JPS619821A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS619821A JPS619821A JP12844884A JP12844884A JPS619821A JP S619821 A JPS619821 A JP S619821A JP 12844884 A JP12844884 A JP 12844884A JP 12844884 A JP12844884 A JP 12844884A JP S619821 A JPS619821 A JP S619821A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic recording
- recording medium
- layer
- present
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高密度垂直磁気記録に適する磁気記録媒体に関
するものである。
するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、短波長化と狭トラツク化による記録密度の向上は
目覚ましく、光記録に近い面記録密度の実用化が、基板
の垂直方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を利用する
ことで期待されている。現状では、Ｃｏ−Ｃｒのスパッ
タ膜以上に特性的に優れたものは見出されていないので
、周知のようにスパッタリング法の成膜速度の遅い点が
問題になっており、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ
−０等の真空蒸着膜が成膜速度の大きさに着目され研究
されているが、公表されているデータを見る限り、垂直
配向の目安である六方稠密構造のＣ軸（００２）の分散
を表わすｘｍ回折像から得られるロッキング曲線の半値
幅であるΔθ５ｏの値としてはスパッタ膜の５倍以上で
あり、改良が望まれている。
目覚ましく、光記録に近い面記録密度の実用化が、基板
の垂直方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を利用する
ことで期待されている。現状では、Ｃｏ−Ｃｒのスパッ
タ膜以上に特性的に優れたものは見出されていないので
、周知のようにスパッタリング法の成膜速度の遅い点が
問題になっており、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ
−０等の真空蒸着膜が成膜速度の大きさに着目され研究
されているが、公表されているデータを見る限り、垂直
配向の目安である六方稠密構造のＣ軸（００２）の分散
を表わすｘｍ回折像から得られるロッキング曲線の半値
幅であるΔθ５ｏの値としてはスパッタ膜の５倍以上で
あり、改良が望まれている。
（発明の目的）
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、Ｃｏ−０゜Ｃ
ｏ−Ｎｉ−０系の垂直磁化膜の改良されたΔθ５゜を有
するＳ／Ｎの良好な磁気記録媒体を提供することを目的
とするものである。
ｏ−Ｎｉ−０系の垂直磁化膜の改良されたΔθ５゜を有
するＳ／Ｎの良好な磁気記録媒体を提供することを目的
とするものである。
（発明の構成）
本発明の磁気記録媒体はＣｏ−ＣｒとＣｏ−０又はＣｏ
−ＣｒとＣｏ−Ｎｉ−０の積層構造の垂直磁化膜を磁気
記録層とすることを特徴とし、Δθ、。が改良され、雑
音のすくないものである。
−ＣｒとＣｏ−Ｎｉ−０の積層構造の垂直磁化膜を磁気
記録層とすることを特徴とし、Δθ、。が改良され、雑
音のすくないものである。
（実施例の説明）
以下図面を参照しながら本発明を説明する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図であり、１
は高分子基板、２はＣｏ−Ｃｒ層、３はＣｏ−０又はＣ
ｏ−Ｎｉ−０の垂直磁化膜、４は保護膜である。
は高分子基板、２はＣｏ−Ｃｒ層、３はＣｏ−０又はＣ
ｏ−Ｎｉ−０の垂直磁化膜、４は保護膜である。
第２図は本発明の磁気記録媒体を得るために用いた蒸着
装置であり、５は基板、６は円筒状キャンＩ、７は円筒
状キャン■、８は送り出し軸、９は巻取り軸、１０は真
空室Ａ、１１は真空室Ｂ、１２は真空室Ｃ１１３，１４
，１５は排気系、１６．１７はガス導入系、１８．１９
はガス導入量調節弁、２０はスパッタカソード、２１は
蒸発源容器、２２は蒸着材量、２３は遮蔽板である。
装置であり、５は基板、６は円筒状キャンＩ、７は円筒
状キャン■、８は送り出し軸、９は巻取り軸、１０は真
空室Ａ、１１は真空室Ｂ、１２は真空室Ｃ１１３，１４
，１５は排気系、１６．１７はガス導入系、１８．１９
はガス導入量調節弁、２０はスパッタカソード、２１は
蒸発源容器、２２は蒸着材量、２３は遮蔽板である。
本発明に用いることの出来る高分子基板は、ポリエチレ
ンテレフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン
等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、ニ
トロセルロース等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリパラパニック酸、ポリイミド等が
挙げられる。
ンテレフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン
等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、ニ
トロセルロース等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリパラパニック酸、ポリイミド等が
挙げられる。
本発明に用いられるＣｏ−Ｃｒ層は、スパッタリング法
により得られる垂直配向したものが好ましい。
により得られる垂直配向したものが好ましい。
しかし、他の方法で得られる垂直配向した膜であっても
本発明の効果は確かめうるちのであり、必要に応じ、ま
た、要求される性能に応じ、生産性の高い真空蒸着法に
よりかかる薄膜層を得てもよいことは勿論である。
本発明の効果は確かめうるちのであり、必要に応じ、ま
た、要求される性能に応じ、生産性の高い真空蒸着法に
よりかかる薄膜層を得てもよいことは勿論である。
Ｃｒ含有量は１６％から２２Ｌ Ｃｏ−Ｃｒの厚みは０
．０１から０．１μｍ、好ましくは０．０２から０．０
５μｍである。
．０１から０．１μｍ、好ましくは０．０２から０．０
５μｍである。
Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の上に形成されるＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ
−０膜はスパッタリング法、真空蒸着法のいずれで形成
してもよいが、真空蒸着法による方が生産性からみて圧
倒的に優位にある。
−０膜はスパッタリング法、真空蒸着法のいずれで形成
してもよいが、真空蒸着法による方が生産性からみて圧
倒的に優位にある。
保護膜は公知の範囲で、スペーシング損失を勘案し乍ら
形成される。
形成される。
又必要に応じ、Ｃｏ−Ｃｒ層の形成に先立ち、軟磁性層
を形成することや、磁気記録層を両面に配したり、或い
は、磁気記録層の無い面に走行性補助のために塗布層を
配するものなども本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜
工夫できるものである。
を形成することや、磁気記録層を両面に配したり、或い
は、磁気記録層の無い面に走行性補助のために塗布層を
配するものなども本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜
工夫できるものである。
本発明の構成により、Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０膜の垂
直配向性が改良され、磁気記録媒体として好ましく改質
される点は、Ｃｏ−Ｃｒの配向性が良好なためその上に
成長するＣｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−０膜の配向性がその影
響を受けるのと、ｃｏ−ＣｒとＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−
０との界面にできるＣｒの酸化層が配向性の改良に寄与
していると考えられるが、この点は、単にＣｒの酸化物
を別工程で他の方法、例えばスパッタリング法で形成し
たものでは得られないもので、Ｃｒの酸化層の形成とＣ
ｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０膜の形成が同時過程であること
が重要なことであると推定されるが、更に詳細な点は未
だ明らかにされていない。
直配向性が改良され、磁気記録媒体として好ましく改質
される点は、Ｃｏ−Ｃｒの配向性が良好なためその上に
成長するＣｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−０膜の配向性がその影
響を受けるのと、ｃｏ−ＣｒとＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−
０との界面にできるＣｒの酸化層が配向性の改良に寄与
していると考えられるが、この点は、単にＣｒの酸化物
を別工程で他の方法、例えばスパッタリング法で形成し
たものでは得られないもので、Ｃｒの酸化層の形成とＣ
ｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０膜の形成が同時過程であること
が重要なことであると推定されるが、更に詳細な点は未
だ明らかにされていない。
以下さらに具体的に本発明の一実施例について説明する
。
。
第２図の装置を用いて磁気テープを製造した。
円筒状キャンＩ、■共に直径５０■、スパッタリングは
高周波マグネトロンスパッタ法により、真空蒸着は電子
ビーム蒸着法によった。条件と得られた特性を表にまと
めて示した。
高周波マグネトロンスパッタ法により、真空蒸着は電子
ビーム蒸着法によった。条件と得られた特性を表にまと
めて示した。
用いた高分子基板はポリアミドで厚み１２μｍで円筒状
キャンＩ、ＩＩの表面温度は夫々９０℃、１５０℃とし
た。なお、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）は、リング型磁気ヘ
ッドを用いて測定した。磁気ヘッドのコア材料はセンダ
スト合金とフェライトで、ギャップ長は（１，２μｍ、
トラック幅は２２μｌで、Ｓ／Ｎは記録波長０．６μｍ
で測定し、磁気テープとしての比較テープ（テープＮα
７）をＯ（ｄＢ）にして相対比較した。比較テープは、
第２図の装置でＣｏ−Ｃｒ膜のみを垂直磁化膜として構
成した場合である。
キャンＩ、ＩＩの表面温度は夫々９０℃、１５０℃とし
た。なお、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）は、リング型磁気ヘ
ッドを用いて測定した。磁気ヘッドのコア材料はセンダ
スト合金とフェライトで、ギャップ長は（１，２μｍ、
トラック幅は２２μｌで、Ｓ／Ｎは記録波長０．６μｍ
で測定し、磁気テープとしての比較テープ（テープＮα
７）をＯ（ｄＢ）にして相対比較した。比較テープは、
第２図の装置でＣｏ−Ｃｒ膜のみを垂直磁化膜として構
成した場合である。
表より明らかなように、本発明品は、Ｃｏ−０。
Ｃｏ−Ｎｉ−０単独の垂直磁化膜の発表されているΔθ
、。の値の約１７３から１１５と良好であり、且つ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ単独のこれまで最良とされている垂直磁化膜の
Δθ、。の値より僅かに大きいものの、Ｓ／Ｎからみる
と、むしろ改良されており、特に実用信頼性の高いフェ
ライトヘッドで摺動ノイズが改良されるため、Ｓ／Ｎが
一層向上しており、巻取り速度からみても、７倍から８
倍の高速化が図られており、生産性の面でも優位性がは
っきりしている。
、。の値の約１７３から１１５と良好であり、且つ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ単独のこれまで最良とされている垂直磁化膜の
Δθ、。の値より僅かに大きいものの、Ｓ／Ｎからみる
と、むしろ改良されており、特に実用信頼性の高いフェ
ライトヘッドで摺動ノイズが改良されるため、Ｓ／Ｎが
一層向上しており、巻取り速度からみても、７倍から８
倍の高速化が図られており、生産性の面でも優位性がは
っきりしている。
本発明は、磁気テープ以外にも、磁気ディスク、磁気シ
ートの形態でも同様の効果を発揮するものであり、実施
例でのべた他の材料の組み合わせでもほぼ同様の効果を
確認した。
ートの形態でも同様の効果を発揮するものであり、実施
例でのべた他の材料の組み合わせでもほぼ同様の効果を
確認した。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、Ｃｏ−ＣｒとＣ
ｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０の積層構成の垂直磁化膜を磁
気記録層とすることで、Δθ５ｏの改良によりＳ／Ｎが
改良され、垂直記録用の磁気記録媒体としての実用価値
は大きい。
ｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０の積層構成の垂直磁化膜を磁
気記録層とすることで、Δθ５ｏの改良によりＳ／Ｎが
改良され、垂直記録用の磁気記録媒体としての実用価値
は大きい。
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図、第２図は
本発明の磁気記録媒体を得るために用いられた蒸着装置
の要部構成図である。 １ ・・・高分子基板、 ２・・・Ｃｏ−Ｃｒ層、３
・・・Ｃｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０の垂直磁化膜。
本発明の磁気記録媒体を得るために用いられた蒸着装置
の要部構成図である。 １ ・・・高分子基板、 ２・・・Ｃｏ−Ｃｒ層、３
・・・Ｃｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０の垂直磁化膜。
Claims (1)
- 垂直磁化膜がＣｏ−Ｃｒ膜とＣｏ−Ｏ膜或いは、Ｃｏ−
Ｃｒ膜とＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜との積層構造を有することを
特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844884A JPS619821A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844884A JPS619821A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619821A true JPS619821A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0581967B2 JPH0581967B2 (ja) | 1993-11-17 |
Family
ID=14984964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12844884A Granted JPS619821A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619821A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459615A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| US4950548A (en) * | 1988-05-27 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and method of producing same |
| EP1785505A1 (en) * | 2004-08-10 | 2007-05-16 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Barrier film for flexible copper substrate and sputtering target for forming barrier film |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200073A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | コネクタ |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP12844884A patent/JPS619821A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459615A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JP2506813B2 (ja) * | 1987-08-31 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US4950548A (en) * | 1988-05-27 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and method of producing same |
| EP1785505A1 (en) * | 2004-08-10 | 2007-05-16 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Barrier film for flexible copper substrate and sputtering target for forming barrier film |
| EP1785505A4 (en) * | 2004-08-10 | 2008-03-19 | Nippon Mining Co | BARRIER FILM FOR FLEXIBLE COPPER SUBSTRATE AND SPUTTER TARGET FOR FORMING A BARRIER FILM |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581967B2 (ja) | 1993-11-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |