JPH0319618B2 - - Google Patents
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- JPH0319618B2 JPH0319618B2 JP56135703A JP13570381A JPH0319618B2 JP H0319618 B2 JPH0319618 B2 JP H0319618B2 JP 56135703 A JP56135703 A JP 56135703A JP 13570381 A JP13570381 A JP 13570381A JP H0319618 B2 JPH0319618 B2 JP H0319618B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性金属薄膜層を記録層とする磁
気記録媒体の製造方法に関し、特に斜方蒸着の工
業化の問題解決を目指すものである。
気記録媒体の製造方法に関し、特に斜方蒸着の工
業化の問題解決を目指すものである。
磁気記録は高密度化の要求に対して、磁気記録
媒体の抗磁力を大きくすることで対応してきた
が、記録信号のより短波長化が進むに従つて、磁
化されるのは、媒体の表面近くだけになるため、
抗磁力の増大のみでは出力を大きくできず、飽和
磁束密度の大きい材料へと移行がはじまつてい
る。
媒体の抗磁力を大きくすることで対応してきた
が、記録信号のより短波長化が進むに従つて、磁
化されるのは、媒体の表面近くだけになるため、
抗磁力の増大のみでは出力を大きくできず、飽和
磁束密度の大きい材料へと移行がはじまつてい
る。
そのひとつは従来の塗布形の延長上で、バイン
ダ等の非磁性材料で稀釈されるものの、本質的に
飽和磁束密度の大きい、鉄系の強磁性金属又は合
金の微粒子を酸化鉄の代わりに用いるもので、も
う一方はバインダを用いない、強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする媒体で、このタイプは薄膜形成
を真空蒸着で行うことから、蒸着テープの名で一
部実用に供されるに至つている。
ダ等の非磁性材料で稀釈されるものの、本質的に
飽和磁束密度の大きい、鉄系の強磁性金属又は合
金の微粒子を酸化鉄の代わりに用いるもので、も
う一方はバインダを用いない、強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする媒体で、このタイプは薄膜形成
を真空蒸着で行うことから、蒸着テープの名で一
部実用に供されるに至つている。
蒸着テープは、まだ歴史も浅く、工業規模での
改良すべき課題がいくつか残つている。
改良すべき課題がいくつか残つている。
そのひとつは、抗磁力の制御で、特に大きい抗
磁力を安定に制御する技術開発は重要なテーマで
ある。
磁力を安定に制御する技術開発は重要なテーマで
ある。
蒸着で安定に抗磁力を制御できる可能性のある
のは、特公昭41−19389号公報に開示されている、
いわゆる斜方蒸着である。
のは、特公昭41−19389号公報に開示されている、
いわゆる斜方蒸着である。
しかし、この技術の難点は蒸着効率が低いこと
と、大きな抗磁力領域では、入射角のわずかな変
化に依存して抗磁力の変化が大きい点で、蒸着効
率の向上と、入射角の変化を抑制できる蒸着技術
の開発が必要になつてくる。
と、大きな抗磁力領域では、入射角のわずかな変
化に依存して抗磁力の変化が大きい点で、蒸着効
率の向上と、入射角の変化を抑制できる蒸着技術
の開発が必要になつてくる。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、以下
に図面を用いてその実施例を説明する。
に図面を用いてその実施例を説明する。
図は本発明の実施例において用いる製造装置を
示す。図に示したのは、二室構成の捲き取り蒸着
機であるが、本発明の以下に述べる要件を満足す
る種々の変形は必要に応じて採用できるのは勿論
である。
示す。図に示したのは、二室構成の捲き取り蒸着
機であるが、本発明の以下に述べる要件を満足す
る種々の変形は必要に応じて採用できるのは勿論
である。
なお図においては、回転キヤンが２組の場合を
示したが、３ケ以上になつても考え方は同じであ
る。
示したが、３ケ以上になつても考え方は同じであ
る。
図に示すように、真空槽７の内部に第１、第２
の回転キヤン５と６が配設され蒸発源と対向す
る。蒸発源は容器４と蒸発材料３とで模式的に示
した。蒸発源の加熱は、電子ビーム衝撃、ジユー
ル熱、誘導加熱公知のいずれによるものであつて
も良い。
の回転キヤン５と６が配設され蒸発源と対向す
る。蒸発源は容器４と蒸発材料３とで模式的に示
した。蒸発源の加熱は、電子ビーム衝撃、ジユー
ル熱、誘導加熱公知のいずれによるものであつて
も良い。
第１、第２回転キヤン５，６はそれぞれ基板
１，２の冷却用支持体で、これによらずに、例え
ばSUS304の薄板で構成したエンドレスベルトで
キヤンを代用することも可能で形成の範囲であ
る。
１，２の冷却用支持体で、これによらずに、例え
ばSUS304の薄板で構成したエンドレスベルトで
キヤンを代用することも可能で形成の範囲であ
る。
基板１は第１回転キヤン５に沿つて送り出し軸
１２より捲き取り軸１３へ移動する。捲き取り系
に必要なフリーローラー、エキスパンダローラ等
は適宜構成要素とするのは当然であるが図では略
してある。キヤンの回転方向は矢印Ａの向きであ
る。
１２より捲き取り軸１３へ移動する。捲き取り系
に必要なフリーローラー、エキスパンダローラ等
は適宜構成要素とするのは当然であるが図では略
してある。キヤンの回転方向は矢印Ａの向きであ
る。
第２回転キヤン６に沿つて、基板２も同様に、
送り出し軸１４から捲き取り軸１５へ移動するよ
う構成される。第１キヤン、第２キヤンの直径の
選択、相対的位置関係の選択は実施例にて詳述す
るように使いわけられるべきで限定されるもので
はない。
送り出し軸１４から捲き取り軸１５へ移動するよ
う構成される。第１キヤン、第２キヤンの直径の
選択、相対的位置関係の選択は実施例にて詳述す
るように使いわけられるべきで限定されるもので
はない。
ただし、第１の回転キヤン５に沿つて移動する
基板１への斜方蒸着のマスキング（入射角θ1を決
定する）が、第２の回転キヤン６に沿つて移動す
る基板２への蒸着で行われるよう配設されるのは
重要である。第２のキヤンで基板上にいかなる目
的の磁性層を形成するかにもよるが、第２のキヤ
ンに沿つて移動する基板２への蒸着には別のマス
クを配すことも必要に応じてなされる。
基板１への斜方蒸着のマスキング（入射角θ1を決
定する）が、第２の回転キヤン６に沿つて移動す
る基板２への蒸着で行われるよう配設されるのは
重要である。第２のキヤンで基板上にいかなる目
的の磁性層を形成するかにもよるが、第２のキヤ
ンに沿つて移動する基板２への蒸着には別のマス
クを配すことも必要に応じてなされる。
１７は仕切板を示すが、これにより蒸着室８と
捲き取り室９の空間が分りされ、それぞれ独立の
排気系１０，１１により所定に真空度に保持され
るよう構成される。
捲き取り室９の空間が分りされ、それぞれ独立の
排気系１０，１１により所定に真空度に保持され
るよう構成される。
次により具体的に本発明の実施例を説明する。
なお以下の実施例１〜実施例３における共通な
条件は次の通りである。
条件は次の通りである。
第１キヤン直径1m、入射角θ1＝35゜
第２キヤン直径50cm、入射角θ1＝30゜
第１キヤンと第２キヤンの中心間距離1 2＝
1m 実施例 １ Co100％をポリエチレンテレフタレート9.5μm
上に0.13μmの膜厚に制御し蒸着した。蒸着長さ
は第１キヤン2.000m、第２キヤン3.300m（フイル
ム幅は50cm）である。雰囲気として酸素を蒸着室
に導入し、2.5×10-5Torrに制御した。
1m 実施例 １ Co100％をポリエチレンテレフタレート9.5μm
上に0.13μmの膜厚に制御し蒸着した。蒸着長さ
は第１キヤン2.000m、第２キヤン3.300m（フイル
ム幅は50cm）である。雰囲気として酸素を蒸着室
に導入し、2.5×10-5Torrに制御した。
第１キヤン側での磁性層の特性は、抗磁力
750Oe、角形比0.91で2.000mの範囲で±５％以内
であつた。
750Oe、角形比0.91で2.000mの範囲で±５％以内
であつた。
第２キヤン側で得られた磁性層の特性は抗磁力
695Oe、多角比0.89で、1500mあたりから同一膜
厚を保持するために基板の送り速度を漸減しなけ
ればならなつた。これはマスク１６に付着した
Coにより入射角θ2の変化が起つたためである。
695Oe、多角比0.89で、1500mあたりから同一膜
厚を保持するために基板の送り速度を漸減しなけ
ればならなつた。これはマスク１６に付着した
Coにより入射角θ2の変化が起つたためである。
3300m時点では抗磁力740Oe、角形比0.84と変
化していたが充分実用可能である。
化していたが充分実用可能である。
実施例 ２
Co80％Ni15％Cr5％をポリエチレンテレフタ
レート11.5μm上に、第１キヤン５で0.1μm、第２
キヤンで0.2μmの厚さにそれぞれ蒸着した。その
時真空度は1.3×10-5Torrであつた。
レート11.5μm上に、第１キヤン５で0.1μm、第２
キヤンで0.2μmの厚さにそれぞれ蒸着した。その
時真空度は1.3×10-5Torrであつた。
蒸着長さはそれぞれ2500mで、その範囲では第
１キヤン５側は抗磁力600Oe、角形比0.99、第２
キヤン６側は抗磁力490Oe、角形比0.97〜520Oe、
角形比0.98であつた。
１キヤン５側は抗磁力600Oe、角形比0.99、第２
キヤン６側は抗磁力490Oe、角形比0.97〜520Oe、
角形比0.98であつた。
実施例 ３
Co90％Cr10％ポリアミドフイルム7.5μm上に
0.3μm、0.4μmの厚さにそれぞれ形成した。
0.3μm、0.4μmの厚さにそれぞれ形成した。
真空度は９×10-6Torrで、蒸着長1000mの範
囲で、第１キヤン５側は抗磁力770Oe、角形比１
０、第２キヤン６側は抗磁力600〜660Oe、角形
比1.0であつた。
囲で、第１キヤン５側は抗磁力770Oe、角形比１
０、第２キヤン６側は抗磁力600〜660Oe、角形
比1.0であつた。
実施例 ４
第１、第２キヤンの中心間距離1 2＝90cm、
入射角θ1＝60゜とし（φm）、φ500mmのキヤンでは、
マスクなしでCo80％Ni20％をポリエチレンテレ
フタレート11.5μmの厚さに形成した。第１の基
板送り速度は20m／minに対し第２の基板送り速
度は70m／minであつた。
入射角θ1＝60゜とし（φm）、φ500mmのキヤンでは、
マスクなしでCo80％Ni20％をポリエチレンテレ
フタレート11.5μmの厚さに形成した。第１の基
板送り速度は20m／minに対し第２の基板送り速
度は70m／minであつた。
それぞれの磁気特性は、酸素を導入しない場合
（1.3×10-5Torr）、抗磁力690Oe、角形比0.91、抗
磁力450Oe、角形比0.89であつた。酸素を0.1／
min導入して2.8×10-5Torrの圧力下で、蒸着し
た場合それぞれ抗磁力1090Oe、角形比0.84、抗
磁力590Oe、角形比0.85で、この例では、4000m
までの範囲で、測定誤差（±２％）内で一定に保
持できた。
（1.3×10-5Torr）、抗磁力690Oe、角形比0.91、抗
磁力450Oe、角形比0.89であつた。酸素を0.1／
min導入して2.8×10-5Torrの圧力下で、蒸着し
た場合それぞれ抗磁力1090Oe、角形比0.84、抗
磁力590Oe、角形比0.85で、この例では、4000m
までの範囲で、測定誤差（±２％）内で一定に保
持できた。
これまでの実施例では第１キヤン、第２キヤン
に沿つて移動させた基板に蒸着しそれぞれを媒体
として用いることを前提としたが、Co系の材料
を回収するために、第２キヤン（または、第３キ
ヤン、第４キヤンを必要に応じて設けても可）を
利用することも出来る。
に沿つて移動させた基板に蒸着しそれぞれを媒体
として用いることを前提としたが、Co系の材料
を回収するために、第２キヤン（または、第３キ
ヤン、第４キヤンを必要に応じて設けても可）を
利用することも出来る。
いずれにしても、さらに入射角が70゜以上に設
定された場合、第２のキヤンによるマスク作用を
利用しない場合に抗磁力が1000m長あたり20％程
度から40％程変化するのを容易におさえることが
本発明では達成されるとともに、抗磁力の大きさ
を異にした媒体を一つの蒸発源で効果的にうるこ
ともでき、例えば第１キヤン面内に異方性を有す
るCo−Cr膜、第２キヤンで、垂直方向に異方性
を有するCo−Cr膜を得る等各種の組み合せが可
能である。
定された場合、第２のキヤンによるマスク作用を
利用しない場合に抗磁力が1000m長あたり20％程
度から40％程変化するのを容易におさえることが
本発明では達成されるとともに、抗磁力の大きさ
を異にした媒体を一つの蒸発源で効果的にうるこ
ともでき、例えば第１キヤン面内に異方性を有す
るCo−Cr膜、第２キヤンで、垂直方向に異方性
を有するCo−Cr膜を得る等各種の組み合せが可
能である。
本発明は以上のように磁気記録媒体製造時にお
ける抗磁力のばらつきを押えかつ蒸着効率を高め
るものであり、さらには、一つの蒸発で磁性層の
種類がそれぞれ異なる複数個の基板をも同時に形
成することができるなどその応用範囲は広く、実
用上の価値が大である。
ける抗磁力のばらつきを押えかつ蒸着効率を高め
るものであり、さらには、一つの蒸発で磁性層の
種類がそれぞれ異なる複数個の基板をも同時に形
