JPS6194238A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6194238A JPS6194238A JP21692184A JP21692184A JPS6194238A JP S6194238 A JPS6194238 A JP S6194238A JP 21692184 A JP21692184 A JP 21692184A JP 21692184 A JP21692184 A JP 21692184A JP S6194238 A JPS6194238 A JP S6194238A
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- JP
- Japan
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- magnetic recording
- magnetic
- recording medium
- vapor deposition
- incident angle
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はテープ状基体上に磁気記録層として強磁性薄膜
を設けてなる磁気記録媒体の製造方法に関し、特にノイ
ズの極めて小さい短波長領域での電磁変換特性にすぐれ
る金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。
を設けてなる磁気記録媒体の製造方法に関し、特にノイ
ズの極めて小さい短波長領域での電磁変換特性にすぐれ
る金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にγ−Ｆｅ
２０３％ Ｃｏをドープした７ −Ｆ ｅ ２０３、
Ｆ ｅ ３０４、ＣＯをドープしたＦ ｅ ３０４、γ
−Ｆ ｅ ２０３とＦ ｅ ３０４のベルトライド化合
物、ＣｒＯ２等の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等を
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチ
レン−゛ブタジェン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめたものを塗
布し乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきている
。近年高密度記録への要求の高マシと共に真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング等のべ＝７ｇ−デ
ポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメ
ッキ法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層と
する、バインダーを使用しない、いわゆる非バインダー
型磁気記録媒体が注目を浴びておシ実用化への努力が種
々行なわれている。
２０３％ Ｃｏをドープした７ −Ｆ ｅ ２０３、
Ｆ ｅ ３０４、ＣＯをドープしたＦ ｅ ３０４、γ
−Ｆ ｅ ２０３とＦ ｅ ３０４のベルトライド化合
物、ＣｒＯ２等の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等を
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチ
レン−゛ブタジェン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめたものを塗
布し乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきている
。近年高密度記録への要求の高マシと共に真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング等のべ＝７ｇ−デ
ポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメ
ッキ法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層と
する、バインダーを使用しない、いわゆる非バインダー
型磁気記録媒体が注目を浴びておシ実用化への努力が種
々行なわれている。
従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁性金属よ
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記録に必要な磁性層薄層化が信号出
力の低下をもたらすため限界にきておシ、かつその製造
工程も複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大き
な附帯設備を要するという欠点を有している。非バイン
ダー型の磁気記録媒体では上記酸化物より大きな飽和磁
化を有する強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を
含有しない状態で薄膜として形成せしめるため、高密度
記録化のために超薄層化できるという利点をイ〕シ、シ
かもその製造工程はより簡略化される。
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記録に必要な磁性層薄層化が信号出
力の低下をもたらすため限界にきておシ、かつその製造
工程も複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大き
な附帯設備を要するという欠点を有している。非バイン
ダー型の磁気記録媒体では上記酸化物より大きな飽和磁
化を有する強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を
含有しない状態で薄膜として形成せしめるため、高密度
記録化のために超薄層化できるという利点をイ〕シ、シ
かもその製造工程はより簡略化される。
高密度記録用の磁気記録媒体に要求される条件の一つと
して、高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されておシ、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁小さい薄
層化が容易で、飽和磁束密度の大きい非バインダー型磁
気記録媒体への期待は大きい。
して、高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されておシ、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁小さい薄
層化が容易で、飽和磁束密度の大きい非バインダー型磁
気記録媒体への期待は大きい。
とくに真空蒸着による方法は、メッキの場合のような排
液処理を必要とせず製造工程も簡単で膜の析出速度も大
きくできるため非常にメリットが大きい。真空蒸着によ
って磁気記録媒体に望ましい抗磁力および角型性を有す
る磁性膜を製造する方法としては、米国特許３３４ｔ、
２４３２号、同３３４ｔ、２４３３号等に述べられてい
る斜め蒸着法が知られている。
液処理を必要とせず製造工程も簡単で膜の析出速度も大
きくできるため非常にメリットが大きい。真空蒸着によ
って磁気記録媒体に望ましい抗磁力および角型性を有す
る磁性膜を製造する方法としては、米国特許３３４ｔ、
２４３２号、同３３４ｔ、２４３３号等に述べられてい
る斜め蒸着法が知られている。
テープ状基体上に斜め蒸着法により強磁性金属薄膜を設
け、磁気記録媒体を製造するに際してはテープ状基体を
冷却キャンに沿って搬送せしめ蒸発源より蒸発せしめら
れた磁性金属材料の蒸気流を移動するテープ状基体上に
斜めに入射蒸着せしめる方法が通常行なわれる。ここで
、上記の斜め蒸着金属薄膜が、直径数１００Ａの微結晶
（柱状構造）の集合体で形成されていることはよく知ら
れている。
け、磁気記録媒体を製造するに際してはテープ状基体を
冷却キャンに沿って搬送せしめ蒸発源より蒸発せしめら
れた磁性金属材料の蒸気流を移動するテープ状基体上に
斜めに入射蒸着せしめる方法が通常行なわれる。ここで
、上記の斜め蒸着金属薄膜が、直径数１００Ａの微結晶
（柱状構造）の集合体で形成されていることはよく知ら
れている。
一方、非磁性支持体上にγ−Ｆｅ ２０３、Ｃ。
をドープしたγ−Ｆ ｅ ２０３等の磁性粉末あるいは
強磁性合金粉末等を有機バインダー中に分散せしめ塗布
乾燥させた塗布型の磁気記録媒体においては、磁性粉末
、強磁性合金粉末を形成する各磁性針状粒子の形状が、
その磁気記録媒体の磁気特性・電磁変換特性（特Ｋ）ノ
イズに極めて大なる効果を有している。即ち、各磁性針
状粒子をよ多針状の形態即ち軸比を大とし、粒子サイズ
をそろえ、また低ノイズ化の為に粒子サイズをできるだ
け小さくする一徹粒子化する一方向へと塗布型磁気記録
媒体の改良は進んできている。
強磁性合金粉末等を有機バインダー中に分散せしめ塗布
乾燥させた塗布型の磁気記録媒体においては、磁性粉末
、強磁性合金粉末を形成する各磁性針状粒子の形状が、
その磁気記録媒体の磁気特性・電磁変換特性（特Ｋ）ノ
イズに極めて大なる効果を有している。即ち、各磁性針
状粒子をよ多針状の形態即ち軸比を大とし、粒子サイズ
をそろえ、また低ノイズ化の為に粒子サイズをできるだ
け小さくする一徹粒子化する一方向へと塗布型磁気記録
媒体の改良は進んできている。
他方、斜め蒸着金属薄膜においてもまた、薄膜を形成す
る柱状構造微結晶の粒子サイズおよび形状は金属薄膜型
磁気記録媒体のノイズ、ひいては電磁変換特性に大きく
影響する。ところが、従来の製法においては、前記斜め
蒸着金属薄膜を形成する柱状゛微結晶の微粒子化は技術
的に困難であシ、また微粒子化してもそれにより形成さ
れる磁気記録媒体の上記以外の特性の劣化を招いたり、
あるいはまたより複雑大規模の製造装置を必要とすると
いった欠点がみられる。−例として、酸素ガスを導入し
つつ斜め蒸着を行なって得た磁気記録媒体では、大斜角
を比較的低くすることにより、抗磁力の高い磁性薄膜が
得られ、同時に各柱状構造微結晶も微粒子化されノイズ
レベルも減じることが知られている。しかしながら、上
記の方法ではノイズを大きく減じようとすれは同時に角
型化（ＳＱ）が大きく減じ、そのため感度が低下すると
いった欠点を露呈する。
る柱状構造微結晶の粒子サイズおよび形状は金属薄膜型
磁気記録媒体のノイズ、ひいては電磁変換特性に大きく
影響する。ところが、従来の製法においては、前記斜め
蒸着金属薄膜を形成する柱状゛微結晶の微粒子化は技術
的に困難であシ、また微粒子化してもそれにより形成さ
れる磁気記録媒体の上記以外の特性の劣化を招いたり、
あるいはまたより複雑大規模の製造装置を必要とすると
いった欠点がみられる。−例として、酸素ガスを導入し
つつ斜め蒸着を行なって得た磁気記録媒体では、大斜角
を比較的低くすることにより、抗磁力の高い磁性薄膜が
得られ、同時に各柱状構造微結晶も微粒子化されノイズ
レベルも減じることが知られている。しかしながら、上
記の方法ではノイズを大きく減じようとすれは同時に角
型化（ＳＱ）が大きく減じ、そのため感度が低下すると
いった欠点を露呈する。
本発明の目的は、上記の欠点を改良した磁気記録媒体の
製造方法を提供するにある。すなわち、柱状微結晶が微
粒子化され良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体の
簡便なる製造方法を提供するにある。
製造方法を提供するにある。すなわち、柱状微結晶が微
粒子化され良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体の
簡便なる製造方法を提供するにある。
本発明は、冷却キャンに沿って移動するテープ状基体上
に、蒸発源より蒸発せしめられた強磁性金属材料蒸気流
の入射角θを高入射角（θｍａｘ）から低入射角（０ｍ
ｉ ｎ ）へと連続的に変化させて蒸着せしめる磁気
記録媒体の製造方法において、低入射角θｍ ｉ ｎが
あい異なる一個以上榎数個の蒸発源よりＣＯを主成分と
した強磁性金属材料を共蒸着することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法、に関する。
に、蒸発源より蒸発せしめられた強磁性金属材料蒸気流
の入射角θを高入射角（θｍａｘ）から低入射角（０ｍ
ｉ ｎ ）へと連続的に変化させて蒸着せしめる磁気
記録媒体の製造方法において、低入射角θｍ ｉ ｎが
あい異なる一個以上榎数個の蒸発源よりＣＯを主成分と
した強磁性金属材料を共蒸着することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法、に関する。
第７図は、本発明による磁気記録媒体の製造方法を実施
するための一実施態様を示している。真空容器／の内部
は仕切シ壁コによって上室３と下室ダに仕切られており
、それぞれ排気口ｊ、４により独立に真空排気されるよ
うになっている。上室３にはテープ状基体７の送出しロ
ールｔと巻取シロールタが配設されている。送出ロール
？からのテープ状基体７は冷却キャン／θに沿って下室
ダヘ移動する。下室グには一個の蒸発源／／、／／′が
設置されている同一の磁性金属材料／−１／コ′は加熱
されその蒸気流／３．７３′は各々マスク／４ｔを介し
て冷却キャ７１０に沿って移動するテープ状基体７の上
に到達し蒸着膜として析出する。
するための一実施態様を示している。真空容器／の内部
は仕切シ壁コによって上室３と下室ダに仕切られており
、それぞれ排気口ｊ、４により独立に真空排気されるよ
うになっている。上室３にはテープ状基体７の送出しロ
ールｔと巻取シロールタが配設されている。送出ロール
？からのテープ状基体７は冷却キャン／θに沿って下室
ダヘ移動する。下室グには一個の蒸発源／／、／／′が
設置されている同一の磁性金属材料／−１／コ′は加熱
されその蒸気流／３．７３′は各々マスク／４ｔを介し
て冷却キャ７１０に沿って移動するテープ状基体７の上
に到達し蒸着膜として析出する。
マスクフグは基体７へそれぞれ所望の入射角の蒸気流／
３、／ｊ’のみを到達せしめるべく配設されている。テ
ープ状基体７が冷却キャン１０の回転（図では右回転）
にしたがい移動するにつれ、磁性金属材料蒸気流／３の
基体７に対する入射角θは高入射角θｍａｘから低入射
角θｍ ｉ ｎへと連続的に減少し、また蒸気流７３′
についても同様に蒸着が行なわれる。ここで蒸発源／／
の入射角θｍ ｉ ｎと蒸発源／／’の入射角θｍ ｉ
ｎが異なるよう蒸発源／／、／／’を配置し、共蒸着
を行なうことが必要である。
３、／ｊ’のみを到達せしめるべく配設されている。テ
ープ状基体７が冷却キャン１０の回転（図では右回転）
にしたがい移動するにつれ、磁性金属材料蒸気流／３の
基体７に対する入射角θは高入射角θｍａｘから低入射
角θｍ ｉ ｎへと連続的に減少し、また蒸気流７３′
についても同様に蒸着が行なわれる。ここで蒸発源／／
の入射角θｍ ｉ ｎと蒸発源／／’の入射角θｍ ｉ
ｎが異なるよう蒸発源／／、／／’を配置し、共蒸着
を行なうことが必要である。
図は蒸発源が２個の場合を示しているが、２個以上の蒸
発源でもよい。
発源でもよい。
本発明に用いられる磁性金属材料はＣｏを主成分とした
磁性合金であシ特にＣＯｌあるいはＣ。
磁性合金であシ特にＣＯｌあるいはＣ。
を７０重量％以上含有する合金が好ましい。
強磁性金属薄膜は単層でもまた積層してもよく、その膜
厚は磁気記録媒体として充分な出力を与えうる厚さおよ
び高密度記録の充分行える薄さを必要とすることから一
般には０００２μｍから！。
厚は磁気記録媒体として充分な出力を与えうる厚さおよ
び高密度記録の充分行える薄さを必要とすることから一
般には０００２μｍから！。
Ｏμ信、好ましくは０．０ｊμ−からコ、θμ溝である
。
。
本発明に用いられる基体としてはポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカポネート、ポリエチレンナフタ
レートのようなプラスチックベースが好ましい。
レート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカポネート、ポリエチレンナフタ
レートのようなプラスチックベースが好ましい。
また、必要に応じてガス導入ノズル／！より酸素０２、
二酸化炭素Ｃ０２、窒素Ｎ２、窒素酸化物ＮＯｘ１希ガ
スＨｅ、Ｎｅ１Ａｒ ｅｔｃ等のガスを導入し、ガス中
蒸着を行なうこともでき−る。
二酸化炭素Ｃ０２、窒素Ｎ２、窒素酸化物ＮＯｘ１希ガ
スＨｅ、Ｎｅ１Ａｒ ｅｔｃ等のガスを導入し、ガス中
蒸着を行なうこともでき−る。
一般に複数個の蒸発源を配して共蒸着を行なうという技
術は、例えば特開昭ｊＱ−／７．ｒ／２号、特開昭３７
−７０１ｔｊｊ号、特開昭！♂−／３３６２！号、特開
昭ｊターｒ／４ｔｊ号、特開昭！ター２．２２３ｊ号等
に開示されている。しかしながら、本発明者が開示した
共蒸着法は上記引例に示される技術とはその内容、目的
を全く異とするものである。また共蒸着を行なうにあた
シ、同一磁性材料を使用しつつ行なう方法が例えば特開
昭！♂−／タハ１０号に示されている。しかるに、この
例を含め共蒸着法のメリットとして挙げられているのは
生産速度の向上、特性の均一化といった諸点であシ蒸着
膜の物理的特性向上については何ら開示されていない。
術は、例えば特開昭ｊＱ−／７．ｒ／２号、特開昭３７
−７０１ｔｊｊ号、特開昭！♂−／３３６２！号、特開
昭ｊターｒ／４ｔｊ号、特開昭！ター２．２２３ｊ号等
に開示されている。しかしながら、本発明者が開示した
共蒸着法は上記引例に示される技術とはその内容、目的
を全く異とするものである。また共蒸着を行なうにあた
シ、同一磁性材料を使用しつつ行なう方法が例えば特開
昭！♂−／タハ１０号に示されている。しかるに、この
例を含め共蒸着法のメリットとして挙げられているのは
生産速度の向上、特性の均一化といった諸点であシ蒸着
膜の物理的特性向上については何ら開示されていない。
本発明者らは、同一磁性材料を使用した共蒸着法におい
て、その入射角θｍ ｉ ｎがそれぞれ異なるよう配置
することＫより微粒子化された柱状粒子からなる蒸着膜
の得られることを見出し本発明にいたった。
て、その入射角θｍ ｉ ｎがそれぞれ異なるよう配置
することＫより微粒子化された柱状粒子からなる蒸着膜
の得られることを見出し本発明にいたった。
入射角としては低入射角θｍｉｎは一〇〇〜イＯＯ１高
入射角θｍａｘは！００〜りＱｏが好ましい。低入射角
θｍｉｎを違えて配置した蒸発源間の低入射角θｍｉｎ
の差へ〇ｍ ｉ ｎはｊＯ〜４ｔ（）０１特に好ましく
は／θ０〜３００である。
入射角θｍａｘは！００〜りＱｏが好ましい。低入射角
θｍｉｎを違えて配置した蒸発源間の低入射角θｍｉｎ
の差へ〇ｍ ｉ ｎはｊＯ〜４ｔ（）０１特に好ましく
は／θ０〜３００である。
次に実施例をもって本発明を具体的に説明するが本発明
がこれに限定されるものでないことはもちろんである。
がこれに限定されるものでないことはもちろんである。
第１図に示された装置を用いて／コ、！μｍ厚のポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に下記条件により強磁
性薄膜を形成せしめ磁気テープを作成した。フィルム幅
１００ｓＩ、フィルム搬送速度２０ ｆｒＬ ７分とし
高入射角θｍａｘはりθ０、低入射角θｍｉｎは蒸発源
／／が４ｔｏｏ、蒸発源／／′がコ２ｏとなるよう配置
し ＣｄＮｉ合金（Ｎｔ：２０重量％）を、膜厚１ｚｏ
ｏ人となるよう蒸着させて強磁性薄膜を形成した。ここ
で、蒸発源／ｌ単独、蒸発源／／’単独、蒸発源／／＋
蒸発源／／′の各場合について磁気テープを作成し磁気
特性、電磁変換特性を測定した。磁気特性としては抗磁
力、角型比を振動型磁力計（ＶＳＭ）により測定し、電
磁変換特性としては磁気ヘッドとテープの相対速度をＪ
＃ｍ／秒に調整したβ型ＶＴＲにて４ＭＨｚのビデオ信
号ならびに同信号入力時の＆ＭＨｚのでのノイズを測定
した。また磁性薄膜表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
にて観測した。
チレンテレフタレートフィルム上に下記条件により強磁
性薄膜を形成せしめ磁気テープを作成した。フィルム幅
１００ｓＩ、フィルム搬送速度２０ ｆｒＬ ７分とし
高入射角θｍａｘはりθ０、低入射角θｍｉｎは蒸発源
／／が４ｔｏｏ、蒸発源／／′がコ２ｏとなるよう配置
し ＣｄＮｉ合金（Ｎｔ：２０重量％）を、膜厚１ｚｏ
ｏ人となるよう蒸着させて強磁性薄膜を形成した。ここ
で、蒸発源／ｌ単独、蒸発源／／’単独、蒸発源／／＋
蒸発源／／′の各場合について磁気テープを作成し磁気
特性、電磁変換特性を測定した。磁気特性としては抗磁
力、角型比を振動型磁力計（ＶＳＭ）により測定し、電
磁変換特性としては磁気ヘッドとテープの相対速度をＪ
＃ｍ／秒に調整したβ型ＶＴＲにて４ＭＨｚのビデオ信
号ならびに同信号入力時の＆ＭＨｚのでのノイズを測定
した。また磁性薄膜表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
にて観測した。
作成条件、磁気特性、電磁変換特性の測定結果を下表に
示す。
示す。
表面走査型電子顕微鏡観察により共蒸着条件にて作成し
た試料では柱状粒子の微粒子化がおこっていることがわ
かった。表よりノイズレベルが大幅に下がった、電磁変
換特性に優れた磁気記録媒体の得られていることがわか
る。
た試料では柱状粒子の微粒子化がおこっていることがわ
かった。表よりノイズレベルが大幅に下がった、電磁変
換特性に優れた磁気記録媒体の得られていることがわか
る。
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、ノイズの極
めて小さい、とくに短波長領域での電磁変換特性にすぐ
れた金属薄膜型磁気記録媒体が得られる。
めて小さい、とくに短波長領域での電磁変換特性にすぐ
れた金属薄膜型磁気記録媒体が得られる。
第１図は本発明による磁気記録媒体の製造方法を実施す
るための真空蒸着装置の一例を示している。 ／・・・真空槽、λ・・・仕切壁、３・・・上室、弘・
・・下室、！、６・・・排気孔、７・・・テープ状基体
、？・・・送り出しロール、？・・・巻取シロール、１
０・・・冷却キャン、／ ／ 、 ／’／”・・・蒸発
諒、／コ、／２′・・・磁性金属材料、
るための真空蒸着装置の一例を示している。 ／・・・真空槽、λ・・・仕切壁、３・・・上室、弘・
・・下室、！、６・・・排気孔、７・・・テープ状基体
、？・・・送り出しロール、？・・・巻取シロール、１
０・・・冷却キャン、／ ／ 、 ／’／”・・・蒸発
諒、／コ、／２′・・・磁性金属材料、
Claims (1)
- 冷却キヤンに沿つて移動するテープ状基体上に蒸発源よ
り蒸発せしめられた強磁性金属材料蒸気流の入射角θを
高入射角（θｍａｘ）から低入射角（θｍｉｎ）へと連
続的に変化させて蒸着せしめる磁気記録媒体の製造方法
において、低入射角θｍｉｎがあい異なる少なくとも２
個の蒸発源よりＣｏを主成分とした強磁性金属材料を共
蒸着することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21692184A JPS6194238A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21692184A JPS6194238A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194238A true JPS6194238A (ja) | 1986-05-13 |
Family
ID=16696010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21692184A Pending JPS6194238A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993023586A1 (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor deposition material and production method thereof |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP21692184A patent/JPS6194238A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993023586A1 (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor deposition material and production method thereof |
| US5441010A (en) * | 1992-05-11 | 1995-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Evaporation material and method of preparing the same |
| US6126760A (en) * | 1992-05-11 | 2000-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Evaporation material |
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