JP2000298824A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JP2000298824A
JP2000298824A JP11106552A JP10655299A JP2000298824A JP 2000298824 A JP2000298824 A JP 2000298824A JP 11106552 A JP11106552 A JP 11106552A JP 10655299 A JP10655299 A JP 10655299A JP 2000298824 A JP2000298824 A JP 2000298824A
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magnetic
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JP11106552A
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English (en)
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Kazuyuki Hikosaka
和志 彦坂
Hideo Ogiwara
英夫 荻原
Futoshi Nakamura
太 中村
Soichi Oikawa
壮一 及川
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な磁気特性、表面性、及び熱揺らぎ耐性
を有し、高記録密度で低浮上が可能な磁気記録媒体を得
る。 【解決手段】 面内異方性を有するCr下地層上に、V
下地層、磁性層を順に形成するか、あるいは基板に平行
に(211)配向をもつBCC構造を有する下地層上
に、磁性層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等に用いられる面内型磁気記録方式の磁気記録媒体に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】ハードディスク(HDD)は、高速・高
密度記録・ランダムアクセス可能・ビットコストが安い
等の特徴を持ち、コンピューターの外部記憶装置とし
て、今後も、記録密度の向上が望まれている。
【0003】これまでの研究によって、磁気記録の記録
密度を向上させようとする場合、媒体ノイズを低減させ
ることと、熱揺らぎ耐性を向上させるということの両立
が問題であることが明らかになってきている。
【0004】この解決方法の一つは、媒体磁性膜の磁気
異方性エネルギーを高めた材料を用いることである。し
かし、媒体磁性膜の磁気異方性エネルキーを高めるため
に、磁気異方性磁界を大きくした材料を用いると記録ヘ
ッドで十分書き込むことができないという問題が生じ、
磁気異方性磁界を大きくしないで、飽和磁化量が大きい
材料を用いると、静磁気相互作用が大きくなって、低ノ
イズ化が難しいとの問題が生じる。
【0005】このような問題を解決する方法として、膜
面内に異方性を付与することで、材料自体の異方性磁界
の増大を最小限にとどめながら、記録分解能を向上させ
た面内記録媒体を使用する方法が考えられる。
【0006】HDDの磁性層としては、一般にCo合金
が使用される。Co合金磁性層を面内記録層とする場合
に、下地層としてCrなどのBCC構造を用いることは
よく知られているまた、スパッタの斜方入射が薄膜面内
の磁気異方性を誘起することは良く知られており、IEEE
translation journal on magnetics in Japan, Vol.3,
No.6, JUNE 1988;東芝には、斜方製法の下地膜の配向
とCo合金の磁気異方性との関係についてCr(11
0)配向では磁気異方性が付き、Cr(200)配向で
は磁気異方性が付かないことが開示されている。また、
Cr(110)配向では、Crに結晶の面内配向が付与
され、Cr(200)配向では、Crに結晶の面内配向
が付与されないことが開示されている。
【0007】これまで、膜面内に磁気異方性を付与する
ディスクの作製方法としては、NiPメッキを行なった
Al基板にメカニカルな方法でテクスチャーをつけ、こ
の上に、スパッタによって下地膜や磁性膜を形成する方
法が知られている。しかし、記緑密度を高めるために必
要な条件として、ヘッドと媒体の間隔を狭めるすなわち
ヘッドの浮上高を低くする必要がある。従って、表面を
意識的に荒らしたメカニカル・テクスチャーでは、今後
の低浮上化に対応することが困難と予想される。
【0008】メカニカル・テクスチャーを用いないで、
膜面内に異方性を付与するディスクの方法としては、製
膜時に中央に穴の開いたマスクを用いて斜方製法によっ
て下地層、磁性層を形成する方法が特開昭62−825
16号に開示されている。この際、下地膜としてCr
が、磁性膜としてCo−Niが用いられている。しかし
ながら、保磁力は、1400(Oe)程度であり、高記
録密度を達成するためには不十分であった。また、スパ
ッタレートが極端に低下していた。
【0009】また、成膜時にマスクを用いないで、面内
磁気異方性を付与するディスクの方法として、下地層お
よび磁性層の製膜条件を詳細に規定した製造方法が知ら
れている。特開平5−143988号では、下地膜厚、
ターゲット・エロージョン、入射角度、スパッタAr
圧、及び基板温度等の成膜条件を規定することにより、
50%程度の磁性粒子の楕円の長軸が円周方向に向くよ
うに、制御することが記載されているが、下地膜厚が、
50nm以上(1000nm以下)と厚く、粒子の大き
さが大きく、表面性が悪いことが懸念される。さらに、
条件が限られるため実用的ではなかった。この媒体で
は、Crは(110)配向、Coは(101)配向され
ることが開示されている。
【0010】また、ガラスのような鏡面基板を念頭にい
れたものに、特開平7−93739号があり、ここで
は、 表面粗さRaが15オングストロームである鏡面
基板上に、Vまたは、Moからなる下地層の上にCrと
等しい結晶面間隔のBCC構造の下地層を形成し、この
上に(100)配向で、磁化容易軸が円周方向に向いた
Co合金磁性層を形成した媒体が開示されている。しか
し、ここで、得られる保磁力は1500 Oe程度であ
った。また、下地層の膜厚も200〜800nmと厚
く、媒体としての表面性が問題であった。
【0011】上述のように、従来の面内記録媒体では、
下地層も、所望の配向を完全に得られる訳ではなく、下
地層には、配向や粒径、結晶性の不完全さが残ってい
た。このため、下地層上に形成される磁性層にも、同様
に配向や粒径、結晶性が不完全なものとなっていた。以
上のように、従来は、膜面内に十分に異方性を付与でき
ないために、高保磁力を有する磁性層が得られず、耐熱
揺らぎの低下、S/Nの低下、さらには記録密度の低下
につながっていた。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みてなされたもので、本発明の目的は、良好な磁気特
性、表面性、及び熱揺らぎ耐性を有し、高記録密度で低
浮上が可能な磁気記録媒体を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1に、基板
と、該基板上に設けられ、クロムを含有し、面内異方性
を有する第1の下地層と、該第1の下地層上に設けられ
たバナジウムを含有する第2の下地層と、該第2の下地
層上に設けられたコバルト合金磁性層とを具備すること
を特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【0014】本発明は、第2に、基板と、該基板上に設
けられ、該基板に平行に(211)配向面をもち、その
面が膜面内で異方的な配向をもつBCC構造を有する下
地層と、該下地層上に設けられたコバルト合金層とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明者らは、平滑な表面をも
ち、膜面内に磁気的な異方性を有し、保磁力も大きな媒
体で、かつ、熱揺らぎ耐性をより向上させるために、好
適な下地膜の構成と配向性を見いだし、本発明をなすに
至った。
【0016】本発明の第1の観点に係る磁気記録媒体
は、基板上に、下地層及びCo合金層を順に積層した構
成から実質的になり、下地層は、Crを含有し面内異方
性を有する第1の下地層と、Vを含有する第2の下地層
との少なくとも二層からなり、第1の下地層と第2の下
地層、第2の下地層とCo合金層は、各々直接接してい
る。
【0017】面内異方性を有する第1の下地層は、例え
ば斜方製法により形成することができる。好ましくは、
第2の下地層も斜方製法により形成することができる。
これにより、基板に平行な面内に大きな異方性を有する
BCC構造の下地層が得られる。
【0018】また、本発明の第2の観点に係る磁気記録
媒体は、基板、下地層、及びCo合金層が順に積層され
た構成を有し、下地層は、Co合金層に直接接し、基板
に平行に(211)配向面をもち、その面が膜面内で異
方的な配向をもつBCC構造を有する。
【0019】基板に平行に(211)配向面をもち、そ
の面が膜面内で異方的な配向をもつBCC構造を有する
下地層は、例えば斜方製法により形成することができ
る。本発明によれば、面内異方性を有するCr含有下地
層上に、V含有下地層を介してCo合金磁性層を形成す
るか、あるいは基板に平行に(211)配向面をもち、
膜面内に異方的な配向をもつBCC構造の下地層上にC
o磁性合金層を形成することにより、基板面に平行に
(002)配向するコバルト粒子がみられず、磁化容易
軸が媒体の記録再生方向に向くように、Co面内に磁気
異方性を有するCo合金磁性層が得られる。このような
磁性層を有する磁気記録媒体は、表面性良好で、高保磁
力を有し、これにより、改善された耐熱揺らぎ性が得ら
れ、高記録密度を実現し得る。
【0020】下地層は好ましくはバナジウムを含有す
る。下地層を基板に平行に(211)配向させるため
に、下地層と基板との間にさらにプレコート層を設ける
ことができる。プレコート層としては、例えばNiA
l、FeAl、Cr、Cr合金等があげられる。
【0021】このような磁気記録媒体は、1600 O
eより大きい保磁力を有することが好ましい。
【0022】また、本発明によれば、基板にテクスチャ
ーを設ける必要がないので、表面性の良好な磁気記録媒
体が得られる。好ましい表面粗さは2乗平均粗さRaで
1.1nm以下である。
【0023】以下、本発明を図面を参照して詳細に説明
する。
【0024】実施例1−1ないし1−3表面粗さRaが
0.5nmである化学強化アルミノ・ケイ酸ガラスを基
板を各々用意した。下地層を基板外周からのスパッタ粒
子によって膜が形成される斜方製法を用いて形成した。
【0025】図1に、斜方製法方法に使用されるスパッ
タ装置の構成を表す概略図を示す。
【0026】図示するように、この装置は、対向して配
置された中心に開孔を有するディスク基板1と、ディス
ク基板1より大きい径を有するターゲット3と、それら
の間に、ターゲット3と基板1の中心軸と同じ中心軸を
有するように順に配置され、各々その外周が、ターゲッ
ト3と基板1の外周を結ぶ領域の範囲内にある第1の円
盤状マスク5及び第1の円盤状マスク5よりも小さい径
を有する第2の円盤状マスク6、及び2つの円盤状マス
ク5,6の外周に接し、かつその両主面が中心軸に対
し、各々放射状に配置された複数のシールド2とを有す
るマスク本体7とを有している。この装置を用いると、
図示するようにターゲット3から基板1に対し角度θで
斜めに適用される粒子により成膜が行われる。
【0027】この装置を用いて、スパッタパワー140
0W、アルゴン圧0.6Paで、製膜時間8.6秒で、
Crを各々20nm形成し、次に、通常の対向静止方法
で、スパッタパワー1400W、アルゴン圧0.6Pa
で、実施例1−1ないし1−3として、V膜を各々5n
m、10nm、20nmの3種類形成した。
【0028】この上に、記録層として、Co64Pt20
16ターゲットを用いて、酸素を添加したArガス雰囲
気中でCoPtCr合金膜を各10nm形成し、さらに
この上に保護膜として、C膜を各8nm形成し、媒体を
得た。
【0029】図2に、本発明の磁気記録媒体の構造の一
例を表す図を示す。得られた媒体は、図2に示すよう
に、基板10上に、Cr下地層11、V下地層12、C
oPtCr磁性層13、保護層14を順に積層した構造
を有する。
【0030】これらの媒体について、磁気特性、表面
性、及び熱揺らぎ耐性を調べた。その結果を下記表1に
示す。
【0031】比較例1−1ないし1−3として、5、1
0、30nmのCr膜上にV膜なしで、直接CoPtC
r合金膜を形成し、さらに、比較例2−1ないし2−4
としてCr膜なしで通常の対向静止方法でV膜のみを
5、10、20、30nm形成する以外は、実施例と同
様にして各々媒体を作製した。これらの媒体について、
同様にして、磁気特性として、トラック方向保磁力Hc
cir、半径方向保磁力Hc rad、及び保磁力の
異方性Hc cir/ Hc rad、さらに表面性R
a及び熱揺らぎ耐性を調べた。
【0032】媒体の表面はAFMを用いて測定した。
【0033】さらに、熱揺らぎ耐性の比較は、VSMを
用い、一度磁化を飽和させた後、逆方向に一定磁界を印
加し、時間に対する磁化量の変化を測定して行った。こ
のとき、磁化の減衰量が比較例1−1に対して、0.8
割以下の場合を○、0.8ないし1.0割の場合を△、
1.0割を越える場合を×として評価した。
【0034】
【表1】
【0035】上記表1に示すように、実施例1−1ない
し1−3の媒体では、保磁力の異方性(O.R.)が1.2
以上であり、保磁力も2300(Oe)以上の十分な値
が得られた。
【0036】また、熱ゆらぎ耐性は、比較例1−1の場
合、10秒ないし600秒の間の磁化減衰量は2.3%
であったが、実施例1−1ないし1−3の媒体では0.
5ないし0.8割であり、良好であることがわかった。
【0037】また、例えば実施例1−2の媒体の角型比
は、円周方向が0.89、半径方向が0.5であり、残
留磁化量は、円周方向が0.52memu/cm2、半径方
向が0.43memu/cm2であった。これに対して、C
r下地膜のみの場合(比較例1−1ないし1−3)は、
膜厚を5〜30nmまで変化させても、異方性は最大
1.19まで得られるものの、保磁力は1600(O
e)程度であった。また、V膜のみの場合(比較例2−
1ないし2−4)は、異方性は、1.1以下であった。
【0038】また、表1に示すように、実施例1−1な
いし1−3で得られた媒体の表面粗さRaは、0.62
〜0.9nmであり、十分良好な表面性を保っていた。
【0039】また、X線回折により、基板面に平行な結
晶配向性を調べたところ、Cr下地膜の配向は基板面に
平行に(110)配向しているが、Co合金の(00
2)配向が若干見られるのに対して、V下地膜を形成し
たものには、(002)配向が見られず、膜面垂直方向
に磁化容易軸が向いた粒子が少なくなって、面内記録に
適した配向をとっていることがわかった。
【0040】実施例2表面粗さRaが0.5nmである
化学強化アルミノ・ケイ酸ガラスを基板として用い、は
じめに対向静止方法で、スパッタパワー1000W、ア
ルゴン圧0.6Paで、NiAlを40nm形成した。
【0041】この上に、基板外周からのスパッタ粒子に
よって膜が形成される斜方入射方法によって、スパッタ
パワー1400W、アルゴン圧0.6PaでV膜を30
nm形成した。
【0042】この上に記録磁性層として、Co64Pt20
Cr16ターゲットを用いてCoPtCr合金膜を10n
m形成したさらにこの上に保護膜として、C膜を8nm
形成して媒体とした。
【0043】比較例3として、基板外周からのスパッタ
粒子によって膜が形成される斜方入射方法によって、ス
パッタパワー1400W、アルゴン圧0.6PaでV膜
を20nm形成し、この上に、記録層として、Co64
20Cr16ターゲットを用いてCoPtCr合金膜を1
0nm形成した。さらに、この上に保護膜として、C膜
を8nm形成して媒体とした。
【0044】また、比較例4として、対向静止方式でV
膜を20nm形成した後、記録層として、Co64Pt20
Cr16ターゲットを用いてCoPtCr合金膜を10n
m形成した。さらに、この上に保護膜として、C膜を8
nm形成して媒体とした。
【0045】
【表2】
【0046】これらの媒体について、磁気特性、表面
性、熱揺らぎ耐性、及び基板面に平行な結晶配向性と、
基板面に垂直な面の結晶配向異方性をX線回折で調べ
た。
【0047】実施例2の媒体では、基板面に平行な結晶
配向としてV膜の(211)ピークがみられ、比較例
3,4では(110)ピークが見られた。一方、基板面
に垂直な面の結晶配向の異方性については、実施例2と
比較例3のどちらの媒体も円周方向と半径方向で結晶配
向の異方性がみられた。特に、実施例の媒体では(1−
1−1)面が円周方向に強く配向していた。磁気特性の
測定から、実施例2と比較例3の媒体でも、面内で磁気
異方性がついていることがわかった。
【0048】熱揺らぎ耐性については、比較例3の媒体
では、10ないし600秒間の磁化の減衰量が2.1%
であり、比較例1−1の0.9割程度であったが、実施
例2の媒体は、磁化量の変化が、0.5割程度であり、
比較例3と比較すると0.6割程度であり、熱揺らぎに
強いことが確認された。この結果は、下地膜の配向を
(211)配向とし異方性を持たせることで、その上に
成長したCo合金のC軸が膜面内トラック方向にそろう
結果、磁化容易軸が円周方向に対して45度程度傾いて
いる粒子が少なくなっているためと考えられる。
【0049】
【発明の効果】本発明によれば、良好な磁気特性、表面
性、及び熱揺らぎ耐性を有し、高記録密度で低浮上が可
能な磁気記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】斜方製法方法に使用されるスパッタ装置の構成
を表す概略図
【図2】本発明の磁気記録媒体の構造の一例を表す図
【符号の説明】
1…ディスク 2…シールド 3…ターゲット 10…基板 11…Cr下地層 12…V下地層 13…CoPtCr磁性層 14…保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 太 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (72)発明者 及川 壮一 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 Fターム(参考) 5D006 BB01 BB07 CA01 CA05 CA06 DA03 EA03 FA04 FA09

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、該基板上に設けられ、クロムを
    含有し、面内異方性を有する第1の下地層と、該第1の
    下地層上に設けられたバナジウムを含有する第2の下地
    層と、該第2の下地層上に設けられたコバルト合金磁性
    層とを具備することを特徴とする磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】 1600 Oeより大きい保磁力を有す
    ることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 前記コバルト合金磁性層1.1nm以下
    の表面粗さを有することを特徴とする請求項1に記載の
    磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】 前記第1の下地層は、斜方製法により形
    成されることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒
    体。
  5. 【請求項5】 前記第1の下地層は、前記基板に平行に
    (110)配向面をもち、その面が膜面内で異方的な配
    向をもつことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒
    体。
  6. 【請求項6】 基板と、該基板上に設けられ、該基板に
    平行に(211)配向面をもち、その面が膜面内で異方
    的な配向をもつBCC構造を有する下地層と、該下地層
    上に設けられたコバルト合金層とを具備することを特徴
    とする磁気記録媒体。
  7. 【請求項7】 前記BCC構造を有する下地層は、斜方
    製法により形成されることを特徴とする請求項6に記載
    の磁気記録媒体。
  8. 【請求項8】 前記BCC構造を有する下地層は、バナ
    ジウムを含有することを特徴とする請求項6に記載の磁
    気記録媒体。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003073825A (ja) * 2001-08-30 2003-03-12 Anelva Corp 薄膜作成装置
JP2011198455A (ja) * 2010-02-23 2011-10-06 Showa Denko Kk 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置

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