JP2001015481A - エッチング装置 - Google Patents

エッチング装置

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JP2001015481A
JP2001015481A JP11184977A JP18497799A JP2001015481A JP 2001015481 A JP2001015481 A JP 2001015481A JP 11184977 A JP11184977 A JP 11184977A JP 18497799 A JP18497799 A JP 18497799A JP 2001015481 A JP2001015481 A JP 2001015481A
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Japan
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space
substrate
etching
processing
fluid
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JP11184977A
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Inventor
Masahiro Miyagi
雅宏 宮城
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板周縁部におけるエッチングレートが低下す
ることなく、基板Wに対して均一なエッチング処理を行
うことのできるエッチング装置を提供する。 【解決手段】下部空間16内のHF蒸気を流路40に案
内する流体案内部材を拡散板14の周縁部下面に固設す
る。下部空間16内において基板Wに対するエッチング
処理の終了したHF蒸気が、拡散板14の傾斜面に沿っ
て基板載置台13側方の流路40を通って流体排気口3
6に向かってスムーズに流れ、排気管37から排出され
る。このため、処理後のHF蒸気が基板周縁部上方に滞
留する事を防止でき、基板周縁部でのエッチングレート
が低下することなく基板Wに対して均一なエッチング処
理を施すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板に対してふっ酸(HF)蒸気等のエ
ッチング用処理流体を供給して基板の処理面に形成され
た被膜を除去するエッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図8は従来のエッチング装置の概略構成
を示す概略構成図である。図8において、エッチング装
置100はOリング119aを介してフード111とフ
ード受け部112とにより形成されたチャンバー120
内に基板載置台113を備えている。そしてフード11
1には、フード111の天板と基板載置台113とによ
り形成された処理空間を上部空間115と下部空間11
6とに仕切る複数の流体通過口121が形成された拡散
板114が固設されている。
【0003】また、フード111には上部空間115に
対してエッチング用処理流体としてふっ酸(以下、HF
と称す)蒸気を導入するための流体導入口131が形成
されており、流体導入口131と流体供給源138とが
流体導入管132により連通接続されている。そして、
流体導入管132には開閉弁133が取付けられてい
る。一方、フード受け部112には、チャンバー120
内のHF蒸気をチャンバー120の外部に排出するため
の複数の、例えば2つの流体排気口136が形成されて
おり、流体排気口136と図示しない排気源とが排気管
137により連通接続されている。
【0004】基板載置台113の上面には基板Wを保持
し、基板Wの周縁部に対応して、基板Wの位置決め及び
昇降を行う複数のピン117が配置されている。よって
複数のピン117は、基板W搬入時および搬出時には図
示しないピン昇降機構の駆動により昇降動作し、基板W
を昇降させる構成となっている。
【0005】基板載置台113は、モータMの回転軸1
18の先端に水平に固定され、鉛直方向の軸周りで回転
駆動される。回転軸118は、フード受け部112を貫
通して回転動作を行うように設けられており、回転軸1
18とフード受け部112との隙間はOリング119b
によってシールされている。
