JPS6045271B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPS6045271B2 JPS6045271B2 JP14823979A JP14823979A JPS6045271B2 JP S6045271 B2 JPS6045271 B2 JP S6045271B2 JP 14823979 A JP14823979 A JP 14823979A JP 14823979 A JP14823979 A JP 14823979A JP S6045271 B2 JPS6045271 B2 JP S6045271B2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、移動する高分子成形物などの可撓性基体上に
真空蒸着法により磁性膜などを形成せしめて磁気記録体
などを製造するための搬送式真空蒸着装置に関する。
真空蒸着法により磁性膜などを形成せしめて磁気記録体
などを製造するための搬送式真空蒸着装置に関する。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性基体上にγ−Ｆ
ｅ２Ｏ３、Ｃｏをドープしたγ−Ｆｅ２ｏａ）Ｆｅ３Ｏ
、、ＣｏをドープしたＦｅ３Ｏ。
ｅ２Ｏ３、Ｃｏをドープしたγ−Ｆｅ２ｏａ）Ｆｅ３Ｏ
、、ＣｏをドープしたＦｅ３Ｏ。
、γ−Ｆｅ。０３とＦｅ３０、のベルトラード化合物、
Ｃｏをドープしたベルトラード化合物、Ｃｒ０。
Ｃｏをドープしたベルトラード化合物、Ｃｒ０。
等の酸化物磁性粉末あるいはＦｅ、、Ｃｏ、Ｎｉ等を主
成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル
−酢酸ビニル共４、Ａ、Ｌ７４、、、 ４れ、、ツー゛
ノ４俯ムル イギ土シ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機
バインダー中に分散せしめ、塗布、乾燥させる塗布型の
ものが広く使用されてきている。近年高密度磁気記録へ
の要求が高まりと共に、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーテング等の方法により形成される強磁性金属
薄膜はバインダーを使用しない、いわゆる非バインダー
型の磁気記録媒体として注目を浴びており実用化への努
力が種々行なわれている。
成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル
−酢酸ビニル共４、Ａ、Ｌ７４、、、 ４れ、、ツー゛
ノ４俯ムル イギ土シ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機
バインダー中に分散せしめ、塗布、乾燥させる塗布型の
ものが広く使用されてきている。近年高密度磁気記録へ
の要求が高まりと共に、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーテング等の方法により形成される強磁性金属
薄膜はバインダーを使用しない、いわゆる非バインダー
型の磁気記録媒体として注目を浴びており実用化への努
力が種々行なわれている。
これらの中でも磁性金属の蒸発ビームを基体表面に対し
斜めに入射させて蒸着する斜方入射真空蒸着法は、工程
、装置機構も比較的簡単であると同時に、良好な磁気特
性の膜が得られるため実用化上すぐれている。ただ単に
高分子基体上に磁性金属を真空蒸着法により形成せしめ
たのみでは耐久性、密着性が充分ではなく下地層、保護
層あるいは中間層を設けることにより耐久性、密着性を
向上させるための努力が行なわれてきている。これらの
下地層、保護層あるいは中間層として磁性層と同じ真空
蒸着１法により形成させたものが検討されてきているが
、従来の搬送式真空蒸着装置では充分な特性の下地層、
保護層あるいは中間層を備えた磁気記録媒体は得られな
かつた。本発明の目的は、優れた磁気特性を有すると共
門に、従来より良好な特性の下地層、保護層あるいは中
間層を備えた磁気記録媒体の得られる搬送式真空蒸着装
置を提供することにある。
斜めに入射させて蒸着する斜方入射真空蒸着法は、工程
、装置機構も比較的簡単であると同時に、良好な磁気特
性の膜が得られるため実用化上すぐれている。ただ単に
高分子基体上に磁性金属を真空蒸着法により形成せしめ
たのみでは耐久性、密着性が充分ではなく下地層、保護
層あるいは中間層を設けることにより耐久性、密着性を
向上させるための努力が行なわれてきている。これらの
下地層、保護層あるいは中間層として磁性層と同じ真空
蒸着１法により形成させたものが検討されてきているが
、従来の搬送式真空蒸着装置では充分な特性の下地層、
保護層あるいは中間層を備えた磁気記録媒体は得られな
かつた。本発明の目的は、優れた磁気特性を有すると共
門に、従来より良好な特性の下地層、保護層あるいは中
間層を備えた磁気記録媒体の得られる搬送式真空蒸着装
置を提供することにある。
すなわち本発明は真空容器内に設けられた円筒状冷却キ
ヤンの下方にシールド板を介して２個の蒸発源を設置し
、少なくとも１個の蒸発源からは該冷却キヤンに沿つて
移動する基体に対し斜め蒸着の行なえるようにした事を
特徴とする、搬送式真空蒸着装置である。
ヤンの下方にシールド板を介して２個の蒸発源を設置し
、少なくとも１個の蒸発源からは該冷却キヤンに沿つて
移動する基体に対し斜め蒸着の行なえるようにした事を
特徴とする、搬送式真空蒸着装置である。
従来から移動する基体上に真空蒸着によつて磁性層およ
び下地層、保護層、中間層等を形成させ、磁気記録媒体
を製造するために用いられている真空蒸着装置の代表例
の構成図を第１図に示す。
び下地層、保護層、中間層等を形成させ、磁気記録媒体
を製造するために用いられている真空蒸着装置の代表例
の構成図を第１図に示す。
真空容器１１（一部分のみ図示）の内部はヰ較的低真空
の上室１２と高真空の下室１３に分離されていてそれぞ
れ独立に真空排気される。上室１２には必要に応じて可
撓性基体１４の送出し、巻取りロール、ダンサ−ローラ
ー、エキスパンダーローラー等（図示されていない）が
配設され、円筒状冷却キヤン１５，１６と仕切り板１７
とで、必要な差圧状態を維持するようになつている。可
撓性基体１４は冷却キヤン１５，１６に沿つて移動し、
冷却キヤン１５と冷却キヤン１６の間では上室１２内を
案内ローラー１８によつて案内される。冷却キヤン１５
，１６の下方にはそれぞれ蒸発源１９，１１０が配設さ
れていて、冷却キヤン１５，１６に沿つて移動する基体
１４上に所望の材料を蒸着できるようになつている。冷
却キヤン１５の下側近傍にはマスク１１１が設置されて
おり、斜方入射蒸着が行なえる。この真空蒸着装置によ
り磁気記録媒体を製造する場合には蒸．発源１９にＣＯ
ｌＮｌ、Ｆｅ等を主体とする磁性材料をチャージし、蒸
発源１１０にはＣｒ．．ＡＩ，．ＴｉｌＣ川ＳｉＯ．．
ＳｉＯ２等の保護層、下地層あるいは中間層を形成せし
めるための材料をチャージし、基体１４を搬送させつつ
所望の膜厚、層構成となるよ．う蒸着を施し磁気記録媒
体を製造する。しかしながら本発明者等はこの搬送式蒸
着装置では満足すべき耐久性あるいは密着性を備えた磁
気記録媒体を得ることが困難であることを見出した。本
発明は、満足しうる耐久性、密着性を備えた・保護層、
下地層あるいは中間層を有する磁気記録媒体を得るには
、保護層、下地層あるいは中間層の形成と磁性膜との形
成は、同一冷却キヤンに沿つて移動しつつ基体上に連続
して蒸着することが有効であることをつきとめたことに
根差すもので代表的な実施例を第２図に示す。
の上室１２と高真空の下室１３に分離されていてそれぞ
れ独立に真空排気される。上室１２には必要に応じて可
撓性基体１４の送出し、巻取りロール、ダンサ−ローラ
ー、エキスパンダーローラー等（図示されていない）が
配設され、円筒状冷却キヤン１５，１６と仕切り板１７
とで、必要な差圧状態を維持するようになつている。可
撓性基体１４は冷却キヤン１５，１６に沿つて移動し、
冷却キヤン１５と冷却キヤン１６の間では上室１２内を
案内ローラー１８によつて案内される。冷却キヤン１５
，１６の下方にはそれぞれ蒸発源１９，１１０が配設さ
れていて、冷却キヤン１５，１６に沿つて移動する基体
１４上に所望の材料を蒸着できるようになつている。冷
