JPS62185247A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適した強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。

従来の技術 近年、高密度磁気記録に適した磁気記録媒体として、強
磁性金属薄膜を高分子フィルム等の基板上に直接又は、
下地層、軟磁性層等を介して、蒸着法、スパッタ法等に
て形成して得られるものの実用化研究が盛んである。〔
例えば、外国論文誌アイ・イー・イーーイー磁気学会報
、ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　　ｏｎ　Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃｓ　　Ｖｏ４　ＭＡＧ−２１。

Ｎｏ−３、ｐｐ２２１７−２２２０　（１９８５））デ
ィスク状、テープ状のいずれの磁気記録媒体も、広幅、
長尺の高分子フィルム上に磁気記録層を形成し、必要な
他の処理を行った後、所定の形状に加工されて利用され
るのであるが、加工技術的にみると、磁気記録層の形成
が、現在大量に利用されている強磁性微小粉末を結合剤
で基板上に固定したいわゆる塗布型と異なり、真空中で
薄膜形成を行うことで達成される点で、実用的にみて　
。

利用できる技術に制約がある。

第２図は従来の磁気記録層の形成を行うのに用いられて
いる蒸着装置の内部構成要因である。

第２図は斜め蒸着法を応用した例で、現状では１ｏｏｏ
（Ｏｅ）以上の大きな抗磁力（Ｈ，ｃと以下記す）を確
実に得る点で最も優れていると考えられているものであ
る。

第２図に於て、１は円筒状キャ／、２は基板、３は送り
出し軸、４は巻取り軸、５は蒸発源容器、６は蒸着物質
、７は電子ビーム発生器、８は遮へい材、９は酸素導入
ノズル、１ｏは可変リーク弁、１１は真空容器、１２は
真空排気系、１３は限定蒸気流である。

第２図の装置を用いて、酸素雰囲気中でＣｏ−Ｎｉ　　
（ｐＪｉ　　：　１５ｗｔ　〜３０ｗｔ％）を電子ヒー
ム蒸着により、ポリエチレンテレフタレートフィルム上
に磁気記録層を０．１〜０，３，１層ｍ　の範囲で形成
することで磁気記録媒体を製造したものの一部は実用に
供されている。この際、円筒状キャンは２０℃から一２
０’Ｃの冷媒により、冷却されている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記した構成では、得られる磁気記録層
の角形比が悪く、飽和磁束密度も比較的小さくなるので
、記録波長が０．５μｍ以下の短波長になると、十分な
信号対雑音比（Ｓ／Ｎと以下記す）が得られにくいとい
う問題があった。本発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、短波長記録再生時に優れたＳ／Ｎを与えることの出
来る磁気記録媒体を大量に得ることの出来る方法を提供
するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体の製
造方法は厚みｔ　（，７１ｍ）の磁性層のイ。以下を、
基板温度１５０℃〜２５０℃の温度で電子ビーム蒸着に
より形成し、残る蒸着を基板温度０℃以下で行うことを
特徴とするものである。

作　　　用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は磁性層の初期成長（
厚みの１ｏ％以下）が高温で行われるため、結晶性が良
く、結晶異方性に起因する大きなＨａが得られる条件が
整い、その後は０℃以下で蒸着しても、エピタキシー効
果で、そのまま高温で蒸着したのと同程度゛のＨａが得
られるのと、角形比も大きくできる。

又、厚みの大半（９０％以上）が０℃以下で形成される
ため、磁性層を構成する微粒子が小さくなり、磁気的均
一性が増し、ノイズが改良されるので、Ｓ／Ｎが短波長
で良好となるのである。

実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。

第１図は本発明の方法を実施するのに用いた蒸着装置の
内部構成図である。第１図に於て、１３は第１キヤン、
１４は第２キヤン、１６は第３キヤン、１６は基板、１
７は送り出し軸、１８は巻取り軸、１９は蒸発源容器、
２０は蒸着物質、２１は電子ビーム発生器、２２は電子
ビーム、２３は遮へい板、２４は酸素導入ノズル、２６
は可変リーク弁、２６は蒸気流Ａ、２７は蒸気流Ｂ、２
８は回転ローラ、２９は真空容器、３０は真空排気系で
ある。

