JPH04125813A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成され
てなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜にニ
トロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体またはニ
トロ基を有するフタル酸誘導体を被着することにより、
耐蝕性を改善し、磁気特性の経日劣化が少ない磁気記録
媒体を提供するものである。

〔従来の技術〕

たとえばオーディオテープレコーダやＶＴＲ（ビデオテ
ープレコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化が進行しており、それに伴な
って記録媒体の分野においても高密度記録に対応する高
抗磁力、高飽和磁化を有する磁気記録媒体が要求される
ようになってきている。

そのような磁気記録媒体として、Ｆｅ、Ｃｏ。

Ｎ１等の強金属磁性材料を蒸着等の真空薄膜形成技術（
真空蒸着法、スパンタリング法、イオンブレーティング
法等）により非磁性支持体上に直接被着した、いわゆる
金属薄膜型磁気記録媒体が注目を集めている。

この金Ｉｌｉ薄膜型磁気記録媒体は、飽和磁化量。

抗磁力、短波長域における電磁変換特性に優れること、
磁性層の厚みを極めて薄くすることが可能であるため記
録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性層
中に有機バインダーを混入する必要がないため磁性材料
の充填密度を高（できること等の数々の利点を有してい
る。

しかしながら、上述の金属薄膜型磁気記録媒体は、金属
磁性材料が化学的に不安定であるため、保管中、特に高
温ないし高温下に放置された場合に、磁性層表面が蝕食
し、磁気特性が経日的に劣化する問題がある。

これまで、上記の強磁性金属薄膜上に防錆剤を被着させ
て、磁気記録媒体の耐蝕性を改善しようとする試みがな
されてきているが、十分な耐蝕性は得られておらず、更
に改善が望まれていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

そこで、本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案さ
れたものであり、優れた耐蝕性を有し、高温高温条件下
、腐食性雰囲気下においても磁気特性を安定に維持する
ことが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕

上述の目的を達成するために、本発明の磁気記録媒体は
、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成されてなり、
前記強磁性金属薄膜にニトロ基を有するナフタレンジカ
ルボン酸誘導体が被着されたことを特徴とする。

さらに、前記強磁性金属薄膜にニトロ基を有するフタル
酸誘導体が被着されたことを特徴とする。

本発明において使用されるニトロ基を有するナフタレン
ジカルボン酸誘導体およびニトロ基を有するフタル酸誘
導体は、防錆材として強磁性金属薄膜に被着されるもの
である。上記ニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸
誘導体としては、１．２−ナフタレンジカルボン酸、１
，３−ナフタレンジカルボン酸、１．４−ナフタレンジ
カルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、１゜６
−ナフタレンジカルボン酸、１，７−ナフタレンジカル
ボン酸、１，８−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナ
フタレンジカルボン酸、２．６−ナフタレンジカルボン
酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸等のナフタレンジ
カルボン酸にニトロ基を導入したもの、たとえば５−ニ
トロ−２，３−ジカルボキシナフタレン、５，７−シニ
トロー２．３−ジカルボキシナフタレン等が挙げられる
。

また、ニトロ基を有するフタル酸誘導体としては、３．
６−ジニトロフタル酸、３．５−ジニトロフタル酸、４
．５−ジニトロフタル酸、３．４−ジニトロフタル酸、
３−ニトロフタル酸、４−ニトロフタル酸等が挙げられ
る。

上記ニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸は、ウィ
ルソン　ベーカー（Ｗｉｌｓｏｎ　Ｂａｋｅｒ、　Ｊ、
Ｃｈｅｍ、ｓｏｃ　（１９３４）　ｐｐ１４１３）の方
法等によって合成することができる。下記にその合成反
応式（ａ）を示す。

また、上記ニトロ基を有するフタル酸誘導体。

例えば３．６−ジニトロフタル酸は薬学雑誌　■（１９
５１）　ｐ　ｐ　９７７において示される方法に従って
次の反応式（ｂ）に示すようにして合成できる。

また、例えば４．６−ジニトロフタル酸はＪ。

Ｇｅｒ、Ｃｈｅ曽１ｆｌ　ｐｐ１８４５において示され
る方法に従って次の反応式（ｃ）に示すように合成でき
る。

また、例えば３゜ ジニトロフタル酸はＰｒｏｃ。

Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ。

ｐ６０ において示される方法 法に従って次の反応式（ｄ） に示すようにして合成で きる。

また、例えば４゜ ５−ジニトロフタル酸は次の反 本発明において使用される防錆剤は、強磁性金属薄膜の
表面に塗布し、被着せしめることにより、その効果を発
揮せしめる。その塗布量は磁気記録媒体１ｒＩ′ｒ当り
０．５〜１００■程度が好ましく、１〜２０ｍであるの
がより好ましい。この塗布量が少なすぎると耐蝕性の改
善が得られず、一方多すぎると摺動部材と強磁性金属薄
膜との間で貼付き現象が起こり走行性が悪化してしまう
。

また上記防錆剤を強磁性金属薄膜に被着させる方法とし
ては、使用する化合物を適当な溶媒に希釈して強磁性金
属薄膜表面に塗布する方法、あるいは化合物の蒸気を強
磁性金属１１１１表面にあてる方法等各種の手段を用い
ることができる。また、上記化合物とともに通常の潤滑
剤、極圧剤等を併用してもかまわない。

前述の溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、メタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエ
ーテル等のエステル類、エチレングリコールジメチルエ
ーテル。

エチレングリコールエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン。

トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、ヘ
プタン等の脂肪族炭化水素、メチレンクロライド、エチ
レンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレン
クロルヒドリン、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素
、トリクロロフルオロメタン、クロロジフルオロメタン
、１，１．２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロ
エチレン。

３−ジクロロテトラフルオロエチレン等のフルオロ炭化
水素、水及びこれらの混合物が挙げられる。

潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、脂肪酸アミ
ド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまたはそのアル
コキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、ソルビタン
エステル、マンニラタンエステル、硫黄化脂肪酸、脂肪
族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パーフルオロ
アルキルエチレンオキシド、パーフルオロポリエーテル
類、高級アルキルスルホン酸またはその金属塩、パーフ
ルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモニウム塩あ
るいはその金属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸ま
たはその金属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸エス
テル等が例示される。

本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シト　デ
ィスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。

上記真空蒸着法は、１０−’〜１０−’Ｔｏｒｒの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、を子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（
強磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−４〜１０−”Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０−’〜１０−’Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生したアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極５３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。

このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷＶ等の
下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法による場合にも、予め非磁性支
持体上にＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ。

Ｉｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、ＴＩｌ等の非磁性金属の下地
膜を形成しておき、上記強磁性金属材料を垂直方向から
蒸着あるいはスパッタし、強磁性金属薄膜中にこれら非
磁性金属を拡散せしめ、配向性を解消するとともに、１
抗磁力を確保するようにしてもよい。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ０Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、ＦｅＣｏ−Ｎｉ合金　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｎ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金あるいはこれ
らにＣｒ、ＡＩ等の金属が含有されたもの等が挙げられ
る。特に、Ｃｏ−Ｃｒ合金を使用した場合には、垂直磁
化膜が形成される。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は０．０
４〜１μｍ程度である。

〔作用〕

本発明では、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成さ
れてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属ＷＩ膜
にニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体また
は前記強磁性金属薄膜にニトロ基を有するフタル酸誘導
体が被着されることにより、優れた耐蝕性を有するよう
になり、磁気特性の経口劣化が防止される。

〔実施例〕

以下、本発明の好適な実施例について実験結果に基づい
て説明する。

実施例１ 先ず、１４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィル
ムに斜め蒸着法によりＣＯを被着させ、膜厚１０００人
の強磁性金属Ｉ膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面上に、５−ニトロ−２，
３−ジカルボキシナフタレンを塗布し、乾燥後、１／２
インチ幅に裁断してサンプルテープを作製した。

実施例２〜８ 実施例１で５−ニトロ−２，３−ジカルボキシナフタレ
ンの代わりに第１表に示す化合物を使用して、他は実施
例１と同様な条件にてサンプルテープを作製した。

比較例１ １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣＯを被着させ、膜厚１０００人の強磁
性金属薄膜を形成した。

次に、これを１／２インチ幅に裁断してサンプルテープ
を作製した。

第１表 以上の作製された各サンプルテープについて、初期の保
磁力（Ｈｃ＋）と飽和磁化量（Ｉｓ＋）を測定した後、
そのテープを２本に分け、一方は、６０°Ｃ５相対温度
８０％の雰囲気下に１週間放置した後の保磁力（Ｈｃｚ
）と飽和磁化量（Ｉｓｚ）を画定した。また、他方のテ
ープについてはＳＯ工（０，０３ρｐ１１）を含む相対
湿度９０％のＳ０２ガス雰囲気下で２４時間放置した後
の保磁力（Ｈｃｉ）と飽和磁化量（Ｉｓ：ｌ）を測定し
た。

それらの放置後の変化率を次式によって求めた。

Ｈｃの変化率＝　（Ｈｃ、１−Ｈｃ、）／Ｈｃ＋　ｘｌ
ＯＯ（χ）Ｉｓの変化率−（ＩｓｌｌＩｓ＋）／Ｉｓ＋
　Ｘ１００（χ）但し、ｎ＝２．３ その結果を第２表に示す。

第２豪 表から明らかなように、実施例１〜８で作製されたサン
プルテープは、比較例１で作製されたサンプルテープと
比較して、多湿条件下放置あるいはＳＯ２ガス雰囲気中
放１による抗磁力及び飽和磁化量の変化率はともに極め
て小さく、はとんど磁気特性が劣化しないことがわかる
。したがって、これらの結果から、強磁性金属薄膜表面
にニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体また
はニトロ基を有するフタル酸誘導体を被着することによ
り磁気記録媒体の耐蝕性が大幅に改善されることがわか
る。

〔発明の効果］ 以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
非磁性支持体上に強磁性金属ｙＩＩＩ！Ｉが形成されて
なる磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜にニト
ロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体またはニト
ロ基を有するフタル酸誘導体が被着されることにより、
大幅に耐蝕性が改善される。したがって、長期保存によ
っても抗磁力。

飽和磁化量等の磁気特性が劣化せず良好な記録再生を維
持することが可能となる。

特 許 請 求 人 ソニー株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成されてな
   り、前記強磁性金属薄膜にニトロ基を有するナフタレン
   ジカルボン酸誘導体が被着されたことを特徴とする磁気
   記録媒体。（２）非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形
   成されてなり、前記強磁性金属薄膜にニトロ基を有する
   フタル酸誘導体が被着されたことを特徴とする磁気記録
   媒体。