JPS62120626A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体に関するものであり、特にコンピ
ュータのメモリ装置等に用いられる磁気ディスク等の磁
気記録媒体として、優れた特性をもつ合金薄膜を有する
磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

近年、磁気記録媒体として広く用いられているものは、
γ−Ｆｅ４０３．　Ｆｅ、、０４ＩＣｏ−Ｆｅ＊０４＋
　Ｃｏ−Ｔ　−Ｆｅｚ０３等の磁性微粒子を顔料とする
磁性塗料を基体上に塗布した、いわゆる粉末塗布型媒体
である。しかしながら、このような粉末塗布型媒体では
、生産技術上の問題からその厚さを０．２μｍ以下にす
ることが困難であり、さらに記録密度にも限界がある。

このような状況から、新しい磁気記録媒体として、メッ
キ法、真空蒸着法、スパッタ法等により作製された結合
剤を使用しない合金薄膜が有望視され種々提案されてい
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、メッキ法による金属薄膜においては、長
期間における耐蝕性が劣ることや、化学的活性化処理が
廃液による公害問題を発生させる恐れがあり、その処理
に多大の出費を要することなどから未だ充分に実用化さ
れていない。

また、真空蒸着法やスパッタ法により作製された磁性薄
膜は、メッキ法によるものに比べて、種々の優れた特長
を有するために極めて有用なものであり、数多く提案さ
れているが、従来知られているものは耐蝕性および雑音
特性の点において必ずしも満足できないなどの問題点を
残しているのが実情である。

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、真空蒸着法やスパッタ法により、耐
蝕性および雑音特性に優れ良好な磁気特性を有する磁性
薄膜を提供するものである。

〔問題を解決するための手段〕

この目的を達成するために、本発明の磁気記録媒体は、
真空蒸着法またはスパッタ法によりＮｉ１５〜３０ａｔ
％、　Ｐｔｌ　〜１２ａｔ％、　Ｒｕ０．　１〜５ａｔ
％、Ｔｉ０１１〜５ａｔ％、残部が実質的にＣＯを含む
磁性薄膜を有するものである。また磁性薄膜の膜厚は０
．０１〜０．２．ｃｒｍ、好ましくは０．０３〜０．１
　ｐ　ｍとすることにより、より好ましい効果を得るこ
とができる。

Ｎｔが１５ａｔ未満では角形比が劣り、３０ａｔ％を越
すと飽和磁束密度Ｂが減少する。

またＰｔがｌａｔ％以下では角形比および耐食性の効果
はなく１２ａｔ％を越すと飽和磁束密度が減少する。ま
たＲｕが０３ｌａｔ％では耐食性が不良で５ａｔ％を越
すと角形比および飽和磁化の値が減少する。

またＴｉが０．１ａｔ％未満ではノイズ特性は改善され
ず５ａｔ％を越すと角形比が劣化する。

また、本発明において使用される基板としては、セラミ
ックス、ガラスまたはポリイミド、ポリエステル等の高
分子材料からなる基板、さらには高純度アルミ板あるい
はその表面をアルマイト処理したものなどが用いられ、
該基板上に真空蒸着法またはスパッタ法により上記合金
薄膜が成膜されるものである。

このようにして成膜された０、０１〜０．２μｍ１好ま
しくは０．０３〜０．１μｍ厚さの磁性薄膜は、磁化容
易軸が膜面内に揃い、高保磁力、高角形比を有し雑音特
性が優れている。

本発明の磁気記録媒体を製造する場合の条件や手順など
は、通常の方法に則って行うことが可能であり、例えば
容器内を１０−５〜１０−’Ｔｏｒｒ程度に排気した後
、真空蒸着法により成膜する方法、あるいは排気された
容器に１０−３〜１０−”Ｔｏｒｒ程度のスパッタガス
を導入しスパッタリングを行う方法などにより実施でき
る。

尚、この際、膜の均一化と共に所定の磁気特性となるよ
うにスパッタ圧および投入電力を適宜調整することは言
うまでもない。上記スパッタリング等により、所定厚さ
の薄膜が基板上に形成された後、これを容器から取り出
し、必要に応じ熱処理を行い、磁気記録媒体が得られる
。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定
されるものではない。

実施例Ｉ ＲＦスバフタ装置を用いて円盤状の磁気記録媒体（磁気
ディスク）を製造した。条件は次の通りである。

基板；厚さ２ｆｌの純アルミニウム合金に３０μｍ厚の
アルマイト処理をしたもの 外径（直径）：１３０ｎ＋ 内径（直径）：４０ｍｍ ターゲット組成；Ｎｉ１５ａｔ％、Ｐｔｌａｔ％。

