JPH11161952A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH11161952A JPH11161952A JP34390797A JP34390797A JPH11161952A JP H11161952 A JPH11161952 A JP H11161952A JP 34390797 A JP34390797 A JP 34390797A JP 34390797 A JP34390797 A JP 34390797A JP H11161952 A JPH11161952 A JP H11161952A
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- JP
- Japan
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- oxygen
- substrate
- ejection port
- distance
- magnetic
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性に優れた真空蒸着法を使用し、かつ、
垂直磁気異方性に優れた垂直磁化膜を有する磁気記録媒
体を製造する。 【解決手段】 酸素噴出口から酸素を導入しながら、真
空蒸着法により非磁性基板上に、コバルトもしくはコバ
ルト合金と酸素とを主成分とする垂直磁化膜を形成する
工程で、酸素噴出口と基板の一端部との間の距離を６０
ｍｍ以下とする。
垂直磁気異方性に優れた垂直磁化膜を有する磁気記録媒
体を製造する。 【解決手段】 酸素噴出口から酸素を導入しながら、真
空蒸着法により非磁性基板上に、コバルトもしくはコバ
ルト合金と酸素とを主成分とする垂直磁化膜を形成する
工程で、酸素噴出口と基板の一端部との間の距離を６０
ｍｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体の製造
方法に関し、詳しくは、膜面に垂直方向に磁気異方性を
持つ垂直磁化膜を磁性層として有する磁気記録媒体の製
造方法に関する。
方法に関し、詳しくは、膜面に垂直方向に磁気異方性を
持つ垂直磁化膜を磁性層として有する磁気記録媒体の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化の進展は極め
て早く、より短波長記録再生特性に優れた記録媒体への
要求が、益々高まりつつある。現在、一般的に使用され
ている磁気テープや磁気ディスクは、全て膜面内に磁気
異方性を持つ面内磁化膜を有するものであり、これら
は、記録の高密度化に対応するために様々な点から改良
がなされている。しかし、このような面内磁化膜は記録
密度が高まるにつれて反磁界が増大し、再生出力の低下
を引き起こすという本質的な問題を抱えている。
て早く、より短波長記録再生特性に優れた記録媒体への
要求が、益々高まりつつある。現在、一般的に使用され
ている磁気テープや磁気ディスクは、全て膜面内に磁気
異方性を持つ面内磁化膜を有するものであり、これら
は、記録の高密度化に対応するために様々な点から改良
がなされている。しかし、このような面内磁化膜は記録
密度が高まるにつれて反磁界が増大し、再生出力の低下
を引き起こすという本質的な問題を抱えている。
【０００３】一方、膜面に対し垂直方向に磁気異方性を
有する、いわゆる、垂直磁化膜は、短波長記録において
も反磁界が小さいために、上述した面内磁化膜に比べて
高密度記録に適していると言われている。このような垂
直磁化膜を形成する材料としては、例えば、ＣｏＣｒ、
ＣｏＣｒ系合金、Ｃｏ−Ｏなどが提案され、その優れた
磁気記録再生特性が確認されている。
有する、いわゆる、垂直磁化膜は、短波長記録において
も反磁界が小さいために、上述した面内磁化膜に比べて
高密度記録に適していると言われている。このような垂
直磁化膜を形成する材料としては、例えば、ＣｏＣｒ、
ＣｏＣｒ系合金、Ｃｏ−Ｏなどが提案され、その優れた
磁気記録再生特性が確認されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな材料よりなる垂直磁化膜は、一般に、スパッタリン
グ法により成膜されるが、その成膜速度が蒸着法に比べ
