JPS6182325A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング
等によって非磁性支持体上に強磁性金属薄膜全形成して
なるいわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に７−
Ｆｅ２Ｄ３、Ｃｏを含有するγ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ
４、Ｃｏ　を含有するＦｅ３Ｏ４，７−Ｆｅ２Ｏ３とＦ
ｅ、Ｏ，のベルトライド化合物、Ｃｏ　ｆ含有するベル
トライド化合物、ＣｒＯ２等の酸化物磁性粉末あるいは
Ｆｅ、　Ｃｏ、Ｎｉ　　等を主成分とする合金磁性粉末
等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダ
ー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥させることに
より得ら九る塗布型の磁気記録媒体が広く使用されてい
る。

近年、高密度磁気記録への要求の高まりと共に、非磁性
支持体上に強磁性金属刃＼らなる金属磁性薄膜を真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、メ
ッキ法等の手法を用いて直接被着形成した強磁性金属薄
膜型磁気記録媒体が注目を集めている。この強磁性金属
薄膜型磁気記録媒体は抗磁カドＩｃや残留磁束密度Ｂｒ
が大きいばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くする
ことが可能であるため、記録減磁や再生時の厚み損失が
著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バイ
ンダーを混入する必要がないため磁性材ネ１の充填密度
ケ高めることができること等、磁気！１テ性の点で数々
の利点を有している。

しかし、強磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、磁性層が金
属であるために、保存中、とくに高温ないし高湿下に放
置さ几た場合、磁性層表面に腐食を生じやすく、このた
め飽和磁化量の如き磁気特性が経口的に劣化する問題が
あった。

そこで上記の強磁性金属薄膜上に防錆剤を付着させるこ
とにより磁気記録媒体の耐食性を改善することが試みら
ｎでいる。

例えば防錆剤として二価フェノール類を用いること（特
開昭５７−１５２５１７号）、ジアリルケトンを用いる
こと（％開昭５７−１５２５１８番）、アルキルフェノ
ールを用いること（特開昭５７−１５２５１９号〕、ナ
フトール類を用いること（特開昭５７−１５２５２０号
）等が前記公報中に開示されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は高温ないし高湿下に於ても磁性層表面に錆がほ
とんど発生せず、磁気特性の経口経度変化の少ない強磁
性金属薄膜型の磁気記録媒体を提供することを目的とし
、更には新規な防錆剤を用いることにより、上述の問題
点を解決しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体上
に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性金属薄膜に、カ
ルボニル基を有しかつ窒素原子を含む複素環化合物を主
成分とする防錆剤を付着させたことを特徴とするもので
ある一１ 本発明において、防錆剤として使用さ肛るカルボニル基
を有し、かつ☆素原子を含む複素環化合物としては、リ
ボフラビン、テオブロミン、アラントイン、アロキサン
、２−チオバルビッール酸、ビオルル酸、イサチン、ヒ
ダントイン、チミン、バルビッール酸、オロチン酸、ウ
ラシル、スクシンイミド、クレアチニン、２−ピロリド
ン等が挙げらｎる。

上述の防錆剤は、強磁性金属薄膜の少なくとも表面、可
能であれば内部、あるいは強磁性金属薄膜が形成されて
いる下地との界面に接する状態で存在せしめることによ
り、その効果を発揮せしめる。その適量は磁気記録媒体
１−Ｐｌ”当り０．５〜１００　ｍｇ程度である。

上述の防錆剤を強磁性金属薄膜に付着させる方法として
は、防錆剤を適当な溶媒に希釈して強磁性金属薄膜表面
に塗布する方法、あるいは防錆剤の蒸気を強磁性金属薄
膜表面にあてる方法等の手段を用いることができる。