却キヤン１５の下側近傍にはマスク１１１が設置されて
おり、斜方入射蒸着が行なえる。この真空蒸着装置によ
り磁気記録媒体を製造する場合には蒸．発源１９にＣＯ
ｌＮｌ、Ｆｅ等を主体とする磁性材料をチャージし、蒸
発源１１０にはＣｒ．．ＡＩ，．ＴｉｌＣ川ＳｉＯ．．
ＳｉＯ２等の保護層、下地層あるいは中間層を形成せし
めるための材料をチャージし、基体１４を搬送させつつ
所望の膜厚、層構成となるよ．う蒸着を施し磁気記録媒
体を製造する。しかしながら本発明者等はこの搬送式蒸
着装置では満足すべき耐久性あるいは密着性を備えた磁
気記録媒体を得ることが困難であることを見出した。本
発明は、満足しうる耐久性、密着性を備えた・保護層、
下地層あるいは中間層を有する磁気記録媒体を得るには
、保護層、下地層あるいは中間層の形成と磁性膜との形
成は、同一冷却キヤンに沿つて移動しつつ基体上に連続
して蒸着することが有効であることをつきとめたことに
根差すもので代表的な実施例を第２図に示す。
真空容器２１（１部分のみ図示）の内部は比較的低真空
の上室２２と高真空の下室２３に分離されていてそれぞ
れ独立に真空排気される。上室２２には必要に応じて可
撓性基体２４の送出し、巻取りロール、ダンサ−ローラ
ー、エキスパンダーローラー等（図示されていない）が
配設され、円筒状冷却キヤン２５と仕切り板２７とで必
要な差圧状態を維持すｌるようになつている。可撓性基
体２４は下室２３では冷却キヤン２５の回転によりキヤ
ン面に沿つて移動するようになつている。冷却キヤン２
５の下方には蒸発源２９，２１０がシールド板２８を介
して配設されている。蒸発源２９からはマスク２１１に
より冷却キヤン２５に沿つて移動する基体２４上に斜方
入射蒸着が行なえるようになつている。この真空蒸着装
置により磁気記録媒体を製造する場合には蒸発源２９に
ＣＯ，．Ｎｉ，．Ｆｅ等を主体とする磁性材料をチャー
ジし、蒸発源２１０にはＣｒ．．Ａｌ、Ｔｉ，．Ｃｕ，
．ＳｉＯ，ｓＳｉＯ２等の保護層、下地層あるいは中間
層を形成せしめるための材料をチャージし、冷却キヤン
２５に沿つて移動する基体２４上に連続して蒸着層を形
成せしめる。本発明による真空蒸着装置では磁性膜の形
成および保護層、下地層、中間層等の形成が連続して行
なわれ、第１図に示された従来の真空蒸着装置のように
磁性層の形成と保護層、下地層、中間層等の形成との間
で基体が低真空側に一旦戻つたり、蒸着膜が案内ローラ
ーと接触したりすることが無いために耐久性、密着性に
すぐれた磁気記録媒体が得られるものである。しかも本
発明による搬送式真空蒸着装置は従来の装置よりコンパ
クトであるというメリットも有する。本発明による搬送
式真空蒸着装置により磁気記録媒体を製造する場合、磁
性薄膜を形成させるための強磁性金属としてはＦｅｌＣ
Ｏ．．Ｎｉ等の金属あるいはＦｅ−ＣＯ．．Ｆｅ−Ｎｉ
，．ＣＯ−ＮｉｌＦｅ−ＣＯ−Ｎｉ，．Ｆｅ−Ｒｈ．．
Ｆｅ−Ｃｕ．．ＣＯ−Ｃｕ．．ＣＯ−Ａｕ，．ＣＯ一Ｙ
，．ＣＯ上Ａ．．ＣＯ−Ｐｒ．．ＣＯ−α、ＣＯ−Ｓｍ
ｌＣＯ−？、Ｎｉ−Ｃｕ，．Ｍｎ−Ｂｉ，．Ｍｎ−Ｓｂ
．．ＭＴｌ−に、Ｆｅ−Ｃｒ．ｓＣＯ−Ｃｒ，．Ｎｉ−
Ｃｒ．．Ｆｅ−ＣＯ−Ｃｒ，．Ｆｅ一ＣＯ−Ｎｉ−Ｃｒ
等のような強磁性合金が用いられる。
の上室２２と高真空の下室２３に分離されていてそれぞ
れ独立に真空排気される。上室２２には必要に応じて可
撓性基体２４の送出し、巻取りロール、ダンサ−ローラ
ー、エキスパンダーローラー等（図示されていない）が
配設され、円筒状冷却キヤン２５と仕切り板２７とで必
要な差圧状態を維持すｌるようになつている。可撓性基
体２４は下室２３では冷却キヤン２５の回転によりキヤ
ン面に沿つて移動するようになつている。冷却キヤン２
５の下方には蒸発源２９，２１０がシールド板２８を介
して配設されている。蒸発源２９からはマスク２１１に
より冷却キヤン２５に沿つて移動する基体２４上に斜方
入射蒸着が行なえるようになつている。この真空蒸着装
置により磁気記録媒体を製造する場合には蒸発源２９に
ＣＯ，．Ｎｉ，．Ｆｅ等を主体とする磁性材料をチャー
ジし、蒸発源２１０にはＣｒ．．Ａｌ、Ｔｉ，．Ｃｕ，
