JPS61258333A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS61258333A JPS61258333A JP10107985A JP10107985A JPS61258333A JP S61258333 A JPS61258333 A JP S61258333A JP 10107985 A JP10107985 A JP 10107985A JP 10107985 A JP10107985 A JP 10107985A JP S61258333 A JPS61258333 A JP S61258333A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強磁性金属薄膜を磁気記録層として備えてなる
磁気記録媒体の製造方法に関し、特に低湿度環境下での
走行性および繰返し走行での出力低下にすぐれる金属薄
膜型磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
磁気記録媒体の製造方法に関し、特に低湿度環境下での
走行性および繰返し走行での出力低下にすぐれる金属薄
膜型磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ
Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏをドープしたｒ −Ｆ ｅ ２０３
、Ｆｅ３Ｏ４，Ｃ□をドープしたＦｅ３Ｏ４、ｒ Ｆ
ｅ２Ｏ３とＦ ｅ ３０４ のベルトライド化合物、
ＣｒＯ２等の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等を粉末
磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン
−ブタジェン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂等の有機バインダー中に分散せしめたものを塗布し乾
燥させる塗布型のものが広く使用されてきている。近年
高密度記録への要求の高まりと共に真空蒸着、スパッタ
リング、イオンブレーティング等のイーノーデポジショ
ン法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ法に
より形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層とする、バ
インダーを使用しない、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒
体が注目を浴びており実用化への努力が種々行なわれて
いる。
Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏをドープしたｒ −Ｆ ｅ ２０３
、Ｆｅ３Ｏ４，Ｃ□をドープしたＦｅ３Ｏ４、ｒ Ｆ
ｅ２Ｏ３とＦ ｅ ３０４ のベルトライド化合物、
ＣｒＯ２等の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等を粉末
磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン
−ブタジェン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂等の有機バインダー中に分散せしめたものを塗布し乾
燥させる塗布型のものが広く使用されてきている。近年
高密度記録への要求の高まりと共に真空蒸着、スパッタ
リング、イオンブレーティング等のイーノーデポジショ
ン法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ法に
より形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層とする、バ
インダーを使用しない、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒
体が注目を浴びており実用化への努力が種々行なわれて
いる。
従来の塗布型の磁気記録媒体では主とし【強磁性金属よ
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
