JP3047438B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP3047438B2 JP3047438B2 JP2246209A JP24620990A JP3047438B2 JP 3047438 B2 JP3047438 B2 JP 3047438B2 JP 2246209 A JP2246209 A JP 2246209A JP 24620990 A JP24620990 A JP 24620990A JP 3047438 B2 JP3047438 B2 JP 3047438B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形
成技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜
を磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の
磁気記録媒体に関するものである。
成技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜
を磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の
磁気記録媒体に関するものである。
〔発明の概要〕 本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成さ
れてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜に
ニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体または
ジニトロフタル酸を被着することにより、耐蝕性を改善
し、磁気特性の経日劣化が少ない磁気記録媒体を提供す
るものである。
れてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜に
ニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体または
ジニトロフタル酸を被着することにより、耐蝕性を改善
し、磁気特性の経日劣化が少ない磁気記録媒体を提供す
るものである。
たとえばオーディオテープレコーダやVTR（ビデオテ
ープレコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化が進行しており、それに伴な
って記録媒体の分野においても高密度記録に対応する高
抗磁力，高飽和磁化を有する磁気記録媒体が要求される
ようになってきている。
ープレコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化が進行しており、それに伴な
って記録媒体の分野においても高密度記録に対応する高
抗磁力，高飽和磁化を有する磁気記録媒体が要求される
ようになってきている。
そのような磁気記録媒体として、Fe,Co,Ni等の強金属
磁性材料の蒸着等の真空薄膜形成技術（真空蒸着法，ス
パッタリング法，イオンプレーティング法等）により非
磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属薄膜型磁気
記録媒体が注目を集めている。
磁性材料の蒸着等の真空薄膜形成技術（真空蒸着法，ス
パッタリング法，イオンプレーティング法等）により非
磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属薄膜型磁気
記録媒体が注目を集めている。
この金属薄膜型磁気記録媒体は、飽和磁化量，抗磁
力，短波長域における電磁変換特性に優れること、磁性
層の厚みを極めて薄くすることが可能であるため記録減
磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に
有機バインダーを混入する必要がないため磁性材料の充
填密度を高くできること等の数々の利点を有している。
力，短波長域における電磁変換特性に優れること、磁性
層の厚みを極めて薄くすることが可能であるため記録減
磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に
有機バインダーを混入する必要がないため磁性材料の充
填密度を高くできること等の数々の利点を有している。
しかしながら、上述の金属薄膜型磁気記録媒体は、金
属磁性材料が化学的に不安定であるため、保管中、特に
高温ないし高湿下に放置された場合に、磁性層表面が蝕
食し、磁気特性が経日的に劣化する問題がある。
属磁性材料が化学的に不安定であるため、保管中、特に
高温ないし高湿下に放置された場合に、磁性層表面が蝕
食し、磁気特性が経日的に劣化する問題がある。
これまで、上記の強磁性金属薄膜上に防錆剤を被着さ
せて、磁気記録媒体の耐蝕性を改善しようとする試みが
なされてきているが、十分な耐蝕性は得られておらず、
更に改善が望まれていた。
せて、磁気記録媒体の耐蝕性を改善しようとする試みが
なされてきているが、十分な耐蝕性は得られておらず、
更に改善が望まれていた。
そこで、本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、優れた耐蝕性を有し、高温高湿条件
下，腐食性雰囲気下においても磁気特性を安定に維持す
ることが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
されたものであり、優れた耐蝕性を有し、高温高湿条件
下，腐食性雰囲気下においても磁気特性を安定に維持す
ることが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
上述の目的を達成するために、本発明の磁気記録媒体
は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成されてな
り、前記強磁性金属薄膜にニトロ基を有するナフタレン
ジカルボン酸誘導体が被着されたことを特徴とする。
は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成されてな
り、前記強磁性金属薄膜にニトロ基を有するナフタレン
ジカルボン酸誘導体が被着されたことを特徴とする。
さらに、前記強磁性金属薄膜にジニトロフタル酸が被
着されたことを特徴とする。
