JP2011504659A - 急速熱処理用基板回転揺動装置 - Google Patents

急速熱処理用基板回転揺動装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011504659A
JP2011504659A JP2010534884A JP2010534884A JP2011504659A JP 2011504659 A JP2011504659 A JP 2011504659A JP 2010534884 A JP2010534884 A JP 2010534884A JP 2010534884 A JP2010534884 A JP 2010534884A JP 2011504659 A JP2011504659 A JP 2011504659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
swing
cam
substrate
thermal processing
motor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010534884A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5162670B2 (ja
Inventor
ウー シム、チャン
ソック リー、サン
チョー、ウンキ
ハー、ジュン
Original Assignee
アジア パシフィック システムズ インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アジア パシフィック システムズ インコーポレイテッド filed Critical アジア パシフィック システムズ インコーポレイテッド
Publication of JP2011504659A publication Critical patent/JP2011504659A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5162670B2 publication Critical patent/JP5162670B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)

Abstract

本発明に係る急速熱処理用基板回転揺動装置は、昇下降手段によって昇下降する揺動モータを用いて揺動板を揺動させる。揺動モータは、回転軸が下側中心回転軸、偏心軸及び上側中心回転軸に区分され、下側中心回転軸と上側中心回転軸はモータ中心軸上に位置し、偏心軸は、下側中心回転軸と上側中心回転軸との間にモータ中心軸から偏心して位置する。偏心軸には揺動カムが設置される。揺動板には、揺動カムが嵌められる揺動用穴が形成される。揺動カムが偏心軸に対して独立的に回転できるように揺動カムと偏心軸との間にはベアリングが設置される。揺動板は、基板を水平回転させる多極着磁マグネットモータ又は磁気浮上モータを全体的に支持する。本発明によれば、基板を水平回転させると同時に、基板を四方に水平揺動させることができるので、基板を均一に加熱することができる。
【選択図】図4

Description

本発明は、急速熱処理用基板回転揺動装置に関するもので、特に、基板を水平に回転させると同時に、基板を四方に水平揺動させる急速熱処理用基板回転揺動装置に関するものである。
急速熱処理(RTP)装置においては、短い時間内に基板を所望の温度にまで加熱することが最も重要である。しかし、このとき、基板の均一加熱を必ず行わなければならない。特に、基板の大型化により、このような均一加熱が充分に行われることは非常に難しい。このような基板の均一加熱問題を解決するために、急速熱処理が行われる間に基板を水平回転させる基板回転装置が提案された。
このような基板回転装置では、騒音、振動及びパーティクルの発生を減少させることを考慮した上で、磁気浮上モータや多極着磁マグネットを用いることもある。しかしながら、如何なる基板回転方式を採択するとしても、図1に示すように、不均一な熱重畳区間15aの発生を防止することはできない。すなわち、加熱ランプ10から光が照射されるとき、熱が重畳される区間が存在するので、基板20を水平回転させれば、環状の熱重畳区間15aが生じるようになる。したがって、このような急速熱処理装置で基板20上に酸化膜を成長させる場合、図1cに示すように、環状の熱重畳区間15aの軌跡に沿って酸化膜17aの厚さがより厚くなり、全体的に不均一な厚さの酸化膜17aが成長される。
したがって、基板の単純な水平回転では、基板が不均一に加熱されることを防止できない。
本発明が解決しようとする技術的課題は、基板を水平回転させると同時に、基板の移動可能な自由度をさらに与えながら基板を四方に水平揺動させることによって、基板上に熱重畳区間と非熱重畳区間が区分されて現れることを防止し、その結果、基板が不均一に加熱されるという問題を解決することができる急速熱処理用基板回転揺動装置を提供することにある。
前記課題を達成するための本発明に係る急速熱処理用基板回転揺動装置は、基板を支持する基板支持台と連結され、前記基板支持台を水平回転させることによって前記基板を水平回転させる水平回転手段と、前記水平回転手段を全体的に支持する揺動板と、前記揺動板を水平揺動させることによって前記基板を水平揺動させる水平揺動手段とを備えており、前記水平揺動手段は、回転軸が下側中心回転軸、偏心軸及び上側中心回転軸に区分され、前記下側中心回転軸と上側中心回転軸はモータ中心軸上に位置し、前記偏心軸は、前記下側中心回転軸と上側中心回転軸との間に前記モータ中心軸から偏心して位置する揺動モータと、前記揺動モータを昇下降させる昇下降手段と、前記偏心軸に設置される揺動カムと、前記揺動カムが嵌められる揺動用穴が形成されている揺動板と、を備えることを特徴とする。
