JPS6379959A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6379959A JPS6379959A JP22247486A JP22247486A JPS6379959A JP S6379959 A JPS6379959 A JP S6379959A JP 22247486 A JP22247486 A JP 22247486A JP 22247486 A JP22247486 A JP 22247486A JP S6379959 A JPS6379959 A JP S6379959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vaporization
- sources
- thin film
- evaporation source
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 34
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 32
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 10
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract 3
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 abstract 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、多層膜を形成する薄膜蒸着装置の改良に関す
る。
る。
（従来の技術とその問題点）
従来の薄膜蒸着装置の蒸発源としては電子ビーム蒸発源
と抵抗加熱蒸発源が代表的である。この２つの蒸発源は
蒸発材料によって使い分けされ、例えは電子ビーム蒸発
源はＡＩ、ＮｉやＭｏ、Ｔ＋、 Ｎｂ、ｗ等の高融点
金属に適し、抵抗加熱蒸発源は種々のボート、ルツボ等
を用いて例えば小量のＡｕ、Ａｕ−Ｇｅ合金、酸化物の
蒸着等に適する。
と抵抗加熱蒸発源が代表的である。この２つの蒸発源は
蒸発材料によって使い分けされ、例えは電子ビーム蒸発
源はＡＩ、ＮｉやＭｏ、Ｔ＋、 Ｎｂ、ｗ等の高融点
金属に適し、抵抗加熱蒸発源は種々のボート、ルツボ等
を用いて例えば小量のＡｕ、Ａｕ−Ｇｅ合金、酸化物の
蒸着等に適する。
上述のように蒸発源にそれぞれの適性があるために、複
数の蒸発材料を用いて多層膜の蒸着を行う場合には、電
子ビーム蒸発源と抵抗加熱蒸発源の両方の蒸発源を必要
とすることがあり、この時、従来は装置を第２図のよう
に構成している。
数の蒸発材料を用いて多層膜の蒸着を行う場合には、電
子ビーム蒸発源と抵抗加熱蒸発源の両方の蒸発源を必要
とすることがあり、この時、従来は装置を第２図のよう
に構成している。
第２図にて、１は高真空に排気されている真空室で、２
は蒸発材料４に対する電子ビーム蒸発源、３は蒸発材料
５に対する抵抗加熱蒸発源、６は基板を装着して自公転
する基板ホルダー、７は膜厚制御に用いる膜厚モニター
である。
は蒸発材料４に対する電子ビーム蒸発源、３は蒸発材料
５に対する抵抗加熱蒸発源、６は基板を装着して自公転
する基板ホルダー、７は膜厚制御に用いる膜厚モニター
である。
しかし、第２図に示す従来の装置では、電子ヒーム蒸発
源と抵抗加熱蒸発源か同一平面上に並べて設置されてい
るため、基板ホルダー６の中央位置から両者の何れか、
または両者がともに外れてしまうことになる。そのため
、基板に蒸着される薄膜は膜厚・膜質の均一性が欠け、
またはステップカバレージ性が良好でないという欠点が
あった。
源と抵抗加熱蒸発源か同一平面上に並べて設置されてい
るため、基板ホルダー６の中央位置から両者の何れか、
または両者がともに外れてしまうことになる。そのため
、基板に蒸着される薄膜は膜厚・膜質の均一性が欠け、
またはステップカバレージ性が良好でないという欠点が
あった。
（発明の目的）
本発明は、前記の欠点を解決し、電子ビーム蒸発源と抵
抗加熱蒸発源の両者が、基板ホルダー上の各基板に対し
てほぼ同等の配置をとって蒸発動作出来るように構成さ
れた薄膜蒸着装置の提供を目的とする。
抗加熱蒸発源の両者が、基板ホルダー上の各基板に対し
てほぼ同等の配置をとって蒸発動作出来るように構成さ
れた薄膜蒸着装置の提供を目的とする。
（発明の構成）
本発明は、電子ビーム蒸発源と、該電子ビーム蒸発源と
被蒸着物とを結ぶ線を横切って移動する移動台上に設置
された抵抗加熱蒸発源とを備え、前記抵抗加熱蒸発源は
その動作時に、前記移動台により前記結ぶ線の上に移動
出来るように構成された薄膜蒸着装置によって前記目的
を達成したものである。
被蒸着物とを結ぶ線を横切って移動する移動台上に設置
された抵抗加熱蒸発源とを備え、前記抵抗加熱蒸発源は
その動作時に、前記移動台により前記結ぶ線の上に移動
出来るように構成された薄膜蒸着装置によって前記目的
を達成したものである。
（実施例）
以下、図に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の実施例であって、１は高真空に排気
されている真空室、２は蒸発材料４に対する電子ビーム
蒸発源、３，３′はそれぞれ蒸発材料５．８を蒸発する
抵抗加熱蒸発源で移動台９上に設置されている。、６は
基板を装着して自公転する基板ホルダー、７は膜厚制御
に用いる膜厚モニターである。
されている真空室、２は蒸発材料４に対する電子ビーム
蒸発源、３，３′はそれぞれ蒸発材料５．８を蒸発する
抵抗加熱蒸発源で移動台９上に設置されている。、６は
基板を装着して自公転する基板ホルダー、７は膜厚制御