着されたことを特徴とする。
本発明において使用されるニトロ基を有するナフタレ
ンジカルボン酸誘導体およびジニトロフタル酸は、防錆
材として強磁性金属薄膜に被着されるものである。上記
ニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体として
は、1,2−ナフタレンジカルボン酸、1,3−ナフンタレン
ジカルボン酸、1,4−ナフタレンジカルボン酸、1,5−ナ
フタレンジカルボン酸、1,6−ナフタレンジカルボン
酸、1,7−ナフタレンジカルボン酸、1,8−ナフタレンジ
カルボン酸、2,3−ナフタレンジンカルボン酸、2,6−ナ
フタレンジカルボン酸、2,7−ナフタレンジカルボン酸
等のナフタレンジカルボン酸にニトロ基を導入したも
の、たとえば５−ニトロ−2,3−ジカルボキシナフタレ
ン、5,7−ジニトロ−2,3−ジカルボキシナフタレン等が
上げられる。また、ニトロ基を有するフタル酸誘導体と
しては、3,6−ジニトロフタル酸、3,5−ジニトロフタル
酸、4,5−ジニトロフタル酸、3,4−ジニトロフタル酸等
が挙げられる。
ンジカルボン酸誘導体およびジニトロフタル酸は、防錆
材として強磁性金属薄膜に被着されるものである。上記
ニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体として
は、1,2−ナフタレンジカルボン酸、1,3−ナフンタレン
ジカルボン酸、1,4−ナフタレンジカルボン酸、1,5−ナ
フタレンジカルボン酸、1,6−ナフタレンジカルボン
酸、1,7−ナフタレンジカルボン酸、1,8−ナフタレンジ
カルボン酸、2,3−ナフタレンジンカルボン酸、2,6−ナ
フタレンジカルボン酸、2,7−ナフタレンジカルボン酸
等のナフタレンジカルボン酸にニトロ基を導入したも
の、たとえば５−ニトロ−2,3−ジカルボキシナフタレ
ン、5,7−ジニトロ−2,3−ジカルボキシナフタレン等が
上げられる。また、ニトロ基を有するフタル酸誘導体と
しては、3,6−ジニトロフタル酸、3,5−ジニトロフタル
酸、4,5−ジニトロフタル酸、3,4−ジニトロフタル酸等
が挙げられる。
上記ニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸は、ウ
ィルソン ベーカー（Wilson Baker,J.Chem.Soc.（193
4）pp1413）の方法等によって合成することができる。
下記にその合成反応式（ａ）を示す。
ィルソン ベーカー（Wilson Baker,J.Chem.Soc.（193
4）pp1413）の方法等によって合成することができる。
下記にその合成反応式（ａ）を示す。
また、上記ジニトロフタル酸，例えば3,6−ジニトロ
フタル酸は薬学雑誌 71（1951）pp997において示され
る方法に従って次の反応式（ｂ）に示すように合成でき
る。
フタル酸は薬学雑誌 71（1951）pp997において示され
る方法に従って次の反応式（ｂ）に示すように合成でき
る。
また、例えば4,6−ジニトロフタル酸はJ.Ger.Chem 2
0pp1845において示される方法に従って次の反応式
（ｃ）に示すように合成できる。
0pp1845において示される方法に従って次の反応式
（ｃ）に示すように合成できる。
また、例えば3,5−ジニトロフタル酸はProc.Chem.So
c.29（1913）pp60において示される方法法に従って次の
反応式（ｄ）に示すようにして合成できる。
c.29（1913）pp60において示される方法法に従って次の
反応式（ｄ）に示すようにして合成できる。
また、例えば4,5−ジニトロフタル酸は次の反応式
（ｅ）に示すようにして合成できる。
（ｅ）に示すようにして合成できる。
本発明において使用される防錆剤は、強磁性金属薄膜
の表面に塗布し、被着せしめることにより、その効果を
発揮せしめる。その塗布量は磁気記録媒体1m2当り0.5〜
100mg程度が好ましく、１〜20mgであるのがより好まし
い。この塗布量が少なすぎると耐蝕性の改善が得られ
ず、一方多すぎると摺動部材と強磁性金属薄膜との間で
貼付き現象が起こり走行性が悪化してしまう。
の表面に塗布し、被着せしめることにより、その効果を
発揮せしめる。その塗布量は磁気記録媒体1m2当り0.5〜
100mg程度が好ましく、１〜20mgであるのがより好まし
い。この塗布量が少なすぎると耐蝕性の改善が得られ
ず、一方多すぎると摺動部材と強磁性金属薄膜との間で
貼付き現象が起こり走行性が悪化してしまう。
また上記防錆剤を強磁性金属薄膜に被着させる方法と
しては、使用する化合物を適当な溶媒に希釈して強磁性
金属薄膜表面に塗布する方法，あるいは化合物の蒸気を
強磁性金属薄膜表面にあてる方法等各種の手段を用いる
ことができる。また、上記化合物とともに通常の潤滑
剤，極圧剤等を併用してもかまわない。
しては、使用する化合物を適当な溶媒に希釈して強磁性
金属薄膜表面に塗布する方法，あるいは化合物の蒸気を
強磁性金属薄膜表面にあてる方法等各種の手段を用いる
ことができる。また、上記化合物とともに通常の潤滑
剤，極圧剤等を併用してもかまわない。
前述の溶媒としては、例えばアセトン，メチルエチル
ケトン，メチルイソブチルケトン，シクロヘキサノン等
のケトン類、メタノール，エタノール，プロパノール，
ブタノール等のアルコール類、酢酸メチル，酢酸エチ
ル，酢酸ブチル，乳酸エチル，酢酸グリコールモノエチ
ルエーテル等のエステル類、エチレングリコールジメチ
ルエーテル，エチレングリコールエチルエーテル，テト
ラヒドロフラン，ジオキサン等のエーテル類、ベンゼ
ン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサ
ン，ヘプタン等の脂肪族炭化水素、メチレンクロライ
ド，エチレンクロライド，四塩化炭素，クロロホルム，
エチレンクロルヒドリン，ジクロルベンゼン等の塩素化
炭化水素、トリクロロフルオロメタン，クロロジフルオ
ロメタン,1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエ
チレン,3−ジクロロテトラフルオロエチレン等のフルオ
ロ炭化水素、水及びこれらの混合物が挙げられる。
ケトン，メチルイソブチルケトン，シクロヘキサノン等
のケトン類、メタノール，エタノール，プロパノール，
ブタノール等のアルコール類、酢酸メチル，酢酸エチ
ル，酢酸ブチル，乳酸エチル，酢酸グリコールモノエチ
ルエーテル等のエステル類、エチレングリコールジメチ
ルエーテル，エチレングリコールエチルエーテル，テト
ラヒドロフラン，ジオキサン等のエーテル類、ベンゼ
ン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサ
ン，ヘプタン等の脂肪族炭化水素、メチレンクロライ
ド，エチレンクロライド，四塩化炭素，クロロホルム，
エチレンクロルヒドリン，ジクロルベンゼン等の塩素化
炭化水素、トリクロロフルオロメタン，クロロジフルオ
ロメタン,1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエ
チレン,3−ジクロロテトラフルオロエチレン等のフルオ
ロ炭化水素、水及びこれらの混合物が挙げられる。
潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、脂肪酸ア
ミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまたはそのア
ルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、ソルビタ
ンエステル、マンニッタンエステル、硫黄化脂肪酸、脂
肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パーフルオ
ロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポリエーテ
ル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属塩、パー
フルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモニウム塩
あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸
またはその金属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸エ
ステル等が例示される。
ミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまたはそのア
ルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、ソルビタ
ンエステル、マンニッタンエステル、硫黄化脂肪酸、脂
肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パーフルオ
ロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポリエーテ
ル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属塩、パー
フルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモニウム塩
あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸
またはその金属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸エ
ステル等が例示される。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上
に磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、
ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレ
フタレート等のポリエステル類、ポリエチレン，ポリプ
ロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテ
ート，セルロースダイアセテート，セルロースアセテー
トブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル，
ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネー
ト，ポリイミド，ポリアミドイミド等のプラスチック、
アルミニウム合金，チタン合金等の軽金属、アルミナガ
ラス等のセラミックス等が挙げられる。この非磁性支持
体の形態としては、フィルム，シート，ディスク，カー
ド，ドラム等のいずれでもよい。
に磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、
ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレ
フタレート等のポリエステル類、ポリエチレン，ポリプ
ロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテ
ート，セルロースダイアセテート，セルロースアセテー
トブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル，
ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネー
ト，ポリイミド，ポリアミドイミド等のプラスチック、
アルミニウム合金，チタン合金等の軽金属、アルミナガ
ラス等のセラミックス等が挙げられる。この非磁性支持
体の形態としては、フィルム，シート，ディスク，カー
ド，ドラム等のいずれでもよい。
また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着
法やイオンプレーティング法，スパッタリング法等の真
空薄膜形成技術により連続膜として形成される。
法やイオンプレーティング法，スパッタリング法等の真
空薄膜形成技術により連続膜として形成される。
上記真空蒸着法は、10-4〜10-8Torrの真空下で強磁性
金属材料を抵抗加熱，高周波加熱，電子ビーム加熱等に
より蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強磁性金属
材料）を沈着するというものであり、一般に高い抗磁力
を得るため基板に対して上記強磁性金属材料を斜めに蒸
着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、より高い抗
磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行うものも
含まれる。
金属材料を抵抗加熱，高周波加熱，電子ビーム加熱等に
より蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強磁性金属
材料）を沈着するというものであり、一般に高い抗磁力
を得るため基板に対して上記強磁性金属材料を斜めに蒸
着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、より高い抗
磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行うものも
含まれる。
上記イオンプレーティング法も真空蒸着法の一種であ
り、10-4〜10-3Torrの不活性ガス雰囲気中でDCグロー放
電,RFグロー放電を起こして、放電中で上記強磁性金属
材料を蒸発させるというものである。
り、10-4〜10-3Torrの不活性ガス雰囲気中でDCグロー放
電,RFグロー放電を起こして、放電中で上記強磁性金属
材料を蒸発させるというものである。
上記スパッタリング法は、10-3〜10-1Torrのアルゴン
ガスを主成分とする雰囲気でグロー放電を起こし、生じ
たアルゴンガスイオンでターゲット表面の原子をたたき
出すというものであり、グロー放電の方法により直流２
極,3極スパッタ法や、高周波スパッタ法、またはマグネ
トロン放電を利用したマグネトロンスパッタ法等があ
る。このスパッタリング法による場合には、CrやW,V等
の下地膜を形成しておいてもよい。
ガスを主成分とする雰囲気でグロー放電を起こし、生じ
たアルゴンガスイオンでターゲット表面の原子をたたき
出すというものであり、グロー放電の方法により直流２
極,3極スパッタ法や、高周波スパッタ法、またはマグネ
トロン放電を利用したマグネトロンスパッタ法等があ
る。このスパッタリング法による場合には、CrやW,V等
の下地膜を形成しておいてもよい。
なお、上記いずれの方法による場合にも、予め非磁性
支持体上にBi,Sb,Pb,Sn,Ga,In,Cd,Ge,Si,Tl等の非磁性
金属の下地膜を形成しておき、上記強磁性金属材料を垂
直方向から蒸着あるいはスパッタし、強磁性金属薄膜中
にこれら非磁性金属を拡散せしめ、配向性を解消すると
ともに、抗磁力を確保するようにしてもよい。
支持体上にBi,Sb,Pb,Sn,Ga,In,Cd,Ge,Si,Tl等の非磁性
金属の下地膜を形成しておき、上記強磁性金属材料を垂
直方向から蒸着あるいはスパッタし、強磁性金属薄膜中
にこれら非磁性金属を拡散せしめ、配向性を解消すると
ともに、抗磁力を確保するようにしてもよい。
このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形
成する際に、使用される強磁性金属材料としては、Fe,C
o,Ni等の金属の他に、Co−Ni合金,Co−Pt合金,Co−Ni−
Pt合金,Fe−Co合金,Fe−Ni合金,Fe−Co−Ni合金,Fe−Co
−Ｂ合金,Co−Ni−Fe−Ｂ合金,Co−Cr合金あるいはこれ
らにCr,Al等の金属が含有されたもの等が挙げられる。
特に、Co−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化膜が形
成される。
成する際に、使用される強磁性金属材料としては、Fe,C
o,Ni等の金属の他に、Co−Ni合金,Co−Pt合金,Co−Ni−
Pt合金,Fe−Co合金,Fe−Ni合金,Fe−Co−Ni合金,Fe−Co
−Ｂ合金,Co−Ni−Fe−Ｂ合金,Co−Cr合金あるいはこれ
らにCr,Al等の金属が含有されたもの等が挙げられる。
特に、Co−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化膜が形
成される。
このような手法により形成される磁性層の膜厚は0.04
〜１μｍ程度である。
〜１μｍ程度である。
本発明では、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成
されてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜
にニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体また
は前記強磁性金属薄膜にジニトロフタル酸が被着される
ことにより、優れた耐蝕性を有するようになり、磁気特
性の経日劣化が防止される。
されてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜
にニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸誘導体また
は前記強磁性金属薄膜にジニトロフタル酸が被着される
ことにより、優れた耐蝕性を有するようになり、磁気特
性の経日劣化が防止される。
以下、本発明の好適な実施例について実験結果に基づ
いて説明する。
いて説明する。
実施例１ 先ず、14μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィル
ムに斜め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1000Åの強磁
性金属薄膜を形成した。
ムに斜め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1000Åの強磁
性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面上に、５−ニトロ−2,
3−ジカルボシナフタレンを塗布し、乾燥後、1/2インチ
幅に裁断してサンプルテープを作製した。
3−ジカルボシナフタレンを塗布し、乾燥後、1/2インチ
幅に裁断してサンプルテープを作製した。
実施例２〜６、比較例１〜２ 実施例１で５−ニトロ−2,3−ジカルボキシナフタレ
ンの代わりに第１表に示す化合物を使用して、他は実施
例１と同様な条件にてサンプルテープを作製した。
ンの代わりに第１表に示す化合物を使用して、他は実施
例１と同様な条件にてサンプルテープを作製した。
比較例３ 14μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1000Åの強磁性金属
薄膜を形成した。
め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1000Åの強磁性金属
薄膜を形成した。
次に、これを1/2インチ幅に裁断してサンプルテープ
を作製した。
を作製した。
以上の作製された各サンプルテープについて、初期の
保持力（Hc1）と飽和磁化量（Is1）を測定した後、その
テープを２本に分け、一方は、60℃，相対湿度80％の雰
囲気下に１週間放置した後の保磁力（Hc2）と飽和磁化
量（Is2）を測定した。また、他方のテープについてはS
O2（0.03ppm）を含む相対湿度90％のSO2ガス雰囲気下で
24時間放置した後の保磁力（Hc3）と飽和磁化量（Is3）
を測定した。
保持力（Hc1）と飽和磁化量（Is1）を測定した後、その
テープを２本に分け、一方は、60℃，相対湿度80％の雰
囲気下に１週間放置した後の保磁力（Hc2）と飽和磁化
量（Is2）を測定した。また、他方のテープについてはS
O2（0.03ppm）を含む相対湿度90％のSO2ガス雰囲気下で
24時間放置した後の保磁力（Hc3）と飽和磁化量（Is3）
を測定した。
それらの放置後の変化率を次式によって求めた。
Hcの変化率＝（Hcn−Hc1）/Hc1×100（％） Isの変化率＝（Isn−Is1）/Is1×100（％） 但し、ｎ＝2,3 その結果を第２表に示す。
表から明らかなように、実施例１〜６で作製されたサ
ンプルテープは、比較例１〜比較例３で作製されたサン
プルテープと比較して、多湿条件下放置あるいはSO2ガ
ス雰囲気中放置による抗磁力及び飽和磁化量の変化率は
ともに極めて小さく、ほとんど磁気特性が劣化しないこ
とがわかる。したがって、これらの結果から、強磁性金
属薄膜表面にニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸
誘導体またはジニトロフタル酸を被着することにより磁
気記録媒体の耐蝕性が大幅に改善されることがわかる。
ンプルテープは、比較例１〜比較例３で作製されたサン
プルテープと比較して、多湿条件下放置あるいはSO2ガ
ス雰囲気中放置による抗磁力及び飽和磁化量の変化率は
ともに極めて小さく、ほとんど磁気特性が劣化しないこ
とがわかる。したがって、これらの結果から、強磁性金
属薄膜表面にニトロ基を有するナフタレンジカルボン酸
誘導体またはジニトロフタル酸を被着することにより磁
気記録媒体の耐蝕性が大幅に改善されることがわかる。
以上の説明からも明らかなように、本発明において
は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成されてなる
磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜にニトロ基
を有するナフタレンジカルボン酸誘導体またはジニトロ
フタル酸が被着されることにより、大幅に耐蝕性が改善
される。したがって、長期保存によっても抗磁力，飽和
磁化量等の磁気特性が劣化せず良好な記録再生を維持す
ることが可能となる。
は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成されてなる
磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜にニトロ基
を有するナフタレンジカルボン酸誘導体またはジニトロ
フタル酸が被着されることにより、大幅に耐蝕性が改善
される。したがって、長期保存によっても抗磁力，飽和
磁化量等の磁気特性が劣化せず良好な記録再生を維持す
ることが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/64 - 5/72
Claims (2)
- 【請求項１】非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成さ
れてなり、前記強磁性金属薄膜にニトロ基を有するナフ
タレンジカルボン酸誘導体が被着されたことを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項２】非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成さ
れてなり、前記強磁性金属薄膜にジニトロフタル酸が被
着されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2246209A JP3047438B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2246209A JP3047438B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125813A JPH04125813A (ja) | 1992-04-27 |
| JP3047438B2 true JP3047438B2 (ja) | 2000-05-29 |
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ID=17145143
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|---|---|---|---|
| JP2246209A Expired - Fee Related JP3047438B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 磁気記録媒体 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3047438B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3378618B2 (ja) * | 1993-08-06 | 2003-02-17 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP2246209A patent/JP3047438B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04125813A (ja) | 1992-04-27 |
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