前記水平回転手段は、回転モータと、前記回転モータの回転軸に連結され、上面に磁石が設置される下側多極着磁磁石ホイールと、前記下側多極着磁磁石ホイールの上側に位置し、前記下側多極着磁磁石ホイールの磁力によって共に回転するように下面に磁石が設置される上側多極着磁磁石ホイールと、前記上側多極着磁磁石ホイールの回転軸に連結され、側面に磁石が設置される円盤状の多極着磁磁石ドラムと、外側面が前記多極着磁磁石ドラムに隣接するように設置され、前記外側面には磁石が設置され、前記多極着磁磁石ドラムの磁力によって共に回転し、前記基板支持台に連結される多極着磁磁石リングとを含んで構成される。このとき、前記揺動板は、内側縁部が上側に折り曲げられた上昇折曲部を有するリング状であって、前記多極着磁磁石リングの内側面と前記上昇折曲部との間にはベアリングが設置されることが望ましい。前記回転モータは、熱処理チャンバの外部に位置することが望ましく、この場合、前記回転モータと前記熱処理チャンバとの間はベローズによって密封されることが望ましい。
さらに、前記水平回転手段は、コイルが巻かれているリング状の固定子と、前記固定子の内側に設置され、前記コイルによって発生する磁場の力によって回転し、前記基板支持台に連結される回転子とを含んで構成される。この場合、前記固定子及び回転子は、熱処理チャンバの内部に位置することが望ましい。
前記揺動板にX軸、Y軸及びZ軸変位センサが設置されることが望ましい。
前記昇下降手段及び前記揺動モータは、熱処理チャンバの外部に位置することが望ましく、前記揺動カムは、前記熱処理チャンバの内部に位置することが望ましい。このとき、前記揺動モータと前記熱処理チャンバとの間はベローズによって密封されることが望ましい。
前記揺動カムが前記偏心軸に対して独立的に回転できるように、前記揺動カムと前記偏心軸との間にベアリングが設置されることが望ましい。
前記揺動カムは、上側に行くほど幅が狭くなる円錐台状であることが望ましく、前記揺動用穴も、前記揺動カムが合致して嵌められるように円錐台状であることが望ましい。
前記上側中心回転軸にセンタリング用カムが設置されことが望ましく、この場合、前記揺動板には、前記センタリング用カムが嵌められるように前記揺動用穴から上側に延長され、センタリング用穴が形成される。前記センタリング用カムは、下側に行くほど幅が狭くなる逆円錐台状であることが望ましく、このとき、前記センタリング用穴も、前記センタリング用カムが合致して嵌められるように逆円錐台状であることが望ましい。前記センタリング用カムが前記上側中心回転軸に対して独立的に回転できるように、前記センタリング用カムと前記上側中心回転軸との間にベアリングが設置されることが望ましい。
前記揺動カムが上昇して前記揺動用穴に嵌められれば、前記センタリングカムが前記センタリング用穴の上側から離脱し、前記センタリングカムが下降して前記センタリング用穴に嵌められれば、前記揺動カムが前記揺動用穴の下側から離脱するように前記揺動カムとセンタリングカムが設置されることが望ましい。
前記揺動板は、水平自由移動手段上に載せられ、前記水平自由移動手段の案内によって水平揺動し、この場合、前記水平自由移動手段は、LMレールの上側にLMブロックが置かれる下側LMガイドと、LMレールの下側にLMブロックが置かれ、前記下側LMガイドと直交する方向に直線運動を案内する上側LMガイドと、前記下側LMガイドのLMブロックと前記上側LMガイドのLMブロックが共に動くように前記下側LMガイドのLMブロックと前記上側LMガイドのLMブロックとを連結するコネクタとを含んで構成される。前記揺動板は前記上側LMガイドのLMレール上に載せられる。
本発明によれば、基板を水平回転させると同時に、基板を四方に水平揺動させることができるので、基板を均一に加熱することができる。
従来の基板回転方式の急速熱処理装置を説明するための図である。 基板を水平回転させると同時に、基板を四方に水平揺動させたとき、基板が均一に加熱されることを説明するための概念図である。 基板の水平回転のみを行う場合と、基板の水平回転と自由水平揺動を共に行う場合における熱重畳区間の差を説明するための図である。 本発明の第1の実施例に係る急速熱処理用基板回転揺動装置を説明するための図である。 図4の下側多極着磁磁石ホイール511の構造を説明するための図である。 図4の多極着磁磁石ドラム521の構造を説明するための図である。 図4の多極着磁磁石リング522の構造を説明するための図である。 図4の多極着磁磁石ドラム521と多極着磁磁石リング522の動力伝達過程を説明するための図である。 図4の基板揺動装置の動作過程を説明するための図である。 図4の基板揺動装置の動作過程を説明するための図である。 図4の基板揺動装置の動作過程を説明するための図である。 図4の基板揺動装置の動作過程を説明するための図である。 図4の揺動板140の移動軌跡を説明するための図である。 図4の揺動板140の移動軌跡を説明するための図である。 図4の4方向水平自由移動手段130を説明するための図である。 本発明の第2の実施例に係る急速熱処理用基板回転揺動装置を説明するための図である。
以下、本発明の好適な実施例を添付の各図面を参照して詳細に説明する。下記の実施例は、本発明の内容を理解するために提示されたものに過ぎず、当分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能であろう。したがって、本発明の権利範囲は、このような実施例によって限定されるものと解釈してはならない。
図2は、基板を水平回転させると同時に四方に水平揺動させたとき、基板が均一に加熱されることを説明するための概念図である。図2aに示すように、基板20を単純に水平回転させる場合、環状の熱重畳区間15aが発生する。しかし、図2bに示すように、基板20を水平回転させながら四方に水平揺動させれば、熱重畳が均一に起きるようになり、均一な熱重畳区間15bが得られる。
図3は、基板の水平回転のみを行う場合と、基板の水平回転と自由水平揺動を共に行う場合における熱重畳区間を比較して示した図である。図3aに示すように、基板の水平回転のみを行う場合は、環状の熱重畳区間15aが得られ、結果として、不均一な厚さの酸化膜17aが成長される。しかし、図3bに示すように、基板の水平回転と自由水平揺動を共に行う場合は、均一な熱重畳区間15bが得られ、結果として、均一な厚さの酸化膜17bが成長される。
[実施例1:多極着磁マグネット方式の水平回転+水平揺動]
図4は、本発明の第1の実施例に係る急速熱処理用基板回転揺動装置を説明するための図で、本出願人が大韓民国特許第523674号(2005.10.18)として既に登録を受けた多極着磁マグネット方式の基板回転装置全体を水平揺動させることによって、基板の水平回転と水平揺動を共に行うことを特徴とする。
[基板回転装置]
図4に示した多極着磁マグネット方式の基板回転装置は、本出願人が大韓民国特許第523674号(2005.10.18)として既に特許登録を受けたもので、これについての詳細な内容は大韓民国特許第523674号に開示されているので、ここでは簡略に説明する。
回転モータ510を回転させれば、回転モータ510の回転軸に連結された下側多極着磁磁石ホイール511が水平回転する。下側多極着磁磁石ホイール511を上から見れば、図5に示すように、N極とS極が円弧に沿って交互に配置される。下側多極着磁磁石ホイール511の上側には、これと平行に対向して上側多極着磁磁石ホイール512が設置される。上側多極着磁磁石ホイール512の構造は、下側多極着磁磁石ホイール511の構造と同一であって、下側多極着磁磁石ホイール511と上側多極着磁磁石ホイール512には、これらの間に引力が作用するように互いに異なる極が対向して設置される。したがって、下側多極着磁磁石ホイール511が水平回転すれば、磁力によって上側多極着磁磁石ホイール512が共に回転するようになる。下側多極着磁磁石ホイール511と上側多極着磁磁石ホイール512との間には透磁性壁(図示せず)が設置される。
多極着磁磁石ドラム521は、円盤状であって、中心が上側多極着磁磁石ホイール512の回転軸512aに連結されており、上側多極着磁磁石ホイール512が回転すれば、これと共に水平回転する。図6に示すように、多極着磁磁石ドラム521の側面には、N極が外側に位置するように磁石521aが設置される。
多極着磁磁石リング522は、外側面が多極着磁磁石ドラム521の側面に隣接するように設置される。多極着磁磁石リング522の側面にも、図7に示すように、N極が外側に位置するように磁石522aが設置される。したがって、図8に示すように、多極着磁磁石ドラム521が回転すれば、ギアに噛み合ったように多極着磁磁石リング522が共に回転する。
多極着磁磁石リング522は、連結部材22を介してウェハ支持台21に連結される。したがって、基板回転手段における動力伝達が回転モータ510→下側多極着磁磁石ホイール511→上側多極着磁磁石ホイール512→多極着磁磁石ドラム521→多極着磁磁石リング522→連結部材22→基板支持台21の順に行われ、基板20がR3を中心にして水平回転するようになる。加熱ランプ(図示せず)と基板20との間には石英窓15が位置する。
前記基板回転手段は、リング状揺動板140によって全体的に支持され、リング状揺動板140の内側縁部は、上側に折り曲げられて上昇折曲部140aをなしており、上昇折曲部140aと多極着磁磁石リング522の内側面との間にはベアリング530が設置される。ベアリング530の存在により、多極着磁磁石リング522が支持されながら安全に回転できるようになる。
チャンバ410の下部はハウジング420によって密閉され、ハウジング420内に前記基板回転手段が装着される。このとき、回転モータ510がハウジング420内に位置すれば、振動が発生するようになり、非接触式マグネット方式を採択する趣旨から外れるので、回転モータ510はハウジング420の外部に位置させ、回転モータ510とハウジング420との間にはベローズ421を設置し、このベローズ421によって回転モータ510とハウジング420との間を密封する。
[基板揺動装置]
図4を参照すれば、基板20の水平揺動は、前記基板回転装置を全体的に揺動させることによって行われる。前記基板回転装置の全体的な揺動は、リング状揺動板140を揺動させることによって得られる。
ハウジング420の底面上には4方向水平自由移動手段130が設置され、リング状揺動板140は4方向水平自由移動手段130上に置かれる。
揺動モータ102の回転軸は、下側中心回転軸103a、偏心軸103b及び上側中心回転軸103cに区分され、偏心軸103bは、下側中心回転軸103aと上側中心回転軸103cとの間に位置する。下側中心回転軸103aと上側中心回転軸103cは揺動モータ102の中心軸R1上に位置するが、偏心軸103bは、モータの中心軸R1からやや偏心した偏心線R2上に位置する。