てい・るため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の
低下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程
も複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大きな附
帯設備な要するという欠点を有している。金属薄膜型の
磁気記録媒体では上記酸化物より大きな飽和磁化を有す
る強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含有しな
い状態で薄膜として形成せしめるため、高密度記録化の
ために薄形化できるという利点を有し、またその製造工
程が簡略化される。
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
てい・るため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の
低下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程
も複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大きな附
帯設備な要するという欠点を有している。金属薄膜型の
磁気記録媒体では上記酸化物より大きな飽和磁化を有す
る強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含有しな
い状態で薄膜として形成せしめるため、高密度記録化の
ために薄形化できるという利点を有し、またその製造工
程が簡略化される。
高密度記録用の磁気記録媒体に要求される条件の一つと
して、高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されており、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁以上の薄
形化が容易で、飽和磁束密度も大きい金属薄膜型磁気記
録媒体への期待は大きい。
して、高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されており、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁以上の薄
形化が容易で、飽和磁束密度も大きい金属薄膜型磁気記
録媒体への期待は大きい。
金属薄ＩＩ型磁気記碌媒体の製造において、特に真空蒸
着による方法はメッキの場合のような排液処理を必要と
せず製造工程も簡単で、膜の析出速度も太き（できるた
め非常にメリットが大きい。
着による方法はメッキの場合のような排液処理を必要と
せず製造工程も簡単で、膜の析出速度も太き（できるた
め非常にメリットが大きい。
真空蒸着により、望ましい抗磁力および角型性を有する
磁性膜を製造する方法としては、米国特許３３≠２６３
２号、同ＪＪｔＡ２ｔＪＪ号等に述べられている斜め蒸
着法が知られている。さらに近年従来の長手力向記碌用
に代って例えば米国特許ＩＡ、≠７７、弘ｔｒ号に開示
されているような垂直方向記録用金属薄膜型磁気記録媒
体も提案されている。
磁性膜を製造する方法としては、米国特許３３≠２６３
２号、同ＪＪｔＡ２ｔＪＪ号等に述べられている斜め蒸
着法が知られている。さらに近年従来の長手力向記碌用
に代って例えば米国特許ＩＡ、≠７７、弘ｔｒ号に開示
されているような垂直方向記録用金属薄膜型磁気記録媒
体も提案されている。
さらに強磁性金属薄膜を有する磁気記録媒体にかかわる
大きな問題として腐蝕及び摩耗に対する強度、走行安定
性がある。磁気記録媒体は磁気信号の記録、再生及び消
去の過程において磁気ヘッドと高速相対運動のもとにお
かれるが、その際走行がスムーズにしかも安定に行なわ
れねばならぬし、同時にヘッドとの接触による摩耗もし
くは破壊が起ってはならない、 上記の問題の改良のために強磁性金属薄膜に保護層を設
けることが提案されており、例えば米国特許第Ｊ 、ｓ
ｉｔ 、ｔｔｏ号、同蓼、２弘２．０ｏｒ号にはＲｈ等
の金属保護層、また米国特許第＆ 、０１７．１１２号
、同ＩＩ−，／１２．ｌＡｔり号、間係、！！！、Ｗｒ
ｊ号、間係、３１り、弘≠／号、間係、３りｉ、ｒ’ｙ
ＩＡ号、同μ、弘ＯＩＡ、２４ｃ７号、同ｇ、＃／り、
ＵＯ４を号、同≠、≠２！。
大きな問題として腐蝕及び摩耗に対する強度、走行安定
性がある。磁気記録媒体は磁気信号の記録、再生及び消
去の過程において磁気ヘッドと高速相対運動のもとにお
かれるが、その際走行がスムーズにしかも安定に行なわ
れねばならぬし、同時にヘッドとの接触による摩耗もし
くは破壊が起ってはならない、 上記の問題の改良のために強磁性金属薄膜に保護層を設
けることが提案されており、例えば米国特許第Ｊ 、ｓ
ｉｔ 、ｔｔｏ号、同蓼、２弘２．０ｏｒ号にはＲｈ等
の金属保護層、また米国特許第＆ 、０１７．１１２号
、同ＩＩ−，／１２．ｌＡｔり号、間係、！！！、Ｗｒ
ｊ号、間係、３１り、弘≠／号、間係、３りｉ、ｒ’ｙ
ＩＡ号、同μ、弘ＯＩＡ、２４ｃ７号、同ｇ、＃／り、
ＵＯ４を号、同≠、≠２！。
弘ＯＵ号、同４４ 、１Ａ４ｃ３ 、 ｊ／ ＠号、間
係護１ｒ、ｒ弘３号には有機潤滑剤等の有機物保護層が
開示されている。
係護１ｒ、ｒ弘３号には有機潤滑剤等の有機物保護層が
開示されている。
特に当山願人の出願による米国特許第弘、３り０．４０
／号、特開昭ｊ４−７２３１号には保護層として有機材
料を強磁性金属薄膜上に蒸着せしめる方法が開示されて
いるが、これらの方法では走行性が十分ではなく、低湿
度環境下での金属膜型磁気記録媒体の走行性の改良が強
（望まれていた。
／号、特開昭ｊ４−７２３１号には保護層として有機材
料を強磁性金属薄膜上に蒸着せしめる方法が開示されて
いるが、これらの方法では走行性が十分ではなく、低湿
度環境下での金属膜型磁気記録媒体の走行性の改良が強
（望まれていた。
本発明の目的は、上記の欠点の改良された磁気記録媒体
、すなわち低湿度環境下において走行性にすぐれる磁気
記録媒体を製造する方法を提供することにある。
、すなわち低湿度環境下において走行性にすぐれる磁気
記録媒体を製造する方法を提供することにある。
本発明は、非磁性支持体上に設けられた強磁性金属薄膜
の表面上に有機物を真空蒸着させると同時に該表面にイ
オンビームな照射せしめて有機物層を形成せしめること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法、に関する。
の表面上に有機物を真空蒸着させると同時に該表面にイ
オンビームな照射せしめて有機物層を形成せしめること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法、に関する。
本発明に用いられる有機物滑剤としては室温における蒸
気圧がｚＸｌｏ Ｔｏｒｒ 以下のものが好まし
く、パラフィン系炭化水素、高級脂肪酸、オキシ脂肪酸
、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコール、
金属石けん等である。パラフィン系炭化水素としては天
然／ξミラフィンマイクロワックス等、高級脂肪酸とし
てはラウリン酸。
気圧がｚＸｌｏ Ｔｏｒｒ 以下のものが好まし
く、パラフィン系炭化水素、高級脂肪酸、オキシ脂肪酸
、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコール、
金属石けん等である。パラフィン系炭化水素としては天
然／ξミラフィンマイクロワックス等、高級脂肪酸とし
てはラウリン酸。
ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸
、オレイン酸、リノール酸、リルン酸、アラ午トン酸等
、オキシ脂肪酸としてはオキシステアリン酸、ラッパル
ミチン酸等、脂肪酸アミドとしてはラウリン酸アミド、
ミリスチン酸アミド、ノでルミチン酸アミド、ステアリ
ン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、リノ
ール酸アミド、エシル酸アミド、メチレンビスステアロ
アミド、エチレンビスステアロアミド、硬化牛脂アミド
等がある。脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸メチ
ル、パルミチン酸セチル、ステアリン酸モノグリセリド
等、脂肪族アルコールとしてはセチルアルコール、ステ
アリルアルコール等力アリ、金属石けんとしては炭素数
／λ〜３０の脂肪酸と種々の金属とから得られる化合物
であり、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リル
ン酸、アラキドン酸等の亜鉛、銅、マグネシウム、ニッ
ケル、鉄、アルミニウム、鉛、クロム、カルシウム、ナ
トリウム、カリウム、バリウム、カドミウム、ストロン
チウム等の塩である。
、オレイン酸、リノール酸、リルン酸、アラ午トン酸等
、オキシ脂肪酸としてはオキシステアリン酸、ラッパル
ミチン酸等、脂肪酸アミドとしてはラウリン酸アミド、
ミリスチン酸アミド、ノでルミチン酸アミド、ステアリ
ン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、リノ
ール酸アミド、エシル酸アミド、メチレンビスステアロ
アミド、エチレンビスステアロアミド、硬化牛脂アミド
等がある。脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸メチ
ル、パルミチン酸セチル、ステアリン酸モノグリセリド
等、脂肪族アルコールとしてはセチルアルコール、ステ
アリルアルコール等力アリ、金属石けんとしては炭素数
／λ〜３０の脂肪酸と種々の金属とから得られる化合物
であり、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リル
ン酸、アラキドン酸等の亜鉛、銅、マグネシウム、ニッ
ケル、鉄、アルミニウム、鉛、クロム、カルシウム、ナ
トリウム、カリウム、バリウム、カドミウム、ストロン
チウム等の塩である。
これらの有機物滑剤は単独で蒸着しても良いし、２種以
上積層して蒸着したつ、あるいは同時蒸着による混合層
を形成せしめてもいい。有機物滑剤の蒸着量は、一般に
は０ 、 ｒ 〜ｊ ０ｔｔｔ９／ｍ２、好ましくはｉ
、ｏ〜３０マ／７７Ｌ である。
上積層して蒸着したつ、あるいは同時蒸着による混合層
を形成せしめてもいい。有機物滑剤の蒸着量は、一般に
は０ 、 ｒ 〜ｊ ０ｔｔｔ９／ｍ２、好ましくはｉ
、ｏ〜３０マ／７７Ｌ である。
本発明においては、有機物滑剤の蒸着と同時に、蒸着の
行なわれている部分にイオンビームを照射せしめるうイ
オンビームとＬ”Ｃ：ｔｔＨｅ 、 Ｎ ｅ 。
行なわれている部分にイオンビームを照射せしめるうイ
オンビームとＬ”Ｃ：ｔｔＨｅ 、 Ｎ ｅ 。
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ等の希ガス、あるいは酸素、窒
素、弗素、ボロン等のイオンが使用される。
素、弗素、ボロン等のイオンが使用される。
イオンの照射量は有機物滑剤の蒸着速度に依存するので
あるが、一般には７０１３ ＃ １ （７１８個／ｃＷ
Ｌ２・秒のイオン粒子を照射するのが実用上好適である
。
あるが、一般には７０１３ ＃ １ （７１８個／ｃＷ
Ｌ２・秒のイオン粒子を照射するのが実用上好適である
。
本発明における強磁性金属薄膜としては、鉄、コバルト
、ニッケルその他の強磁性金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ％
Ｆｅ −Ｎ ｉ、 ｃｏ −Ｎ ｔ、 Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ。
、ニッケルその他の強磁性金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ％
Ｆｅ −Ｎ ｉ、 ｃｏ −Ｎ ｔ、 Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ。
Ｆｅ−Ｒｈ％Ｃｏ−Ｐ、 Ｃｏ −Ｂ、 Ｃｏ−Ｃｕ％
Ｃｏ−Ｚｎ。
Ｃｏ−Ｚｎ。
Ｃｏ −Ｙ、 Ｃｏ−Ｌａ％Ｃｏ−Ｃｅ％Ｃｏ−Ｐｒ％
Ｃｏ−Ｇｄ。
Ｃｏ−Ｇｄ。
Ｃｏ−３ｍ、 Ｃｏ−Ｐｔ、 Ｃｏ−Ｍｎ％Ｆｅ−Ｇｄ
、Ｆｅ−Ｔｂ、 Ｆｅ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｃｒ％Ｎ １−
Ｃｒ。
、Ｆｅ−Ｔｂ、 Ｆｅ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｃｒ％Ｎ １−
Ｃｒ。
Ｆｅ −Ｃｏ −Ｃｒ％Ｎ ｉ −Ｃｏ −Ｃｒ、 Ｆ
ｅ −Ｎ ｉ −Ｃｒ 。
ｅ −Ｎ ｉ −Ｃｒ 。
Ｆｅ−Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｃｒ、 Ｃｏ −Ｎ １−Ｎ