成することができるなどその応用範囲は広く、実
用上の価値が大である。
図は本発明の実施例において製造装置を示す図
である。 １，２……基板、３……蒸発材料、５，６……
回転キヤン、７……真空槽、８……蒸着室、９…
…捲き取り室、１２，１４……送り出し軸、１
３，１５……捲き取り軸、１７……仕切板。
である。 １，２……基板、３……蒸発材料、５，６……
回転キヤン、７……真空槽、８……蒸着室、９…
…捲き取り室、１２，１４……送り出し軸、１
３，１５……捲き取り軸、１７……仕切板。
Claims (1)
- １ 第１の冷却支持体に沿つて移動する第１の高
分子成形物基板上に強磁性材料を蒸着するに際
し、前記第１の高分子成形物基板上への前記強磁
性材料の蒸気の入射角規制のマスキングを第２の
冷却支持体に沿つて移動する第２の高分子成形物
基板にて行うことを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13570381A JPS5837842A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13570381A JPS5837842A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837842A JPS5837842A (ja) | 1983-03-05 |
| JPH0319618B2 true JPH0319618B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=15157911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13570381A Granted JPS5837842A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837842A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1445613B1 (en) | 2001-05-21 | 2010-07-07 | FUJIFILM Corporation | Biochemical analysis unit and method for its production |
| JP5204384B2 (ja) | 2006-05-19 | 2013-06-05 | 富士フイルム株式会社 | 結晶性ポリマー微孔性膜とその製造方法、および濾過用フィルター |
| JP5220369B2 (ja) | 2007-09-04 | 2013-06-26 | 富士フイルム株式会社 | 結晶性ポリマー微孔性膜及びその製造方法、並びに濾過用フィルタ |
| JP4863970B2 (ja) | 2007-11-16 | 2012-01-25 | 富士フイルム株式会社 | 結晶性ポリマー微孔性膜及びその製造方法、並びに濾過用フィルタ |
| JP5220698B2 (ja) | 2009-07-06 | 2013-06-26 | 富士フイルム株式会社 | 結晶性ポリマー微孔性膜及びその製造方法、並びに濾過用フィルタ |
| JP5470140B2 (ja) | 2010-03-31 | 2014-04-16 | 富士フイルム株式会社 | 結晶性ポリマー微孔性膜及び濾過用フィルター |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165932A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-19 | Tdk Corp | Production of magnetic recording medium |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13570381A patent/JPS5837842A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165932A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-19 | Tdk Corp | Production of magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5837842A (ja) | 1983-03-05 |
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