第１図の装置を用いて、磁気記録媒体を下記のように試
作した。

第１キヤンは直径３０　ｃｍ　、第２キヤンは直径６０
ｍで、第２キヤンが第１キヤンでの蒸着に対して、遮へ
い材として作用するように、蒸発源容器との位置関係を
調整した。又、第３キヤンは、第１キヤンの表面温度よ
り、約６０℃低い温度に設定した。このキャンは高分子
フィルムがしわにならないようにするために設けたもの
である。

第１図の装置を用いて、Ｃｏ−Ｎｉ　（Ｎｉ　：　２０
　ｗｔ％）を４　Ｘ　１０−５（Ｔｏｒｒ）中の酸素中
で電子ビーム蒸着して、全厚ｏ、１５μｍの磁性層を形
成した。

第１キヤンの温度を１７０℃、第２キヤンの温度を一５
℃にして、第１のキャンに沿った厚み１０、Ｉｔｍのポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に０、（Ｘ４メｍ
のＣｏ　−Ｎ　ｉ−０層を形成した。最小入射角は６６
度である。次に第２キヤンで、最小入射角２６度までの
範囲で、残りの０．１３６．ＩＩｍを装着した。

得られた磁性層の飽和磁束密度は８４００（Ｇ）角形比
はｏ、９２、Ｈａは１１００　（Ｏｓ　）であった。

比較例として、第２の装置で直径１ｍの円筒キャンに沿
わせて、同じポリエチレンテレフタレートフィルムを用
いて、２Ａ　Ｘ　１０　　（Ｔｏｒｒ）の酸素中で、最
小入射角４６度でＣｏ−Ｎｉ　（Ｎｉ　：　２０　ｗｔ
％）を゛電子ビーム蒸着し、０．１５）１ｍの磁性層を
形成した。この条件は、Ｈａを合わせるために選んだも
のである。この時の飽和磁束密度は５７００（０、角形
比は０．７でＨａは１１００（Ｏｅ）であった。

本発明により得られた実施例と比較例を０．５（、ｌＩ
ｍ）の記録波長、トラック幅８　（／１ｍ）の記録密度
で比較した時、実施例でばＳ／Ｎで４．５（ｄＢ）優れ
ていた。

この差は、出力が１．７（ｄＢ）高く、ノイズが２．９
（ｄＢ）改良された結果、得られたものである。

次に酸素を導入しないでＣｏ−Ｃｒ　（Ｃｒ　：　１９
ｗｔ％）を０．２μｍ電子ビーム蒸着した。第１キヤン
。

第２キヤンでの膜厚配分は、夫々０．０１５ｐｍ。

０．１８５μｍである。

第１キヤン、第２キヤンの温度は２００℃、−１０℃で
、第１キヤンの入射角は９０度から７０度、第２キヤン
での入射角は８０度から６０度となるよう第１図の装置
にマスクを追加して調整した。

比較例は、厚み２６μｍのポリイミドフィルムを用いて
、キャン温度を２５０℃に保ち、Ｇ　ｏ　−Ｃｒを電子
ビーム蒸着して得たものを用いｆｃｏ最小入射角は４６
度で、Ｃｏ−Ｃｒの膜厚は０．２μｍである。

本実施例による磁性層は、飽和磁束密度は５９ｏｏ（Ｑ
、角形比ｏ、８３で、Ｈｃは９００（Ｏｅ）で、比較例
もほぼ同一の値のものを用いた。

本実施例のものと比較例について、０．４　（、ＩＩｍ
）の記録波長、トラック幅８（１μｍ）の記録密度で比
較したところ、Ｓ／Ｎで本実施例のものが６．９（ｄＢ
）優れていた。

発明の効果 以上のように本発明によれば、０．５／Ｉｍ　以下の短
波長に於ても十分大きなＳ／Ｎを得ることのできる磁気
記録媒体を大量に製造できるといったすぐれた効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施するために用いた蒸着装置の内部
構成図、第２図は従来例の蒸着装置である。 １３・・・・・・第１キヤン、１４・・・・・・第２キ
ヤン、１６・・・・・・基板、１９・・・・・・蒸発源
容器、２０・・・・・・蒸着物質０ 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名／、
Ｊ−−−躬ｌ′＋イン １４−一一躬乙キャン υ−志着＠負 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 厚みｔ〔μｍ〕の磁性層のｔ／１０以下を基板温度１５
   ０℃〜２５０℃の温度で電子ビーム蒸着により形成し、
   残る蒸着を基板温度０℃以下で行うことを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。