JP2894253B2 - 高機能性薄膜の製造方法 - Google Patents

高機能性薄膜の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高い配向性を有する高機
能性薄膜の製造方法に関するもので、例えば高記録密度
媒体である蒸着テープ、液晶を配向させる機能性薄膜、
あるいは高い交換効率を有することが可能な太陽電池な
ど広い分野で応用される。
【0002】
【従来の技術】近年、高機能性薄膜の技術的発展は目ざ
ましく、その応用分野も多岐にわたっている。例えば磁
気記録媒体においては磁気記録密度の向上に見られるよ
うに、その技術的発展はめざましいものがある。従来の
磁気記録媒体の例として、オーディオ、ビデオ用テープ
材料に用いられるγ−Fe23粉末、CrO2粉末、純
鉄粉末等を樹脂等のバインダーとともに高分子フィルム
上に塗着せしめた、いわゆる塗布型の磁気記録媒体があ
る。
【0003】そしてこの塗布型磁気記録媒体より更に記
録密度を高めるために真空蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング、クラスターイオンビームなどの方
法で、Fe,Co,Ni,Cr等の磁性金属を単独、も
しくは合金で高分子フィルム基板上に蒸着する金属薄膜
型磁気記録媒体の検討がなされている。また強磁性金属
薄膜型の記録媒体として、斜方入射蒸着法を用いたオー
ディオ用テープが既に実用化されている。真空蒸着法等
による強磁性金属薄膜型テープは高記録密度媒体でビデ
オ用テープとして利用した場合にはノイズの少ない高画
質が得られる。
【0004】ここで、従来の真空蒸着法により金属薄膜
型テープの製造方法を図2により説明する。巻出軸12
にセットした高分子フィルム11を連続的に送り出し
て、冷却ドラム13を経て、巻取軸14で巻取る。この
時、下方より電子ビーム15で強磁性金属16を溶解
し、蒸発させ、高分子フィルム11の表面上に蒸着す
る。蒸着時に不用な磁性金属は遮蔽板17でカットす
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
製造方法によれば高出力化、低ノイズ化をはかり、高画
質な画面を得るためには蒸着時の最小入射角θを40度
以上で行い、他は遮蔽しなければ充分に満足な特性を得
られなかった。この時蒸着時の最小入射角が大きい程磁
性金属の付着効率は小さく、入射角40度の場合、付着
効率はおよそ全体量の7〜8重量%位と非常に悪い。こ
のように真空蒸着法等による金属薄膜テープの場合テー
プとしての機能を充分に果すための製造方法は蒸着時の
付着効率が非常に悪く量産性、工業化への欠点であっ
た。これは金属薄膜テープに限らず、斜方蒸着による配
向性を利用した高機能性薄膜全般についても同様であ
る。
【0006】更に詳しくは、従来の金属薄膜型蒸着テー
プは斜方蒸着で高入射角成分から低入射角成分まで連続
的にポリエステルフィルム上に磁性金属を蒸着してい
た。この場合磁性金属は高入射角成分(90度)から核
成長が始まり、これを中心に連続的に低入射角方向へと
磁性金属は積層されてゆく。しかしビデオ用蒸着テープ
として利用する場合、当然のことながら高画質でなけれ
ばならない。このため金属薄膜の磁性金属の配向性を高
め、電磁変換特性としての高出力化、低ノイズ化をはか
らねばならない。磁性金属の配向性を保ち、高画質を得
るために、従来高入射角成分(90度)から低入射域
(40度位)の範囲で連続的に蒸着を行っていた。しか
し蒸着時の蒸気流分布は高入射成分程そのレートは低
く、低入射角域に従って指数関数的に高くなってゆくた
め、実際に蒸着に使用される有効な磁性金属は蒸着前の
ルツボ内の磁性金属量の約7%位と非常に使用効率が悪
い。
【0007】本発明は上記問題点に鑑み、強磁性金属の
配向性を保ちながら蒸着時の付着効率が良く、高出力化
ならびに低ノイズ化をはかり高画質の画面を得ることの
できる高機能性薄膜を量産できる工業的方法を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、フィルム面に強磁性金属を斜方蒸着するこ
とにより高機能性薄膜を製造する方法において、前記強
磁性金属の蒸気流の中間入射角成分の入射を阻止して高
入射角成分と低入射角成分を前記フィルム面上に不連続
的に蒸着積層し、前記高入射角成分にイオン化した酸素
ガスを吹きつけることを特徴とする。
【0009】
【作用】本発明の特徴によれば、まず、高入射角性分が
蒸着されたフィルム面上に直接、レートの高い低入射角
成分を蒸着積層されるので、蒸着レート、蒸着スピード
が大幅に改善されるので、蒸着時の付着効率が向上し、