に用いる膜厚モニターである。
第２図の現状では抵抗加熱蒸発源３が電子ビーム蒸発源
２の真上位置に移動してきており、蒸発材料５が蒸発可
能な状態にある。電子ビーム蒸発源２を使用する場合に
は、駆動モーター１０によって移動台９が矢印Ｅの方向
に駆動され、蒸発材料４の蒸気が基板ホルダー６上の基
板に入射するのに差しつかえを生じない位置にまで移動
させられる。また抵抗加熱蒸発源３′を使用するときに
は、移動台９が矢印り方向に駆動されて、抵抗加熱蒸発
源３′が電子ビーム蒸発源２の真上位置に移動させられ
る。
２の真上位置に移動してきており、蒸発材料５が蒸発可
能な状態にある。電子ビーム蒸発源２を使用する場合に
は、駆動モーター１０によって移動台９が矢印Ｅの方向
に駆動され、蒸発材料４の蒸気が基板ホルダー６上の基
板に入射するのに差しつかえを生じない位置にまで移動
させられる。また抵抗加熱蒸発源３′を使用するときに
は、移動台９が矢印り方向に駆動されて、抵抗加熱蒸発
源３′が電子ビーム蒸発源２の真上位置に移動させられ
る。
この実施例では、移動台９の移動は矢印Ｄ−Ｅの直線運
動であるが、移動台９の構造を適当にして移動台を回転
させ、抵抗加熱蒸発源を電子ビーム蒸発源の真上を通る
円周上を移動させるようにしてもよい。
動であるが、移動台９の構造を適当にして移動台を回転
させ、抵抗加熱蒸発源を電子ビーム蒸発源の真上を通る
円周上を移動させるようにしてもよい。
上述の構成によれば、電子ビーム蒸発源と抵抗加熱蒸発
源の両者に対し、蒸発動作中は、それぞれほぼ理想的な
位置を占めさせることが出来るため、各基板に均一に薄
膜を蒸着することが出来る。
源の両者に対し、蒸発動作中は、それぞれほぼ理想的な
位置を占めさせることが出来るため、各基板に均一に薄
膜を蒸着することが出来る。
更に、リフトオフ蒸着等で基板面に垂直な方向に蒸着を
行う場合には殊に大きい効果が得られ、また自公転基板
ホルダーを使用する場合には均一で良好なステップカバ
レージが得られる。
行う場合には殊に大きい効果が得られ、また自公転基板
ホルダーを使用する場合には均一で良好なステップカバ
レージが得られる。
（発明の効果）
本発明によれば、電子ビーム蒸発源と抵抗加熱蒸発源の
両者が、蒸着動作中ともに基板ホルダー上の各基板に対
してほぼ同等の理想位置をとりうるような薄膜蒸着装置
が提供される。
両者が、蒸着動作中ともに基板ホルダー上の各基板に対
してほぼ同等の理想位置をとりうるような薄膜蒸着装置
が提供される。
第１図は、本発明の実施例の薄膜蒸着装置の概略の断面
図。 第２図は、従来の薄膜蒸着装置の概略の断面図１・・・
・・・真空室、 ２・・・・・・電子ビーム蒸発源、
３．３′・・・・・・抵抗加熱蒸発源、４．５．８・・
・・・・蒸発材料、 ６・・・・・・基板ホルダー、７・・・・・・膜厚モニ
ター９・・・・・・移動台、 １０・・・・・・駆動
モーター。
図。 第２図は、従来の薄膜蒸着装置の概略の断面図１・・・
・・・真空室、 ２・・・・・・電子ビーム蒸発源、
３．３′・・・・・・抵抗加熱蒸発源、４．５．８・・
・・・・蒸発材料、 ６・・・・・・基板ホルダー、７・・・・・・膜厚モニ
ター９・・・・・・移動台、 １０・・・・・・駆動
モーター。
Claims (2)
- （１）電子ビーム蒸発源と、該電子ビーム蒸発源と被蒸
着物とを結ぶ線を横切って移動する移動台上に設置され
た抵抗加熱蒸発源とを備え、前記抵抗加熱蒸発源はその
動作時に、前記移動台により前記結ぶ線の上に移動出来
るように構成されていることを特徴とする薄膜蒸着装置
。 - （２）前記抵抗加熱蒸発源は前記移動台の移動する曲線
の上に複数個設置されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22247486A JPH0246667B2 (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | Hakumakujochakusochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22247486A JPH0246667B2 (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | Hakumakujochakusochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379959A true JPS6379959A (ja) | 1988-04-09 |
| JPH0246667B2 JPH0246667B2 (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=16782981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22247486A Expired - Lifetime JPH0246667B2 (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | Hakumakujochakusochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246667B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294250U (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-26 | ||
| JPH08236449A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Corp | 蒸着装置 |
| EP1338673A1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vacuum evaporation system and coating method |
| WO2003080890A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede et dispositif de production de couches minces |
| US8119189B2 (en) | 1999-12-27 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
| US8206507B2 (en) | 2002-05-17 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP22247486A patent/JPH0246667B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294250U (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-26 | ||
| JPH08236449A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Corp | 蒸着装置 |
| US8119189B2 (en) | 1999-12-27 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
| US9559302B2 (en) | 1999-12-27 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
| EP1338673A1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vacuum evaporation system and coating method |
| SG113448A1 (en) * | 2002-02-25 | 2005-08-29 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
| US9551063B2 (en) | 2002-02-25 | 2017-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
| WO2003080890A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede et dispositif de production de couches minces |
| US8206507B2 (en) | 2002-05-17 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0246667B2 (ja) | 1990-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009041040A (ja) | 真空蒸着方法および真空蒸着装置 | |
| JP3738869B2 (ja) | 蒸着方法および蒸着装置 | |
| JPS6379959A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
| KR101099597B1 (ko) | 권취식 진공성막장치 | |
| JPH0310710B2 (ja) | ||
| JP3281926B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0625846A (ja) | 複合スパッタリング装置 | |
| KR100505003B1 (ko) | 티아이 에이엘 에스아이 엔계 경질코팅막의 증착방법 | |
| US3625180A (en) | Evaporation sources | |
| JPS61195968A (ja) | 合金蒸着膜の製造方法 | |
| JP2000080466A (ja) | 真空アーク蒸着装置 | |
| JPH0633225A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| KR20040040604A (ko) | 박막 증착 방법 및 그 장치 | |
| CN220057002U (zh) | 一种蒸镀装置 | |
| JPH02160609A (ja) | 酸化物超電導体形成用ターゲット | |
| JPS61284569A (ja) | 眞空蒸着装置 | |
| JPS62142760A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS59153882A (ja) | スパツタ−蒸着法 | |
| JPH0470392B2 (ja) | ||
| JP2000219964A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JP2002167664A (ja) | 移動式蒸着設備 | |
| WO2015062716A1 (en) | Shutter system | |
| JPS58207371A (ja) | 真空蒸着用蒸着源 | |
| JPH01319673A (ja) | レーザビームスパッタ法 | |
| KR0178784B1 (ko) | 산화물 초전도 박막의 제조방법 및 그 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |