JPS608305B2 - 真空蒸着法 - Google Patents
真空蒸着法Info
- Publication number
- JPS608305B2 JPS608305B2 JP16010379A JP16010379A JPS608305B2 JP S608305 B2 JPS608305 B2 JP S608305B2 JP 16010379 A JP16010379 A JP 16010379A JP 16010379 A JP16010379 A JP 16010379A JP S608305 B2 JPS608305 B2 JP S608305B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- tape
- vacuum
- cans
- cylindrical
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、移動する高分子成形物などの可操性テープ状
基体に磁性膜などを真空蒸着して磁気記録体などを製造
するための真空蒸着法に関する。
基体に磁性膜などを真空蒸着して磁気記録体などを製造
するための真空蒸着法に関する。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性基体上にｙ−Ｆ
ｅ２０３、Ｃｏをドープしたｙ一Ｆｅ２０３、Ｆｅ３０
４、ＣｏをドープしたＦｅ３０４、ｙ一Ｆｅ２０３とＦ
ｅ３０４のベルトラィド化合物、Ｃｏをドープしたベル
トラィド化合物、Ｃの２等の酸化物磁性粉末あるいはＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｊ等を主成分とする合金磁性紛末等の粉末
磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、スチレンーブタジェン共重合体、ェポキシ樹脂
、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめ
、塗布、乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきて
いる。近年高密度磁気記録への要求の高まりと共に、真
空葵着，スパッタリング，イオンプレーテング等の方法
により形成される強磁性金属薄膜はバインダーを使用し
ない、いわゆる非バインダー型の磁気記録媒体として注
目を浴びており実用化への努力が種々行なわれている。
これらの中でも磁性金属の蒸発ビームを基体表面に対し
斜めに入射させて黍着する斜方入射真空蒸着法は、工程
、装置、機構も比較的簡単であると同時に、良好な磁気
特性の膜が得られるため実用化上すぐれている。従釆の
斜方入射真空葵着法では直線状にあるいはシリンダー状
キャンの周面に沿って曲線状に移動するテープ状基体上
に１個の蒸発源からはただ１度のみ所定の入射角あるい
は入射角範囲で強磁性体物質等が蒸着されるが、基体面
が蒸発源に対して斜めに位置している為に、基板面が蒸
発入射ビームに対して直角（入射角零に相当）の場合と
比較して入射角の余弦（ｃｏｓｉｎｅ）倍の蒸着膜厚と
なり、入射角が大となるに従って蒸着効率は著しく劣っ
てくる。
ｅ２０３、Ｃｏをドープしたｙ一Ｆｅ２０３、Ｆｅ３０
４、ＣｏをドープしたＦｅ３０４、ｙ一Ｆｅ２０３とＦ
ｅ３０４のベルトラィド化合物、Ｃｏをドープしたベル
トラィド化合物、Ｃの２等の酸化物磁性粉末あるいはＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｊ等を主成分とする合金磁性紛末等の粉末
磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、スチレンーブタジェン共重合体、ェポキシ樹脂
、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめ
、塗布、乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきて
いる。近年高密度磁気記録への要求の高まりと共に、真
空葵着，スパッタリング，イオンプレーテング等の方法
により形成される強磁性金属薄膜はバインダーを使用し
ない、いわゆる非バインダー型の磁気記録媒体として注
目を浴びており実用化への努力が種々行なわれている。
これらの中でも磁性金属の蒸発ビームを基体表面に対し
斜めに入射させて黍着する斜方入射真空蒸着法は、工程
、装置、機構も比較的簡単であると同時に、良好な磁気
特性の膜が得られるため実用化上すぐれている。従釆の
斜方入射真空葵着法では直線状にあるいはシリンダー状
キャンの周面に沿って曲線状に移動するテープ状基体上
に１個の蒸発源からはただ１度のみ所定の入射角あるい
は入射角範囲で強磁性体物質等が蒸着されるが、基体面
が蒸発源に対して斜めに位置している為に、基板面が蒸
発入射ビームに対して直角（入射角零に相当）の場合と
比較して入射角の余弦（ｃｏｓｉｎｅ）倍の蒸着膜厚と
なり、入射角が大となるに従って蒸着効率は著しく劣っ
てくる。
その上テープ状基体と蒸発源の幾何学的配置の関係から
入射角が大となるに従って基体面と蒸発源の距離が大き
くならざるを得ず、これも蒸着効率低下の原因となって
いた。本発明の目的は、従来の方法よりも蒸着効率を高
め実用上すぐれた斜方入射真空蒸着法を提供することに
ある。
入射角が大となるに従って基体面と蒸発源の距離が大き
くならざるを得ず、これも蒸着効率低下の原因となって
いた。本発明の目的は、従来の方法よりも蒸着効率を高
め実用上すぐれた斜方入射真空蒸着法を提供することに
ある。
すなわち本発明は、真空雰囲気内でシリンダー状キャン
の周面に沿って移動するテープ状基体に真空蒸着を行な
う方法において、少なくとも２個のシリンダー状キャン
を接するように隣接せしめ、該シリンダー状キャンを互
いに逆方向に回転させつつキャン間の接触部を通してテ
ープ状基体を移動させ、該接触部下方に配置された蒸発
源より該テープ状基体に斜方入射蒸着を行なう事を特徴
とする真空蒸着法である。第１図は、本発明による真空
黍着法の実施態様示したものである。
の周面に沿って移動するテープ状基体に真空蒸着を行な
う方法において、少なくとも２個のシリンダー状キャン
を接するように隣接せしめ、該シリンダー状キャンを互
いに逆方向に回転させつつキャン間の接触部を通してテ
ープ状基体を移動させ、該接触部下方に配置された蒸発
源より該テープ状基体に斜方入射蒸着を行なう事を特徴
とする真空蒸着法である。第１図は、本発明による真空
黍着法の実施態様示したものである。
真空室の内部は比較的低真空の上室１と高真空の下室２
に分離されていてそれぞれ独立に真空排気される。上室
１には必要に応じて可榛性テープ状基体３，３′の送出
し、巻取りロール，ダンサーローフー，エキスパンダー
ローラー等（図示されていない）が配設され、シリンダ
ー状キャン４，５と仕切り板１６とで必要な菱圧状態を
維持するようになっている。可榛性テープ状基体３，３
′は下室２でそれぞれキャン４，５の回転によりキヤン
面に沿って移動するようになっている。シリンダー状キ
ヤン４とシリンダー状キャン５とが７で接していて、キ
ャン４に沿って可操性テープ状基体３が上から下へ移動
し、キャン５に沿って可操性テープ状基体３′が上から
下へと移動する。シリンダー状キヤン４，５は接触部７
での周速が同一であるように互いに逆方向に回転せしめ
られる。シリンダー状キャン４，５の接触部７の下方に
は蒸発源９が配談されており、キャン４，５に沿って移
動する可榛性テープ状基体３，３′上にマスク１０，１
１を介して斜方入射蒸着が行なわれる。本発明によれば
蒸発源９からの蒸発ビームがキャン４に沿って移動する
可操性テープ状基体３およびキャン５に沿って移動する
可凝性テープ状基体３の両方に蒸着されるために効率が
良い。
に分離されていてそれぞれ独立に真空排気される。上室
１には必要に応じて可榛性テープ状基体３，３′の送出
し、巻取りロール，ダンサーローフー，エキスパンダー
ローラー等（図示されていない）が配設され、シリンダ
ー状キャン４，５と仕切り板１６とで必要な菱圧状態を
維持するようになっている。可榛性テープ状基体３，３
′は下室２でそれぞれキャン４，５の回転によりキヤン
面に沿って移動するようになっている。シリンダー状キ
ヤン４とシリンダー状キャン５とが７で接していて、キ
ャン４に沿って可操性テープ状基体３が上から下へ移動
し、キャン５に沿って可操性テープ状基体３′が上から
下へと移動する。シリンダー状キヤン４，５は接触部７
での周速が同一であるように互いに逆方向に回転せしめ
られる。シリンダー状キャン４，５の接触部７の下方に
は蒸発源９が配談されており、キャン４，５に沿って移
動する可榛性テープ状基体３，３′上にマスク１０，１
１を介して斜方入射蒸着が行なわれる。本発明によれば
蒸発源９からの蒸発ビームがキャン４に沿って移動する
可操性テープ状基体３およびキャン５に沿って移動する
可凝性テープ状基体３の両方に蒸着されるために効率が
良い。
蒸発源９からの膜厚分布はＣＯＳｎ分布を示すが、電子
ビーム加熱によって磁性金属材料等を蒸発させる場合に
はｎは２〜３の値で、蒸発源上方に、より多くの蒸発ビ
ームが放出される。本発明によれば蒸発源９の上方に放
出される蒸発ビームを有効に利用できるもので実用化上
も大きな利点を有する。本発明の真空蒸着法によって磁
気記録媒体を製造する場合、磁性薄膜を形成させるため
の強磁性金属としてはＦ８，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属あるい
はＦｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｎｉ，Ｆｅ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃ。
ビーム加熱によって磁性金属材料等を蒸発させる場合に
はｎは２〜３の値で、蒸発源上方に、より多くの蒸発ビ
ームが放出される。本発明によれば蒸発源９の上方に放
出される蒸発ビームを有効に利用できるもので実用化上
も大きな利点を有する。本発明の真空蒸着法によって磁
気記録媒体を製造する場合、磁性薄膜を形成させるため
の強磁性金属としてはＦ８，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属あるい
はＦｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｎｉ，Ｆｅ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃ。
山Ｃｕ，ＣＯｌＡｕ，Ｃ。−Ｙ，Ｃ。−Ｌａ，Ｃｏ−Ｐ
ｒ，Ｃｏ−Ｇｄ，Ｃｏ−Ｓｍ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｎｉ−Ｃｕ
，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｊ−Ｃｒ等のような強磁性合金が用いられる。磁性
膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出力を与え得る
厚さおよび高密度記録の充分行なえる薄さを必要とする
ことから一般には０．０５山ｍから１．０仏ｍ、好まし
くは０．１仏ｍから０．４４ｍである。可榛性基体とし
てはポリエチレンテレフタレート，ポリィミド，ポリア
ミド，ポリ塩化ビニル，三酢酸セルロース，ポリカーボ
ネート，ポリエチレンナフタレートのようなプラスチッ
クベース、あるいはＮ，ＡＩ合金、Ｔｉ，Ｔｉ合金、ス
テンレス鋼のような金属帯が用いられる。蒸発源加熱方
法としては抵抗加熱法，高周波加熱法，電子ビーム加熱
法，レーザービーム加熱法等いずれの方法も用いうる。
蒸発物質の供給方法として線状材料を加熱源に送り出す
方法も使用できる。第２図は、本発明による真空蒸着法
の別の実施態様を示したものであり。
ｒ，Ｃｏ−Ｇｄ，Ｃｏ−Ｓｍ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｎｉ−Ｃｕ
，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｊ−Ｃｒ等のような強磁性合金が用いられる。磁性
膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出力を与え得る
厚さおよび高密度記録の充分行なえる薄さを必要とする
ことから一般には０．０５山ｍから１．０仏ｍ、好まし
くは０．１仏ｍから０．４４ｍである。可榛性基体とし
てはポリエチレンテレフタレート，ポリィミド，ポリア
ミド，ポリ塩化ビニル，三酢酸セルロース，ポリカーボ
ネート，ポリエチレンナフタレートのようなプラスチッ
クベース、あるいはＮ，ＡＩ合金、Ｔｉ，Ｔｉ合金、ス
テンレス鋼のような金属帯が用いられる。蒸発源加熱方
法としては抵抗加熱法，高周波加熱法，電子ビーム加熱
法，レーザービーム加熱法等いずれの方法も用いうる。
蒸発物質の供給方法として線状材料を加熱源に送り出す
方法も使用できる。第２図は、本発明による真空蒸着法
の別の実施態様を示したものであり。
真空容器２１の内部は比較的低真空の巻取室２２と高真
空の蒸着室２３とに分離されていてそれぞれ真空排気孔
２４，２５によって独立に真空排気される。巻取室２２
には可蟻性テープ状基体４１，４１′の送出しロール２
６，２６′、巻取ロール２７，２７′等が配設され、シ
リンダー状キャン２８，２９，３０と仕切り壁３１によ
って必要な差圧状態を維持するようになっている。可榛
性テープ状基体４１，４１′は蒸着室２３においては互
いに逆方向に回転するキャン２８，２９，３０の周面に
沿って移動する。可操性テープ状基体４１は、送出しロ
ール２６からシリンダー状キャン２９を経て巻取りロー
ル２７に移送される。一方可榛性テープ状基体４１′は
、送出しロール２６′からシリンダー状キャン３０、案
内ローラー３２，３３、シリンダー状キャン２８を経て
巻取りロール２７′に移送される。
空の蒸着室２３とに分離されていてそれぞれ真空排気孔
２４，２５によって独立に真空排気される。巻取室２２
には可蟻性テープ状基体４１，４１′の送出しロール２
６，２６′、巻取ロール２７，２７′等が配設され、シ
リンダー状キャン２８，２９，３０と仕切り壁３１によ
って必要な差圧状態を維持するようになっている。可榛
性テープ状基体４１，４１′は蒸着室２３においては互
いに逆方向に回転するキャン２８，２９，３０の周面に
沿って移動する。可操性テープ状基体４１は、送出しロ
ール２６からシリンダー状キャン２９を経て巻取りロー
ル２７に移送される。一方可榛性テープ状基体４１′は
、送出しロール２６′からシリンダー状キャン３０、案
内ローラー３２，３３、シリンダー状キャン２８を経て
巻取りロール２７′に移送される。
キヤン２８と２９、およびキヤン２９と３０はそれぞれ
３４，３５で接しており、接触部３４では可擬性テープ
状基体４１，４１′がそれぞれキャン２９，２８に沿っ
て下から上へ移動し、接触部３５では可携性テープ状基
体４１，４１′がそれぞれキャン２９，３川こ沿って上
から下へ移動する。シリンダー状キャン２８，２９，３
０の接触部３４，３５の下方にはそれぞれ蒸発源３６，
３７が配設されており、キャン２８，２９，３川こ沿っ
て移動する可榛性テープ状基体４１，４１′にマスク３
８，３９，４０を介して斜方入射蒸着が行なわれる。斜
方入射蒸着による磁気記録媒体の製造の際基体面の法線
に関して対称な方向から交互に斜方入射蒸着を行なうこ
とが有効であることが見出されている（椿関昭５２−１
２９，４０短参照）が本実施例によれば蒸着効率良く実
施する事ができる。以上のように本発明の真空蒸着法に
よれば、従来の方法よりも葵着効率よく斜方入射蒸着が
行なえ、例えば蒸着型磁気記録媒体を製造する上でその
産業性は大なるものである。
３４，３５で接しており、接触部３４では可擬性テープ
状基体４１，４１′がそれぞれキャン２９，２８に沿っ
て下から上へ移動し、接触部３５では可携性テープ状基
体４１，４１′がそれぞれキャン２９，３川こ沿って上
から下へ移動する。シリンダー状キャン２８，２９，３
０の接触部３４，３５の下方にはそれぞれ蒸発源３６，
３７が配設されており、キャン２８，２９，３川こ沿っ
て移動する可榛性テープ状基体４１，４１′にマスク３
８，３９，４０を介して斜方入射蒸着が行なわれる。斜
方入射蒸着による磁気記録媒体の製造の際基体面の法線
に関して対称な方向から交互に斜方入射蒸着を行なうこ
とが有効であることが見出されている（椿関昭５２−１
２９，４０短参照）が本実施例によれば蒸着効率良く実
施する事ができる。以上のように本発明の真空蒸着法に
よれば、従来の方法よりも葵着効率よく斜方入射蒸着が
行なえ、例えば蒸着型磁気記録媒体を製造する上でその
産業性は大なるものである。
第１図及び第２図は本発明による真空蒸着法の実施態様
を示す略図である。 ４，５，２８，２９，３０……キヤン、３，３′，４，
４′・・・・・・テープ状基体、７，３４，３５・・・
・・・接触部。 第１図 第２図
を示す略図である。 ４，５，２８，２９，３０……キヤン、３，３′，４，
４′・・・・・・テープ状基体、７，３４，３５・・・
・・・接触部。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 真空雰囲気内でシリンダー状キヤンの周面に沿つて
移動するテープ状基体に真空蒸着を行なう方法において
、少なくとも２個のシリンダー状キヤンを接するように
隣接せしめ、該シリンダー状キヤンを互いに逆方向に回
転させつつキヤン間の接触部を通してテープ状基体を移
動させ、該接触部下方に配置された蒸発源より該テープ
状基体に斜方入射蒸着を行なう事を特徴とする真空蒸着
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16010379A JPS608305B2 (ja) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | 真空蒸着法 |
| DE19803046564 DE3046564A1 (de) | 1979-12-10 | 1980-12-10 | "verfahren und vorrichtung zur vakuum-bedampfung" |
| US06/443,996 US4403002A (en) | 1979-12-10 | 1982-11-23 | Vacuum evaporating apparatus |
| US06/498,441 US4454836A (en) | 1979-12-10 | 1983-05-26 | Vacuum evaporating apparatus utilizing multiple rotatable cans |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16010379A JPS608305B2 (ja) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | 真空蒸着法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5684471A JPS5684471A (en) | 1981-07-09 |
| JPS608305B2 true JPS608305B2 (ja) | 1985-03-01 |
Family
ID=15707907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16010379A Expired JPS608305B2 (ja) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | 真空蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608305B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01219234A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-09-01 | Natl House Ind Co Ltd | アンカーボルトユニット |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58116241A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-11 | Hashimoto Forming Co Ltd | モ−ルデイング緩衝材取付方法 |
-
1979
- 1979-12-10 JP JP16010379A patent/JPS608305B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01219234A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-09-01 | Natl House Ind Co Ltd | アンカーボルトユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5684471A (en) | 1981-07-09 |
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