JPH01102718A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01102718A JPH01102718A JP25820387A JP25820387A JPH01102718A JP H01102718 A JPH01102718 A JP H01102718A JP 25820387 A JP25820387 A JP 25820387A JP 25820387 A JP25820387 A JP 25820387A JP H01102718 A JPH01102718 A JP H01102718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- recording medium
- thin film
- film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- -1 Co-Ni Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁気記録媒体、特にCO系の円板状垂直磁気記
録媒体に関する。
録媒体に関する。
[開示の概要]
未明S書及び図面は、金属薄膜型磁気記録媒体において
、非磁性基体の第一面に金属薄膜磁気記録層を形成し、
この非磁性基体の第二面に、第一面の金属8膜磁気記録
層より薄い薄膜層を形成することにより、記録媒体に生
じたカールを相殺し、全体として薄く剛性の低いヘッド
タッチの良好な垂直磁気記録媒体を実現する技術を開示
するものである。
、非磁性基体の第一面に金属薄膜磁気記録層を形成し、
この非磁性基体の第二面に、第一面の金属8膜磁気記録
層より薄い薄膜層を形成することにより、記録媒体に生
じたカールを相殺し、全体として薄く剛性の低いヘッド
タッチの良好な垂直磁気記録媒体を実現する技術を開示
するものである。
[従来の技術]
最近、塗布型磁気記録媒体に代って、高い保磁力と残留
磁束密度を有する金属薄膜型磁気記録媒体が注目されて
いる。特に高密度記録を達成する方法として、磁気記録
媒体の膜面に垂直方向の磁化容易軸を持つ記録媒体を用
いて厚み方向に信号を記録する垂直磁気記録方式がCo
−Cr1li等のCO系合金gjMを用いて開発が進め
られている。
磁束密度を有する金属薄膜型磁気記録媒体が注目されて
いる。特に高密度記録を達成する方法として、磁気記録
媒体の膜面に垂直方向の磁化容易軸を持つ記録媒体を用
いて厚み方向に信号を記録する垂直磁気記録方式がCo
−Cr1li等のCO系合金gjMを用いて開発が進め
られている。
このような金属薄膜型磁気記録媒体は、非磁性基体、例
えば高分子フィルムから成る基体上に、真空蒸着、イオ
ンブレーティング、スパッタ等の物理蒸着法の手段によ
って直接金属薄膜の磁性層を形成して得られる。
えば高分子フィルムから成る基体上に、真空蒸着、イオ
ンブレーティング、スパッタ等の物理蒸着法の手段によ
って直接金属薄膜の磁性層を形成して得られる。
このような薄11り堆積法によって形成された金属薄1
1り型磁気記録媒体は、金属ijj膜に残留する強い内
部応力により、成膜後磁性層側を凹とするカールが発生
することが多い。カールが生じると、磁気テープのよう
な磁気記録媒体では走行性悪化、巻き乱れ、ヘッドタッ
チ不良等の問題が生じ、また磁気シートのような記録媒
体では全く使用できなくなるという欠点がある。
1り型磁気記録媒体は、金属ijj膜に残留する強い内
部応力により、成膜後磁性層側を凹とするカールが発生
することが多い。カールが生じると、磁気テープのよう
な磁気記録媒体では走行性悪化、巻き乱れ、ヘッドタッ
チ不良等の問題が生じ、また磁気シートのような記録媒
体では全く使用できなくなるという欠点がある。
そこで、従来は高分子フィルム基体のもう一方の面にも
同材質、同厚の金属薄膜層を形成し、このカールを防止
している。
同材質、同厚の金属薄膜層を形成し、このカールを防止
している。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、このように高分子フィルム基体の表衷両
面に金属R膜層を同時に形成すると、全厚が厚くなり、
剛性が高くなるため結果として良好なヘッドタッチがと
れなくなるという問題点を生ずる。
面に金属R膜層を同時に形成すると、全厚が厚くなり、
剛性が高くなるため結果として良好なヘッドタッチがと
れなくなるという問題点を生ずる。
さらに、高分子フィルム基体の両面に金属薄膜層を形成
する際、各々の面のデポジットにプロセス上の時間差が
あると、両面の金属薄膜層を等厚としだのでは過剰補正
となり、カールが発生することがある。これは、第一面
へ金属薄膜を形成する際、フィルムが加熱され、これに
よりフィルムの厚み方向の熱物性の対称性がくずれるた
めと考えられる。
する際、各々の面のデポジットにプロセス上の時間差が
あると、両面の金属薄膜層を等厚としだのでは過剰補正
となり、カールが発生することがある。これは、第一面
へ金属薄膜を形成する際、フィルムが加熱され、これに
よりフィルムの厚み方向の熱物性の対称性がくずれるた
めと考えられる。
本発明は、上述した金属薄膜型磁気記録媒体の欠点を除
去し、剛性の上昇を押え、カールを克服したヘッドタッ
チの良好な、磁気記録媒体を提供することを目的として
いる。
去し、剛性の上昇を押え、カールを克服したヘッドタッ
チの良好な、磁気記録媒体を提供することを目的として
いる。
[問題点を解決するための手段及び作用]本発明は、高
分子フィルム基体の第一面に金属薄膜磁気記録層を物理
蒸着法により形成した磁気記録媒体において、高分子フ
ィルム基体の第二面に、第一面の金属薄膜層よりも薄く
無機物の薄膜層を形成したものである・ 本発明の基本的構成を第1図及び第2図に示す、第1図
は高分子フィルム基体lの第一面の金属薄膜磁気記録層
2の金属とは異なる無機物より構成された無機膜層3を
第二面に備えた構造を、第2図は高分子フィルム基体l
の両面に同種の金属薄膜を形成した構造を示している。
分子フィルム基体の第一面に金属薄膜磁気記録層を物理
蒸着法により形成した磁気記録媒体において、高分子フ
ィルム基体の第二面に、第一面の金属薄膜層よりも薄く
無機物の薄膜層を形成したものである・ 本発明の基本的構成を第1図及び第2図に示す、第1図
は高分子フィルム基体lの第一面の金属薄膜磁気記録層
2の金属とは異なる無機物より構成された無機膜層3を
第二面に備えた構造を、第2図は高分子フィルム基体l
の両面に同種の金属薄膜を形成した構造を示している。
高分子フィルム基体lは、金属薄膜形成時における熱損
傷を避けるため、耐熱性の高分子フィル ・ム、例
えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリイ
ミドアミド、ポリエーテルイミド等を用いるのが好まし
い。さらに走行性を良くするため、不活性粒子を添加し
てもよい。不活性粒子としては、カーボン、CaCO3
,Ba5oa、 5i02゜TiO2等が用いられるが
、その粒子径は0.005〜0.2井膿が好ましい。
傷を避けるため、耐熱性の高分子フィル ・ム、例
えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリイ
ミドアミド、ポリエーテルイミド等を用いるのが好まし
い。さらに走行性を良くするため、不活性粒子を添加し
てもよい。不活性粒子としては、カーボン、CaCO3
,Ba5oa、 5i02゜TiO2等が用いられるが
、その粒子径は0.005〜0.2井膿が好ましい。
また、第一面の金属R膜磁気記録層は、 Go−Ni。
Co−Cr、 Fe、 Ni等の金属あるいは合金の薄
膜で、真空蒸着イオンブレーティング、スパッタ等の物
理蒸着法の手段によって形成する。
膜で、真空蒸着イオンブレーティング、スパッタ等の物
理蒸着法の手段によって形成する。
第二面の無機薄膜層としては、第一面と同種の金属ある
いは合金薄膜を、第一面より薄く形成するか、又は、引
っばり応力を持った膜質であればよく、特に熱膨張係数
が大きな膜は、成膜後の冷却時に収縮が大となり、カー
ルを減らしながら、剛性も低くおさえることができる。
いは合金薄膜を、第一面より薄く形成するか、又は、引
っばり応力を持った膜質であればよく、特に熱膨張係数
が大きな膜は、成膜後の冷却時に収縮が大となり、カー
ルを減らしながら、剛性も低くおさえることができる。
例えば、Zn。
All、 In、 Ag、 Su、 Pb等の金属ある
いは合金、さらにSe、 Te等の半金属が好ましい。
いは合金、さらにSe、 Te等の半金属が好ましい。
また、成膜法はスパッタリングより基若法の方が好まし
い、スパッタリングによると、Arガスのゼーニングの
ため、膜応力が圧縮方向に変化しやすく、カール相殺の
効果が薄れるからである。
い、スパッタリングによると、Arガスのゼーニングの
ため、膜応力が圧縮方向に変化しやすく、カール相殺の
効果が薄れるからである。
さらにここで、無機薄nλ層の厚さを外側に行くに従っ
て厚く又は薄くすることにより、さらにその効果を増大
させることも可能である。
て厚く又は薄くすることにより、さらにその効果を増大
させることも可能である。
[実施例]
本発明を、以下に示す実施例に基づいて、さらに詳細に
説明する。
説明する。
実施例1
本実施例は、磁気ヘッドに当る面の磁性層材料と同一の
材料を逆側のパッド接触面上のFj膜にも用いている。
材料を逆側のパッド接触面上のFj膜にも用いている。
磁気ヘッド接触面にはRFマグネトロンスパッタリング
によりGo−Cr合金膜を0.3 gm厚に形成した。
によりGo−Cr合金膜を0.3 gm厚に形成した。
用いたフィルムはガラス転移点280℃、20JLm厚
のポリイミドフィルムで磁性層形成時には120℃にて
基板加熱を行なっている。
のポリイミドフィルムで磁性層形成時には120℃にて