．ＳｉＯ，ｓＳｉＯ２等の保護層、下地層あるいは中間
層を形成せしめるための材料をチャージし、冷却キヤン
２５に沿つて移動する基体２４上に連続して蒸着層を形
成せしめる。本発明による真空蒸着装置では磁性膜の形
成および保護層、下地層、中間層等の形成が連続して行
なわれ、第１図に示された従来の真空蒸着装置のように
磁性層の形成と保護層、下地層、中間層等の形成との間
で基体が低真空側に一旦戻つたり、蒸着膜が案内ローラ
ーと接触したりすることが無いために耐久性、密着性に
すぐれた磁気記録媒体が得られるものである。しかも本
発明による搬送式真空蒸着装置は従来の装置よりコンパ
クトであるというメリットも有する。本発明による搬送
式真空蒸着装置により磁気記録媒体を製造する場合、磁
性薄膜を形成させるための強磁性金属としてはＦｅｌＣ
Ｏ．．Ｎｉ等の金属あるいはＦｅ−ＣＯ．．Ｆｅ−Ｎｉ
，．ＣＯ−ＮｉｌＦｅ−ＣＯ−Ｎｉ，．Ｆｅ−Ｒｈ．．
Ｆｅ−Ｃｕ．．ＣＯ−Ｃｕ．．ＣＯ−Ａｕ，．ＣＯ一Ｙ
，．ＣＯ上Ａ．．ＣＯ−Ｐｒ．．ＣＯ−α、ＣＯ−Ｓｍ
ｌＣＯ−？、Ｎｉ−Ｃｕ，．Ｍｎ−Ｂｉ，．Ｍｎ−Ｓｂ
．．ＭＴｌ−に、Ｆｅ−Ｃｒ．ｓＣＯ−Ｃｒ，．Ｎｉ−
Ｃｒ．．Ｆｅ−ＣＯ−Ｃｒ，．Ｆｅ一ＣＯ−Ｎｉ−Ｃｒ
等のような強磁性合金が用いられる。
また保護層の材料としてはＲｈ．．Ｃｕ，．Ｃｒ．．Ｃ
ｒ酸化物、Ｓｉ．．Ｓｉ酸化物、Ａｌ，．Ａｌ酸化物、
Ｐｔ，．ＡｕｌＰｂｓＳｎ．．ＢＮ，．Ｎｉ−Ｃｒ．．
Ｉｎ，．Ｉ喋化物、ＴｉｌＴｉ酸化物、ＭｇＦ′２ある
いは各種有機物（特願昭Ｍ−８２７０６、特願昭Ｍ−８
２７０７、特願昭Ｍ−８２７１０参照）が用いられ、下
地層および中間層の材料としてはＣｒ，．Ｔｉ，．Ｍｎ
ｌＣｕ．．Ａｌ、ＳｉｌＴａ，．Ｂｉ等が用いられる。
磁性膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出力を与え
得る厚さおよび高密度記録の充分行なえる薄さを必要と
することから一般には０．０５μｍから１．０ｐｍ１好
ましくは０．１μｍから０．４μｍである。さらに保護
層、下地層、中間層としては、厚さは一般に０．０５μ
ｍから２．０ｐｍ１好ましくは０．０５μｍから０．５
μｍである。可撓性基体としてはポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナフ
タレートのようなプラスチックベース、あるいはに、Ａ
ｌ合金、Ｔｉ，．Ｔｉ合金、ステンレス鋼のような金属
帯が用いられる。実施例１ １５μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの基
体上に、第１図の装置および第２図の装置を用いてそれ
ぞれＣＯｌ２ＯＯ人を斜方入射蒸着した後その上に保護
層としてＣｒを５５０Ａ蒸着し磁気記録媒体を得た。
ｒ酸化物、Ｓｉ．．Ｓｉ酸化物、Ａｌ，．Ａｌ酸化物、
Ｐｔ，．ＡｕｌＰｂｓＳｎ．．ＢＮ，．Ｎｉ−Ｃｒ．．
Ｉｎ，．Ｉ喋化物、ＴｉｌＴｉ酸化物、ＭｇＦ′２ある
いは各種有機物（特願昭Ｍ−８２７０６、特願昭Ｍ−８
２７０７、特願昭Ｍ−８２７１０参照）が用いられ、下
地層および中間層の材料としてはＣｒ，．Ｔｉ，．Ｍｎ
ｌＣｕ．．Ａｌ、ＳｉｌＴａ，．Ｂｉ等が用いられる。
磁性膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出力を与え
得る厚さおよび高密度記録の充分行なえる薄さを必要と
することから一般には０．０５μｍから１．０ｐｍ１好
ましくは０．１μｍから０．４μｍである。さらに保護
層、下地層、中間層としては、厚さは一般に０．０５μ
ｍから２．０ｐｍ１好ましくは０．０５μｍから０．５
μｍである。可撓性基体としてはポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナフ
タレートのようなプラスチックベース、あるいはに、Ａ
ｌ合金、Ｔｉ，．Ｔｉ合金、ステンレス鋼のような金属
帯が用いられる。実施例１ １５μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの基
体上に、第１図の装置および第２図の装置を用いてそれ
ぞれＣＯｌ２ＯＯ人を斜方入射蒸着した後その上に保護
層としてＣｒを５５０Ａ蒸着し磁気記録媒体を得た。
この際上室の真空度は１×１０−３Ｔ０ｒｒ１下室の真
空度は５×１０−５Ｔ０ｒｒとした。
空度は５×１０−５Ｔ０ｒｒとした。
こうして第１図の装置で得られた磁気テープを試料１Ａ
１第２図の装置で得られた磁気テープを試料払とし耐久
性を調べた。磁気ヘッドと磁気テープを９０ｇ／Ｃ７Ｘ
の張力で押しつけ毎秒詔ｄの速度で６回往復させた時の
磁気記録層のスリキズやハガレは下記のようであつた。
実施例２ １０ｐｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの基
体上に、第１図の装置および第２図の装置を用いてそれ
ぞれＣｒを７５０Ａ下地層として蒸着し、その上にＣＯ
−Ｎｉ合金（Ｎｉ２Ｏ重量％）を斜方入射蒸着して磁気
記録媒体を得た。
１第２図の装置で得られた磁気テープを試料払とし耐久
性を調べた。磁気ヘッドと磁気テープを９０ｇ／Ｃ７Ｘ
の張力で押しつけ毎秒詔ｄの速度で６回往復させた時の
磁気記録層のスリキズやハガレは下記のようであつた。
実施例２ １０ｐｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの基
体上に、第１図の装置および第２図の装置を用いてそれ
ぞれＣｒを７５０Ａ下地層として蒸着し、その上にＣＯ
−Ｎｉ合金（Ｎｉ２Ｏ重量％）を斜方入射蒸着して磁気
記録媒体を得た。
この際上室の真空度は２×１０−３Ｔ０ｒｒ１下室の真
空度は８×１０−５Ｔ０ｒｒとした。こうして第１図の
装置で得られた磁気テープを試料払、第２図の装置で得
られた磁気テープを試料？とし密着性を調べた。セロハ
ンテープによる引剥し法によつて試験した密着性は下記
のとおりであつた。このように本発明による搬送式真空
蒸着装置ではすぐれた磁気記録媒体を製造することがで
きる。
空度は８×１０−５Ｔ０ｒｒとした。こうして第１図の
装置で得られた磁気テープを試料払、第２図の装置で得
られた磁気テープを試料？とし密着性を調べた。セロハ
ンテープによる引剥し法によつて試験した密着性は下記
のとおりであつた。このように本発明による搬送式真空
蒸着装置ではすぐれた磁気記録媒体を製造することがで
きる。
第３図は、本発明による真空蒸着装置の別の実施代表例
を示している。
を示している。
真空容器３１の内部は比較的低真空の巻取室３２と高真
空の蒸着室３３とに分離されていて、それぞれ真空排気
孔３４，３５によつて独立に真空排気される。巻取室３
２には可撓性基体３５の送出し、巻取りロール３６，３
７等が配設され、円筒状冷却キヤン３８，３９と仕切り
壁４０とで必要な差圧状態を維持するようになつている
。可撓性基体３５は冷却キヤン３８，３９の回転と共に
キヤンに沿つて移動し、冷却キヤン３８と冷却キヤン３
９の間では高真空の蒸着室３３内を案内ローラー４１，
４２によつて案内される。この際可撓性基体３５の蒸着
面は案内ローラー４１，４２と接触しないようになつて
いる。
空の蒸着室３３とに分離されていて、それぞれ真空排気
孔３４，３５によつて独立に真空排気される。巻取室３
２には可撓性基体３５の送出し、巻取りロール３６，３
７等が配設され、円筒状冷却キヤン３８，３９と仕切り
壁４０とで必要な差圧状態を維持するようになつている
。可撓性基体３５は冷却キヤン３８，３９の回転と共に
キヤンに沿つて移動し、冷却キヤン３８と冷却キヤン３
９の間では高真空の蒸着室３３内を案内ローラー４１，
４２によつて案内される。この際可撓性基体３５の蒸着
面は案内ローラー４１，４２と接触しないようになつて
いる。
冷却キヤン３８，３９の下方にはそれぞれ蒸発源４３，
４４および蒸発源４５，４６が配設されている。蒸発源
４３，４５ど蒸発源４４，４６とはそれぞれシールド板
４７，４８を介して配置されており、蒸発源４３，４５
からはそれぞれマスク４９，５０により冷却キヤン１５
，１６に沿つて移動する基体３５上に斜方入射蒸着が行
なえるようになつている。ノ この真空蒸着装置により
磁気記録媒体を製造するには、蒸発源４３，４５に磁性
材料をチャージし、蒸発源４４に下地層用材料を：蒸発
源４６に保護層用材料をチャージする。
４４および蒸発源４５，４６が配設されている。蒸発源
４３，４５ど蒸発源４４，４６とはそれぞれシールド板
４７，４８を介して配置されており、蒸発源４３，４５
からはそれぞれマスク４９，５０により冷却キヤン１５
，１６に沿つて移動する基体３５上に斜方入射蒸着が行
なえるようになつている。ノ この真空蒸着装置により
磁気記録媒体を製造するには、蒸発源４３，４５に磁性
材料をチャージし、蒸発源４４に下地層用材料を：蒸発
源４６に保護層用材料をチャージする。
ロール３６から冷却キヤン３８、案内ローラー４１，４
２、冷却キアン３９、ロール３７へと移動する可撓性基
体３５上に下地層と磁性膜、そして磁性膜と保護層を連
続して蒸着により形成させ磁気記録媒体を製造する。以
上のように本発明の装置によれば、すぐれた非バインダ
ー型磁気記録媒体を製造できるもので、その産業性は大
なるものである。
２、冷却キアン３９、ロール３７へと移動する可撓性基
体３５上に下地層と磁性膜、そして磁性膜と保護層を連
続して蒸着により形成させ磁気記録媒体を製造する。以
上のように本発明の装置によれば、すぐれた非バインダ
ー型磁気記録媒体を製造できるもので、その産業性は大
なるものである。
第１図は従来の搬送式真空蒸着装置の概略図、第２図、
第３図は本発明による搬送式真空蒸着装置の実施代表例
の概略図を示している。
第３図は本発明による搬送式真空蒸着装置の実施代表例
の概略図を示している。
Claims (1)
- １ 真空容器内に設けられた円筒状冷却キヤンの下方に
、シールド板を介して２個の蒸発源を設置してなる搬送
式真空蒸着装置において、一方の蒸発源は強磁性材料が
該冷却キヤンに沿つて移動する基体に対し斜め蒸着によ
り磁性膜を形成するよう設置され、他方の蒸発源は保護
層、下地層、あるいは中間層形成材料が上記基体上に蒸
着されるよう設置されており、上記磁性膜および保護層
、下地層、あるいは中間層の形成が連続して行なえるよ
うにしたことを特徴とする搬送式真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14823979A JPS6045271B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14823979A JPS6045271B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5672170A JPS5672170A (en) | 1981-06-16 |
| JPS6045271B2 true JPS6045271B2 (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=15448349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14823979A Expired JPS6045271B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045271B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857631A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| DE10354090B4 (de) * | 2003-11-10 | 2009-01-08 | Creavac-Creative Vakuumbeschichtung Gmbh | Einrichtung zur Beschichtung von Flachbandkabel |
-
1979
- 1979-11-14 JP JP14823979A patent/JPS6045271B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5672170A (en) | 1981-06-16 |
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