JPH02129362A - 高機能性薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高い配向性を有する高機能性薄膜の製造方法に
関するもので、例えば高記録密度媒体である蒸着テープ
、液晶を配向させる機能性薄膜。

あるいは高い交換効率を有することが可能な太陽電池な
ど広い分野で応用される。

従来の技術 近年、高機能性薄膜の技術的発展は目ざましく、その応
用分野も多岐にわたっている。例えば磁気記録媒体にお
いては磁気記録密度の向上に見られるように、その技術
的発展はめざましいものがある。従来の磁気記録媒体の
例として、オーディオ。

ビデオ用テープ材料に用いられるγ−Ｆｅ２０５粉末。

ＣｒＯ□粉末、純鉄粉末等を樹脂等のバインダーととも
に高分子フィルム上に塗着せしめた、いわゆる塗布型の
磁気記録媒体がある。

そしてこの塗布型磁気記録媒体より更に記録密度を高め
るために真空蒸着、イオンブレーティング、ヌバッタリ
ング、クラヌターイオンビームなどの方法で、Ｆｅ　、
Ｇｏ、Ｎｉ　、Ｏｒ等の磁性金属を単独、もしくは合金
で高分子フィルム基板上に蒸着する金属薄膜型磁気記録
媒体の検討がなされている。また強磁性金属薄膜型の記
録媒体として、斜方入射蒸着法を用いたオーディオ用テ
ープが既に実用化されている。真空蒸着法等による強磁
性金属薄膜型テープは高記録密度媒体でビデオ用テープ
として利用した場合にはノイズの少ない高画質が得られ
る。

ここで、従来の真空蒸着法による金属薄膜型テープの製
造方法を第２図により説明する。巻出軸１２にセットし
た高分子フィルム１１を連続的に送シ出して、冷却ドラ
ム１３を経て１巻取軸１４で巻取る。この時、下方より
電子ビーム１５で強磁性金属１６を溶解し、蒸発させ、
高分子フィルム１１の表面上に蒸着する。蒸着時に不用
な磁性金属は遮蔽板１７でカットする。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の製造方法によれば高出力化、低ノ
イズ化をはかυ、高画質な画面を得るためには蒸着時の
最小入射角θを４０度以上で行い、他は遮蔽しなければ
充分に満足な特性を得られなかった。この時蒸着時の最
小入射角が大きい程磁性金属の付着効率は小さく、入射
角４０度の場合、付着効率はおよそ全体量の７〜８重量
％位と非常に悪い。このように真空蒸着法等による金属
薄膜テープの場合テープとしての機能を充分に果すため
の製造方法は蒸着時の付着効率が非常に悪く量産性、工
業化への欠点であった。これは金属薄膜テープに限らず
、斜方蒸着による配向性を利用した高機能性薄膜全般に
ついても同様である。

更に詳しくは、従来の金属薄膜型蒸着テープは斜方蒸着
で高入射角成分から低入射域成分まで連続的にポリエス
テルフィルム上に磁性金属を蒸着していた。この場合磁
性金属は高入射角成分（９０度）から核成長が始１す、
これを中心に連続的に低入射角方向へと磁性金属は積層
されてゆく。しかしビデオ用蒸着テープとして利用する
場合、画然のことながら高画質でなければならない。こ
のため金属薄膜の磁性金属の配向性を高め、電磁変換特
性としての高出力化、低ノイズ化をはからねばならない
。磁性金属の配向性を保ち、高画質を得るために、従来
高入射角成分（９０度）から低入射域（４ｏ度位い）の
範囲で連続的に蒸着を行っていた。しかし蒸着時の蒸気
流分布は高入射角分程そのレートは低く、低入射角域に
従って指数関数的に高くなってゆくため、実際に蒸着に
使用される有効な磁性金属は蒸着前のルツボ内の磁性金
属量の約７％位いと非常に使用効率が悪い。

本発明は上記問題点に鑑み、強磁性金属の配向性を保ち
ながら蒸着時の付着効率が良く、高出力化ならびに低ノ
イズ化をはかり高画質の画面を得ることのできる高機能
性薄膜を量産できる工業的方法を提供することを目的と
する。

課題を解決するための手段 本発明は上記の目的を達成するため、フィルム面に強磁
性金属を斜方蒸着することによシ高機能性薄膜を製造す
る方法において、前記強磁性金属の蒸気流の中間入射角
成分の入射を阻止して高入射角成分と低入射角成分を前
記フィルム面上に不連続的に蒸着積層することを特徴と
し、望ましくは高入射角成分をイオン化しておくことを
イオン化する。

作用 本発明の特徴によれば、高入射角成分が蒸着されたフィ
ルム面上に直接、し〜トの高い低入射角成分を蒸着積層
されるので、蒸着レート、蒸着スピードが大幅に改善さ
れるので、蒸着時の付着効率が向上し、量産工業化でき
る。又高入射角成分をイオン化しておくことにより、磁
気特性、電気変換特性は向上し、蒸着レートも良くなる
。

実施例 以下、本発明の実施例の蒸着テープについて、図面を参
照しながら説明する。

実施例１ 第１図は本発明の実施例でポリエステルフィルム１をセ
）トし５冷却回転ドラム２を経て巻取られる。強磁性金
属Ｃｏ　−Ｎｉ合金３を電子ビーム４で溶解し、下方よ
り斜方蒸着で蒸着する。この時蒸着の遮蔽板５は高入射
角成分６（７０度以上）成分と、低入射角成分７（３０
度以下）成分が蒸着され、中間の３０度から７０度の中
間入射角成分域は遮蔽板６によってカットする。

実施例２ 実施例１と同様の方法で高入射角成分と低入射角成分を
不連続的に蒸着する。この時高入射角成分をイオンアシ
ストによシイオン化する。

実施例３ 実施例１と同様の方法で高入射角成分と低入射角成分を
不連続的に蒸着する。この時高入射角成分にイオン化し
た酸素ガスを吹きつける。

以上のような実施例の方法で作った高機能性薄膜の諸性
能と効果について述べる。

斜方蒸着による金属薄膜の評価方法は、ｖＳＭによる静
的な磁気特性と市販の８Ｈデツキを用いて電磁変換特性
を調べた。その結果を第１表に示す。

第　　１　　表 磁気特性における保持力、残留磁束密度は従来例を１と
して、その相対値で示した。また電磁変換特性は従来例
の出力値をｏｄＢとし、その相対値を示す。蒸着レート
は、蒸着時のフィルム速度とその時の膜厚からレートを
換算し、従来例に対する相対値で示す。

斜方蒸着における保持力は、従来例および本発明の実施
例ともあまり変らない。しかし残留磁束密度は本発明の
実施例２では大きくなっている。

電磁変換特性においては従来例と実施例１は大差ないが
、実施例２では若干高くなっている。蒸着速度に係わる
蒸着レートについては本発明の実施例では従来例よりも
５倍以上高い値を示す。

次に本発明の実施例の効果の要因を考察してみると、本
発明は従来例と比べて非常にレートの高い低入射角成分
を高入射角成分に直接蒸着することで諸特性を得ている
。即ち、従来は高入射角（７０〜９０度）成分と連続的
に蒸着することで。

諸特性とのバランスの良い、入射角４０度を決めていた
。しかし、本発明ではこの中域の４０度〜７０度１での
入射角成分をカットし、高入射角成分１（直接低入射角
成分（３０度以下）を蒸着することで従来例と同等以上
の諸特性を得ている。また実施例２に見られるように高
入射角成分をイオンアシストでイオン化することにより
磁気特性。

電磁変換特性は改善され、蒸着レートも良くなる。

以上本発明の実施例のように、斜方蒸着時の途中に遮蔽
板を設けることで、高入射角成分と低入射角成分を不連
続的に蒸着積層することで、蒸着レート、ヌビードが大
幅に改善出来ることが解った。更に高入射角成分をイオ
ン化することで、この効果はより改善される。

なお、本発明は上記実施例に限定されることなく他の方
法も効果がある。例えば上記実施例では斜方蒸着による
金属薄膜型磁気記録媒体について示したが、ＳｉＯ等を
蒸着する液晶配向膜、　Ｃｕ−Ｉｎ−８ｓ系薄膜を形成
する太陽電池薄膜、あるいはＫＬ。

超伝導薄膜など斜方蒸着による配向性を用いた高機能性
薄膜に利用出来る。また蒸着は金属１合金等の無機物質
に限らず、有機蒸着による配向膜も可能である。蒸着時
のマスク位置、あるいはイオンアシストの位置なども他
の方法でも同様の効果がある。また本発明を実施する場
合、酸素、窒素。

水素、オゾン、アルゴン等のガスあるいは反応性ガスを
用いた反応蒸着法を用いても同様の効果がある。

発明の効果 本発明により、付着効率の高く、量産性にすぐれ、かつ
高性能な配向膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は従来
の斜方蒸着法による高機能性薄膜の製造を示す工程図で
ある。 １・・・・・・ポリエステルフィルム、３・・・・・・
強磁性金属、４・・・・・・電子ビーム、５・・・・・
・遮蔽板、６・・・・・・高入射角成分、７・・・・・
・低入射角成分。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名／−
ゴワエステルフイルム Ｊ−池ｊ亀性、金属 ４“−電μ子ヒーム ５−　迄寝政板 ６−　高入Ｕ角六分

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　フィルム面に強磁性金属を斜方蒸着することに
   より高機能性薄膜を製造する方法において、前記強磁性
   金属の蒸気流の中間入射角成分の入射を阻止して高入射
   角成分と低入射角成分を前記フィルム面上に不連続的に
   蒸着積層することを特徴とする高機能性薄膜の製造方法
   。
2. （２）高入射角成分をイオン化する請求項１記載の製造
   方法。