Ｒｕ５ａｔ％ｒ　Ｔｔ　ｏ、　１　ａ　ｔ％残部ＣＯか
らなる合金ターゲット 運転条件；投入電力　　　５００Ｗ 周波数　　　　１３．５６　ＭＩＩＺ スパッタ時間　１４分 初期排気　　　２　Ｘ　ｌ　Ｏ−”Ｔｏｒｒ雰囲気　　
　　アルゴン スパッタ時アルゴン圧力 ４〜１２　Ｘ　１０−″Ｔｏｒｒ 基板温度　　１４５℃ 上記条件でスパッタリングして得た、磁性層０．０７μ
ｍの膜厚を有する磁気ディスクの磁気特性は、角形比０
．８０．保磁力８３０エルステツド。

飽和磁束密度は１４，２００ガウスであった。信号ノイ
ズ比は３５ｄＢであった。

実施例２ 上記実施例１に示される条件下で、ターゲット組成のみ
変化させ、以下の組成にてスパッタリングを行った。

ターゲット組成；Ｎｉ２０ａｔ％、Ｐｔ５ａｔ％。

Ｒｕ３ａｔ％、Ｔｉｌａｔ％、残部ＣＯよりなる合金タ
ーゲット 上記実施例１と同じ条件でスパッタリングして得た磁性
層０．０７μｍの膜厚を有する磁気ディスクの磁気特性
は角形比０．８５．保磁力８２０エルステツド、飽和磁
束密度は１４，３００ガウスであった。

信号ノイズ比は３６ｄＢであった。

実施例３ 容器内を８　Ｘ　１０−７Ｔｏｒｒに初期排気し、Ｎｉ
２５ａｔ％、Ｐｔ８ａｔ％、Ｒｕｌａｔ％、Ｔｉ３ａｔ
％、残部Ｃｏよりなる合金インゴットを真空蒸着法によ
りタングステンバスケットより蒸発させ、０．０９μｍ
の磁性膜をセラミック基板上に成膜した。このようにし
て成膜された磁性膜の磁気特性は、角形比０．９０゜保
磁カフ８０エルステツド、飽和磁束密度は１２７００ガ
ウスであった。信号ノイズ比は３５ｄＢであった０ 実施例４ 容器内を８　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに初期排気し、Ｎｉ
３０ａｔ％、　Ｐｔｌ　２ａｔ％、Ｒｕ０．１ａｔ％、
Ｔｉ５ａｔ％、残部Ｃｏよりなる合金インゴットを真空
蒸着法によりタングステンバスケットから蒸発させ０．
０６μｍの磁性膜を、実施例１と同様にアルマイト処理
した純アルミニウム基板上に成膜した。このようにして
成膜された磁性膜の磁気特性は角形比０．８０゜保磁カ
フ００エルステツド、飽和磁束密度は１２３００ガウス
であった。信号ノイズ比は３８ｄＢであった。

比較例 容器内を８　Ｘ　１０−フＴｏｒｒに初期排気し、組成
ＡＮｉ１５ａｔ％、Ｎｉ１５ａｔなる合金インゴットお
よび組成りＮｉ３０ａｔ％、残部Ｃｏよりなる合金イン
ゴットをそれぞれ真空蒸着法によりタングステンバスケ
ットから蒸発させ０．０８μｍの磁性層を実施例１と同
様にアルマイト処理した純アルミニウム基板に成膜した
。このようにして成膜された磁性膜の磁気特性は、合金
薄膜組成（Ａ）では角形比０．８５．保磁カフ２０エル
ステツド、飽和磁束密度１４，５００ガウスであった。

信号ノイズ比は２６ｄＢであった。合金薄膜組成（Ｂ）
では角形比０．７０゜保磁カフ００エルステツド、飽和
磁束密度１３．４００ガウスであった。信号ノイズ比は
２５ｄＢであった。

実施例１から実施例４で形成された磁性薄膜及び比較例
Ａ、Ｂを、湿度８０％、８０℃の雰囲気中に１０日間放
置した結果、第１表に示される磁気特性が得られた。

第１表 実施例１から４において形成した磁性薄膜のものは、磁
気特性に優れ、また耐蝕性に優れていることが認められ
ノイズ特性も変化はなかった。−方、それらと比較して
、比較例における磁性薄膜Ａ、Ｂのものは環境テストの
結果磁気特性は劣化する。またノイズ特性も劣る。　　
　　　　　　　　　特〔発明の効果〕　　　　　　　　
　　　　　　　　　　事態上の通り、本発明によれば耐
蝕性に優れ、良好な磁気特性を有する磁気記録媒体が容
易に製造　　発で、きるため、その工業的寄与は極めて
大きい。　　　　補許庁艮宮殿 明の名称　磁気記録媒体 正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称　（５
０８）日立金腐株式会社 正の対象　明細ｉ！１の「発明の詳細な説明」の欄。

正の内容 、第８頁第２０行のｊ２６ｄＢＪをｒ２７ｄＢＪに正す
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）原子比でＮｉが１５〜３０ａｔ％、Ｐｔが１〜１
   ２ａｔ％、Ｒｕ０．１〜５ａｔ％、Ｔｉが０．１〜５ａ
   ｔ％、残部が実質的にＣｏから成る磁性薄膜を有するこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）上記磁性薄膜がスパッタ法または真空蒸着法によ
   り成膜された特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体
   。