ると非常に遅く、特に、磁気テープへの応用は生産性の
点で非常に困難であると考えられている。また、これら
の垂直磁化膜の蒸着法による成膜も検討されているが、
それにより得られた垂直磁化膜の垂直磁気配向性が弱
く、実用上問題がある。
うな材料よりなる垂直磁化膜は、一般に、スパッタリン
グ法により成膜されるが、その成膜速度が蒸着法に比べ
ると非常に遅く、特に、磁気テープへの応用は生産性の
点で非常に困難であると考えられている。また、これら
の垂直磁化膜の蒸着法による成膜も検討されているが、
それにより得られた垂直磁化膜の垂直磁気配向性が弱
く、実用上問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、真空蒸着法
を使用して、垂直磁気配向性に優れた垂直磁化膜を効率
良く生産することを目的とし、真空蒸着法に適したコバ
ルトもしくはコバルト合金と酸素とを主成分とする磁性
層を成膜する方法を種々検討した結果、蒸着時に導入さ
れる酸素の噴出口と基板との最適な位置関係を見いだし
た。すなわち、本発明によれば、酸素噴出口から酸素を
導入しながら、真空蒸着法により非磁性基板上に、コバ
ルトもしくはコバルト合金と酸素とを主成分とする垂直
磁化膜を形成する工程において、前記酸素噴出口と前記
基板の一端部との間の距離が６０ｍｍ以下である、磁気
記録媒体の製造方法が提供される。
を使用して、垂直磁気配向性に優れた垂直磁化膜を効率
良く生産することを目的とし、真空蒸着法に適したコバ
ルトもしくはコバルト合金と酸素とを主成分とする磁性
層を成膜する方法を種々検討した結果、蒸着時に導入さ
れる酸素の噴出口と基板との最適な位置関係を見いだし
た。すなわち、本発明によれば、酸素噴出口から酸素を
導入しながら、真空蒸着法により非磁性基板上に、コバ
ルトもしくはコバルト合金と酸素とを主成分とする垂直
磁化膜を形成する工程において、前記酸素噴出口と前記
基板の一端部との間の距離が６０ｍｍ以下である、磁気
記録媒体の製造方法が提供される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、酸素を導入しながら行う真空蒸着法を使用して非磁
性基板上に垂直磁化膜を形成する工程を主要部とするも
のである。この垂直磁化膜を形成する材料はコバルト
（Ｃｏ）と酸素（Ｏ）、あるいは、コバルト（Ｃｏ）−
ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）−クロム（Ｃｒ）
などのＣｏ系合金と酸素（Ｏ）を主成分とするものであ
る。非磁性基板としては、ガラス基板、アルミやアルミ
系合金などの金属基板、セラミック基板、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）などの高分子フィルムなどを
使用することができる。
は、酸素を導入しながら行う真空蒸着法を使用して非磁
性基板上に垂直磁化膜を形成する工程を主要部とするも
のである。この垂直磁化膜を形成する材料はコバルト
（Ｃｏ）と酸素（Ｏ）、あるいは、コバルト（Ｃｏ）−
ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）−クロム（Ｃｒ）
などのＣｏ系合金と酸素（Ｏ）を主成分とするものであ
る。非磁性基板としては、ガラス基板、アルミやアルミ
系合金などの金属基板、セラミック基板、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）などの高分子フィルムなどを
使用することができる。
【０００７】ついで、図１を参照しながら、一例として
ガラス基板に対し蒸着を行う際の基板と酸素噴出口との
位置関係について説明する。なお、図１は模式的に描か
れたものであり、各構成要素の寸法比などは実際のもの
と異なっている。図において、真空容器（図示せず）内
の下部に蒸発物質１を収容した蒸発源２が配設され、こ
の蒸発源２の上方にガラス基板３が配置されている。蒸
発源２は、例えば、図示しない電子ビームなどにより加
熱されて蒸発物質１が蒸発し、ガラス基板３上に成膜さ
れる。なお、蒸発源２とガラス基板３との間には、蒸発
経路を規制するための遮蔽板４、５が配設されている。
ガラス基板に対し蒸着を行う際の基板と酸素噴出口との
位置関係について説明する。なお、図１は模式的に描か
れたものであり、各構成要素の寸法比などは実際のもの
と異なっている。図において、真空容器（図示せず）内
の下部に蒸発物質１を収容した蒸発源２が配設され、こ
の蒸発源２の上方にガラス基板３が配置されている。蒸
発源２は、例えば、図示しない電子ビームなどにより加
熱されて蒸発物質１が蒸発し、ガラス基板３上に成膜さ
れる。なお、蒸発源２とガラス基板３との間には、蒸発
経路を規制するための遮蔽板４、５が配設されている。
【０００８】このような真空容器内に酸素ガスを導入す
るための酸素噴出口６は、ガラス基板３の一端部３ａと
の間の距離Ｌが６０ｍｍ以下となるような位置に配設す
ることが必要である。具体的には、基板の一端部３ａを
中心とする半径６０ｍｍの円の円周及びその内側に位置
すればよいこととなるが、蒸発源２に対し、基板の背面
すなわち上方（例えば、図中、位置Ａ）に噴出口６を配
設しても、酸素ガスと蒸発物質との反応が十分行われ
ず、逆に、基板と蒸発源との間（例えば、図中、位置
Ｂ）に噴出口６を配設すると、蒸発経路内で噴出口６が
障害となり、その上部の基板への成膜が不均一になって
しまう可能性が生じる。以上の点を勘案すると、図中、
斜線で示すように、上述した半径６０ｍｍの円内で、基
板の一端部３ａ、及びそこから水平方向に６０ｍｍ離れ
た位置Ｃ、並びに、同じく一端部３ａの真下に６０ｍｍ
の位置Ｄとで囲まれた領域内に、噴出口６を配設するこ
とが好ましい。基板３の一端部３ａと酸素ガス噴出口６
との間の距離Ｌが６０ｍｍを超えると、得られる垂直磁
化膜の垂直磁気配向性が低下し、高密度記録が困難とな
ってしまう。
るための酸素噴出口６は、ガラス基板３の一端部３ａと
の間の距離Ｌが６０ｍｍ以下となるような位置に配設す
ることが必要である。具体的には、基板の一端部３ａを
中心とする半径６０ｍｍの円の円周及びその内側に位置
すればよいこととなるが、蒸発源２に対し、基板の背面
すなわち上方（例えば、図中、位置Ａ）に噴出口６を配
設しても、酸素ガスと蒸発物質との反応が十分行われ
ず、逆に、基板と蒸発源との間（例えば、図中、位置
Ｂ）に噴出口６を配設すると、蒸発経路内で噴出口６が
障害となり、その上部の基板への成膜が不均一になって
しまう可能性が生じる。以上の点を勘案すると、図中、
斜線で示すように、上述した半径６０ｍｍの円内で、基
板の一端部３ａ、及びそこから水平方向に６０ｍｍ離れ
た位置Ｃ、並びに、同じく一端部３ａの真下に６０ｍｍ
の位置Ｄとで囲まれた領域内に、噴出口６を配設するこ
とが好ましい。基板３の一端部３ａと酸素ガス噴出口６
との間の距離Ｌが６０ｍｍを超えると、得られる垂直磁
化膜の垂直磁気配向性が低下し、高密度記録が困難とな
ってしまう。
【０００９】＜実施例＞図１に示した蒸着装置を用い、
容器内の到達真空度８×１０-8Ｔｏｒｒまで排気を行っ
た。基板としては厚さ０．９ｍｍのガラス基板を用い、
蒸発物質としてＣｏを使用した。ガラス基板の一端部か
ら水平方向の距離Ｌ＝１０、４０、６０、８０及び１２
０ｍｍとなる位置に酸素ガスの噴出口を配置し、この噴
出口から酸素ガスを３ｓｃｃｍの流量で導入しながら、
Ｃｏを電子ビームにより加熱蒸発させ、１００ｎｍの厚
さに成膜した。なお、この時の基板温度は２７℃であっ
た。
容器内の到達真空度８×１０-8Ｔｏｒｒまで排気を行っ
た。基板としては厚さ０．９ｍｍのガラス基板を用い、
蒸発物質としてＣｏを使用した。ガラス基板の一端部か
ら水平方向の距離Ｌ＝１０、４０、６０、８０及び１２
０ｍｍとなる位置に酸素ガスの噴出口を配置し、この噴
出口から酸素ガスを３ｓｃｃｍの流量で導入しながら、
Ｃｏを電子ビームにより加熱蒸発させ、１００ｎｍの厚
さに成膜した。なお、この時の基板温度は２７℃であっ
た。
【００１０】成膜終了後の各ガラス基板を９×９ｍｍの
正方形に切り出し、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によ
り、各磁性膜の膜面内の角形比（Ｒｓ//）と膜面垂直方
向の角形比（Ｒｓ⊥）とをそれぞれ測定し、両者の比Ｒ
ｓ⊥／Ｒｓ//を算出した。このときの最大印加磁界は１
０ｋＯｅとした。以上の測定結果を表１に示した。
正方形に切り出し、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によ