また防錆剤とともに、通常の潤滑剤を併用してもかまわ
ない。

前述の溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケ
トン、メチルインズチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、メタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエ
ーテル等のエステル類、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、エチレンクリコールモノエチルエーテル、テト
ラヒドロ７ラン、ジオキサン類のエーテル類、ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水Ｘ、ヘキサン、
ヘプタン等の脂肪族炭化水素、メチレンクロライド、エ
チレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレ
ンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水
素、トリクロロフルオロメタン、ジクロロジフルオロメ
タン、クロロトリフルオロメタン、クロロジフルオロメ
タン、１．１．２−）ジクロロ−１，２，２−トリフル
オロエチレン、タージクロロテトラフルオロエチレン等
のフルオロ炭化水素、水及びこｎらの混合溶媒が挙げら
れる。

更に潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸
アミド、金属石ケン、脂肪族アルコール、パラフィン、
シリコーン、フッ素系界面活性剤等が使用できる。

ラブソン 脂肪酸としては、≠７渉＃酸、ミリスチン酸、バルミチ
ン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、第１／イン酸、リノー
ル酸、リルン酸等の炭素数が１２個以上のものが使用で
きる。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
０ 脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、バルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属石サンとしては、ラウリン酸、ミリスチン酸、バル
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノ
ール酸、リルン酸等のＺｎ　、　Ｐｂ　。

Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｓｒ等との塩、
ラウリル、パルミチル、ミリスチル、ステアリル、ベヘ
ニル、オレイル、リノール、リルン等のスルホン酸と上
記金属との塩等が使用できる。

脂肪酸アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。

パラフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそ几らを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

フッ素系界面活性剤としては、パー７０ロアルキルカル
ボン酸及ヒバ−７０ロアルキルスルホン酸とＮａ、に、
Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｘ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等との塩、パーフ
ロロアルキルリン駿エステル、パーフロロアルキルベタ
イン、パー７０ロアルキルトリメチルアンモニウム塩、
パーフロロエチレンオキサイド、パー７０ロアルキル脂
肪族エステル等が使用できる。

非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、
セルロースダイアセテート、セルロースアセテートブチ
レート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポ
リイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック等が挙げ
ら扛る。また、上記非磁性支持体の形態としては、フィ
ルム、テープ、シート、ディスク、カード、ドラム等の
いずれでもよい。

強磁性金属薄膜の材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の
金属あるいはＣｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金
、Ｃｏ　−Ｎｉ　−Ｆ　ｅ−Ｂ合金あるいはこれらにＣ
ｒ、Ａｚ等の金属が含有されたもの等が挙げられる。

上記強磁性金属薄膜材料の被着手段としては、真空蒸着
法、イオンブレーティング法、スパッタ、リング法等が
挙げられる。上記真空蒸着法は、１０−４〜１０Ｔｏｒ
ｒの真空下で上記強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱等により蒸発させ非磁性支持体上に
蒸発金属（強磁性金属材料）を沈着するというものであ
シ、斜方蒸着法及び垂直蒸着法に大別さ八る。上記斜方
蒸着法は、高い抗磁力を得るため非磁性支持体に対して
上記強磁性金属材料を斜め蒸着するものであって、より
高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行な
うものも含まれる。上記垂直蒸着法は、蒸着効率や生産
性を向上し、かつ高い抗磁力を得るために非磁性支持体
上にあらかじめＢｉ、Ｓｂ。

Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ等の
下地金属を形成しておき、この下池金属層上に上記強磁
性金属材料を垂直に蒸着するというものである０上記イ
オンブレーテイング法も真空蒸着法の一種であり、１０
−’　〜１０−’　Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＤ
Ｃグロー放電、ＲＦグロー放電を起こし、放電中で上記
強磁性金属を蒸発させるというものである。上記スパッ
タリング法は、ｌＯ〜１Ｏ−１Ｔｏｒｒのアルゴンガス
を主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じ几
アルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すと
いうものであり、グロー放電の方法により直流２極、３
極スノくツタ−法や、高周波スパッター法、またマグネ
トロン放電を利用したマグネトロンスパッター法等があ
る。

〔作用〕

以上述べたように、磁性層である強磁性金属薄膜の表面
、内部あるいは下地との界面等にカル７にルニ基を有し
かつ窒素原子を含む複素環化合物を付着せしめることに
より、上記強磁性金属薄膜での錆の発生が防止される。

〔実施例〕

以下本発明の具体的な実施例について説明するが本発明
がこ汎ら実施例に限定されるものでないことは言うまで
もない。

実施例１ 厚さ１２．μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
上に真空蒸着装置を用いてコバルトＣｏを入射角５０〜
９０　で斜方蒸着し、膜厚的１３０ＯＡの強磁性金属薄
膜を形成した。

次いで上記強磁性金属薄膜上に、アロキサンをアセトン
と水との混合溶媒（アセトン：水−１＝１）に希釈した
溶液（０，ｚｗｔ％溶液）を塗布（塗布量２’　Ｏｙｎ
ｌｊ／　ｍ２）　シ、サンプルテープを作成した。

実施例２ アロキサンの代わりにリボフラビンを用いた以外は、実
施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例３ アロキーリーンの代わりにテオブロミンを用いた以外は
、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した○ 実施例４ アロキサンの代わりにアラントインを用いた以外は、実
施例１と同、様にしてサンプルテープに作成した。

実施例５ アロキサンの代わりＶこ２−チオバルビッール酸を用い
た以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作成
した。

実施例６ アロキサンの代わりにビオルル酸を用いた以外は、実施
例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例７ アロキサンの代わりにイサチンを用いた以外は、実施例
１と同様にしてサンプルテープ全作成した。

実施例８ アロキサンの代わりにヒダントイン全周いた以外は、実
施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例９ アロキサンの代わりにチミンを用いた以外は実施例１と
同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１０ アロキサンの代わりにバルビッール酸を用いた以外は、
実施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１１ アロキサンの代わりにオロチン酸を用いた以外は、実施
例１と同様にしてサンプルテープ全作成した。

実施例１２ アロキサンの代わシにウラシルを用いた以外は、実施例
１と同様にしてサンプルテープ全作成した。

実施例１３ アロキサンの代わりにスクシンイミドを用いた以外は実
施例１と同様にしてサンプルテープを作成した。

１２一 実施例１４ アロキサンの代わりにクレアチニンを用いた以外は実施
例１′と同様にしてサンプルテープを作成した。

実施例１５ アロキサンの代わりに２−ピロリドンを用いた以外は実
施例１と同様にしてサンプルテープを作成したｎ 比較例 厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、真空蒸着装置を用いてコバルトＣＯを入射角５ヂ〜
９Ｃで斜方蒸着し、膜厚的１３０ＯＡの強磁性金属薄膜
を形成し、サンプルテープを作成した。

上記の実施例及び比較例により得られた谷サンプルテー
プにつき、初期の保磁力（Ｈｃｉ）及び胞子 和磁化量（ＩＳＩ）と４５℃、８０％ＲＨ１ｉ’に１週
間放置した後の保磁力（Ｈｃ２）及び飽和磁化量（ＩＳ
２）とからその変化率を求めた。

Ｈｃの変化率＝　（ＨＣＩ　−Ｈｃ２　）　／Ｈｃｉｌ
５（７）変化率＝　（ＩＳＩ−ＩＳ２　）／Ｉｓｔ次表
にその結果を示す。

表 尚、実施例のサンプルテープ表面には錆の発生は認めら
九なかった。

」二記表より本発明による磁気記録媒体は磁性層表面に
錆がほとんど発生せず、磁気時１１ｔの経口変化の少な
いことがわかる。

〔発明の効果〕

上述の説明からも明らかなように、本発明において（ハ
、強磁性金属薄１１９にカルボニル基を有しかつ窒素原
子を含む複素環化合物を生成分とする防錆剤全付着させ
ているので、高温ないし高湿下Ｑておいても磁性層であ
る強磁性金属薄膜表面での謂の発生が防止さ九、保磁力
や飽和磁化量等の磁気特性の経日変化も少ないものとな
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性
   金属薄膜にカルボニル基を有し、かつ窒素原子を含む複
   素環化合物を主成分とする防錆剤を付着させたことを特
   徴とする磁気記録媒体。