JPS59190356A - 蒸着装置および蒸着法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は蒸着法および蒸着装置に関するものである。

従来例の構成とその問題点 蒸着法による磁気記録媒体の製造法については種々の研
究がなされてきたが、蒸着法によシ磁気記録媒体として
実用に供しえる磁気特性を得る為の有効な方法として、
斜方蒸着法が知られている。

磁気記録媒体として要求される磁気特性の代表的要素と
して １　保持力Ｈａが高いこと ′　２　残留磁化量ＢＩが高いこと ３　角形比Ｂｒ／Ｂｓが高いこと があげられるが、斜方蒸着法は保持力Ｈｃと角形比Ｂｒ
　／　Ｂｓ　ｆ高くすることができ、磁気記録媒体の製
造法に適することが知られている。しかし斜方蒸着法に
おいては入射角を７００程度以上にしなければ斜方効果
が得られず、それ故蒸着効率は極めて低く、せいぜい１
〜２％程度である。又高分子材料等の耐熱性の低い材料
を基板とする場合基板の冷却を行わなければならないが
、斜方蒸着法における基板の冷却法としては基板の背面
如金属ベルトを走行させ冷却源から金属ベルトを介して
冷却を行うことが考えられている。一般に真空中では熱
伝導が極めて悪いので冷却源から金属ベルトを介して冷
却する方式は冷却効率は悪い。

一方、磁気記録媒体の磁性層材料としてはＦｅ、Ｎｉ。

ＣＯ等が基本材料となるが、Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎｆは高
融点金属であり蒸着する際に基板に与える熱は大きい。

その為、斜方蒸着法で磁気テープ用基板に適した高分子
材料等の耐熱性の低い材料を基板とし、Ｆｅ、　Ｃｏ、
　Ｎｉという高融点金属を金属ベルトを介した冷却によ
り蒸着する場合は熱的問題が重要で蒸着速度を低くし、
生産性が極めて低くなる。このように斜方蒸着法は必要
な磁気特性を得るだめの製法としては極めて優れた方法
ではあるが、蒸着効率が低くしたがって生産性が低い。

斜方蒸着法の長所をよシ改善した方法として冷却キャン
を用いる方法が知られる。この方法は蒸着始めは接線方
向から９００の入射角で蒸着し、連続的に入射角を変え
である最低入射角まで蒸着される。この冷却キャンを用
いる方法によると斜方蒸着法と同等の磁気特性を得る為
の最低入射角は斜方蒸着法での入射角よシも小さくでき
る０その為冷却キャンを用いる方法では斜方蒸着法より
蒸着効率は高く、１０％以上の蒸着効率が可能となる。

又、基板を冷却キャンにより直接冷却する為冷却効率が
高く、斜方蒸着法における熱的問題が実際上問題となら
なくなる。熱的問題の改善の結果として生産性も斜方蒸
着法に較べて飛躍的に向上し、基板材料の走行速度で１
０ｏ　ｍ　／　ｍ　ｉ　ｎ以上の量産性が実現きれる。

このように冷却キャンを用いる方法によって蒸着効率で
数倍の改善がなされるが、蒸着法で製造する場合磁気特
性を得るのに最も適するのはＣＯであり、ＣＯは極めて
高価な材料である為、蒸着法による磁気記録媒体の普及
の為にはさらに蒸着効率を高めていかねばならない。

発明の目的 本発明（ｄ：前記従来の冷却キャンを用いた蒸着法の蒸
着効率を大幅に向上させ、蒸着法による磁気記録媒体の
製造コストを大幅に引き下げることを目的とするもので
ある。

発明の構成 本発明は、円筒キャンの内壁に沿って基板を走行させな
がら蒸着を行なう蒸着装置および蒸着法である。

本発明の特徴は、円筒内壁に沿って蒸着を行うことであ
る。従来の斜方蒸着法は基板は蒸着時に平面上を移動し
、冷却キャンを用いる蒸着法では基板は冷却キャン上を
蒸発源を凸面に見ながら移動するものであった。これに
対し本発明では、基板は蒸着時に蒸発源を凹面に見なが
ら移動するため、−常人射角を定めた場合極めて蒸着効
率が高くなる。実用的な磁気特性を持つ磁性層を作る為
の蒸着効率は、斜方蒸着法では１〜２チ、冷却キャンを
用いる方式では１０’％強程度であったが、本発明によ
る蒸着法では３０饅以上の蒸着効率を容易に得ることが
できる。

基板が蒸着時に蒸発源を凹面に見ながら移動するという
考え方は従来にも見ることはできるが、従来の考え方に
おいては基板の冷却方式はテフロンベルトに沿わせるも
のであり、斜方蒸着法の時と同様に極めて生産性が低い
か、或いは冷却の必要のない基板に限定された。

本発明においては、１基板が蒸発時に蒸発源を凹面に見
ながら移動し、２基板は蒸着中に冷却媒体に直接接触す
る、の２点を同時に満足できる。

本発明の概要は以上述べたとおりであるが、本発明にお
いては基板と円筒キャン内壁との接触が重要な問題とな
る。基板と円筒キャン内壁を接触づせる力としては静電
気による接触が考えられ、接触力を十分大きくとる為例
えば高分子材料を基板とし静電的接触力を大きくするこ
とが必要である。

又本発明は蒸発源位置を選択することで、垂直磁気記録
媒体の製造も可能であるし、イオンブレーティング電界
蒸着等に発展させることも可能である。

以下、本発明の詳細な説明する。

〔実施例１〕 巻き出し装置および巻き取り装置を円筒内部に有する半
連続巻取型真空蒸着装置を用いて真空蒸着を行った。円
筒キャンは金属製で水冷され内壁直径は１ｍで蒸発源の
高さは円筒キャンの中心と同じ高さ、横方向にはキャン
内壁より１０ｃｍの位置とした。最低入射角が５０’と
なるように蒸発源の両側にマスクを設けて、基板として
は１０μｍ厚のポリエステルフィルムを用いＩ　Ｘ　１
０−”ＴｏｒｒでＣＯを１０００人の膜厚に蒸着した。

基板は円筒に密着した状態で１００　ｍ　／　ｍ　ｉ　
ｎで走行し、蒸着効率は３５％であった。得られた蒸着
膜の磁気特性を測定したところＨｃ＝９０００８　。

Ｂｓ　＝　８１００　、　Ｂｒ　＝６５００　、　Ｂｒ
　／　Ｂｓ　＝　０．８０であり、磁気記録媒体として
十分な特性を得ることができた。

〔実施例２〕 巻き出し装置および巻取り装置を円筒内部に有する半連
続巻取型真空蒸着装置を用いて真空蒸着を行った。円筒
は金属製で水線され内壁直径は１ｍで蒸発源の高さは円
筒の中心より１０（７）低く、横方向にはキャン内壁よ
シ８ｍの位置とした。最低入射角が４ｏ０となるように
蒸発源の両側にマスクを設けて基板として８ｐｍ厚のポ
リエステルフィルムを用いた。真空槽全体を１Ｘ　１０
−５Ｔｏｒｒに排気後真空槽中に酸素を導入し、Ｉ　Ｘ
　１０−’Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中でＣＯ（８０ｗｔ％
ンＮｉ　（２０ｗｔ％）を蒸着し、蒸着膜の全厚を１５
００人に制御した。

基板は円筒内壁に密着した状態で２００　ｍ　／　ｍｉ
　ｎで走行し蒸着効率は４７％であった。得られた蒸着
膜の磁気特（’ｔを測定したところ、Ｈａ＝９０００ｅ
　、　Ｂｓ−７０００，Ｂｒ　＝　６０００．Ｂｒ／Ｂ
ｓ＝０．８５　であり、磁気記録媒体として十分な特性
を得ることができた。

〔実施例３〕 １ｍの内壁直径のほぼ中心にＣＯとＣｒの二元蒸発源を
配し、基板として芳香族ポリアミド１０／ｊ　ｍ上に、
８０％Ｎｉ２Ｏ％Ｆｅ０．２ｐｍをスパッタ蒸着したも
のを用いてＣｏ　Ｃｒ　（Ｃｒ　２０　ｗｔ％）を０．
１６μｍ蒸着した。

この媒体は垂直異方性を有し、垂直方向のＨａは９３ｏ
（○ｅ）であった。

この特性は巻取速度２８０ｍ／ｍｉｎで得られ、従来公
知の高周波スパッタ法の１００倍ンインスピードであっ
た。

発明の詳細 な説明したように、本発明の蒸着装置および蒸着法によ
れば、磁気テープ用基板に適した耐熱性の低い高分子基
板上に３０％以上の高い蒸着効率、かつ２００ｍ／ｍｉ
ｎという高い生産性で磁気記録媒体に適した磁性層を蒸
着することができる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の蒸着装置を示す図である。 １・・・・・・冷却された円筒、２・・−・・・巻き出
し装置、３・・・・・・巻き取り装置、４・・・・・・
蒸発源、６・・・・・入射角を制限するマスク、６・・
・・・・高分子基板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空槽内に内壁に沿って基板が走行される円筒キ
   ャンと、前記円筒キャンの内側に配置された基板の巻き
   出し装置と、前記基板の巻き取シ装置と、前記基板に蒸
   着をおこなう蒸発源と、蒸着物の入射角を制限するマス
   クとを有する蒸着装置。
2. （２）真空槽内において、前記円筒キャンの内壁に沿っ
   て基板を走行させつつ、前記キャンの内側に配置した蒸
   着源により前記基板に蒸着を行なうことを特徴とする蒸
   着法。