量産工業化ができる。さらに、高入射角成分にイオン化
した酸素ガスを吹きつけることにより、磁気特性、電気
変換特性は向上する。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例の蒸着テープについ
て、図面を参照しながら説明する。
【0011】(実施例)図1は本発明の実施例でポリエ
ステルフィルム1をセットし、冷却回転ドラム2を経て
巻取られる。強磁性金属Co−Ni合金3を電子ビーム
4で溶解し、下方より斜方蒸着で蒸着する。この時蒸着
の遮蔽板5は高入射角成分6(70度以上)と、低入射
角成分7(60度から40度)が蒸着され、中間の60
度から70度の中間入射角成分域は遮蔽板5によってカ
ットする。
【0012】このように高入射角成分と低入射角成分を
不連続的に蒸着し、この時高入射角成分にイオン化した
酸素ガスを吹きつける。このために、高入射角の左方遮
蔽板8の酸素ガス導入口9から酸素を導入し、イオン源
10から導入酸素ガスと金属蒸気流をイオン化して薄膜
を作成した。
【0013】(比較例)イオン化した酸素ガスを導入し
ないこと以外は実施例と同様の方法で薄膜を形成した。
【0014】以上のような方法で作った高機能性薄膜の
諸性能と効果について述べる。斜方蒸着による金属薄膜
の評価方法は、VSMによる静的な磁気特性と市販の8
mmデッキを用いて電磁変換特性を調べた。その結果を
(表1)に示す。
【0015】
【表1】
【0016】磁気特性における保磁力、残留磁束密度は
従来例を1として、その相対値で示した。また電磁変換
特性は従来例の出力値を0dBとし、その相対値を示し
た。蒸着レートは、蒸着時のフィルム速度とその時の膜
厚からレートを換算し、従来例に対する相対値で示し
た。
【0017】蒸着レートの高い低入射成分を従来例と同
じ40度以上とし、中間成分60〜70度をカットした
にもかかわらず、本発明の実施例と比較例は共に従来例
の40〜90度と同等の蒸着レートである。これは、蒸
気流の高入射成分をイオン化しているため、90度以上
の成分も蒸着するためと考えられる。
【0018】本発明により作成した薄膜の電磁変換特性
は従来例に比して+3dB、比較例に比して+2.3d
B向上し、保磁力、残留磁束密度も改善している。これ
は、イオン化した酸素の導入によると考えられる。
【0019】以上、本発明の実施例のように、斜方蒸着
時の途中に遮蔽板を設けることで、高入射角成分と低入
射角成分を不連続的に蒸着積層し、さらに高入射角成分
にイオン化したガスを吹きつけることで、蒸着レート、
スピードが大幅に改善でき、磁気特性は大幅に改善され
る。
【0020】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
となく他の方法も効果がある。例えば上記実施例では斜
方蒸着による金属薄膜型磁気記録媒体について示した
が、SiO等を蒸着する液晶配向膜、Cu−In−Se
系薄膜を形成する太陽電池薄膜、あるいはEL、超伝導
薄膜など斜方蒸着による配向性を用いた高機能性薄膜に
利用できる。また蒸着は金属、合金等の無機物質に限ら
ず、有機蒸着による配向膜も可能である。蒸着時のマス
ク位置、また本発明を実施する場合、酸素、窒素、水
素、オゾン、アルゴン等のガスあるいは反応性ガスを用
いた反応蒸着法を用いても同様の効果がある。
【0021】
【発明の効果】本発明により、付着効率の高く、量産性
にすぐれ、かつ高性能な配向膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す工程図
【図2】従来の斜方蒸着法による高機能性薄膜の製造を
示す工程図
【符号の説明】
1 ポリエステルフィルム 3 強磁性金属 4 電子ビーム 5 遮蔽板 6 高入射角成分 7 低入射角成分 8 左方遮蔽板 9 酸素ガス導入口 10 イオン源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C23C 14/00 - 14/58 G11B 5/85 H01F 41/20

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フィルム面に強磁性金属を一方向に斜方蒸
    着することにより高機能性薄膜を製造する方法であっ
    て、前記強磁性金属の蒸気流の中間入射角成分の入射を
    阻止して高入射角成分と低入射角成分を前記フィルム面
    上に不連続的に蒸着積層し、前記高入射角成分にイオン
    化した酸素ガスを吹きつけることを特徴とする高機能性
    薄膜の製造方法。
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