JPH05159268A

JPH05159268A - 磁気記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH05159268A
Application number: JP31896391A
Authority: JP
Inventors: Tatsuro Ishida; 達朗石田; Ryuji Sugita; 龍二杉田; Kiyokazu Toma; 清和東間; Yasuhiro Kawawake; 康博川分
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1991-12-03
Filing date: 1991-12-03
Publication date: 1993-06-25

Abstract

(57)【要約】【目的】デジタルＶＴＲ等の高密度記録再生装置に用
いられる磁気記録媒体において、ノイズの低減によるＣ
／Ｎ比の改善を図る。【構成】高分子基板１上に直接あるいは下地層を介し
て形成されたＣｏおよびＣｒを主成分とする第１の磁性
層が法線方向５に対して傾斜した方向に磁化容易軸を有
し、かつ柱状結晶粒の成長方向４と法線方向５とのなす
角を磁化容易軸方向３と法線方向５とのなす角よりも小
さくすることにより、磁壁の振舞いが適切になってノイ
ズが低減され、Ｃ／Ｎ比が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、デジタルＶＴＲ等の高
密度記録再生装置に用いられる磁気記録媒体およびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録再生装置は小型化，高密
度化の傾向にあり、それに用いる磁気記録媒体（以下単
に媒体と記す）においては、従来の塗布型媒体の高密度
化の限界を越えるものとして金属薄膜型媒体が注目され
ている。これに関しては、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏからなる金属
薄膜型媒体がＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されて
いる。このような磁気記録媒体を生産性良く形成するた
めには、例えば円筒状ローラ系を用いたウェッブコータ
式の連続蒸着装置などにより、長尺の高分子基板を移動
させながらその上に磁性層を連続して蒸着すればよい。
この際、斜法蒸着の手法を用いることにより、磁性層の
膜面に垂直方向の磁化成分の寄与によって従来の塗布型
媒体に比べて高密度記録再生特性を向上させている。

【０００３】しかしながら、家庭用デジタルＶＴＲ，ハ
イビジョン用ＶＴＲなど次世代ＶＴＲに対応する媒体に
は、さらに優れた高密度記録再生特性が要求されてお
り、その候補としてＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃ
ｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等を主成分とする垂直磁気記録
媒体が期待されている。

【０００４】これら垂直磁気記録媒体には、リング型磁
気ヘッドを用いた記録再生において長波長記録領域での
再生出力が低い、孤立再生波形がダイパルス形状となる
ためデジタル信号処理が困難であるなどの問題点があっ
た。これらの問題点は、斜方蒸着法により磁化容易軸を
基板の法線に対して傾斜させて適度の面内磁化成分の寄
与を取り入れる、あるいは積層構造とする等の手段によ
り、その優れた高密度特性を損なうことなく解決する方
法が提案されている。また、ＣｏおよびＣｒあるいはＣ
ｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分とする磁性層を含有する媒
体は、多方面での精力的な研究開発により次世代ＶＴＲ
対応磁気テープとして総合的には極めて優れた性能が得
られており、今後ますますその性能の向上が図られるも
のと思われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この総
合的には優れている媒体も、個々の性能に着目すれば従
来の媒体に比べて劣っている点もある。例えばノイズに
関しては、前述のＣｏ−Ｎｉ−Ｏを主成分とする金属薄
膜型媒体に比べると高い傾向があり、現状の出力を維持
したままノイズの低減が図れれば、さらにＣ／Ｎ比を改
善できる余地を残している。

【０００６】本発明は、ノイズの低減によってＣ／Ｎ比
の改善が図られた磁気記録媒体およびその製造方法を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、非磁性基板と、その非磁性基板上に直接ま
たは下地層を介して形成されたＣｏおよびＣｒまたはＣ
ｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分とする第１の磁性層を含有
する磁性膜とからなり、前記第１の磁性層の磁化容易軸
方向が前記非磁性基板の法線方向に対して傾斜した方向
にあり、前記第１の磁性層を構成する柱状結晶粒の成長
方向と前記法線方向とのなす角が前記磁化容易軸方向と
前記法線方向とのなす角よりも小さい磁気記録媒体とし
たものである。

【０００８】

【作用】この構成により、成長方向と磁化容易軸方向と
が異なり、かつ成長方向が法線方向に近いために磁壁の
振舞いに変化が生じてノイズが低減され、Ｃ／Ｎ比が向
上する。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を用い
て説明する。図１は本発明の一実施例における媒体の模
式断面図である。図１において、１は高分子基板、２は
その高分子基板１上に形成されたＣｏおよびＣｒを主成
分とする第１の磁性層、３は第１の磁性層２の磁化容易
軸方向、４は第１の磁性層２を構成する柱状結晶粒の成
長方向、５は高分子基板１の法線方向である。また、θ
₁は成長方向４と法線方向５とのなす角、θ₂は磁化容易
軸方向３と法線方向５とのなす角を表わす。

【００１０】高分子基板１上にＣｏおよびＣｒを主成分
とする第１の磁性層２が形成された磁気記録媒体におい
て、その磁化容易軸方向３を法線方向５に対して傾斜さ
せるために斜方蒸着法などの手法を用いると、一般的に
は柱状結晶粒が法線方向５に対して傾斜した方向に成長
する。

【００１１】従来の媒体の一例を挙げれば、Ｃｏおよび
ＣｒあるいはＣｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分とする磁性
層の柱状結晶粒の成長方向と非磁性基板の法線方向との
なす角は、磁化容易軸方向と法線方向とのなす角と同等
以上となっていた。ただし先述のような円筒状ローラ系
を用いたウェッブコータ式の連続蒸着装置などにより磁
性層を形成した場合には、柱状結晶粒は直線的に成長す
るのではなく若干湾曲しているので、ここでは磁性層の
膜厚方向の中心点における湾曲線の接線方向を柱状結晶
粒の成長方向と定義することとする。

【００１２】しかしながら、ＣｏおよびＣｒあるいはＣ
ｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分とする磁性層において、磁
気異方性におもに寄与するのはＣｏの六方最密構造（ｈ
ｃｐ）による結晶磁気異方性であり、柱状結晶粒の成長
方向による形状異方性の寄与は極めて少ないものと考え
られる。したがって、Ｃｏのｃ軸が法線方向に対して適
切な方向に傾斜していれば柱状結晶粒が法線方向に対し
てどの方向に傾斜していても、リング型磁気ヘッドでの
記録再生に適した方向に傾斜した磁化容易軸方向を有す
る磁性層が得られるものと考えられる。

【００１３】このような観点から、ＣｏおよびＣｒを主
成分とする第１の磁性層２において柱状結晶粒の成長方
向４が法線方向５となす角θ₁と磁化容易軸方向３が法
線方向５となす角θ₂の相対関係について検討したとこ
ろ、図１に示すようにθ₁がθ ₂よりも十分に小さい構成
を有する媒体において、再生出力を低下させることなく
ノイズの低減が図られること見いだした。なお、図１
は、詳しくは記録再生時の磁気ヘッドと媒体との相対移
動方向に平行な面から見た媒体の断面図である。すなわ
ち図１の媒体においては、Ｃｏのｃ軸がほぼ磁化容易軸
方向３に成長しているが、柱状結晶粒は磁化容易軸方向
３よりも法線方向５にむしろ近い方向に成長している。

【００１４】このような媒体において、ノイズの低減が
図られるメカニズムについてはまだ十分な検討結果は得
られていないが、個々の柱状結晶粒はＣｒの偏析により
磁気的に分離されているため、その法線方向５に対する
成長方向４を変化させれば磁壁の振舞いに変化が生じる
ものと思われる。これにより、柱状結晶粒を法線方向５
に近い方向に成長させた方がヘッドオンドメインが発生
しにくい等の機構が生じるものと考えている。

【００１５】上記の構成を有するＣｏおよびＣｒを主成
分とする第１の磁性層２は真空蒸着法によれば、蒸発原
子の高分子基板１への入射角を法線方向５に対して５０
°以上として下層２ａを形成した後、その上に蒸発原子
の高分子基板１への入射角を法線方向５に対して４５°
以下として上層２ｂを形成し、かつ前記下層２ａの層厚
を全第１の磁性層２の層厚の２０％以下とすることによ
って得られる。

【００１６】このメカニズムは以下のように考えられ
る。下層２ａの形成によりＣｏのｃ軸の成長方向が決定
される。すなわちこの上に形成される上層２ｂのｃ軸
は、下層２ａのｃ軸の成長方向を引き継ぎ、蒸発原子の
高分子基板１への入射方向よりも法線方向５に対して傾
斜した方向に成長する。一方で柱状結晶粒は蒸発原子の
高分子基板１への入射角に応じた方向、すなわちｃ軸の
成長方向よりも法線方向５に近い方向に成長する。この
ようにして、柱状結晶粒の成長方向４と法線方向５との
なす角θ₁が磁化容易軸方向３と法線方向５とのなす角
θ₂よりも十分に小さい構成を有する第１の磁性層２が
得られる。

【００１７】上記の作成方法において、下層２ａの役割
はｃ軸の成長方向すなわち磁化容易軸方向３を決定する
ことであるからその層厚は上層２ｂに比べて十分小さく
できる。逆に下層２ａの層厚が必要以上に大きいと、下
層２ａからのノイズへの寄与が大きくなる、あるいは上
層２ｂの柱状結晶粒の成長方向にも影響してθ₁の値が
θ₂に近づく等の弊害も生じる。この観点からの検討に
よれば、下層２ａの層厚は全磁性層厚の２０％以下であ
ることが好ましい。また、下層２ａ形成時の蒸発原子の
高分子基板１への入射角を法線方向５に対して５０°よ
り小さい場合、ｃ軸の成長方向を決定する機能が低減さ
れ、上層２ｂのｃ軸は柱状結晶粒の成長方向に近い方向
に成長する場合があるので好ましくない。またθ₁をθ₂
よりも小さくしてノイズ低減の効果を十分に得るために
は、上層２ｂ形成時の蒸発原子の高分子基板１への入射
角を法線方向５に対して４５°以下とすることが好まし
い。

【００１８】なお、図１には第１の磁性層２をＣｏおよ
びＣｒを主成分とした例について示しているが、Ｃｏ，
ＮｉおよびＣｒを主成分としたもの、あるいはこれらに
不純物を添加したものでもよい。また図１にはＶＴＲ用
磁気テープ等への応用を想定して高分子基板１を用いた
例を示しているが、他の非磁性基板１を用いても上記の
ノイズ低減の効果が得られることはもちろんである。

【００１９】また第１の磁性層２と非磁性基板１との間
に下地層を介する場合、あるいは例えばＣｏ−Ｏ膜やＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ膜などの他の第２の磁性層との積層構造を
有する媒体など、ＣｏおよびＣｒあるいはＣｏ，Ｎｉお
よびＣｒを主成分とする第１の磁性層２以外の構成要素
を含有する場合においてもその効果を得ることができ
る。

【００２０】次に本発明の一実施例における媒体の製造
方法について説明する。図２は、本発明の磁気記録媒体
の製造装置の一例として円筒状ローラ系を用いたウェッ
ブコータ式の連続蒸着装置を示したものである。この図
において１は長尺の高分子基板であり、７，８はそれぞ
れ高分子基板１の供給ロールおよび巻き取りロールであ
る。高分子基板１には円筒状ローラ９の周面上を矢印Ａ
の方向に走行する間に蒸発原子が体積される。この際蒸
発源１０と円筒状ローラ９の間にシールド１１を設けて
蒸発原子の高分子基板１への入射角を適度に制御するこ
とにより、磁化容易軸が高分子基板１の法線方向に対し
て傾斜した媒体が形成される。

【００２１】図１に示す媒体においては、シールド１１
により、前述の下層，上層が、同一の真空容器内で連続
して形成される構成としたが、下層，上層の形成過程を
２回に別けて別々に行っても良い。図２において、蒸発
源１０はＣｏおよびＣｒあるいはＣｏ，ＮｉおよびＣｒ
の合金とし、下層および上層それぞれの形成を担う蒸発
源１０を別個に２個設けているが、先述した下層，上層
の層厚比、成膜速度等の点で問題がなければ１個の蒸発
源１０で両層を形成する構成としても差し支えない。ま
た、第１の磁性層の構成要素であるＣｏ，Ｎｉ，Ｃｒの
蒸発源１０を別個に設けて、多元蒸着を行なってもよ
い。図２において、下層は、蒸発原子の高分子基板１へ
の入射角が初期入射角φ₁から終期入射角φ₂の間で、上
層は、初期入射角φ₃から終期入射角φ₄の間で形成され
ることを示している。したがって、本発明の製造方法に
よれば、φ₁＞φ₂≧５０°，４５°≧φ₃＞φ₄という条
件を満たすようシールド１１を設定すればよい。

【００２２】以下に図２に示した連続蒸着装置を用いて
作製した本発明の媒体の好ましい実施例および比較例を
示しながら具体的に説明する。

【００２３】（実施例１）蒸発源１０をＣｏとＣｒとの
合金とし、耐熱性の高分子基板１上にＣｏ−Ｃｒ膜を形
成した。蒸発原子の入射角は法線方向に対して、φ₁＝
６５°，φ₂＝５０°，φ₃＝３０°，φ₄＝１０°、ま
た磁化容易軸方向の決定を担う下層の層厚は３０ｎｍ、
上層の層厚は２２０ｎｍ、したがって全第１の磁性層厚
は２５０ｎｍとした。上記条件により作製した媒体の磁
化容易軸方向と法線方向とのなす角θ ₂は、トルク測定
によれば４５°であった。また、透過型電子顕微鏡（Ｔ
ＥＭ）によって高分子基板１の搬送方向の媒体断面を観
察したところ、柱状結晶粒の成長方向と法線方向とのな
す角θ₁は１５°であることが確認された。なお、θ₁は
先の定義に従い、全第１の磁性層厚２５０ｎｍの層厚方
向の中心点における柱状結晶粒の湾曲線の接線方向が法
線方向となす角である。

【００２４】（比較例１）実施例１の媒体作製に用いた
連続蒸着装置のシールド１１を変更し、蒸発原子の高分
子基板１への入射角が初期入射角６０°から終期入射角
２５°の間でＣｏ−Ｃｒ膜を作製した。第１の磁性層厚
は実施例１の全第１の磁性層厚と同じ２５０ｎｍとし
た。なお、成膜速度，容器内真空度，第１の磁性層の飽
和磁化等、上記以外の諸条件はすべて実施例１と同じで
ある。上記条件により作製した媒体のθ₂は４５°、θ₁
は５０°であった。すなわち、実施例１において磁化容
易軸方向の決定を担う下層の形成を行なわずに単層のＣ
ｏ−Ｃｒ膜を形成したために、柱状結晶粒の成長方向が
磁化容易軸方向とほぼ一致しており、本発明の媒体構成
とはなっていない。

【００２５】実施例１および比較例１において得られた
媒体をスリットして磁気テープ媒体とし、ＶＴＲデッキ
を用いた単一周波数の記録再生を行った。この際の磁気
テープと磁気ヘッド間の相対移動速度は３．８ｍ／ｓと
した。得られたノイズスペクトルを図３に示す。実施例
１および比較例１の両磁気テープ媒体の再生能力は、測
定した記録周波数領域でほぼ同等であり、図３に示すノ
イズ比較はそのままＣ／Ｎ比の比較に対応できる。実施
例１では全測定波長領域で顕著なノイズの低減が図られ
ており、本発明の効果が明かとなった。なおＣｏ−Ｃｒ
膜に若干の不純物を添加した場合、およびＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ膜あるいはこれに若干の不純物を添加した膜につい
ても検討したところ、上記と同様の結果が得られた。

【００２６】（実施例２）次に、ＣｏおよびＣｒあるい
はＣｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分とする第１の磁性層の
上にＣｏおよびＯあるいはＣｏ，ＮｉおよびＯを主成分
とする第２の磁性層が形成された媒体における本発明の
効果について述べる。図４は、図１と同様の高分子基板
１上のＣｏ−Ｃｒの第１の磁性層２上にＣｏ−Ｏの第２
の磁性層１２が順次形成されて磁性膜１３とした本発明
の媒体の構成例であり、記録再生時の磁気ヘッドと媒体
の相対移動方向における媒体の断面図を示すものであ
る。図２に示す連続蒸着装置を用いて耐熱性の高分子基
板１上に第１の磁性層２を形成した後、連続蒸着法によ
って第２の磁性層１２を形成し、図４に示す媒体を作製
した。

【００２７】まず第１の磁性層２の形成時の蒸発原子の
高分子基板１への入射角は法線方向に対して、φ₁＝８
０°，φ₂＝６０°，φ₃＝３５°，φ₄＝１０°、また
磁化容易軸方向３の決定を担う下層の層厚は１５ｎｍ、
上層の層厚は８５ｎｍ、したがって第１の磁性層２の全
厚は１００ｎｍとした。上記条件により作製した第１の
磁性層２の磁化容易軸３が法線方向５となす角θ₂は６
０°であった。また、柱状結晶粒の成長方向４が法線方
向５となす角θ₁は２０°であることが確認された。次
に、Ｃｏ−Ｏからなる第２の磁性層１２の作製は、第１
の磁性層２の作製に用いた連続蒸着装置のシールド１１
を変更して蒸発原子の高分子基板１への入射角を初期入
射角６０°から終期入射角２０°の間に設定し、Ｃｏを
充填した蒸発源近傍に酸素を導入して反応蒸着により行
なった。第２の磁性層１２の層厚は１５０ｎｍ、したが
って第１の磁性層２を含む全磁性層厚は２５０ｎｍとし
た。第２の磁性層１２の磁化容易軸方向１４が法線方向
５となす角θ₃は５０°であった。この値は、第１の磁
性層２を介せずに直接高分子基板１上に形成した第２の
磁性層１２のトルク測定による。

【００２８】上記の第１の磁性層２上に法線方向５に対
して傾斜した方向に磁化容易軸方向１４を有する第２の
磁性層１２が形成された磁性膜１３からなる媒体は、現
在注目されているＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ
−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等を主成分とする金属薄膜型媒体
の中でも、低密度記録領域から高密度記録領域まで特に
優れた記録再生特性を有する。実施例２の媒体において
は、第１の磁性層２で特に優れた記録再生特性を有す
る。実施例２の媒体おいては、第１の磁性層２のθ₂を
大きくして面内磁化成分の寄与を大きくすることによ
り、低記録密度領域での高再生出力が確保されるととも
に、高い記録再生効率の得られる帰属磁化モードが実現
されることによるものと考えられる。

【００２９】この観点からθ₂の値は、第２の磁性層１
２の磁化容易軸方向１４が法線方向５となす角θ₃より
も大きくする必要がある。また上記のような高い記録再
生効率の得られる記録磁化モードを実現するためには、
図５の磁気記録方法の説明図に示すように、媒体に対す
る磁気ヘッドの相対移動の向き１５をリーディングエッ
ジ１６近傍のヘッド磁界１７方向が第２の磁性層１２の
磁化容易軸方向１４とほぼ一致する方向に設定すること
が好ましい。なお、図５において、１８はヘッドギャッ
プ、１９はトレイリングエッジである。

【００３０】（実施例２）実施例２の媒体作製に用いた
連続蒸着装置のシールド１１を変更し、蒸発原子の高分
子基板への入射角が初期入射角８０°から終期入射角３
０°の間でＣｏ−Ｃｒからなる第１の磁性層を形成した
後、連続蒸着法によってＣｏ−Ｏからなる第２の磁性層
を形成し作製した。第１の磁性層の層厚は実施例２の第
１の磁性層の全厚と同じ１００ｎｍとした。なお、第１
の磁性層作製時の成膜速度，容器内真空度，第１の磁性
層の飽和磁化等、上記以外の諸条件はすべて実施例２と
同じである。上記条件により作製した第１の磁性層のθ
₂は６０°，θ₁は６０°であった。すなわち、比較例１
と同様に、柱状結晶粒の成長方向が磁化容易軸方向とほ
ぼ一致しており、本発明の媒体構成とはなっていない。
第２の磁性層の作製は、実施例２と同じ条件で行なっ
た。

【００３１】（実施例３）実施例２の媒体作製に用いた
連続蒸着装置のシールド１１を変更し、蒸発原子の高分
子基板への入射角が初期入射角３５°から終期入射角１
０°の間でＣｏ−Ｃｒからなる第１の磁性層を形成した
後、連続蒸着法によってＣｏ−Ｏからなる第２の磁性層
を形成し作製した。第１の磁性層厚は実施例２の第１の
磁性層の全厚と同じ１００ｎｍとした。なお、第１の磁
性層作製時の成膜速度，容器内真空度，第１の磁性層の
飽和磁化等、上記以外の諸条件はすべて実施例２と同じ
である。上記条件により作製した第１の磁性層のθ₂は
１０°、θ₁は１５°であった。第２の磁性層の作製
は、実施例２と同じ条件で行なった。すなわち比較例３
の第２の磁性層においては柱状結晶粒の成長方向が磁化
容易軸方向とほぼ一致しているほか、θ₂が第２の磁性
層のθ₃よりも顕著に小さくなっており、本発明の媒体
構成とはなっていない。

【００３２】（比較例４）耐熱性の高分子基板上にＣｏ
−Ｏの単層の磁性層を形成した媒体を作製した。Ｃｏ−
Ｏ単層の作製は、実施例２のＣｏ−Ｃｒからなる第１の
磁性層の作製に用いた連続蒸着装置のシールド１１を変
更して蒸発原子の基板への入射角を初期入射角６０°か
ら終期入射角２０°の間に設定し、Ｃｏを充填した蒸発
源近傍に酸素を導入して反応蒸着により行なった。Ｃｏ
−Ｏ単層の層厚は実施例２の全磁性層厚と同じ２５０ｎ
ｍとした。なお、Ｃｏ−Ｏ単層作製時の成膜速度，容器
内真空度，磁性層の飽和磁化等、上記以外の諸条件はす
べて実施例２の第２の磁性層作製時と同じである。作製
したＣｏ−Ｏ単層の磁化容易軸方向と法線方向とのなす
角θ₃は５０°であった。

【００３３】実施例２および比較例２から４において得
られた媒体をスリットして磁気テープ媒体とし、ＶＴＲ
デッキを用いた単一周波数の記録再生を行った。この際
の磁気テープと磁気ヘッド間の相対移動速度は３．８ｍ
／ｓとした。得られた再生出力およびノイズの記録密度
特性を図（ａ），（ｂ）に示す。

【００３４】実施例２においては、測定した全記録周波
数領域において高出力特性かつ低ノイズ特性が実現され
ている。比較例２においては、実施例２と同等の高出力
を有するものの、第１の磁性層の１がθ₁がθ₂と同等程
度に大きく、本発明の構成を有していないために実施例
２に比べて顕著にノイズが高い。

【００３５】比較例３は、第１の磁性層のθ₁が実施例
２と同等以上に小さいため、ノイズは実施例２同様に低
い値が実現されている。しかしながらθ₂の値もθ₁と同
等程度に小さくなっているため、第１の磁性層における
面内磁化成分の寄与が小さく、特に低記録密度領域で顕
著に再生出力が低くなっている。比較例３の構成の媒体
において、低記録密度領域における再生出力について
は、第１の磁性層の膜厚あるいは飽和磁化を大きくする
ことによって、ある程度補うことができる。最もこの場
合には、膜厚あるいは飽和磁化の増加に伴ってノイズも
増加するので、Ｃ／Ｎ比としては結局実施例２よりも悪
くなってしまう。また、磁性層厚を３００ｎｍ程度以上
まで大きくすることは、ＶＴＲデッキでの走行性や磁気
ヘッドとの摺動におけるトライボロジー的な観点などか
ら実用的ではない。

【００３６】比較例４においては、図６に示した４つの
媒体の内で最も低いノイズが実現されているが、Ｃｏ−
Ｃｒからなる第１の磁性層の面内磁化成分の寄与がない
ために、再生出力は比較例３にもまして低くなってい
る。

【００３７】なお、第１の磁性層としてＣｏ−Ｃｒに若
干の不純物を添加した場合、およびＣｏ−Ｃｒの代わり
にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒあるいはこれに若干の不純物を添加
した膜を用いた場合についても検討したところ、上記と
同様の結果が得られた。また、第２の磁性層としてＣｏ
−Ｏに若干の不純物を添加した場合、およびＣｏ−Ｏの
代わりにＣｏ−Ｎｉ−Ｏあるいはこれに若干の不純物を
添加した場合についても検討したところ、やはり上記と
同様の結果が得られた。すなわち、ＣｏおよびＣｒある
いはＣｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分とする第１の磁性層
の上にＣｏおよびあるいはＣｏ，ＮｉおよびＯを主成分
とする第２の磁性層が形成された媒体において、本発明
の効果が認められた。

【００３８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
磁気記録媒体は、磁化容易軸が傾斜しＣｏおよびＣｒあ
るいはＣｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分とする第１の磁性
層を含有する構成とすることによりノイズの低減による
Ｃ／Ｎ比の改善を実現したものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における磁気記録媒体の模式
断面図

【図２】本発明の一実施例における磁気記録媒体の製造
装置の概略図

【図３】ノイズの記録密度特性の一例を示す図

【図４】本発明の第２の実施例における磁気記録媒体の
模式断面図

【図５】同磁気記録媒体への記録方法を説明する図

【図６】（ａ）は再生出力の記録密度特性の一例を示す
図（ｂ）はノイズの記録密度特性の他の例を示す図

【符号の説明】

１高分子基板（非磁性基板）２第１の磁性層２ａ下層２ｂ上層３，１４磁化容易軸方向４成長方向５法線方向９円筒状ローラ１０蒸発源１２第２の磁性層１３磁性膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川分康博大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板とその非磁性基板上に直接ま
たは下地層を介して形成されたＣｏおよびＣｒまたはＣ
ｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分とする第１の磁性層を含有
する磁性膜とからなり、前記第１の磁性層の磁化容易軸
方向が前記非磁性基板の法線方向に対して傾斜した方向
にあり、前記第１の磁性層を構成する柱状結晶粒の成長
方向と前記法線方向とのなす角が前記磁化容易軸方向と
前記法線方向とのなす角よりも小さいことを特徴とする
磁気記録媒体。
【請求項２】第１の磁性層の上にＣｏおよびＯまたは
Ｃｏ，ＮｉおよびＯを主成分とする第２の磁性層が形成
され、その第２の磁性層の磁化容易軸方向が非磁性基板
の法線方向に対して傾斜した方向にあることを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】第２の磁性層の磁化容易軸方向と非磁性
基板の法線方向とのなす角が第１の磁性層の磁化容易軸
方向と前記法線方向とのなす角よりも小さいことを特徴
とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】円筒状キャンの円周面上に沿って走行する
長尺の高分子基板上に直接または下地層を介してＣｏと
ＣｒまたはＣｏとＮｉとＣｒを主成分とする第１の磁性
層を真空蒸着法により形成する際、前記第１の磁性層を
構成する蒸発原子前記高分子基板の法線方向に対して５
０°以上の角度をなす方向に入射して下層を形成した後
その上に前記蒸発原子を前記法線方向に対して４５°以
下の角度をなす方向に入射して上層を形成し、かつ前記
下層の層厚を前記第１の磁性層の層厚の２０％以下とす
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。