸着法やスパッタ法により作製された磁性薄
膜は、メッキ法によるものに比べて、種々の優れた特長
を有するために極めて官用なものであり、数多く提案さ
れているが、従来知られているものは耐蝕性および雑音
特性の点において必ずしも満足できないなどの問題点を
残しているのが実情である。

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、真空蒸着法やスパッタ法により、耐
蝕性および雑音特性に優れ良好な磁気特性を有し磁性薄
膜を提供するものである。

〔問題を解決するための手段〕

この目的を達成するために、本発明の磁気記録媒体は、
真空蒸着法またはスパッタ法によりＣＯを主成分とし、
Ｎｉ１５〜３０ａｔ％、　Ｒｕ０．　１〜５ａｔ％。

Ｚｒ０．１〜５ａｔ％を含む磁性薄膜を有するものであ
る。本発明による薄膜の粒径は２００〜４００人と小さ
くこれが雑音特性を向上させていることが推察される。

組成限定の理由はＮｉが１５ａｔ％未満では角型比が劣
り、３Ｑａｔ％をこすと飽和磁束密度が減少しともに出
力の低下をきたす。

またＲｕ０．１ａｔ％未満では耐食性およびノイズ特性
が劣り５ａｔ％をこすと角型比が悪くなる。

またＺｒ０．１ａｔ％未満ではノイズ特性が劣り、５ａ
ｔ％を越すと飽和磁束密度が減少し出力は低下する。

また、本発明において使用される基板としては、セラミ
ックス、ガラスまたはポリイミド、ポリエステル等の高
分子材料からなる基板、さらには高純度アルミ板あるい
はその表面をアルマイト処理したものなどが用いられ、
該基板上に真空蒸着法またはスパッタ法により上記合金
薄膜が成膜されるものである。

このようにして成膜された０、０１〜０．２μｍ１好ま
しくは０．０３〜０．１μｍ厚さの磁性薄膜は、磁化容
易軸が膜面内に揃い、高保磁力、高角形比を有し信号に
対しての雑音特性も優れている。

本発明の磁気記録媒体を製造する場合の条件や手順など
は、通常の方法に則って行うことが可能であり、例えば
容器内をｉｏ−’〜１０−’Ｔｏｒｒ程度に排気した後
、真空蒸着法により成膜する方法、あるいは排気された
容器に１０４〜１０−”Ｔｏｒｒ程度のスパッタガスを
導入しスパッタリングを行う方法などにより実施できる
。

尚、この際、膜の均一化と共に所定の磁気特性となるよ
うにスパッタ圧および投入電力を適宜調整することは言
うまでもない。上記スパッタリング等により、所定厚さ
の薄膜が基板上に形成された後、これを容器から取り出
し、必要に応じ熱処理を行い、磁気記録媒体が得られる
。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定
されるものではない。

実施例Ｉ ＲＦスパッタ装置を用いて円盤状の磁気記録媒体（磁気
ディスク）を製造した。条件は次の通りである。

基板；厚さ’Ｉ　ｎ＋の純アルミニウム合金にＣｒを０
．２μｍスパッターしたもの 外径（直径）：１３０ｍｍ 内径（直径）：４０ｍ■ ターゲット組成；Ｎｉ１５ａｔ％、Ｒｕ０．１ａｔ％。

Ｚｒ０．１ａｔ％、残部ＣＯの合金ターゲット運転条件
；投入電力　　　５００Ｗ 周波数　　　　１３．５６　Ｍｌｌｚ スパッタ時間　１４分 初期排気　　　２　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ雰囲気　　　
　アルゴン スパッタ時アルゴン圧力 ４〜１２　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒ 基板温度　　１４５℃ 上記条件でスパッタリングして得た、磁性層０．０７μ
ｍの膜厚を有する磁気ディスクの磁気特性は、角形比０
．９０．保磁カフ５０エルステ・ノド。