【0006】また、基板載置台113の側方には、フー
ド111の内側壁と基板載置台113の側周部とにより
下部空間116内のHF蒸気を流体排気口136に導く
ための流路140が形成されている。
【0007】上述のようなエッチング装置100におい
て、チャンバー120内への基板Wの搬入時およびチャ
ンバー120内からの基板Wの搬出時には、図示しない
フード昇降機構によりフード111が昇降してチャンバ
ー120が開閉される。そして図示しないピン昇降機構
の駆動によりピン117が昇降して図示しない基板W搬
送手段との間で基板Wの受渡しを行い、基板Wの搬入お
よび搬出が行われる。
【0008】エッチング処理時には、まず基板Wがチャ
ンバー120内に搬入されて基板載置台113上に保持
され、フード111とフード受け部112により略密閉
状態の処理空間が形成される。そして、モータMにより
基板載置台113が回転駆動され基板Wを所定の速度で
回転し、開閉弁133が開かれ流体供給源138より供
給されたHF蒸気が流体導入管132を通って流体導入
口131から上部空間115に導入される。
【0009】そして上部空間115に充満したHF蒸気
は、拡散板114の流体通過口121を通過して下部空
間116に流入し、基板W表面に形成された被膜のエッ
チング処理が行われる。基板Wに対するエッチング処理
の終了したHF蒸気は、流路140を通ってフード受け
部112に形成された流体排気口136に接続された排
気管137から図示しない排気源へと排気される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のエ
ッチング装置100においては、エッチング処理継続中
に基板Wに対するエッチング処理を終了したHF蒸気
が、流路140に向かうことなく下部空間116内でフ
ード111の内側壁面に沿って拡散板114下面近傍の
空間に滞留することがあった。特に、基板載置台113
を回転させながら基板Wのエッチング処理を行う場合に
は、下部空間116内において基板載置台113の回転
によって形成される回転中心から外方へ向かう気流によ
りHF蒸気の滞留を助長する要因となっていた。
【0011】このように、エッチング処理継続中にエッ
チング処理を終了したHF蒸気が下部空間116内のフ
ード111の内側壁面に沿って、即ち基板Wの周縁部上
方に滞留すると、新たに供給される処理前の新鮮なHF
蒸気がエッチング処理を終了して滞留するHF蒸気と混
合されて処理前の新鮮なHF蒸気の濃度が下がり、基板
W周縁部においてエッチング処理の進行している割合
(以下、エッチングレートと称す)が基板W中央部にお
けるエッチングレートと比較して低下するという弊害が
生じる。そのため、基板Wへのエッチング処理にむらが
発生し、基板Wの処理面全域にわたって均一なエッチン
グ処理を行うことができないという問題があった。
【0012】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板W周縁部におけるエッチングレー
トが低下することなく、基板Wに対して均一なエッチン
グ処理を行うことのできるエッチング装置を提供するこ
とを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載のエッチング装置は、基板に形成さ
れた被膜に対してエッチング用処理流体を供給すること
により、被膜を除去するエッチング装置であって、水平
姿勢で基板を載置する基板載置台と、基板載置台上の上
方および周囲を覆うように配設され、基板を載置する基
板載置台の載置部との間に処理空間を形成するフード
と、処理空間にエッチング用処理流体を供給する処理流
体供給手段と、基板載置台の側周部と当該基板載置台の
側周部と対向するフードの内側壁面により形成され、処
理空間と排気管とを連通する流路とを備え、処理空間内
に、処理流体供給手段により処理空間に供給されたエッ
チング用処理流体を流路に案内する流体案内部材を備え
たことを特徴とするものである。
【0014】また、請求項2に記載のエッチング装置
は、請求項1に記載のエッチング装置の構成において、
流体案内部材は、基板の中央寄りの位置からフードの内
側壁面にかけて流路に向かって傾斜する傾斜板よりなる
ことを特徴とするものである。
【0015】また、請求項3に記載のエッチング装置
は、請求項2に記載のエッチング装置の構成において、