基板加熱を行なっている。
結果的に得られた磁気特性はUSMで測定したところH
”c= 870 xルステッド、4 πMs= 4.8
KGであった。一方パッド接触面には、0.234 m
厚のGo−Cr合金膜を形成したところシート全体のカ
ールがバランスした。この膜厚条件は成膜時の基板加熱
温度、フィルムに印加する張力、フィルムの熱物性(特
にガラス転移点)により微妙に変化する。−般にガラス
転移点の低いフィルムはど第1の成膜によりフィルム物
性の変質がおこりやすく、表裏両面に形成するC o
−Cr 膜厚のアンバランスが大となる。また、ガラス
転移点が低いフィルムはど成膜時に強い張力を印加しな
いとフィルムにシワを生ずる傾向があり、張力で伸張さ
れた寸法がヒートセットされて物性に影響を及ぼすので
この点でも膜厚のアンバランスが促進される。さらに、
この様な構成により全体の厚さを押えることができる結
果、剛性の低減効果もあがり、機能性の高い両面成膜シ
ートが得られる。
”c= 870 xルステッド、4 πMs= 4.8
KGであった。一方パッド接触面には、0.234 m
厚のGo−Cr合金膜を形成したところシート全体のカ
ールがバランスした。この膜厚条件は成膜時の基板加熱
温度、フィルムに印加する張力、フィルムの熱物性(特
にガラス転移点)により微妙に変化する。−般にガラス
転移点の低いフィルムはど第1の成膜によりフィルム物
性の変質がおこりやすく、表裏両面に形成するC o
−Cr 膜厚のアンバランスが大となる。また、ガラス
転移点が低いフィルムはど成膜時に強い張力を印加しな
いとフィルムにシワを生ずる傾向があり、張力で伸張さ
れた寸法がヒートセットされて物性に影響を及ぼすので
この点でも膜厚のアンバランスが促進される。さらに、
この様な構成により全体の厚さを押えることができる結
果、剛性の低減効果もあがり、機能性の高い両面成膜シ
ートが得られる。
実施例2
フィルム厚30gm、ガラス転移点210℃のポリアミ
ドフィルムを用い磁気ヘッド接触面側にRFマグネトロ
ンスパッタリング番こより0.4 g層厚のGo−Cr
磁性膜を形成した。基板加熱温度は120°Cである。
ドフィルムを用い磁気ヘッド接触面側にRFマグネトロ
ンスパッタリング番こより0.4 g層厚のGo−Cr
磁性膜を形成した。基板加熱温度は120°Cである。
パッド接触面のGo−Cr合金膜厚を0.22 、LL
raとしたとき、カールがバランスした。この結果、
剛性的にも良好なディスクが得られた。
raとしたとき、カールがバランスした。この結果、
剛性的にも良好なディスクが得られた。
[発明の効果]
以北説明したように、本発明によれば、金属薄膜磁気記
録層形成後に生ずる磁気記録媒体のカールを相殺すると
同時に、この記録媒体の剛性の増大量を低減することが
でき、ヘッドタッチの良好な磁気記録媒体を得ることが
可能となる。
録層形成後に生ずる磁気記録媒体のカールを相殺すると
同時に、この記録媒体の剛性の増大量を低減することが
でき、ヘッドタッチの良好な磁気記録媒体を得ることが
可能となる。
第1図は第二面に無機薄膜層を形成した本発明の説明図
、第2図は第二面に第一面と同種の金属薄膜層を形成し
た場合の説明図である。 l・・・高分子フィルム基体、 2・・・金属薄膜磁気記録層、 3・・・無機薄膜層、 4・・・2と同種の金属の薄膜層。 第1図 第2図
、第2図は第二面に第一面と同種の金属薄膜層を形成し
た場合の説明図である。 l・・・高分子フィルム基体、 2・・・金属薄膜磁気記録層、 3・・・無機薄膜層、 4・・・2と同種の金属の薄膜層。 第1図 第2図
Claims (8)
- (1)非磁性基体の第一面に金属薄膜磁気記録層を形成
した磁気記録媒体において、前記非磁性基体の第二面に
前記第一面の金属薄膜磁気記録層より薄い薄膜層を形成
してなることを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)第一面の金属薄膜磁気記録層と第二面の薄膜層と
が同種の金属で形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (3)第二面の薄膜層が、第一面の金属薄膜磁気記録層
の金属とは異なる無機物より構成された無機膜層である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気記録
媒体。 - (4)非磁性基体が円板状で第二面の薄膜層の厚さが、
円板の中心からの距離によって変化することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (5)非磁性基体が粒径0.005〜0.2μmの不活
性粒子を添加した高分子フィルムであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (6)非磁性基体が円板状で、その直径が50mm以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁
気記録媒体。 - (7)金属薄膜磁気記録層が、コバルトもしくはコバル
トを主体とする合金であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (8)金属薄膜磁気記録層がコバルトおよびクロムを主
体とする合金であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25820387A JPH01102718A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25820387A JPH01102718A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01102718A true JPH01102718A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17316940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25820387A Pending JPH01102718A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01102718A (ja) |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP25820387A patent/JPH01102718A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4950548A (en) | Magnetic recording medium and method of producing same | |
JP2697227B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH01102718A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS62128019A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS58155516A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPH0526249B2 (ja) | ||
JP2000298824A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH03142708A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH02101618A (ja) | 磁気ディスク | |
JPH07254139A (ja) | 磁気記録媒体及び転写方法 | |
JPS61294635A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0268712A (ja) | 薄膜型磁気記録媒体 | |
JPS63249926A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6267728A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH01102717A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPS63140424A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH03238617A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH07101500B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPS62134829A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH01102719A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPS61126632A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0256726A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH04295615A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS63188828A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS60205818A (ja) | 磁気記録媒体 |