飽和磁束密度は１４，５００ガウスであった。

磁気ヘッドを用いシグナルノイズ比を測定した結果３４
ｄＢであった。

実施例２ 上記実施例１に示される条件下で、ターゲ・ノド組成の
み変化させ、以下の組成にてスパッタリングを行った。

ターゲット組成；Ｎｔ２０ａｔ％＋　Ｒｕ　１　ａ　ｔ
％。

Ｚｒ　１　ａｔ％、残部Ｃｏからなる合金ターゲット 上記実施例１と同じ条件でスパッタリングして得た磁性
層０．０７μｍの膜厚を有する磁気ディスクの磁気特性
は角形比０．９５．保磁力８００エルステツド、飽和磁
束密度は１４，１００ガウスであった。

シグナルノイズ比は３５ｄＢであった。

実施例３ 容器内を８　Ｘ　１０−７Ｔｏｒｒに初期排気し、Ｎｉ
２５ａｔ％、Ｒｕ３ａｔ％、Ｚｒ３ａｔ％、残部ＣＯか
らなる合金インゴットを真空蒸着法によりタングステン
バスケットより蒸発させ、０．０９μｍの磁性膜をセラ
ミック基板上に成膜した。このようにして成膜された磁
性膜の磁気特性は、角形比０．９２．保磁カフ９０エル
ステツド、飽和磁束密度は１３２００ガウスであった。

信号ノイズ比は３６ｄＢであった。

実施例４ 容器内を８　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに初期排気し、Ｎｉ
３０ａｔ％、Ｒｕ５ａｔ％、Ｚｒ５ａｔ％、残部Ｃｏか
らなる合金インゴットを真空蒸着法によりタングステン
バスケットから蒸発させ０．０６μｍの磁性膜を、実施
例１と同様に純アルミニウム基板上に成膜した。

このようにして成膜された磁性膜の磁気特性は角形比０
．９５．保磁カフ５０エルステツド、飽和磁束密度は１
２９００ガウスであった。信号ノイズ比は３７ｄＢであ
った。

比較例 容器内を８　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに初期排気し、組成
（Ａ）Ｎｉ１５ａｔ％、Ｃｏ８５ａｔ％の合金インゴッ
トおよび組成（Ｂ）　Ｎｉ　３０　ａｔ％＋　Ｃｏ７０
ａｔ％合金インゴットをそれぞれ真空蒸着法によりタン
グステンバスケットから蒸発させ０．０８μｍの磁性層
を実施例１と同様に純アルミニウム基板に成膜した。こ
のようにして成膜された磁性膜の磁気特性は、夫々合金
薄膜（Ａ）では角形比０．８５．保磁カフ２０エルステ
ツド、飽和磁束密度１４，５００ガウスであった。

又信号ノイズ比は一２６ｄＢであった。合金薄膜（Ｂ）
では角形比０．７０．保磁カフ００エルステツド。

飽和磁束密度１３．４００ガウスであった。信号ノイズ
比は２５ｄＢであった。

実施例１から実施例４で形成された磁性薄膜及び比較例
Ａ、Ｂを、湿度８０％、８０℃の雰囲気中に１０日間放
置した結果、第１表に示される磁気特性が得られた。

第１表 実施例１から４において形成した磁性薄膜のものは、磁
気特性に優れ、また耐蝕性に優れていることが認められ
またディスクとしてのノイズ特性が優れている。一方、
それらと比較して、比較例における磁性薄膜Ａ、Ｂのも
のは磁気特性は良いが耐蝕性に劣り、ノイズ特性が劣る
ことが認められる。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば耐蝕性に優れ、良好な磁気
特性を有しノイズ特性の優れた磁気記録媒体が容易に製
造できるため、その工業的寄与は極めて大きい。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）原子比でＮｉが１５〜３０ａｔ％、Ｒｕ０．１〜
   ５ａｔ％、Ｚｒ０．１〜５ａｔ％、残部が実質的にＣｏ
   から成る磁性薄膜を有することを特徴とする磁気記録媒
   体。
2. （２）上記磁性薄膜がスパッタ法または真空蒸着法によ
   り成膜された特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体
   。