JP3215498B2 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JP3215498B2 JP3215498B2 JP13496192A JP13496192A JP3215498B2 JP 3215498 B2 JP3215498 B2 JP 3215498B2 JP 13496192 A JP13496192 A JP 13496192A JP 13496192 A JP13496192 A JP 13496192A JP 3215498 B2 JP3215498 B2 JP 3215498B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程等で
は、基板、例えば、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板
等に各種の膜を形成する成膜装置が多用されている。こ
のような成膜装置のうち、例えば、一枚一枚半導体ウエ
ハにＣＶＤ膜を形成する枚葉式のＣＶＤ装置では、成膜
を行う処理チャンバ内に、半導体ウエハに対向するよう
に半導体ウエハとほぼ同様な大きさのガス供給部が配設
されており、このガス供給部に設けられた多数の細孔か
ら、半導体ウエハ全面に均一となるように所定のガス
（成膜用ガス）を供給するよう構成されている。
は、基板、例えば、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板
等に各種の膜を形成する成膜装置が多用されている。こ
のような成膜装置のうち、例えば、一枚一枚半導体ウエ
ハにＣＶＤ膜を形成する枚葉式のＣＶＤ装置では、成膜
を行う処理チャンバ内に、半導体ウエハに対向するよう
に半導体ウエハとほぼ同様な大きさのガス供給部が配設
されており、このガス供給部に設けられた多数の細孔か
ら、半導体ウエハ全面に均一となるように所定のガス
（成膜用ガス）を供給するよう構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＣＶＤ
装置では、１本のガス供給配管からマスフローコントロ
ーラ等で流量制御しつつ成膜用ガスをガス供給部に送
り、ここで、成膜用ガスを拡散させつつ半導体ウエハ面
に供給することにより、半導体ウエハ面内各部における
ガス供給量の均一性を保ち、均一な膜厚のＣＶＤ膜を形
成することができるようになっている。
装置では、１本のガス供給配管からマスフローコントロ
ーラ等で流量制御しつつ成膜用ガスをガス供給部に送
り、ここで、成膜用ガスを拡散させつつ半導体ウエハ面
に供給することにより、半導体ウエハ面内各部における
ガス供給量の均一性を保ち、均一な膜厚のＣＶＤ膜を形
成することができるようになっている。
【０００４】しかしながら、近年半導体ウエハあるいは
ＬＣＤ用ガラス基板等は、大形化される傾向にある。一
方、成膜装置は床面積当たりの建設コストが高いクリー
ンルーム内に配置されることから、装置を小形化し、設
置面積の削減を図ることが求められており、例えば８イ
ンチ等の大形の半導体ウエハや大形のＬＣＤ用ガラス基
板の成膜を行う成膜装置においても、処理チャンバを大
形化することが困難である。
ＬＣＤ用ガラス基板等は、大形化される傾向にある。一
方、成膜装置は床面積当たりの建設コストが高いクリー
ンルーム内に配置されることから、装置を小形化し、設
置面積の削減を図ることが求められており、例えば８イ
ンチ等の大形の半導体ウエハや大形のＬＣＤ用ガラス基
板の成膜を行う成膜装置においても、処理チャンバを大
形化することが困難である。
【０００５】このため、装置を大形化することなく大形
の基板に成膜を実施しようとすると、成膜用ガスを十分
に拡散させて基板全面に均一に供給することができず、
基板面内において膜厚が不均一になるという問題があっ
た。
の基板に成膜を実施しようとすると、成膜用ガスを十分
に拡散させて基板全面に均一に供給することができず、
基板面内において膜厚が不均一になるという問題があっ
た。
【０００６】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、装置を大形化して設置面積の増大を招く
ことなく、大形の基板に対しても膜厚の面内均一性の高
い良好な成膜処理を行うことのできる成膜装置を提供し
ようとするものである。
されたもので、装置を大形化して設置面積の増大を招く
ことなく、大形の基板に対しても膜厚の面内均一性の高
い良好な成膜処理を行うことのできる成膜装置を提供し
ようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の本発明の成膜装置は、処理チャンバ内に設けた基板を
加熱するとともに、当該基板に所定のガスを供給して熱
ＣＶＤにより成膜を行う成膜装置において、前記基板に
対向する如く配置され、複数の細孔から該基板面に前記
ガスを供給するガス供給部であって前記ガスの供給、停
止を制御する開閉弁を有するガス供給部を複数具備し、
前記開閉弁を順次開閉して、前記ガス供給部を所定順序
で順次切り替えることにより、前記ガスの供給位置を走
査する如く変更しながら前記基板面に前記ガスを供給す
るガス供給機構を設けたことを特徴とする。
の本発明の成膜装置は、処理チャンバ内に設けた基板を
加熱するとともに、当該基板に所定のガスを供給して熱
ＣＶＤにより成膜を行う成膜装置において、前記基板に
対向する如く配置され、複数の細孔から該基板面に前記
ガスを供給するガス供給部であって前記ガスの供給、停
止を制御する開閉弁を有するガス供給部を複数具備し、
前記開閉弁を順次開閉して、前記ガス供給部を所定順序
で順次切り替えることにより、前記ガスの供給位置を走
査する如く変更しながら前記基板面に前記ガスを供給す
るガス供給機構を設けたことを特徴とする。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【作用】上記構成の本発明の成膜装置では、開閉弁を順
次開閉して、ガス供給部を所定順序で順次切り替えるこ
とによって、ガスの供給位置を走査する如く変更しなが
ら基板面にガスを供給することにより、基板の一部等の
比較的狭い範囲（ゾーン）毎に、成膜用のガスを供給す
る。したがって、広い範囲に一度に成膜用ガスを供給す
る場合に較べて、より均一に基板面に成膜用ガスを供給
することができ、これにより、膜厚の面内均一性の高い
膜を形成することができる。
次開閉して、ガス供給部を所定順序で順次切り替えるこ
とによって、ガスの供給位置を走査する如く変更しなが
ら基板面にガスを供給することにより、基板の一部等の
比較的狭い範囲（ゾーン）毎に、成膜用のガスを供給す
る。したがって、広い範囲に一度に成膜用ガスを供給す
る場合に較べて、より均一に基板面に成膜用ガスを供給
することができ、これにより、膜厚の面内均一性の高い
膜を形成することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハに成膜を行うＣ
ＶＤ装置に適用した一実施例を、図面を参照して説明す
る。
ＶＤ装置に適用した一実施例を、図面を参照して説明す
る。
【００１２】図１に示すように、ＣＶＤ装置１には、内
部を気密に閉塞可能に構成された円筒状の処理チャンバ
２が設けられている。この処理チャンバ２内には、被処
理基板として直径例えば８インチの半導体ウエハ３の下
面縁部を支持する如く、複数のプッシャーピン４が設け
られており、このプッシャーピン４上に半導体ウエハ３
を載置するよう構成されている。
部を気密に閉塞可能に構成された円筒状の処理チャンバ
２が設けられている。この処理チャンバ２内には、被処
理基板として直径例えば８インチの半導体ウエハ３の下
面縁部を支持する如く、複数のプッシャーピン４が設け
られており、このプッシャーピン４上に半導体ウエハ３
を載置するよう構成されている。
【００１３】半導体ウエハ３の下側には、材質例えば石
英からなる円形の窓５が設けられており、この窓５の外
側には、枠６およびハウジング７等から構成された光源
室８が設けられている。光源室８内には、複数例えば６
個のランプ９が配設されたターンテーブル１０が設けら
れている。このターンテーブル１０は、プーリー１１、
１２およびベルト１３等を介して光源室８の外側に設け
られた誘導電動機１４に接続された回転軸１５に取り付
けられており、半導体ウエハ３の中心と一致する回転中
心線１６を軸として、回転速度例えば毎分３０〜６０回
転で回転可能に構成されている。
英からなる円形の窓５が設けられており、この窓５の外
側には、枠６およびハウジング７等から構成された光源
室８が設けられている。光源室８内には、複数例えば６
個のランプ９が配設されたターンテーブル１０が設けら
れている。このターンテーブル１０は、プーリー１１、
１２およびベルト１３等を介して光源室８の外側に設け
られた誘導電動機１４に接続された回転軸１５に取り付
けられており、半導体ウエハ３の中心と一致する回転中
心線１６を軸として、回転速度例えば毎分３０〜６０回
転で回転可能に構成されている。
【００１４】上記ターンテーブル１０上のランプ９は、
回転軸１５に対して偏心して設定された中心軸１７を中
心とする円周上に等間隔に配列されている。従って、タ
ーンテーブル１０の回転に伴うランプ９の回転軌跡は、
１つの円とはならず、回転中心線１６を中心とし、半導
体ウエハ３の周縁近傍に一定の幅を持つ複数本の円とな
る。
回転軸１５に対して偏心して設定された中心軸１７を中
心とする円周上に等間隔に配列されている。従って、タ
ーンテーブル１０の回転に伴うランプ９の回転軌跡は、
１つの円とはならず、回転中心線１６を中心とし、半導
体ウエハ３の周縁近傍に一定の幅を持つ複数本の円とな
る。
【００１５】これらのランプ９には、回転軸１５の下方
に設けられたスリップリング１８を介して電力が供給さ
れる。また、各ランプ９の周りには、焦点にランプ９の
フィラメントが位置する放物面または回転楕円面からな
る反射鏡１９が設けられ、処理チャンバ２内の窓５と半
導体ウエハ３との間には、内面が反射面とされた光ダク
ト２０が設けられており、ランプ９によって半導体ウエ
ハ３が効率良く加熱されるよう構成されている。
に設けられたスリップリング１８を介して電力が供給さ
れる。また、各ランプ９の周りには、焦点にランプ９の
フィラメントが位置する放物面または回転楕円面からな
る反射鏡１９が設けられ、処理チャンバ２内の窓５と半
導体ウエハ３との間には、内面が反射面とされた光ダク
ト２０が設けられており、ランプ９によって半導体ウエ
ハ３が効率良く加熱されるよう構成されている。
【００１６】一方、処理チャンバ２内の半導体ウエハ３
上部には、それぞれ独立した複数、例えば９個（図１に
は３個のみ示されている。）のガス供給部２１が設けら
れている。これらのガス供給部２１には、半導体ウエハ
３と対向する面にそれぞれ複数の細孔２２が形成されて
おり、ガス供給源２３からマスフローコントローラ等か
らなる流量制御機構２４によって所定流量に制御されつ
つガス供給配管２５を通って供給される成膜用ガスを、
これらの細孔２２から半導体ウエハ３に向けて流出させ
るよう構成されている。また、ガス供給配管２５には、
これらのガス供給部２１毎に開閉操作可能な如く、それ
ぞれ開閉弁２６が設けられている。これらの各開閉弁２
６は、コンピュータ等からなる図示しない制御装置によ
って、後述するようにその開閉が制御される。
上部には、それぞれ独立した複数、例えば９個（図１に
は３個のみ示されている。）のガス供給部２１が設けら
れている。これらのガス供給部２１には、半導体ウエハ
３と対向する面にそれぞれ複数の細孔２２が形成されて
おり、ガス供給源２３からマスフローコントローラ等か
らなる流量制御機構２４によって所定流量に制御されつ
つガス供給配管２５を通って供給される成膜用ガスを、
これらの細孔２２から半導体ウエハ３に向けて流出させ
るよう構成されている。また、ガス供給配管２５には、
これらのガス供給部２１毎に開閉操作可能な如く、それ
ぞれ開閉弁２６が設けられている。これらの各開閉弁２
６は、コンピュータ等からなる図示しない制御装置によ
って、後述するようにその開閉が制御される。
【００１７】このように構成された、ガス供給部２１
は、図２に示すように、半導体ウエハ３の上部に等間隔
で３行３列に配列されている。
は、図２に示すように、半導体ウエハ３の上部に等間隔
で３行３列に配列されている。
【００１８】上記構成のＣＶＤ装置１では、処理チャン
バ２に設けられた図示しない搬入・搬出口を開けて、搬
送アーム等により半導体ウエハ３を搬入し、プッシャー
ピン４上に載置する。そして、ターンテーブル１０を回
転させ、ランプ９によって半導体ウエハ３を均一に加熱
しつつ、開閉弁２６を順次開閉することにより、例えば
図２に矢印で示すように、ガス供給部２１を切り替え
て、順次半導体ウエハ３の各部に成膜用ガスを供給し
て、半導体ウエハ３全面に均一にＣＶＤ膜を形成する。
バ２に設けられた図示しない搬入・搬出口を開けて、搬
送アーム等により半導体ウエハ３を搬入し、プッシャー
ピン４上に載置する。そして、ターンテーブル１０を回
転させ、ランプ９によって半導体ウエハ３を均一に加熱
しつつ、開閉弁２６を順次開閉することにより、例えば
図２に矢印で示すように、ガス供給部２１を切り替え
て、順次半導体ウエハ３の各部に成膜用ガスを供給し
て、半導体ウエハ３全面に均一にＣＶＤ膜を形成する。
【００１９】すなわち、各ガス供給部２１から、半導体
ウエハ３の各部に、流量制御機構２４によって所定流量
に制御された成膜用ガスを供給することにより、広い範
囲に一度に成膜用ガスを供給する場合に較べて均一に成
膜用ガスを供給することができ、これにより、膜厚の面
内均一性の高いＣＶＤ膜を形成することができる。
ウエハ３の各部に、流量制御機構２４によって所定流量
に制御された成膜用ガスを供給することにより、広い範
囲に一度に成膜用ガスを供給する場合に較べて均一に成
膜用ガスを供給することができ、これにより、膜厚の面
内均一性の高いＣＶＤ膜を形成することができる。
【００２０】また、例えば、半導体ウエハ３の周縁部の
膜厚が中心部の膜厚より薄くなる等の膜厚の不均一が生
じるような場合は、半導体ウエハ３の周縁部に成膜用ガ
スを供給するガス供給部２１の開閉弁２６を開とする時
間を長くしたり、これらの開閉弁２６を開とする頻度を
高くすること等により、膜厚を調整することができ、こ
れにより、膜厚の面内均一性をさらに向上させることが
できる。
膜厚が中心部の膜厚より薄くなる等の膜厚の不均一が生
じるような場合は、半導体ウエハ３の周縁部に成膜用ガ
スを供給するガス供給部２１の開閉弁２６を開とする時
間を長くしたり、これらの開閉弁２６を開とする頻度を
高くすること等により、膜厚を調整することができ、こ
れにより、膜厚の面内均一性をさらに向上させることが
できる。
【００２１】なお、上記実施例では、流量制御機構２４
を１つのみ設け、開閉弁２６によって、成膜用ガスを流
出させるガス供給部２１を切り替えるように構成した例
について説明したが、各ガス供給部２１毎に流量制御機
構２４を設け、ガス供給部２１毎にガス流量の設定を変
えることができるよう構成することもできる。
を１つのみ設け、開閉弁２６によって、成膜用ガスを流
出させるガス供給部２１を切り替えるように構成した例
について説明したが、各ガス供給部２１毎に流量制御機
構２４を設け、ガス供給部２１毎にガス流量の設定を変
えることができるよう構成することもできる。
【００２２】図３は、他の実施例のＣＶＤ装置１ａの構
成を示すもので、前述した実施例と同一部分には同一符
号が付してある。このＣＶＤ装置１ａでは、ガス供給部
としてのノズル３０が１つのみ設けられており、このノ
ズル３０は、処理チャンバ２の外側に設けられたノズル
駆動機構３１によって、首振する如く駆動可能に構成さ
れており、半導体ウエハ３の各部に走査するように成膜
用ガスを供給することにより、前述した実施例と同様な
効果を得ることができる。
成を示すもので、前述した実施例と同一部分には同一符
号が付してある。このＣＶＤ装置１ａでは、ガス供給部
としてのノズル３０が１つのみ設けられており、このノ
ズル３０は、処理チャンバ２の外側に設けられたノズル
駆動機構３１によって、首振する如く駆動可能に構成さ
れており、半導体ウエハ３の各部に走査するように成膜
用ガスを供給することにより、前述した実施例と同様な
効果を得ることができる。
【００２３】図４は、さらに他の実施例のＣＶＤ装置１
ｂの構成を示すもので、前述した実施例と同一部分には
同一符号が付してある。このＣＶＤ装置１ｂでは、ガス
供給部が図５にも示すように同心円状に分割された３つ
のガス供給部４１、４２、４３から構成されている。こ
れらのガス供給部４１、４２、４３には、それぞれガス
流出用の細孔４４が設けられており、その上部には、ほ
ぼ円錐形状に形成されたガス溜め部４５が設けられてい
る。そして、これらのガス溜め部４５には、それぞれ流
量制御機構２４を介挿され、ガス供給機構２３に連通さ
れたガス供給配管２５が接続されている。
ｂの構成を示すもので、前述した実施例と同一部分には
同一符号が付してある。このＣＶＤ装置１ｂでは、ガス
供給部が図５にも示すように同心円状に分割された３つ
のガス供給部４１、４２、４３から構成されている。こ
れらのガス供給部４１、４２、４３には、それぞれガス
流出用の細孔４４が設けられており、その上部には、ほ
ぼ円錐形状に形成されたガス溜め部４５が設けられてい
る。そして、これらのガス溜め部４５には、それぞれ流
量制御機構２４を介挿され、ガス供給機構２３に連通さ
れたガス供給配管２５が接続されている。
【００２４】このように構成されたＣＶＤ装置１ｂで
は、ガス供給部４１、４２、４３から、半導体ウエハ３
の各部に、それぞれ流量制御された成膜用ガスを供給す
ることができる。したがって、前述した実施例と同様
に、膜厚の面内均一性の高いＣＶＤ膜を形成することが
できる。
は、ガス供給部４１、４２、４３から、半導体ウエハ３
の各部に、それぞれ流量制御された成膜用ガスを供給す
ることができる。したがって、前述した実施例と同様
に、膜厚の面内均一性の高いＣＶＤ膜を形成することが
できる。
【００２５】図６は、さらに他の実施例のＣＶＤ装置１
ｃの要部概略構成を示すもので、このＣＶＤ装置１ｃで
は、図７にも示すように、ガス供給部６０が、複数の細
管６１を規則正しく配列して構成されており、流量制御
機構２４によって流量制御され、ガス溜め６２を介して
送出されてきた成膜用ガスを、これらの細管６１から、
半導体ウエハ３に向けて供給するよう構成されている。
また、このガス供給部６０の上部には、排気配管６３が
接続されており、ここから排気を実施するよう構成され
ている。
ｃの要部概略構成を示すもので、このＣＶＤ装置１ｃで
は、図７にも示すように、ガス供給部６０が、複数の細
管６１を規則正しく配列して構成されており、流量制御
機構２４によって流量制御され、ガス溜め６２を介して
送出されてきた成膜用ガスを、これらの細管６１から、
半導体ウエハ３に向けて供給するよう構成されている。
また、このガス供給部６０の上部には、排気配管６３が
接続されており、ここから排気を実施するよう構成され
ている。
【００２６】上記構成のこの実施例のＣＶＤ装置１ｃで
は、各細管６１から半導体ウエハ３の各部に均一に成膜
用ガスを供給することができるとともに、半導体ウエハ
３面で反応した後の排ガスを、これらの各細管６１の近
傍から直ちに上方へ排出することができ、基板面に沿っ
て排ガスの流れが形成されることを防止することがで
き、半導体ウエハ３に、膜厚の面内均一性の高いＣＶＤ
膜を形成することができる。
は、各細管６１から半導体ウエハ３の各部に均一に成膜
用ガスを供給することができるとともに、半導体ウエハ
３面で反応した後の排ガスを、これらの各細管６１の近
傍から直ちに上方へ排出することができ、基板面に沿っ
て排ガスの流れが形成されることを防止することがで
き、半導体ウエハ３に、膜厚の面内均一性の高いＣＶＤ
膜を形成することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜装置
によれば、装置を大形化して設置面積の増大を招くこと
なく、大形の基板に対しても膜厚の面内均一性の高い良
好な成膜処理を行うことができる。
によれば、装置を大形化して設置面積の増大を招くこと
なく、大形の基板に対しても膜厚の面内均一性の高い良
好な成膜処理を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例の成膜装置の構成を示す図。
【図２】図１の成膜装置の要部構成を示す図。
【図３】本発明の他の実施例の成膜装置の構成を示す
図。
図。
【図４】本発明のさらに他の実施例の成膜装置の構成を
示す図。
示す図。
【図５】図４の成膜装置の要部構成を示す図。
【図６】本発明のさらに他の実施例の成膜装置の構成を
示す図。
示す図。
【図７】図６の成膜装置の要部構成を示す図。
１ ＣＶＤ装置 ２ 処理チャンバ ３ 半導体ウエハ ２１ ガス供給部 ２２ 細孔 ２３ ガス供給源 ２４ 流量制御機構 ２５ ガス供給配管 ２６ 開閉弁
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】 処理チャンバ内に設けた基板を加熱する
とともに、当該基板に所定のガスを供給して熱ＣＶＤに
より成膜を行う成膜装置において、 前記基板に対向する如く配置され、複数の細孔から該基
板面に前記ガスを供給するガス供給部であって前記ガス
の供給、停止を制御する開閉弁を有するガス供給部を複
数具備し、 前記開閉弁を順次開閉して、前記ガス供給部を所定順序
で順次切り替えることにより、前記ガスの供給位置を走
査する如く変更しながら前記基板面に前記ガスを供給す
るガス供給機構を設けたことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13496192A JP3215498B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13496192A JP3215498B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335239A JPH05335239A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3215498B2 true JP3215498B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=15140634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13496192A Expired - Fee Related JP3215498B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 成膜装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3215498B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6554905B1 (en) * | 2000-04-17 | 2003-04-29 | Asm America, Inc. | Rotating semiconductor processing apparatus |
| JP4655395B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその方法 |
| JP4513985B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2010-07-28 | 日本電気株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2006261683A (ja) * | 2001-08-28 | 2006-09-28 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置 |
| US20070071896A1 (en) | 2003-08-20 | 2007-03-29 | Veeco Instruments Inc. | Alkyl push flow for vertical flow rotating disk reactors |
| US8187415B2 (en) | 2006-04-21 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch reactor with distribution of etch gases across a wafer surface and a polymer oxidizing gas in an independently fed center gas zone |
| US8231799B2 (en) * | 2006-04-28 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with multiple gas injection zones having time-changing separate configurable gas compositions for each zone |
| JP5459895B2 (ja) * | 2007-10-15 | 2014-04-02 | Ｃｋｄ株式会社 | ガス分流供給ユニット |
| US9716005B1 (en) | 2016-03-18 | 2017-07-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma poisoning to enable selective deposition |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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