処理空間をエッチング用処理流体が導入される上部空間
と前記基板載置台を有する下部空間とに仕切り、エッチ
ング用処理流体を上部空間から下部空間に導く複数の流
体通過口を有する拡散板を備え、流体案内部材が拡散板
の下面に配置されたことを特徴とするものである。
【0016】また、請求項4に記載のエッチング装置
は、請求項1に記載のエッチング装置の構成において、
処理空間をエッチング用処理流体が導入される上部空間
と基板載置台を有する下部空間とに仕切り、エッチング
用処理流体を上部空間から下部空間に導く複数の流体通
過口を有した拡散板を備え、流体案内部材は拡散板と兼
用され、基板中心部に対向する位置からフードの内側壁
面にかけて流路へ向かって傾斜する円錐体であることを
特徴とするものである。
【0017】また、請求項5に記載のエッチング装置
は、基板に形成された被膜に対してエッチング用処理流
体を供給することにより、被膜を除去するエッチング装
置であって、水平姿勢で基板を載置する基板載置台と、
基板載置台上の上方および周囲を覆うように配設され、
基板を載置する基板載置台の載置部との間に処理空間を
形成するフードと、処理空間にエッチング用処理流体を
供給する処理流体供給手段と、基板載置台の側周部と当
該基板載置台の側周部と対向するフードの内側壁面によ
り形成され、処理空間と排気管とを連通する流路とを備
え、処理空間に供給されたエッチング用処理流体が処理
空間に滞留するのを制限する空間制限部材を処理空間に
配置したことを特徴とするものである。
【0018】また、請求項6に記載のエッチング装置
は、請求項5に記載のエッチング装置の構成において、
処理空間をエッチング用処理流体が導入される上部空間
と基板載置台を有する下部空間とに仕切り、エッチング
用処理流体を上部空間から下部空間に導く複数の流体通
過口を有した拡散板があり、空間制限部材は、拡散板と
兼用され、空間制限部材の下部空間側の壁面が段差を有
し、基板端部近傍からフードの内側壁面にかけての壁面
が、基板中心部における壁面よりも載置台へ向かって突
出することを特徴とするものである。
【0019】
【発明の実施形態】以下、図面を参照して本発明に係る
エッチング装置の第1の発明に係る第1の実施形態を説
明する。図1は本発明の第1の実施形態に係るエッチン
グ装置1を示す概略構成図である。
【0020】エッチング装置1は、円筒状のフード11
および円盤状のフード受け部12からなるチャンバー2
0と、チャンバー20内に配置され基板Wが載置される
基板載置台13と、この基板載置台13に連結された回
転軸18およびモータMからなる駆動手段50と、前記
チャンバー20内にエッチング用処理流体としてのHF
蒸気および窒素ガスを供給する処理流体供給手段30
と、そのHF蒸気をチャンバー20より排出する流体排
出機構60とにより構成される。
【0021】チャンバー20は、円筒状のフード11お
よび円盤状のフード受け部12により平面視環状のOリ
ング19aを介して装着し形成されている。フード11
は、天板11aと天板11aの下面に延設される側壁1
1bとにより構成され、フード受け部12と天板11a
との間に処理空間を形成する。また、フード受け部12
は、エッチング装置1の基台を構成し、その周縁が立壁
を有し、上面にOリング19aが配置され、その上面に
フード11の側壁11bの下面が当接する。そして、フ
ード11は図示しない開閉機構により昇降動作し、チャ
ンバー20が開閉される。尚、フード11およびフード
受け部12の材質は、好ましくは酸化腐食を防止するた
めにフッ素樹脂、例えばテフロン(登録商標)がよい。
【0022】基板載置台13はその上面に基板Wを載置
する載置部13aを備え、水平姿勢で基板を載置する薄
板状の円柱形である。載置部13aには、基板Wの下面
を載置部13aに近接した状態で保持する図示しない複
数の球状スペーサが固設されている。また、載置部13
aの周縁部には、基板W搬入時および搬出時には図示し
ない基板昇降機構の駆動により基板Wの端部および裏面
周縁部を保持して基板Wを昇降させ、且つ、基板W処理
時には載置部13a上に載置された基板Wの端部に当接
して位置決めを行う複数の、例えば3本のピン17が配
置されている。
【0023】駆動手段50は、上端部に基板載置台13
を水平に固定される回転軸18と、回転軸18を介して
基板載置台13を鉛直方向の軸周りで回転駆動するモー
タMとよりなる。回転軸18は、フード受け部12を貫
通して回転動作を行うように設けられており、回転軸1
8とフード受け部12との隙間は平面視環状のOリング
19bによってシールされている。
【0024】処理流体供給手段30は、フード11の側
壁11bの上部に開孔された流体導入口31と、流体導
入口31に連通される流体導入管32と、HF蒸気供給
源38と、窒素ガス供給源39とを有する。
【0025】流体導入口31は、図1のA―A矢視断面
図である図2に示すようにフード11の側壁11bの上
部に単一の流体通過口で形成されている。そして、流体
導入口31とHF蒸気供給源38、及び窒素ガス供給源
39とはそれぞれ流体導入管32の上流側である分岐管
32aおよび分岐管32bによって連通接続されてお
り、HF蒸気供給源38、窒素ガス供給源39により供
給された各種流体がチャンバー20の処理空間に導入さ
れる。そして分岐管32aと分岐管32bとの分岐部分
よりも上流側に開閉弁33と開閉弁34が介装されてい
る。
【0026】開閉弁33、開閉弁34をともに閉にする
と上部空間15内へHF蒸気および窒素ガスの導入が行
われず、開閉弁34を開にし、開閉弁33を閉にすれば
上部空間15内へ窒素ガスが導入され、開閉弁34を閉
にし、開閉弁33を開にすれば上部空間15内へHF蒸
気が導入される。
【0027】流体排出機構60は、チャンバー20の処
理空間の雰囲気を排気する流体排気口36と、この流体
排気口36に配設された流体排気管37、および流体排
気管37に図示しない排気手段が介装され構成される。
【0028】流体排気口36は、図2に点線で示すよう
にフード受け部12の周縁部に離間して2つ形成されて
いる。そして、各流体排気口36は排気管37を介して
図示しない排気手段により吸引されている。よって下部
空間16供給されたHF蒸気を微少な排気圧で下方へ排
気すべく排気手段は排気管37を介して各流体排気口3
6に作用する。
【0029】次にチャンバー20内の構成について説明
する。チャンバー20内においては、基板載置台13の
側周部と、この側周部と対向するフード11の側壁11
bの内側壁面とにより、処理空間と流体排気管37とを
連通する流路40が形成されている。そして処理空間に
供給されたエッチング用処理流体は、図2に示すように
この基板載置台13の全周にわたって形成される流路4
0を通過して図示しない排気手段により流体排気管37
から排気される。
【0030】更にフード11の側壁11bの内側壁面に
は、平面視で円盤状の拡散板14が付設されている。拡
散板14は、図3にその全体を示すようにチャンバー2
0内の処理空間をエッチング用処理流体が導入される上
部空間15と、基板載置台13を備えた下部空間16と
に仕切る板体から構成される。そして、エッチング用処
理流体を上部空間15から下部空間16に導く複数の通
過口21を有し、エッチング用処理流体を基板W全面に
向かって拡散し、均一に供給するよう構成されている。
【0031】拡散板14の下面には、傾斜板S1が取り
付けられている。傾斜板S1は図3に全体図を示すよう
に基板Wの端部よりも基板Wの中央寄りにわずかに対向
する位置からフード11の側壁11bの内側壁面にかけ
て、流路40に向かって傾斜する断面形状を有し、かつ
平面視で環状の上端が開放した円すい体で構成される。
この傾斜板S1は、例えば、基板W端部から20mmか
ら30mm基板Wの中央寄りの位置からフード11の側
壁11bの内側壁面にかけて配置するのがよい。上記実
施形態においては、この傾斜板S1が本願発明の流体案
内部材に相当する。
【0032】次に、上記構成を有する第1の実施形態の
エッチング装置1におけるエッチング処理時の動作につ
いて説明する。チャンバー20内に基板Wが搬入される
と、モータMにより回転軸18を介して基板載置台13
が所定の速度で図2に示す矢印Y方向に鉛直軸周りで回
転駆動され、基板Wが所定の速度で回転を開始する。
【0033】次に開閉弁34を開にし、窒素ガス供給源
39からプリパージ用ガスとしての窒素ガスを分岐管3
2bを介して流体導入口31からチャンバー20の上部
空間15内に導入してチャンバー20内を窒素ガス雰囲
気とする。チャンバー20内が窒素ガス雰囲気になる
と、開閉弁34を閉にして窒素ガスの供給を停止する。
【0034】続いて開閉弁33を開にしてHF蒸気供給
源38からHF蒸気が上部空間15内に導入される。こ
の時、HF蒸気は図2に示すように基板載置台13の回
転方向を示す矢印Yとは逆方向の矢印Xに沿った周方向
の流れを形成するように上部空間15内に導入される。
やがて上部空間15内に充満したHF蒸気が、拡散板1
4に形成された複数の流体通過口21を通過して下部空
間16内に流入し、下部空間16内に充満する。そして
下部空間16内に充満したHF蒸気が基板W表面に形成
された被膜のエッチング処理を行う。
【0035】下部空間16内において基板W表面に形成
された被膜のエッチング処理の終了したHF蒸気は、流
体排出機構60により流路40へ吸引されることとなる
が、下部空間16内において、そのHF蒸気の流れは拡
散板14の下壁面から傾斜板S1の傾斜面に沿って基板
W周縁部上方の領域に滞留せずスムーズに流路40に流
入し、流体排気口36に向かって流れ、流体排気管37
へ排出される。
【0036】その後、所定時間が経過すると、開閉弁3
3を閉にして上部空間15へのHF蒸気の供給が停止さ
れる。上部空間15内へのHF蒸気の供給が停止される
と、次に再び開閉弁34を開にして上部空間15内にリ
ンス用ガスとしての窒素ガスを導入して上部空間15お
よび下部空間16を含むチャンバー20内を窒素ガス雰
囲気に置換する。
【0037】チャンバー20内の窒素ガス雰囲気への置
換が終了すると、開閉弁34を閉にして上部空間15へ
の窒素ガスの供給が停止される。そしてモータMが停止
して基板載置台13の回転が停止される。
【0038】そして、図示しない開閉機構によりフード
11が上昇し、また、図示しない基板昇降機構の上昇駆
動によりピン17が上昇して、ピン17に支持された基
板Wが図示しない基板搬送手段に受け渡され、チャンバ
ー20外に搬出されて処理が終了する。上記動作を繰り
返して基板Wへのエッチング処理が次々に行われてい
く。
【0039】このように拡散板14に、基板W周縁部に
対向する位置よりもわずかに基板W中央部側の位置から
フード11の側壁11bの内側壁面にかけて下方に向け
て傾斜する断面形状を有する傾斜板S1を固設すること
により、下部空間16内において、基板W表面に形成さ
れた被膜のエッチング処理の終了したHF蒸気が、傾斜
板S1に沿って基板載置台13側方の流路40に向かっ
てスムーズに流れる。即ち、下部空間16内のHF蒸気
は図示しない排気手段による吸引と、基板載置台13の
回転による基板中心から外方へ向かう気流により流路4
0へ案内される。この時傾斜板S1がない場合、HF蒸
気はフード11の側壁11bの内側壁面に当接し、基板
W周縁部の上方に、言い換えると拡散板14下壁面に沿
って渦を巻いて滞留する。しかしながら、傾斜板S1を
備えると、HF蒸気は滞留することなく速やかに流路4
0へ案内される。従って、エッチング処理後のHF蒸気
が基板W周縁部の上方に滞留することを効果的に防止で
きる。
【0040】次に、本発明に係るエッチング装置の第2
の実施形態を図4および図5を参照して説明する。図4
は第1の発明に係る第2の実施形態のエッチング装置2
を示す概略構成図である。なお、この第2の実施形態に
おいて第1の実施形態と異なるのは流体案内部材の構成
のみであり、それ以外の構成、および処理動作は上述し
た第1の実施形態と同様であるので、共通する部分は図
1と同一の符号を付してその説明は省略する。
【0041】この第2の実施形態においては、図4およ
び図5に示すように流体案内部材P1は、基板W中心部
に対向する位置からフード11の側壁11bの内側壁面
にかけて流路40へ向かって傾斜する円錐体形状とす
る。また、流体案内部材P1には、複数の流体通過口2
1が穿設され、処理流体の拡散機能をも有する。即ち、
流体案内部材P1は第1の実施形態における拡散板14
と兼用して構成されている。このように流体案内部材P
1を図5に全体を示すような形状としたことにより、下
部空間16内において基板W表面に形成された被膜のエ
ッチング処理の終了したHF蒸気が、流体案内部材P1
下壁面の傾斜面に沿って基板載置台13側方の流路40
に向かってスムーズに流れ、流路40を通って流体排気
口36から排気管37へ排出される。従って、エッチン
グ処理後のHF蒸気が基板W周縁部の上方に滞留するこ
とを防止できる。また、拡散板を別途設ける必要がない
ので、構成が簡略化される。
【0042】次に、第2の発明に係るエッチング装置3
の実施形態について図6および図7を参照して説明す
る。図6はエッチング装置3を示す概略構成図である。
なお、この第2の発明の実施形態において第1の発明の
実施形態と共通する部分は図1と同一の符号を付してそ
の説明は省略する。尚、主に異なるのは空間制限部材P
2の構成のみであり、それ以外の構成、および処理動作
は上述した第1の実施形態と同様である。
【0043】図6に示すように空間制限部材P2は、下
部空間16側の壁面が段差を有し、基板W端部近傍から
フード11の側壁11bの内側壁面にかけての壁面P2
1が、基板W中心部における壁面P22よりも載置台1
3へ向かって突出する構成となっている。また、図7に
全体を示すように空間制限部材P2には、複数の流体通
過口21が穿設され、処理流体の拡散機能をも有する。
即ち、空間制限部材P2は、第1の実施形態における拡
散板14と兼用して構成されている。このように、空間
制限部材P2を図6および図7のような形状としたこと
により、下部空間16におけるフード11の側壁11b
の内側壁面近傍の空間が縮小され、下部空間16内にお
いて基板W表面に形成された被膜のエッチング処理の終
了したHF蒸気が、基板W端部近傍の上方に滞留するこ
とが制限され防止できる。即ち、この第2の発明におい
ては、HF蒸気が滞留する領域を制限することで、HF
蒸気のスムーズな流れを形成するものである。
【0044】なお、上記第1および第2の実施形態にお
いては各流体案内部材は下部空間16に対向する面を断
面で直線状としたが、本発明の実施形態としてはこれに
限らず、例えば流体案内部材が放物線等の曲線形状を有
する板部材であるとしてもよく、その他チャンバー20
の処理空間に供給されたエッチング用処理流体を流路4
0にスムーズに案内できる面形状であればよい。また、
流体案内部材は板部材に限定される必要はなく、例えば
ブロック状としてもよい。
【0045】また、上記第2の実施形態においては、拡
散板の機能を兼用する流体案内部材P1が基板W中心部
に対向する位置からフード11の側壁11bの内側壁面
にかけて流路40に向かって傾斜する構成としたが、流
体案内部材P1は基板W中心部に対向する部位に水平部
を有し、基板W中心部よりも基板端部寄りに対向する位
置からフード11の側壁11bの内側壁面にかけて流路
40に向かって傾斜する構成としてもよい。
【0046】また、上記第3の実施形態においては空間
制限部材は図6のような構成としたが、本発明の実施形
態としてはこれに限定されるものではなく、複数の段差
を有する形状としてもよい。この場合、基板W端部近傍
からフード11の側壁11bの内側壁面にかけて鉛直方
向の設置高さが、基板W中心部における設置高さよりも
低くなるように複数の段差を形成するのがよい。
【0047】また、上記第3の実施形態においては空間
制限部材に拡散板の機能をもたせて同一部材としたが、
拡散板下面に空間制限部材を設置するようにそれぞれ別
部材により構成してもよい。
【0048】さらに、上記各実施形態においては、それ
ぞれチャンバー20内の処理空間を上部空間15と下部
空間16に区画するエッチング装置について説明した
が、本発明の実施形態としてはこれに限定されるもので
はなく、上部空間15を備えずに、流体案内部材または
空間制限部材のみを備えた構成としてもよい。その場合
好ましくは、例えばチャンバー20内において基板Wに
対向する位置に複数の流体導入管を配置してエッチング
用処理流体を供給する等、エッチング用処理流体を基板
W全面に均一に供給できる構成とするのがよい。
【0049】また、上記各実施形態によると、エッチン
グ処理時において基板載置台13を回転させながら回転
中の基板Wに対してエッチング処理を行う構成とした
が、静止状態の基板Wに対してエッチング処理を行なう
構成としてもよい。
【0050】また、上記各実施形態では、エッチング処
理時の基板Wに対して特に温度調整を行っていないが、
例えば基板載置台13内にヒータ等の加熱手段、または
冷却手段を埋設して基板Wに対して温調処理を行いなが
らエッチング処理を行なう構成としてもよい。
【0051】
【発明の効果】請求項1に係る発明のエッチング装置に
よると、処理空間内に、処理流体供給手段により処理空
間に供給されたエッチング用処理流体を流路に案内する
流体案内部材を備えたことにより、エッチング処理の継
続中に下部空間において基板に対するエッチング処理を
終了したエッチング用処理流体が基板端部近傍の上方に
滞留することを防止できる。そのため、基板端部近傍の
上方にある処理前の新鮮なHF蒸気がエッチング処理の
終了したHF蒸気と混合されて処理前の新鮮なHF蒸気
の濃度が下がることを防止できる。その結果、基板W周
縁部におけるエッチングレートが基板中央部におけるエ
ッチングレートと比較して低下することなく基板の処理
面全域にわたって均一なエッチング処理を行うことがで
きる。
【0052】請求項2に係る発明のエッチング装置によ
ると、流体案内部材は、基板の中央寄りの位置からフー
ドの内側壁面にかけて流路に向かって傾斜する傾斜板よ
りなる流体案内部材を傾斜板により構成することによ
り、簡易な構成で請求項1の効果を奏することができ
る。
【0053】請求項3に記載のエッチング装置は、請求
項2に記載のエッチング装置の構成において、処理空間
をエッチング用処理流体が導入される上部空間と前記基
板載置台を有する下部空間とに仕切り、エッチング用処
理流体を上部空間から下部空間に導く複数の流体通過口
を有する拡散板を備え、流体案内部材が拡散板の下面に
配置された構成とすることにより、上述の請求項1およ
び請求項2の効果に加えて、基板全面に対してエッチン
グ用処理流体を均一に供給することができる。
【0054】請求項4に記載のエッチング装置は、請求
項1に記載のエッチング装置の構成において、処理空間
をエッチング用処理流体が導入される上部空間と基板載
置台を有する下部空間とに仕切り、エッチング用処理流
体を上部空間から下部空間に導く複数の流体通過口を有
した拡散板を備え、流体案内部材は拡散板と兼用され、
基板中心部に対向する位置からフードの内側壁面にかけ
て流路へ向かって傾斜する円錐体である構成としたこと
により、より簡易な構成で基板W周縁部におけるエッチ
ングレートが基板中央部におけるエッチングレートと比
較して低下することなく基板の処理面全域にわたって均
一なエッチング処理を行うことができる。
【0055】請求項5に係る発明のエッチング装置によ
ると、処理空間に供給されたエッチング用処理流体が処
理空間に滞留するのを制限する空間制限部材を処理空間
に配置したことにより、フード内側壁面近傍の空間が縮
小されるため、エッチング処理の継続中に下部空間にお
いて基板に対するエッチング処理を終了したエッチング
用処理流体がフード内側壁面近傍に滞留することを防止
し、処理後のエッチング用処理流体を流路へ排気するこ
とができる。そのため、基板端部近傍の上方にある処理
前の新鮮なエッチング用処理流体がエッチング処理の終
了したエッチング用処理流体と混合されて処理前の新鮮
なエッチング用処理流体の濃度が下がることを防止でき
る。その結果、基板周縁部におけるエッチングレートが
基板中央部におけるエッチングレートと比較して低下す
ることなく基板の処理面全域にわたって均一なエッチン
グ処理を行うことができる。
【0056】請求項6に係る発明のエッチング装置によ
ると、請求項5に記載のエッチング装置であって、処理
空間をエッチング用処理流体が導入される上部空間と基
板載置台を有する下部空間とに仕切り、エッチング用処
理流体を上部空間から下部空間に導く複数の流体通過口
を有した拡散板があり、空間制限部材は、拡散板と兼用
され、下部空間側の壁面が段差を有し、空間制限部材の
基板端部近傍からフードの内側壁面にかけての壁面が、
基板中心部における壁面よりも載置台へ向かって突出す
る構成としたことにより、より簡易な構成で請求項5の
効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態におけるエッチング装置の構成
を示す概略構成図である。
【図2】第1の実施形態における上部空間内での処理流
体の流れを示す図1におけるA―A矢視断面図である。
【図3】第1の実施形態における拡散板と傾斜板の形状
を示す分解斜視図である。
【図4】第2の実施形態におけるエッチング装置の構成
を示す概略構成図である。
【図5】第2の実施形態における流体案内部材の形状を
示す斜視図である。
【図6】第3の実施形態におけるエッチング装置の構成
を示す概略構成図である。
【図7】第3の実施形態における空間制限部材の形状を
示す斜視図である。
【図8】従来のエッチング装置の構成を示す概略構成図
である。
【符号の説明】
1、2、3、100 エッチング装置 11、111 フード 12、112 フード受け部 13、113 基板載置台 14、114 拡散板 15、115 上部空間 16、116 下部空間 20、120 チャンバー 30 処理流体供給手段 31、131 流体導入口 32a、132a 流体導入管 32b、132b 分岐管 33、34、133、134 開閉弁 36、136 流体排気口 37、137 排気管 38 HF蒸気供給源 40、140 流路 W 基板 S1 傾斜板 P1 流体案内部材 P2 空間制限部材

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板に形成された被膜に対してエッチング
    用処理流体を供給することにより、前記被膜を除去する
    エッチング装置であって、 水平姿勢で基板を載置する基板載置台と、 前記基板載置台上の上方および周囲を覆うように配設さ
    れ、基板を載置する前記基板載置台の載置部との間に処
    理空間を形成するフードと、 前記処理空間に前記エッチング用処理流体を供給する処
    理流体供給手段と、 前記基板載置台の側周部と当該基板載置台の側周部と対
    向する前記フードの内側壁面により形成され、前記処理
    空間と排気管とを連通する流路と、を備え、 前記処理空間内に、前記処理流体供給手段により当該処
    理空間に供給されたエッチング用処理流体を前記流路に
    案内する流体案内部材を備えたことを特徴とするエッチ
    ング装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載のエッチング装置におい
    て、 前記流体案内部材は、基板の中央寄りの位置から前記フ
    ードの内側壁面にかけて前記流路に向かって傾斜する傾
    斜板よりなることを特徴とするエッチング装置。
  3. 【請求項3】請求項2に記載のエッチング装置におい
    て、 前記処理空間を前記エッチング用処理流体が導入される
    上部空間と前記基板載置台を有する下部空間とに仕切
    り、前記エッチング用処理流体を上部空間から下部空間
    に導く複数の流体通過口を有する拡散板を備え、前記流
    体案内部材が前記拡散板の下面に配置されたことを特徴
    とするエッチング装置。
  4. 【請求項4】請求項1に記載のエッチング装置におい
    て、 前記処理空間を前記エッチング用処理流体が導入される
    上部空間と前記基板載置台を有する下部空間とに仕切
    り、前記エッチング用処理流体を上部空間から下部空間
    に導く複数の流体通過口を有した拡散板を備え、前記流
    体案内部材は前記拡散板と兼用され、基板中心部に対向
    する位置から前記フードの内側壁面にかけて前記流路へ
    向かって傾斜する円錐体であることを特徴とするエッチ
    ング装置。
  5. 【請求項5】基板に形成された被膜に対してエッチング
    用処理流体を供給することにより、前記被膜を除去する
    エッチング装置であって、 水平姿勢で基板を載置する基板載置台と、 前記基板載置台上の上方および周囲を覆うように配設さ
    れ、基板を載置する前記基板載置台の載置部との間に処
    理空間を形成するフードと、 前記処理空間に前記エッチング用処理流体を供給する処
    理流体供給手段と、 前記基板載置台の側周部と当該基板載置台の側周部と対
    向する前記フードの内側壁面により形成され、前記処理
    空間と排気管とを連通する流路と、を備え、 前記処理空間内に供給されたエッチング用処理流体が前
    記処理空間に滞留するのを制限する空間制限部材を前記
    処理空間に配置したことを特徴とするエッチング装置。
  6. 【請求項6】請求項5に記載のエッチング装置におい
    て、 前記処理空間を前記エッチング用処理流体が導入される
    上部空間と前記基板載置台を有する下部空間とに仕切
    り、前記エッチング用処理流体を上部空間から下部空間
    に導く複数の流体通過口を有した拡散板があり、前記空
    間制限部材は、前記拡散板と兼用され、前記空間制限部
    材の下部空間側の壁面が段差を有し、基板端部近傍から
    前記フードの内側壁面にかけての壁面が、基板中心部に
    おける壁面よりも載置台へ向かって突出することを特徴
    とするエッチング装置。
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