り、各磁性膜の膜面内の角形比（Ｒｓ//）と膜面垂直方
向の角形比（Ｒｓ⊥）とをそれぞれ測定し、両者の比Ｒ
ｓ⊥／Ｒｓ//を算出した。このときの最大印加磁界は１
０ｋＯｅとした。以上の測定結果を表１に示した。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１の結果からも明らかなように、距離Ｌ
が６０ｍｍ以下のもの（実施例１〜３）では、Ｒｓ⊥／
Ｒｓ//の値が１を超えている。このことは、膜面に対し
て垂直方向の残留磁化量が、膜面内のものより多いこと
を意味し、垂直方向に磁気異方性があることを示してい
る。これに対して、距離Ｌが６０ｍｍを超えるもの（比
較例１、２）では、Ｒｓ⊥／Ｒｓ//の値が１を下回って
おり、これは、面内方向に磁気異方性があり、面内磁化
膜であることを示している。なお、上記実施例において
は、非磁性基板としてガラス基板を使用した場合につい
て述べたが、本発明の製造方法は、これに限定されるも
のではなく、この他に、金属基板、あるいは、ＰＥＴな
どの高分子フィルム基板に対しても適用することが可能
である。
が６０ｍｍ以下のもの（実施例１〜３）では、Ｒｓ⊥／
Ｒｓ//の値が１を超えている。このことは、膜面に対し
て垂直方向の残留磁化量が、膜面内のものより多いこと
を意味し、垂直方向に磁気異方性があることを示してい
る。これに対して、距離Ｌが６０ｍｍを超えるもの（比
較例１、２）では、Ｒｓ⊥／Ｒｓ//の値が１を下回って
おり、これは、面内方向に磁気異方性があり、面内磁化
膜であることを示している。なお、上記実施例において
は、非磁性基板としてガラス基板を使用した場合につい
て述べたが、本発明の製造方法は、これに限定されるも
のではなく、この他に、金属基板、あるいは、ＰＥＴな
どの高分子フィルム基板に対しても適用することが可能
である。
【００１３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、磁性層の成膜法として生産性に優れた真空蒸着法
を使用し、しかも、垂直磁気異方性に優れ、高記録密度
化に有効である垂直磁化膜を有する磁気記録媒体を製造
することができる。
れば、磁性層の成膜法として生産性に優れた真空蒸着法
を使用し、しかも、垂直磁気異方性に優れ、高記録密度
化に有効である垂直磁化膜を有する磁気記録媒体を製造
することができる。
【図１】本発明の製造方法において、基板の一端部と酸
素噴出口との位置関係を説明するための模式図である。
素噴出口との位置関係を説明するための模式図である。
１ 蒸発物質（Ｃｏ） ２ 蒸発源 ３ 非磁性基板（ガラス基板） ４、５ 遮蔽板 ６ 酸素噴出口
Claims (1)
- 【請求項１】 酸素噴出口から酸素を導入しながら、真
空蒸着法により非磁性基板上に、コバルトもしくはコバ
ルト合金と酸素とを主成分とする垂直磁化膜を形成する
工程を含む磁気記録媒体の製造方法において、前記酸素
噴出口と前記基板の一端部との間の距離が、６０ｍｍ以
下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34390797A JPH11161952A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34390797A JPH11161952A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11161952A true JPH11161952A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18365173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34390797A Withdrawn JPH11161952A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11161952A (ja) |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP34390797A patent/JPH11161952A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |