JPH04258809A - 磁気記録媒体及びその製造方法及び磁気記録媒体への磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録再生特性に
優れた磁気記録媒体及びその製造方法及び磁気記録方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、磁気記録再生装置は小型化、高密
度化の傾向にあり、従来の塗布型媒体の高密度化の限界
を越えるものとして金属薄膜型媒体が注目されている。 これに関しては、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを主成分とする金属薄
膜型媒体がＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されてい
る。このような磁気記録媒体を生産性良く形成するため
には、例えばウエッブコータ式の連続蒸着装置などによ
り、長尺の高分子基板を移動させながらその上に磁性層
を連続して蒸着すればよい。この際、斜方蒸着の手法を
用いることにより、磁性層の膜面に垂直方向の磁化成分
の寄与によって従来の塗布型媒体に比べて高密度記録再
生特性を向上させている。しかしながら、家庭用ディジ
タルＶＴＲ、ハイビジョン用ＶＴＲなど次世代のＶＴＲ
に対応する磁気記録媒体には、さらに優れた高密度記録
再生特性が要求されており、その候補としてＣｏ−Ｃｒ
、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等を主
成分とする垂直磁気記録媒体が期待されている。これら
垂直磁気記録媒体には、長波長記録領域での再生出力が
低い、孤立再生波形がダイパルス形状となるためディジ
タル信号処理が困難であるなどの問題点があった。これ
らの問題点は、斜方蒸着法により適度の面内磁化成分の
寄与を取り入れ、積層構造とすることにより、その優れ
た高密度特性を損なうことなく解決される。特に、非磁
性基板上にＣｏとＣｒあるいはＣｏとＮｉとＣｒを主成
分とする第１の磁性層、及びその上にＣｏとＯあるいは
ＣｏとＮｉとＯを主成分とする第２の磁性層が形成され
た磁気記録媒体において、両磁性層を斜方蒸着法で形成
し、その磁化容易軸を基板の法線に対して傾けることに
より、高密度ディジタル信号記録に極めて適した特性が
リング型磁気ヘッドとの組合せにより得られる（例えば
、米国特許出願番号：Ｐ７８２１−０１）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】垂直磁気記録媒体にお
けるもう一つの問題点として、リング型磁気ヘッドでの
記録再生におけるスペーシングロスが従来の磁気記録媒
体に比べて大きいということが挙げられる。磁気記録媒
体に安定な記録再生を行なうために、その表面には適度
な密度で微小突起や溝が形成され、ヘッド、あるいは磁
気テープの場合は走行系各部との間の動摩擦係数を低減
している。これら微小突起や溝によって、媒体とヘッド
の間にはスペーシングが生じ、スペーシングロスとなっ
て再生出力を低下させてしまう。リング型磁気ヘッドで
の記録再生時において、スペーシングによる再生出力の
低下分は一般的に Ｋ・ｄ／λ　　（ｄＢ） で表わされる。ここで、ｄはヘッドと媒体との間のスペ
ーシング長、λは記録波長である。また、Ｋはスペーシ
ングロスファクタと呼ばれる比例係数であり、おもに媒
体の種類に依存する。上式から明らかなように、スペー
シングロスをできる限り小さくするためには、安定なヘ
ッド摺動およびテープ走行が確保される限りにおいて微
小突起や溝によるスペーシングｄの値をできる限り小さ
くする一方で、媒体の方にはＫの値が小さいことが要求
される。我々の測定によれば、従来の塗布型媒体が１０
０、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ斜方蒸着テープが７０程度のＫ値を
有するのに対し、Ｃｏ−Ｃｒ膜などの垂直磁気記録媒体
では２００以上の値を有する。上記のＣｏ−Ｎｉ−Ｏ斜
方蒸着テープのＫ値が小さいのは、斜方蒸着により磁化
容易軸方向をリング型磁気ヘッドの記録磁界の傾斜方向
に近づけることによって記録効率が上がり、記録時のス
ペーシングロスが大幅に低減されているものと考えられ
る。Ｃｏ−Ｃｒ膜などの垂直磁気記録媒体の場合にも、
面内磁化成分の寄与を取り入れて磁化容易軸を傾けるこ
とによりＫ値の低減が期待される。しかしながら、あま
り面内磁化成分の寄与を多く取り入れすぎると、その優
れた高密度記録再生特性が損なわれてしまい、現在のと
ころＣｏ−Ｎｉ−Ｏ斜方蒸着テープに見られるほどの効
果は上がっていない。例えば、前述したＣｏとＣｒある
いはＣｏとＮｉとＣｒを主成分とする第１の磁性層、及
びその上のＣｏとＯあるいはＣｏとＮｉとＯを主成分と
する第２の磁性層が形成された磁気記録媒体において、
斜方蒸着法によりその磁化容易軸を基板の法線に対して
傾けたものでも１５０以上のＫ値を有する。このような
大きなＫ値を有するため、垂直磁気記録媒体は実用特性
においてその優れた高密度記録再生特性を発揮しきれて
いない。逆に、垂直磁気記録媒体の優れた高密度記録再
生特性を維持したままＫ値が低減された磁気記録媒体が
開発されれば、従来の磁気記録媒体に対する優位性はさ
らに高まることになり、その実現が待たれている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記要望を満
たすもので、非磁性基板上にＣｏとＣｒあるいはＣｏと
ＮｉとＣｒを主成分とする第１の磁性層、及びその上に
ＣｏとＯあるいはＣｏとＮｉとＯを主成分とする第２の
磁性層が形成された磁性膜において、第１の磁性層が基
板の法線方向から傾斜した方向に成長した柱状構造を有
し、かつ第１の磁性層のｈｃｐ　　ｃ軸方向が前記柱状
構造の傾斜方向と略一致するように構成する。

【０００５】

【作用】上記した構成により、第１の磁性層において柱
状構造の成長方向に依存する形状磁気異方性の方向とｃ
軸方向に依存する結晶磁気異方性の方向とが一致し、基
板法線に対して斜めに傾斜している磁化容易軸を、リン
グ型磁気ヘッドの記録磁界の傾斜方向と一致させること
ができるので記録効率が上昇する。

【０００６】

【実施例】斜方蒸着法によりＣｏとＣｒあるいはＣｏと
ＮｉとＣｒを主成分とする第１の磁性層、及びその上の
ＣｏとＯあるいはＣｏとＮｉとＯを主成分とする第２の
磁性層が形成された磁気記録媒体において、第１の磁性
層の磁化容易軸の基板法線に対する傾斜方向を決定する
要因としてはおもに次の２つが考えられる。１つは基板
法線に対して斜めに傾いた方向に成長した柱状構造によ
る形状磁気異方性であり、もう１つはｈｃｐ（最密六方
構造）ｃ軸の成長方向に依存する結晶磁気異方性である
。我々は上記２つの要因とスペーシングロスファクタＫ
との関連を調べ、従来の大きなＫ値を有する媒体におい
ては第１の磁性層のｃ軸がほぼ基板法線方向に一致して
成長していること、および第１の磁性層のｃ軸を基板法
線に対して傾斜した柱状構造の成長方向とほぼ一致する
方向に成長させた本発明の媒体において、その優れた高
密度記録再生特性を損なうことなく１００程度以下の小
さいＫ値が得られることを見いだした。（図１）には本
発明の媒体の構成を、（図２）には従来の大きなＫ値を
有する媒体の構成を比較して示す。ここで、第１の磁性
層２の柱状構造は必ずしも一方向にまっすぐ成長してい
るわけではない。例えば後述するような円筒状ローラを
用いた連続蒸着装置によって作製された膜の場合には、
柱状構造は若干湾曲して成長していることが多い。 このような場合、第１の磁性層の柱状構造の成長方向４
とは、第１の磁性層の膜厚方向の中心点における柱状構
造の湾曲線の接線方向と定義する。（図２）に示す従来
の大きなＫ値を有する媒体の第１の磁性層においては、
柱状構造の成長方向４に依存する形状磁気異方性の方向
とｃ軸方向５に依存する結晶磁気異方性の方向とが一致
していない。両者の加算により磁化容易軸は基板法線に
対して斜めに傾斜しているものの、ほぼ基板法線方向に
成長したｃ軸がリング型磁気ヘッドの記録磁界の傾斜方
向とは大きく異なるために期待された記録効率の上昇を
阻んでいるものと考えられる。一方、（図１）に示す本
発明の媒体においては、形状磁気異方性と結晶磁気異方
性両者の方向がほぼ一致して基板法線に対して傾斜した
方向を向いている。すなわちｃ軸もリング型磁気ヘッド
の記録磁界の傾斜方向に近くなっているため記録効率が
上昇し、記録時のスペーシングロスが大幅に低減されて
いるものと考えられる。我々の検討に依れば、ｈｃｐ　
　ｃ軸方向５が基板法線となす角θｃは、第１の磁性層
の柱状構造の成長方向４が基板法線となす角θｓの±１
０°以内の範囲にあることが好ましい。（図３）にθｓ
、θｃの異なる磁気記録媒体におけるスペーシングロス
ファクタＫの｜θｓ−θｃ｜依存性の一例を示す。この
ように｜θｓ−θｃ｜が１０°以下の範囲において１０
０程度以下の十分小さいＫ値が得られている。

【０００７】さらに望ましくは、本発明の磁気記録媒体
の第２の磁性層の磁化容易軸６は、基板法線に対して第
１の磁性層の磁化容易軸方向と同方向に傾斜させた方が
、スペーシングロスファクタＫはさらに小さくなる傾向
にある。これに関しては本発明の磁気記録媒体への磁気
記録方法に関連して後述する。

【０００８】第１の磁性層における本発明の結晶構造は
、シュルツ法を用いたＸ線回折測定によって容易に確認
できる。（図４）にＣｏ−Ｃｒ膜の測定結果の一例を示
す。横軸は基板法線からの傾斜角度θ、縦軸はｈｃｐ（
００２）回折線強度である。（図４）よりこのＣｏ−Ｃ
ｒ膜のｃ軸の基板法線に対する傾きθｃは、約５２°で
あることがわかる。また図の回折ピークの半値幅Δθｃ
５０よりｃ軸の傾斜方向の分散を評価することもできる
。Δθｃ５０の値が小さいほど結晶配向性が良く、スペ
ーシングロスファクタＫも小さい値が得られるものと考
えられる。我々の実験においては、Δθｃ５０の値を３
０°程度以下とすることにより１００程度以下のＫ値を
得ることができた。（図４）においては２７°程度の値
が得られている。

【０００９】このような磁気記録媒体を得るための第１
の磁性層の製造方法について次に述べる。（図５）は本
発明の磁気記録媒体を作製するための連続蒸着装置の一
例を示したものである。供給ロール９から巻き出された
長尺の高分子基板は回転する円筒状ローラ７の周面に沿
って走行し、この間に蒸発原子が堆積される。８は円筒
状ローラ７の回転方向、１０は磁性膜が形成された後、
円筒状ローラ７を出た高分子基板を巻き取るための巻き
取りロールである。磁性膜の形成に際しては、シールド
１１を設けることにより、蒸発原子の基板への入射角を
基板法線に対して初期入射角φｉから終期入射角φｆま
で変化させている。我々の検討によれば、第１の磁性層
の柱状構造の成長方向４が基板法線となす角θｓとｈｃ
ｐ　　ｃ軸方向５が基板法線となす角θｃは、終期入射
角φｆにはあまり依存せず、初期入射角φｉに大きく依
存して変化する傾向がある。ここで第１の磁性層が本発
明の構造を有するためには、第１の磁性層形成初期にお
ける蒸発原子の基板への入射角φｉを５５゜以上とし、
かつ第１の磁性層形成初期における膜堆積速度Ｒｉが第
１の磁性層形成終期における膜堆積速度Ｒｆの５０％以
上とする必要がある。このことについて以下に説明する
。

【００１０】（図６）は（Ｒｉ／Ｒｆ）×１００＝６０
％、終期入射角φｆ＝１５゜という条件で初期入射角φ
ｉのみを変化させて作製した第１の磁性層の柱状構造の
成長方向４が基板法線となす角θｓとｈｃｐ　　ｃ軸方
向５が基板法線となす角θｃを示したものである。（図
６）によれば、θｓは初期入射角φｉの増加とともに単
調に増加する傾向にある。一方θｃは初期入射角φｉを
５０゜程度まで増加させてもほとんど変化せず、ｃ軸は
ほぼ基板法線方向に配向したままである。さらに初期入
射角φｉを増加させるとθｃはφｉが５０゜から５５゜
の付近で急激に立ち上がり、ほぼθｓと同程度の値を示
すようになる。すなわち、φｉが５５゜よりも小さい領
域においては（図２）に示すように、柱状構造の成長方
向４とｃ軸方向５とが一致せず、従来の大きなＫ値を有
する媒体しか得られない。φｉを５５゜以上とすること
により、柱状構造の成長方向４とｃ軸方向５とがほぼ一
致して基板法線に対して傾斜した方向を向き、（図１）
に示す本発明の媒体が得られるのである。この領域にお
いて、θｃは前述したθｓ±１０°以内の範囲にあるこ
とも（図６）より確認できる。

【００１１】（図７）は、初期入射角φｉ＝６０゜、終
期入射角φｆ＝１５゜という条件で（Ｒｉ／Ｒｆ）×１
００を変化させて作製した第１の磁性層のΔθｃ５０の
値の変化を示したものである。このように初期入射角φ
ｉが５５゜以上という条件を満たしていても、（Ｒｉ／
Ｒｆ）×１００が５０％よりも小さい領域ではｃ軸の分
散が急激に大きくなり、ほとんど無配向に近い状態にな
ってしまう。一方（Ｒｉ／Ｒｆ）×１００を５０％以上
とすることにより、Δθｃ５０は３０゜程度以下の良好
な値が得られ、第１の磁性層における本発明の構造が得
られるのである。一般に、（図５）に示すような円筒状
ローラ系を用いて磁性層を作製する場合には、膜形成終
期における蒸発原子の入射部よりも膜形成初期における
蒸発原子の入射部の方が蒸発源１２からの距離が遠くな
り、膜堆積速度Ｒｉが小さくなる。従って（Ｒｉ／Ｒｆ
）×１００が５０％以上という条件を満たすためには、
蒸発源１２をできる限り膜形成初期部に近づけて配置す
るよう留意しなければならない。あるいは、膜形成初期
を担う蒸発原子を供給する蒸発源を別に設けるなどの手
段により、膜形成初期における膜堆積速度Ｒｉを大きく
してもよい。

【００１２】次に、本発明の磁気記録媒体へのリング型
磁気ヘッドを用いた磁気記録方法について述べる。（図
８）は、本発明の磁気記録媒体にリング型磁気ヘッドを
用いて記録再生を行なう際の磁気記録媒体とリング型磁
気ヘッドの相対移動の向きを示したものである。本発明
の媒体において、より小さいスペーシングロスファクタ
Ｋを得るためには、磁気記録媒体とリング型磁気ヘッド
の相対移動の向きを第１の磁性層のｈｃｐ　　ｃ軸方向
５とリング型磁気ヘッドのリーディングエッジ近傍のヘ
ッド磁界方向とが略一致する向き１７とすることが望ま
しい。この理由を以下に考察する。本発明の磁気記録方
法とは逆に、磁気記録媒体とリング型磁気ヘッドの相対
移動の向きを（図８）における矢印１７の逆向きにした
場合を考える。この場合、リーディングエッジ近傍のヘ
ッド磁界ではなく、トレイリングエッジ近傍のヘッド磁
界方向が第１の磁性層の磁化容易軸方向に近い。このた
め磁化反転はおもにヘッド磁界１６のトレイリングコア
側で決定され、同じトレイリングコア側の反転磁界から
も強い減磁作用を受ける。この減磁作用のために記録効
率が減少し、スペーシングロスファクタＫが大きくなっ
てしまうものと考えられる。一方、（図８）に示した本
発明の磁気記録方法の場合、第１の磁性層の磁化容易軸
方向はリーディングエッジ近傍のヘッド磁界方向と近く
、磁化反転はおもにヘッド磁界１６のリーディングコア
１３側で決定される。トレイリングエッジ近傍のヘッド
磁界方向は第１の磁性層の困難軸方向に近く、トレイリ
ングコア１４側のヘッド磁界から減磁作用を受け難い。 このため、記録効率が高く、十分に小さいＫ値が得られ
るものと考えられる。

【００１３】以上の考察は第２の磁性層に関しても当て
はまるものと考えられる。従って、本発明の磁気記録媒
体の第２の磁性層の磁化容易軸６も、基板法線に対して
第１の磁性層の磁化容易軸方向と同方向に傾斜させ、ヘ
ッドのリーディングエッジ近傍のヘッド磁界方向に近く
した方が、スペーシングロスファクタＫはさらに小さく
なる傾向にある。

【００１４】以下に本発明の実施例を従来例と比較して
述べる。 （実施例１）（図５）に示す連続蒸着装置を用い、第１
の磁性層としてＣｏ−Ｃｒ膜、第２の磁性層としてＣｏ
−Ｏ膜を形成した。第１の磁性層作製時の蒸発原子の基
板への入射角は、初期入射角φｉ＝６０゜から終期入射
角φｆ＝２５゜まで変化させた。また、膜形成初期にお
ける膜堆積速度Ｒｉの膜形成終期における膜堆積速度Ｒ
ｆに対する比（Ｒｉ／Ｒｆ）×１００は６０％とした。 Ｃｏ−Ｃｒ膜の飽和磁化は４５０ｅｍｕ／ｃｃ、膜厚は
１２０ｎｍである。なおＣｏ−Ｃｒ膜作製時の基板温度
は２７０℃とした。第２の磁性層としてのＣｏ−Ｏ膜は
、蒸発原子の基板への入射角を初期入射角φｉ＝４５゜
から終期入射角φｆ＝１５゜まで変化させ、その磁化容
易軸が第１の磁性層の磁化容易軸と基板法線に対して同
方向に傾斜するように作製した。Ｃｏ−Ｏ膜の飽和磁化
は６５０ｅｍｕ／ｃｃ、膜厚は５０ｎｍである。Ｃｏ−
Ｏ膜作製時の基板温度は１００℃とした。基板には耐熱
性の高分子基板を用いた。この際、スペーシングロスフ
ァクタＫの測定に対応するため、表面突起形状を付与し
た高分子基板で、突起高さの異なるものを４種類用いた
。

【００１５】（実施例２）上記の（実施例１）において
、第２の磁性層の磁化容易軸が第１の磁性層の磁化容易
軸と基板法線に対して逆方向に傾斜するように作製した
。他の条件は（実施例１）と同様である。

【００１６】（比較例１）上記の（実施例１）において
、第１の磁性層作製時の蒸発原子の基板への入射角を初
期入射角φｉ＝５０゜から終期入射角φｆ＝２５゜まで
変化させた。他の条件は（実施例１）と同様である。

【００１７】（比較例２）上記の（比較例１）において
、第２の磁性層の磁化容易軸が第１の磁性層の磁化容易
軸と基板法線に対して逆方向に傾斜するように作製した
。他の条件は（比較例１）と同様である。

【００１８】（比較例３）上記の（実施例１）において
、第１の磁性層作製時の膜形成初期における膜堆積速度
Ｒｉの膜形成終期における膜堆積速度Ｒｆに対する比（
Ｒｉ／Ｒｆ）×１００を４０％とした。他の条件は（実
施例１）と同様である。

【００１９】（比較例４）上記の（比較例３）において
、第２の磁性層の磁化容易軸が第１の磁性層の磁化容易
軸と基板法線に対して逆方向に傾斜するように作製した
。他の条件は（比較例３）と同様である。

【００２０】以上６つの例について第１の磁性層の柱状
構造の成長方向４が基板法線となす角θｓとｈｃｐ　　
ｃ軸方向５が基板法線となす角θｃおよびΔθｃ５０の
値と得られた磁気記録媒体のスペーシングロスファクタ
Ｋの測定値を（表１）に示す。Ｋの値は、各例において
作製された突起高さの異なる磁気記録媒体の、記録波長
０．５μｍにおける再生出力から求めた。なお、（表１
）においてＫの値は（正），（逆）の２つが示されてい
る。これは（正）が、磁気記録媒体とリング型磁気ヘッ
ドの相対移動の向きを、第１の磁性層のｈｃｐ　　ｃ軸
方向とリング型磁気ヘッドのリーディングエッジ近傍の
ヘッド磁界方向とが略一致する向きとした場合、すなわ
ち（図８）に示す本発明の磁気記録方法に対応する値で
あり、（逆）が第１の磁性層のｈｃｐ　　ｃ軸方向とリ
ング型磁気ヘッドのトレイリングエッジ近傍のヘッド磁
界方向とが略一致する向きとした場合の値であることを
示すものである

【００２１】。

【表１】

【００２２】（表１）に示すように、（実施例１）およ
び２の本発明の媒体においては、θｃの値がほぼθｓの
値に一致しており、Δθｃ５０の値も十分に小さい。結
果的に他の４つの比較例よりも顕著に小さいＫ値が得ら
れている。この際、ヘッドと磁気記録媒体の相対移動の
向きを本発明の磁気記録方法である（正）の向きとした
方が（逆）向きにした場合よりもより小さいＫ値が得ら
れていることがわかる。また、（実施例２）よりも（実
施例１）の方がより小さいＫ値が得られていることから
、第２の磁性層の磁化容易軸は、基板法線に対して第１
の磁性層の磁化容易軸方向と同方向に傾斜させた方が、
Ｋ値はさらに小さくなる傾向にあることがわかる。

【００２３】一方、（比較例１）および（比較例２）に
おいては、第１の磁性層形成時の蒸発原子の初期入射角
φｉが５０゜と小さいために、θｃの値がθｓの値より
も顕著に小さくなる。すなわち、第１の磁性層のｃ軸が
基板の法線方向に近く配向するために記録効率が減少し
、Ｋ値は１５０以上の大きな値となってしまう。また、
（比較例３）および（比較例４）においては、（Ｒｉ／
Ｒｆ）×１００の値が４０％と小さいために、第１の磁
性層のｃ軸は殆ど無配向となる。このため、Ｋ値は２０
０程度以上の大きな値となってしまう。

【００２４】以上の結果から、（実施例１）および（実
施例２）における本発明の媒体において、従来の垂直磁
気記録媒体よりもスペーシングロスファクタＫの低減が
図れることが明かとなった。

【００２５】なお、第１の磁性層、第２の磁性層の一方
または両方に、３０重量％以下の割合でＮｉを添加した
場合においても、上記と同様に本発明の効果が十分に得
られた。

【００２６】

【発明の効果】本発明によれば、従来の垂直磁気記録媒
体の優れた高密度記録再生特性を維持したままスペーシ
ングロスファクタＫの値が低減された磁気記録媒体を提
供することが出来る。すなわち本発明の磁気記録媒体は
、安定な記録再生を行なうために表面に微小突起や溝を
形成した場合など、実用特性においてもその優れた高密
度記録再生特性を発揮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の構成の一例を示す断面
図

【図２】従来の磁気記録媒体の構成の一例を示す断面図

【図３】スペーシングロスファクタＫの｜θｓ−θｃ｜
依存性を示す図

【図４】シュルツ法によるＸ線回折測定結果の一例を示
す図

【図５】本発明の製造方法に用いた連続蒸着装置の概略
図

【図６】第１の磁性層のθｓおよびθｃのφｉ依存性を
示す図

【図７】第１の磁性層のΔθｃ５０の（Ｒｉ／Ｒｆ）依
存性を示す図

【図８】本発明の磁気記録方法におけるヘッドと磁気記
録媒体の相対移動の向きを示す断面図

【符号の説明】

１　　高分子基板 ２　　第１の磁性層 ３　　第２の磁性層 ４　　第１の磁性層の柱状構造の成長方向５　　第１の
磁性層のｈｃｐ　　ｃ軸方向６　　第２の磁性層の磁化
容易軸方向 ７　　円筒状ローラ ８　　円筒状ローラの回転方向 ９　　供給ロール １０　　巻き取りロール １１　　シールド １２　　蒸発源 １３　　ヘッドのリーディングコア １４　　ヘッドのトレイリングコア １５　　ヘッドギャップ １６　　ヘッド磁界

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　非磁性基板上にＣｏとＣｒあるいはＣ
   ｏとＮｉとＣｒを主成分とする第１の磁性層、及びその
   上にＣｏとＯあるいはＣｏとＮｉとＯを主成分とする第
   ２の磁性層が形成された磁性膜において、第１の磁性層
   が基板の法線方向から傾斜した方向に成長した柱状構造
   を有し、かつ第１の磁性層のｈｃｐ　　ｃ軸方向が前記
   柱状構造の傾斜方向と略一致することを特徴とする磁気
   記録媒体。
2. 【請求項２】　　第２の磁性層の磁化容易軸方向が基板
   法線に対して第１の磁性層の磁化容易軸方向と同方向に
   傾斜していることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
   媒体。
3. 【請求項３】　　走行する長尺の高分子基板上に真空蒸
   着法によってＣｏとＣｒあるいはＣｏとＮｉとＣｒを主
   成分とする第１の磁性層及びその上にＣｏとＯあるいは
   ＣｏとＮｉとＯを主成分とする第２の磁性層を形成する
   過程において、前記第１の磁性層形成初期における蒸発
   原子の基板への入射角を基板法線方向に対して５５゜以
   上とし、かつ前記第１の磁性層形成初期における膜堆積
   速度が前記第１の磁性層形成終期における膜堆積速度の
   ５０％以上とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造
   方法。
4. 【請求項４】　　請求項１もしくは２のいずれかに記載
   の磁気記録媒体にリング型磁気ヘッドを用いて記録再生
   を行なう際の磁気記録媒体とリング型磁気ヘッドの相対
   移動の向きを、第１の磁性層のｈｃｐ　　ｃ軸方向とリ
   ング型磁気ヘッドのリーディングエッジ近傍のヘッド磁
   界方向とが略一致する向きとすることを特徴とする磁気
   記録媒体への磁気記録方法。