ｄ、Ｃｏ−Ｎ １−Ｃｅ、 Ｃｏ −Ｎ １−Ｚｎ、
Ｃｏ −Ｎ １−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｎ ｉ−Ｗ％Ｃｏ −Ｎ
１−Ｒｅ等の強磁性合金を電気メッキ、無電解メッキ
、ペーパーデポジション法等の方法によって薄膜状に形
成したもので、その膜厚としては磁気記録媒体として使
用する場合Ｏ６Ｏコ〜２μ専の範囲であり、特にｏ−ｏ
ｒ〜Ｏ０Ｕμｍの範囲が望ましい。上記の強磁性金属薄
膜は他ｖｃｏ、Ｎ、Ｃ，Ｇａ、Ａｓ％Ｓｒ、Ｚｒ％Ｎｂ
％Ｍｏ％Ｓｎ％Ｓｂ、Ｔｅ、０３、Ｉ ｒ、Ａｕ％Ａｇ
、Ｐｂ、Ｂ ｉ等を含有しても良い。ペーパーデポジシ
ョン法とは気体あるいは真空空間中において物質を蒸気
あるいはイオン化した蒸気とし、これを基体上に付着形
成させる方法をいい、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーテング法、イオンビームデポジション法、
化学気相メツ中法などがある。
ｄ、Ｃｏ−Ｎ １−Ｃｅ、 Ｃｏ −Ｎ １−Ｚｎ、
Ｃｏ −Ｎ １−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｎ ｉ−Ｗ％Ｃｏ −Ｎ
１−Ｒｅ等の強磁性合金を電気メッキ、無電解メッキ
、ペーパーデポジション法等の方法によって薄膜状に形
成したもので、その膜厚としては磁気記録媒体として使
用する場合Ｏ６Ｏコ〜２μ専の範囲であり、特にｏ−ｏ
ｒ〜Ｏ０Ｕμｍの範囲が望ましい。上記の強磁性金属薄
膜は他ｖｃｏ、Ｎ、Ｃ，Ｇａ、Ａｓ％Ｓｒ、Ｚｒ％Ｎｂ
％Ｍｏ％Ｓｎ％Ｓｂ、Ｔｅ、０３、Ｉ ｒ、Ａｕ％Ａｇ
、Ｐｂ、Ｂ ｉ等を含有しても良い。ペーパーデポジシ
ョン法とは気体あるいは真空空間中において物質を蒸気
あるいはイオン化した蒸気とし、これを基体上に付着形
成させる方法をいい、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーテング法、イオンビームデポジション法、
化学気相メツ中法などがある。
本発明に用いられる非磁性支持体は、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリイミド、ポリアミド。
フタレート、ポリイミド、ポリアミド。
ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ホリカーボネート
、ポリエチレンナフタレート、ホリフエニレンサルファ
イド等のプラスチックベース、またはＡＩ％Ｔｉおよび
これらの合金、ステンレス鋼等である。
、ポリエチレンナフタレート、ホリフエニレンサルファ
イド等のプラスチックベース、またはＡＩ％Ｔｉおよび
これらの合金、ステンレス鋼等である。
次に実施例をもって本発明を風体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
実施例 １
第１図の本発明による磁気記録媒体の製造方法を実施す
るための装置を用いて磁気テープを作製した。
るための装置を用いて磁気テープを作製した。
真空槽１１は隔壁１２．１３により上部の送出し巻取り
室１４、第７蒸着室１５および第２蒸着室１６に区分さ
れており、それぞれ真空排気口１７．１８．１９により
独立に真空排気されるよ−うになっている。テープ状非
磁性支持体２・０は送出シロール２１から回転キャン２
２、ガイドローラー２３そして回転午ヤン２４を経て搬
送され巻取りロール２５に巻取られるようになっている
。
室１４、第７蒸着室１５および第２蒸着室１６に区分さ
れており、それぞれ真空排気口１７．１８．１９により
独立に真空排気されるよ−うになっている。テープ状非
磁性支持体２・０は送出シロール２１から回転キャン２
２、ガイドローラー２３そして回転午ヤン２４を経て搬
送され巻取りロール２５に巻取られるようになっている
。
回転中ヤン２２の下方には蒸発源ルツボ２６が配設され
ており、磁性材料２７が電子銃２８からの電子ビーム２
９の照射により加熱され蒸発される。
ており、磁性材料２７が電子銃２８からの電子ビーム２
９の照射により加熱され蒸発される。
磁性材料の蒸気流３０は回転キャン２２の表面に浴って
移動するテープ状非磁性支持体２０の表面に到達し強磁
性薄膜として析出する。回転キャン２２の近傍にはマス
ク３１が設置されており蒸気流３０がテープ状非磁性支
持体２０に対して斜めに入射するようになっている。こ
うして得られる強磁性薄膜は膜面に平行な方向に磁化し
て記録する従来からの水平磁化記録媒体に適した磁気特
性を有している。次に強磁性薄膜の形成されたテープ状
非磁性基体２０が回転キャン２４に沿って移動する時、
蒸発源３２から蒸発せしめられた有機物滑剤３３が強磁
性薄膜の表面上に蒸着される。
移動するテープ状非磁性支持体２０の表面に到達し強磁
性薄膜として析出する。回転キャン２２の近傍にはマス
ク３１が設置されており蒸気流３０がテープ状非磁性支
持体２０に対して斜めに入射するようになっている。こ
うして得られる強磁性薄膜は膜面に平行な方向に磁化し
て記録する従来からの水平磁化記録媒体に適した磁気特
性を有している。次に強磁性薄膜の形成されたテープ状
非磁性基体２０が回転キャン２４に沿って移動する時、
蒸発源３２から蒸発せしめられた有機物滑剤３３が強磁
性薄膜の表面上に蒸着される。
蒸着と同時にイオン銃３４からのイオンビーム３５が磁
性薄膜表面に照射されるようになっている。この装置に
おいてテープ状非磁性媒体として／２．ｊμｍ厚のポリ
エチレンテレフタレートフィルムを使用し、ＣｏＣｒ（
Ｃｒ／７重量％）の強磁性薄膜を形成したのち、Ｈｅイ
オンビームを照射させつつベヘン酸の有機蒸着膜を形成
せしめた。ｃｏｃｒ強磁性薄膜の膜厚は２２００Ａとし
、ベヘン酸は毎秒あたり／、０＝ｎ９／ｍ２の付着速度
でｒ −７７９７ｍ 蒸着せしめた。Ｈｅイオンビー
ムはＨｅイオン粒子がｔｘｉｏ”個／ｃＩＩＬ２・秒照
射されるようにした。このようにして得られた磁気テー
プをサンプルＡとし、比較のためにＨｅイオンビームを
照射せずに作製した磁気テープをサンプルＢとした。サ
ンプルＡおよびＢの磁気テープにつき、低湿度環境下で
の走行性および繰返し走行での出力低下を次のように測
定した。２！０Ｃ。
性薄膜表面に照射されるようになっている。この装置に
おいてテープ状非磁性媒体として／２．ｊμｍ厚のポリ
エチレンテレフタレートフィルムを使用し、ＣｏＣｒ（
Ｃｒ／７重量％）の強磁性薄膜を形成したのち、Ｈｅイ
オンビームを照射させつつベヘン酸の有機蒸着膜を形成
せしめた。ｃｏｃｒ強磁性薄膜の膜厚は２２００Ａとし
、ベヘン酸は毎秒あたり／、０＝ｎ９／ｍ２の付着速度
でｒ −７７９７ｍ 蒸着せしめた。Ｈｅイオンビー
ムはＨｅイオン粒子がｔｘｉｏ”個／ｃＩＩＬ２・秒照
射されるようにした。このようにして得られた磁気テー
プをサンプルＡとし、比較のためにＨｅイオンビームを
照射せずに作製した磁気テープをサンプルＢとした。サ
ンプルＡおよびＢの磁気テープにつき、低湿度環境下で
の走行性および繰返し走行での出力低下を次のように測
定した。２！０Ｃ。
／！チ相対湿度下でＶｆ−ＩＳ型ＶＴＲＫて磁気テープ
を走行させた時の回転ドラム出口でのテープ張力（Ｔ２
）および回転ドラム入口でのテープ張力（ＴＩ ）の比
（Ｔ２／Ｔｌ）を測定すると共に同一条件下で磁気テー
プをｊＯ回走行させた時のｊＭＨｚ信号の出力低下を測
定した。その結果次表のようであった。
を走行させた時の回転ドラム出口でのテープ張力（Ｔ２
）および回転ドラム入口でのテープ張力（ＴＩ ）の比
（Ｔ２／Ｔｌ）を測定すると共に同一条件下で磁気テー
プをｊＯ回走行させた時のｊＭＨｚ信号の出力低下を測
定した。その結果次表のようであった。
実施例 ２
第１図に示した装置を用いり、！μｍ厚のポリエチレン
テレフタレートフィルム上に斜方入射蒸着法によりＣｏ
Ｎ１（Ｎｉ２０重量％］の強磁性薄膜を形成した後Ａｒ
イオンビームを照射させつつステアリン酸アミドを蒸着
し磁気テープを作製した。この際ＣｏＮ ｉ薄膜の膜厚
は／Ｊ−００Ａとし、ステアリン酸アミドは毎秒０ 、
ｊ ！ｎ９ ／ ７７Ｌ ２の付着速度でｌλ＃ ／
ｍ ２蒸着せしめた。ＡｒイオンビームはＡｒイオン
粒子が２ｘｉｏ１５個／ｃＷＬ２・秒照射されるように
した。こうして得られたサンプルをＣとし、比較のため
にＡｒイオンビームを照射せずに有機滑剤を蒸着したサ
ンプルをＤとした。これらのサンプルにつき実施例１と
同様にして低湿度環境下での走行性および繰返し走行で
の出力低下を測定したところ次表のようであった、実施
例 ３ 連続メッキ装置によりｌｊμｍ厚のポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に下記のようなメッキ液、メッキ条
件でＣｏ−Ｐ（Ｃｏ：り２％、Ｐ：コチ）の強磁性薄膜
を−２１，００，Ａ−厚となるように無電解メッキした
。無電解メッキの前処理液としては日本カニゼン■のシ
ューマー・センシタイザ−及ヒシューマー・アクチベー
ターを使用した。
テレフタレートフィルム上に斜方入射蒸着法によりＣｏ
Ｎ１（Ｎｉ２０重量％］の強磁性薄膜を形成した後Ａｒ
イオンビームを照射させつつステアリン酸アミドを蒸着
し磁気テープを作製した。この際ＣｏＮ ｉ薄膜の膜厚
は／Ｊ−００Ａとし、ステアリン酸アミドは毎秒０ 、
ｊ ！ｎ９ ／ ７７Ｌ ２の付着速度でｌλ＃ ／
ｍ ２蒸着せしめた。ＡｒイオンビームはＡｒイオン
粒子が２ｘｉｏ１５個／ｃＷＬ２・秒照射されるように
した。こうして得られたサンプルをＣとし、比較のため
にＡｒイオンビームを照射せずに有機滑剤を蒸着したサ
ンプルをＤとした。これらのサンプルにつき実施例１と
同様にして低湿度環境下での走行性および繰返し走行で
の出力低下を測定したところ次表のようであった、実施
例 ３ 連続メッキ装置によりｌｊμｍ厚のポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に下記のようなメッキ液、メッキ条
件でＣｏ−Ｐ（Ｃｏ：り２％、Ｐ：コチ）の強磁性薄膜
を−２１，００，Ａ−厚となるように無電解メッキした
。無電解メッキの前処理液としては日本カニゼン■のシ
ューマー・センシタイザ−及ヒシューマー・アクチベー
ターを使用した。
〔メッキ条件Ｊ ｐＨ７，！、液温？よ０ＣさらにＣ
ｏ −Ｐ無電解メツ牛磁性膜上に第１図に示した装置を
用いてミリスチン酸の蒸着膜を形成した。ミリスチン酸
は毎秒０．０１ｍ９７ｍ２の付着速度で２０ｍ９７ｍ２
蒸着し、その際窒素イオンを３×１０ 個／ｃ！ｒＬ
２・秒照射した。こうして得られたサンプルをＥとし、
比較のために窒素イオンビームを照射せずにミリスチン
酸を蒸着したサンプルをＦとした。これらのサンプルに
つき実施例１と同様にして低湿度環境下での走行性およ
び繰返し走行での出力低下を測定したところ次表のよう
であった。
ｏ −Ｐ無電解メツ牛磁性膜上に第１図に示した装置を
用いてミリスチン酸の蒸着膜を形成した。ミリスチン酸
は毎秒０．０１ｍ９７ｍ２の付着速度で２０ｍ９７ｍ２
蒸着し、その際窒素イオンを３×１０ 個／ｃ！ｒＬ
２・秒照射した。こうして得られたサンプルをＥとし、
比較のために窒素イオンビームを照射せずにミリスチン
酸を蒸着したサンプルをＦとした。これらのサンプルに
つき実施例１と同様にして低湿度環境下での走行性およ
び繰返し走行での出力低下を測定したところ次表のよう
であった。
上の実施例から明らかなように強磁性金属薄膜表面上に
イオンビームを照射せしめつつ有機物滑剤を真空蒸着し
て得られる磁気記録媒体は低湿度環境下での走行性およ
び繰返し走行での出力低下にすぐれたものである。
イオンビームを照射せしめつつ有機物滑剤を真空蒸着し
て得られる磁気記録媒体は低湿度環境下での走行性およ
び繰返し走行での出力低下にすぐれたものである。
このように本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば低
湿の環境下におけるＶＴＲでの走行性および繰返し走行
での出力低下の改良された金属薄膜型磁気記録媒体が得
られるもので、本方法による金属薄膜型磁気記録媒体の
実用上のメリットは大である。
湿の環境下におけるＶＴＲでの走行性および繰返し走行
での出力低下の改良された金属薄膜型磁気記録媒体が得
られるもので、本方法による金属薄膜型磁気記録媒体の
実用上のメリットは大である。
第７図は本発明による磁気記録媒体の製法な実施するた
めの装置の一例を概略的に示している。 １１：真空槽、 １２．１３：隔壁１４：送出し
巻取り室、１５．１６：蒸着室１７．１８，１９：真空
排気口 ２０：テープ状非磁性支持体 ２１：送出しロール、 ２２，２４：回転キャン２３
ニガイドローラー、２５：巻取りロール２６：蒸発源ル
ツボ、 ２７：磁性材料２８：電子銃％ ２
９：電子ビーム３０：磁性材料蒸気流、３１：マスク ３２：蒸発源、 ３３：有機物滑剤３４：イオ
ン銃
めの装置の一例を概略的に示している。 １１：真空槽、 １２．１３：隔壁１４：送出し
巻取り室、１５．１６：蒸着室１７．１８，１９：真空
排気口 ２０：テープ状非磁性支持体 ２１：送出しロール、 ２２，２４：回転キャン２３
ニガイドローラー、２５：巻取りロール２６：蒸発源ル
ツボ、 ２７：磁性材料２８：電子銃％ ２
９：電子ビーム３０：磁性材料蒸気流、３１：マスク ３２：蒸発源、 ３３：有機物滑剤３４：イオ
ン銃
Claims (1)
- 非磁性支持体上に設けられた強磁性金属薄膜の表面上に
有機物滑剤を真空蒸着させると同時にイオンビームを照
射せしめて有機物滑剤層を形成せしめることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101079A JPH0685211B2 (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101079A JPH0685211B2 (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258333A true JPS61258333A (ja) | 1986-11-15 |
| JPH0685211B2 JPH0685211B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=14291092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101079A Expired - Lifetime JPH0685211B2 (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685211B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121120A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH02128322A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5254169A (en) * | 1992-03-10 | 1993-10-19 | Leybold Aktiengesellschaft | High-vacuum coating apparatus |
| WO2001045930A1 (fr) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Toray Industries, Inc. | Film multicouche et son procede de fabrication |
| JP2006028273A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化水素系有機薄膜からなる潤滑剤及び潤滑方法 |
| JP2015081365A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置、成膜方法、成膜材料の除去方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567235A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its production |
| JPS595420A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP60101079A patent/JPH0685211B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567235A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its production |
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| JP2015081365A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置、成膜方法、成膜材料の除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685211B2 (ja) | 1994-10-26 |
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