揺動カム105は偏心軸103bに設置され、センタリングカム106は上側中心回転軸103cに設置される。揺動カム105が偏心軸103bに対して独立的に回転できるように、揺動カム105と偏心軸103bとの間にはベアリング105aが設置される。また、センタリングカム106が上側中心回転軸103cに対して独立的に回転できるように、センタリングカム106と上側中心回転軸103cとの間にもベアリング106aが設置される。
揺動板140には揺動カム105が嵌められる揺動用穴305と、センタリングカム106が嵌められるセンタリング用穴306とが揺動板140に垂直に穿孔される。センタリング用穴306と揺動用穴305は互いに連結され、センタリング用穴306が揺動用穴305の上側に位置する。
揺動カム105は、上側に行くほど幅が狭くなる円錐台状であって、揺動用穴305も、揺動カム105が合致して嵌められるように円錐台状である。センタリングカム106は、下側に行くほど幅が狭くなる逆円錐台状であって、センタリング用穴306も、センタリングカム106が合致して嵌められるように逆円錐台状である。
揺動カム105が上昇して揺動用穴305に嵌められれば、センタリングカム106がセンタリング用穴306の上側から離脱し、センタリングカム106が下降してセンタリング用穴306に嵌められれば、揺動カム105が揺動用穴105の下側から離脱するように揺動カム105とセンタリングカム106が設置される。
揺動カム105の上下運動は、昇下降手段101を通して揺動モータ102が全体的に上下運動することによって得られる。揺動モータ102がハウジング420内に位置すれば、振動が発生するようになり、上述したように、非接触式マグネット方式を採択する趣旨から外れるので、昇下降手段101と揺動モータ102も、回転モータ510と同様にハウジング420の外部に位置することが望ましい。揺動モータ102の上下運動とチャンバ410の密閉を考慮した上で、揺動モータ102とハウジング420との間はベローズ422で密封する。
図9〜図12は、図4の基板揺動装置の動作過程を説明するための図である。
まず、図9の参照符号“A”で示したように、センタリングカム106がセンタリング用穴306に嵌められた状態であるので、揺動カム105は揺動用穴305の下側から離脱する。このとき、回転モータ510と揺動モータ102は動作している。
揺動カム105は、揺動用穴305の下側から離脱した状態であるので、揺動板140の動きに寄与することができない。上側中心回転軸103cとセンタリングカム106との間にベアリング106aが設置されており、センタリングカム106が上側中心回転軸103cとは独立的に回転するので、センタリングカム106がセンタリング用穴306に嵌められた状態で揺動モータ102が回転するとしても、センタリングカム106も揺動板140の動きに寄与することができない。したがって、図9の状態では、回転モータ510によって基板の水平回転運動のみを行うようになる。
次に、図10に示すように、昇下降手段101によって揺動モータ102の昇降が起きる。その結果、参照符号Bで示したように、揺動カム105が揺動用溝305に嵌められ、センタリングカム106がセンタリング用溝306の上側から離脱する。
揺動カム105と揺動用溝305は、いずれも上側に行くほど幅が狭くなる円錐台状である。そのため、ある程度の昇降が起きれば、揺動カム105が揺動用溝305の上側に係止され、それ以上の昇降は起こらない。昇下降手段101の過度な上昇によって揺動カム105と揺動板140との間に互いに押す力が過度にかかるおそれがあるので、これを考慮した上で、昇下降手段101に弾性体を用いて緩衝装置(図示せず)を設置すればよい。このような緩衝装置は、昇下降手段101と揺動モータ102との間に設置されることもある。
図9の状態では、センタリングカム106がセンタリング用溝306に嵌められた状態であるので、揺動板140が揺動モータ102の中心軸R1を基準にして整列される。しかし、図10に示すように、センタリングカム106がセンタリング用溝306から離脱しながら、揺動カム105が揺動用溝305に嵌められれば、揺動板140が偏心線R2を基準にして整列される。したがって、揺動半径T1だけ揺動板140が水平移動する。揺動半径T1は、中心軸R1と偏心線R2との間の間隔になる。
偏心軸103bと揺動カム106との間にベアリング105aが設置されており、揺動カム160は偏心軸103bに対して空回りする状態になる。したがって、揺動板140は、揺動モータ102の回転によっては水平回転運動を行わず、水平に揺動半径T1だけ移動するようになる。
このような状態で揺動モータ102の回転が継続して行われれば、図10の参照符号Bで示したように、偏心軸103bが右側に配置されてから、図11の参照符号Cで示したように、偏心軸103cが左側に移動するようになる。その結果、揺動板140が左側に移動するようになる。
図10と図11は、区分動作を説明するための図で、揺動板140が左右のみに水平移動するように見えるが、これらの間の連続動作を考慮すれば、後述するように、実際には揺動板140が四方に水平揺動運動を行うようになる。
熱処理が全て行われた後、図12に示すように、昇下降手段101を下降させる。そして、センタリングカム106がセンタリング用溝306に嵌められ、揺動カム105は揺動用溝305の下側から離脱する。その結果、偏心軸103bの回転が揺動板140の水平揺動に関与できなくなり、基板の揺動が終了し、図9の状態に復帰する。すなわち、揺動過程で揺動板140が揺動モータ102の中心軸R1から逸脱してから、センタリング用溝306にセンタリングカム106が嵌められることによって、揺動板140が再び揺動モータ102の中心軸R1に合わせられる。
もちろん、このとき、熱処理が終了しているので、回転モータ510の回転は行われない。センタリングカム106とセンタリング用溝306がいずれも逆円錐台状であるので、ある程度の下降が起きれば、センタリングカム105がセンタリング用溝305の下側に係止され、それ以上の下降が防止される。
図13は、揺動モータ102の回転によって揺動板140が水平揺動する過程を説明するためのもので、揺動板140を上から見た図で、図14は、揺動板140の移動軌跡を示した図である。
図13aは図9に対応し、図13bは、図10及び図14のS1状態に対応し、図13dは、図11及び図14のS3状態に対応し、図13cは、図10と図11との間の状態、すなわち、図14のS2状態に対応する。すなわち、揺動モータ102が反時計方向に一回転すれば、揺動板140がS1→S2→S3→S4の軌跡に沿って揺動する。
揺動板140の揺動半径T1が、図2aに示した環状の各熱重畳区間15aの間隔より大きい場合、図2bに示すように、各熱重畳区間の間の空間をカバーするのに有利である。
揺動モータ102の回転は、基板自体の水平回転には寄与せず、基板を水平に揺動させるのに寄与する。揺動カム106と偏心軸103bとの間にベアリング105aを設置する理由は、このような揺動運動時に揺動カム106と揺動板140との間の滑り運動を自然にするためである。
図15は、4方向水平自由移動手段130を説明するための図で、図15aは断面図で、図15bは平面図で、図15cは、4方向水平自由移動手段130の移動軌跡を説明するための図である。
4方向水平自由移動手段130は、互いに垂直に移動できるように設置される二つのLMガイド131、133がコネクタ132を挟んで積層された構造を有する。
下側LMガイド131は、LMレール131aの上側にLMブロック131bが置かれる構造で、上側LMガイド133は、LMレール133aの下側にLMブロック133bが置かれる構造である。コネクタ132は、下側LMガイドのLMブロック131bと上側LMガイドのLMブロック133bが共に動くように下側LMガイドのLMブロック131bと上側LMガイドのLMブロック133bとの間に設置され、これらを連結固定する。したがって、下側LMガイド131のLMブロック131bがX軸方向に水平移動し、上側LMガイド133のLMレール133aがY軸方向に水平移動することによって、XY方向の2次元水平運動が起きる。
4方向水平自由移動手段130を通して揺動板140を参照番号135aのような軌跡に沿って水平移動させれば、実際には仮想の円運動135bを行うようになる。その結果、揺動板140は、仮想の円運動軌跡135bに沿って併進移動しながら水平揺動135cを行うようになる。したがって、揺動板140は、併進運動しながら揺動できるようになり、一層均一な熱処理が可能になる。
以上説明したように、多極着磁マグネット方式の長所を生かし、基板を水平回転させると同時に、基板を水平揺動させることができるので、基板の所定部位のみに熱重畳が起き、基板が不均一に加熱されることを防止できるようになる。
[実施例2:磁気浮上モータを用いる水平回転+水平揺動]
図16は、本発明の第2の実施例に係る急速熱処理用基板回転揺動装置を説明するための図で、基板の水平回転が磁気浮上モータによって行われる場合に関するものである。
磁気浮上モータは、図4に示すような回転モータ510が必要でなく、全的に磁気力によって回転する。リング状の固定子621の中間の空間に磁石の回転子662が設置され、固定子621にはコイルが巻かれており、ここで発生する磁場の力によって回転子622が浮揚状態で水平回転する。このような磁気浮上モータは、既に公知となったものである。回転子622は、連結部材22を介してウェハ支持台21に連結される。
前記磁気浮上モータはリング状揺動板140によって全体的に支持され、リング状揺動板140は、実施例1で説明したような揺動装置によって揺動される。揺動板140には、X軸変位センサ141、Y軸変位センサ142及びZ軸変位センサ143が設置されている。チャンバ410の下部はハウジング420によって密閉され、ハウジング420内に前記磁気浮上モータが装着される。ここでは、実施例1のような回転モータ510が必要でなく、回転手段の構成要素である固定子622と回転子621がいずれもハウジング420の内部に位置する。
基板回転装置として前記のように多極着磁マグネット方式や磁気浮上方式のモータを使用する理由は、振動と騒音がより減少し、パーティクル発生のおそれが減少し、工程の信頼性を向上できるためであって、本発明に係る揺動装置は、その他一般のモータ、ステップモータ、エアモータなどの一般的な手段を使用して基板を回転させる場合にも適用される。
101:昇下降手段、102:揺動モータ、105:揺動カム、120:基板、140:揺動板、305:揺動用穴

Claims (17)

  1. 基板を支持する基板支持台と連結され、前記基板支持台を水平回転させることによって前記基板を水平回転させる水平回転手段と、前記水平回転手段を全体的に支持する揺動板と、前記揺動板を水平揺動させることによって前記基板を水平揺動させる水平揺動手段と、を備えており、
    前記水平揺動手段は、
    回転軸が下側中心回転軸、偏心軸及び上側中心回転軸に区分され、前記下側中心回転軸と上側中心回転軸はモータ中心軸上に位置し、前記偏心軸は前記下側中心回転軸と上側中心回転軸との間に前記モータ中心軸から偏心して位置する揺動モータと、
    前記揺動モータを昇下降させる昇下降手段と、
    前記偏心軸に設置される揺動カムと、
    前記揺動カムが嵌められる揺動用穴が形成されている揺動板と、を備えることを特徴とする急速熱処理用基板回転揺動装置。
  2. 前記水平回転手段が、
    回転モータと、
    前記回転モータの回転軸に連結され、上面に磁石が設置される下側多極着磁磁石ホイールと、
    前記下側多極着磁磁石ホイールの上側に位置し、前記下側多極着磁磁石ホイールの磁力によって共に回転するように下面に磁石が設置される上側多極着磁磁石ホイールと、
    前記上側多極着磁磁石ホイールの回転軸に連結され、側面に磁石が設置される円盤状の多極着磁磁石ドラムと、
    外側面が前記多極着磁磁石ドラムに隣接するように設置され、前記外側面には磁石が設置され、前記多極着磁磁石ドラムの磁力によって共に回転し、前記基板支持台に連結される多極着磁磁石リングと、を含んで構成されることを特徴とする、請求項1に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  3. 前記揺動板は、内側縁部が上側に折り曲げられた上昇折曲部を有するリング状であって、前記多極着磁磁石リングの内側面と前記上昇折曲部との間にベアリングが設置されることを特徴とする、請求項2に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  4. 前記回転モータが熱処理チャンバの外部に位置し、前記回転モータと前記熱処理チャンバとの間はベローズによって密封されることを特徴とする、請求項2に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  5. 前記水平回転手段が、
    コイルが巻かれているリング状の固定子と、
    前記固定子の内側に設置され、前記コイルによって発生する磁場の力によって回転し、前記基板支持台に連結される回転子と、を含んで構成されることを特徴とする、請求項1に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  6. 前記固定子及び回転子が熱処理チャンバの内部に位置することを特徴とする、請求項5に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  7. 前記揺動板にX軸、Y軸及びZ軸変位センサが設置されることを特徴とする、請求項1に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  8. 前記昇下降手段及び前記揺動モータが熱処理チャンバの外部に位置し、前記揺動カムは前記熱処理チャンバの内部に位置することを特徴とする、請求項1に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  9. 前記揺動モータと前記熱処理チャンバとの間はベローズによって密封されることを特徴とする、請求項8に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  10. 前記揺動カムが前記偏心軸に対して独立的に回転できるように前記揺動カムと前記偏心軸との間にベアリングが設置されることを特徴とする、請求項1に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  11. 前記揺動カムは、上側に行くほど幅が狭くなる円錐台状であって、前記揺動用穴も、前記揺動カムが合致して嵌められるように円錐台状であることを特徴とする、請求項1に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  12. 前記上側中心回転軸にセンタリング用カムが設置され、前記揺動板には、前記センタリング用カムが嵌められるように前記揺動用穴から上側に延長され、センタリング用穴が形成されることを特徴とする、請求項1に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  13. 前記センタリング用カムは、下側に行くほど幅が狭くなる逆円錐台状であって、前記センタリング用穴も、前記センタリング用カムが合致して嵌められるように逆円錐台状であることを特徴とする、請求項12に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  14. 前記センタリング用カムが前記上側中心回転軸に対して独立的に回転できるように、前記センタリング用カムと前記上側中心回転軸との間にベアリングが設置されることを特徴とする、請求項12に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  15. 前記揺動カムが上昇して前記揺動用穴に嵌められれば、前記センタリングカムが前記センタリング用穴の上側から離脱し、前記センタリングカムが下降して前記センタリング用穴に嵌められれば、前記揺動カムが前記揺動用穴の下側から離脱するように前記揺動カムとセンタリングカムが設置されることを特徴とする、請求項12に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  16. 前記揺動板は、水平自由移動手段上に載せられ、前記水平自由移動手段の案内によって水平揺動することを特徴とする、請求項1に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
  17. 前記水平自由移動手段は、
    LMレールの上側にLMブロックが置かれる下側LMガイドと、
    LMレールの下側にLMブロックが置かれ、前記下側LMガイドと直交する方向に直線運動を案内する上側LMガイドと、
    前記下側LMガイドのLMブロックと前記上側LMガイドのLMブロックが共に動くように前記下側LMガイドのLMブロックと前記上側LMガイドのLMブロックとを連結するコネクタと、を含み、前記揺動板は前記上側LMガイドのLMレール上に載せられることを特徴とする、請求項16に記載の急速熱処理用基板回転揺動装置。
JP2010534884A 2007-11-22 2008-11-19 急速熱処理用基板回転揺動装置 Expired - Fee Related JP5162670B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0119833 2007-11-22
KR1020070119833A KR100906341B1 (ko) 2007-11-22 2007-11-22 급속열처리용 기판회전요동장치
PCT/KR2008/006799 WO2009066923A2 (en) 2007-11-22 2008-11-19 Substrate rotating and oscillating apparatus for rapid thermal process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011504659A true JP2011504659A (ja) 2011-02-10
JP5162670B2 JP5162670B2 (ja) 2013-03-13

Family

ID=40667983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010534884A Expired - Fee Related JP5162670B2 (ja) 2007-11-22 2008-11-19 急速熱処理用基板回転揺動装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8346068B2 (ja)
EP (1) EP2220675B1 (ja)
JP (1) JP5162670B2 (ja)
KR (1) KR100906341B1 (ja)
CN (1) CN101874297A (ja)
WO (1) WO2009066923A2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5869782B2 (ja) * 2011-05-30 2016-02-24 東レエンジニアリング株式会社 浮上搬送加熱装置
US20160348240A1 (en) * 2014-01-27 2016-12-01 Applied Materials, Inc High speed epi system and chamber concepts
US9953813B2 (en) * 2014-06-06 2018-04-24 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for improved metal ion filtering
US9659765B2 (en) 2014-07-21 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Enhancement of modulus and hardness for UV-cured ultra low-k dielectric films
JP6507953B2 (ja) * 2015-09-08 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN107022754B (zh) * 2016-02-02 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP6777055B2 (ja) * 2017-01-11 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN108109943B (zh) * 2017-12-15 2020-05-19 安徽省繁昌县皖南阀门铸造有限公司 一种涂布设备的热处理腔室
CN111952082B (zh) * 2020-09-11 2022-01-11 山东泰开电力电子有限公司 一种用于电容器外壳生产加工的烘干机
CN114508929B (zh) * 2022-02-14 2023-08-15 李正义 三次元掁动粉体烧结设备和烧结方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03271195A (ja) * 1990-03-20 1991-12-03 Fujitsu Ltd 基板回転装置
JP2003093958A (ja) * 2001-09-26 2003-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板への塗布液の塗布方法および塗布装置
KR100523674B1 (ko) * 2004-07-15 2005-10-25 코닉시스템 주식회사 급속 열처리장치의 웨이퍼 회전장치
JP2006078019A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Kokusai Electric Semiconductor Service Inc 熱処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444217A (en) 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
JPH10329011A (ja) * 1997-03-21 1998-12-15 Canon Inc 精密研磨装置及び方法
KR100553256B1 (ko) 2000-09-01 2006-02-20 주식회사 실트론 반도체 웨이퍼의 국부 열처리 장치
JP2002100602A (ja) 2000-09-22 2002-04-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理装置および基板表面処理方法
US6913528B2 (en) * 2001-03-19 2005-07-05 Speedfam-Ipec Corporation Low amplitude, high speed polisher and method
KR20040033676A (ko) * 2002-10-15 2004-04-28 김병영 세라믹 볼의 제조 방법 및 장치
KR100744101B1 (ko) * 2006-07-27 2007-08-01 두산메카텍 주식회사 웨이퍼 표면연마장비의 플래튼 구동 시스템

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03271195A (ja) * 1990-03-20 1991-12-03 Fujitsu Ltd 基板回転装置
JP2003093958A (ja) * 2001-09-26 2003-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板への塗布液の塗布方法および塗布装置
KR100523674B1 (ko) * 2004-07-15 2005-10-25 코닉시스템 주식회사 급속 열처리장치의 웨이퍼 회전장치
JP2006078019A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Kokusai Electric Semiconductor Service Inc 熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2220675A4 (en) 2012-09-26
WO2009066923A3 (en) 2009-08-06
EP2220675B1 (en) 2013-09-11
EP2220675A2 (en) 2010-08-25
CN101874297A (zh) 2010-10-27
US8346068B2 (en) 2013-01-01
KR100906341B1 (ko) 2009-07-06
WO2009066923A2 (en) 2009-05-28
US20100322603A1 (en) 2010-12-23
JP5162670B2 (ja) 2013-03-13
KR20090053152A (ko) 2009-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5162670B2 (ja) 急速熱処理用基板回転揺動装置
CA2233707C (en) Integrated magnetic levitation and rotation system
JP2018113431A (ja) 基板処理装置
JPH06267823A (ja) 位置決め装置
KR20010111030A (ko) 기판 회전장치
US20040232781A1 (en) Spindle motor
JPH10128692A (ja) 多関節ロボット
JP2001112223A (ja) 真空モータ及び搬送装置
CN1199336C (zh) 永磁式电动机和电梯装置
JP2000286312A (ja) 回転駆動機構及び被検査体の載置機構
CN113421836B (zh) 一种激光退火设备及激光退火方法
JP2019204844A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2012060754A (ja) 磁気浮上型回転導入機
KR102424177B1 (ko) 자기부상 회전 장치 및 진공 처리 장치
JP2001041237A (ja) 磁気軸受装置
KR100938358B1 (ko) 급속열처리용 기판요동장치
JP2012016215A (ja) アクチュエータ及び基板搬送ロボット
JPS60219724A (ja) 回転サセプタ支持装置
JP2001136706A (ja) モータ
JP2004265950A (ja) 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
JP2012016214A (ja) アクチュエータ及び基板搬送ロボット
KR100523674B1 (ko) 급속 열처리장치의 웨이퍼 회전장치
JPH06349867A (ja) 半導体素子分離装置
KR101000087B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP2004286176A (ja) 磁気軸受装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20111115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5162670

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R154 Certificate of patent or utility model (reissue)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees