JP5146848B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 147
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 74
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 14
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
そこで、今後は、デバイスが形成されるウェーハ表面の無欠陥化を図るため、例えば特許文献1に開示されたような気相エピタキシャル法を利用し、直径300mmを超える大口径ウェーハの表面(鏡面)にエピタキシャル膜を成長させる方法が主流になると考えられる。
しかも、両面に同時にエピタキシャル膜を成長させるので、ドーパントがウェーハ裏面から外方拡散してデバイス形成面のエピタキシャル膜へ回り込むことで生じるオートドープ現象も抑えられると同時にデバイス工程における高濃度基板からのドーパント転写の抑制も期待できる。
また、ウェーハの一面へのエピタキシャル膜の成長中、ドーパントが他面から外方拡散し、一面の外周部へ回り込む。そして、続くウェーハ他面へのエピタキシャル膜の成長中、さきほど一面のエピタキシャル膜へ回り込んだドーパントが外方拡散し、再び他面のエピタキシャル膜へ回り込むが、そのドーパント量はシリコンウェーハの他面のみにエピタキシャル膜を成長させた場合に比べて減少する。
図2のフローシートに示すように、シリコンウェーハ11は、坩堝内でボロンが所定量ドープされたシリコンの融液から、CZ法により単結晶シリコンインゴットの引き上げ後、インゴットを多数枚のウェーハにスライス(S100)し、各ウェーハに対して順に面取り(S101) 、ラッピング(S102)、エッチング(S103)、両面研磨(S104)を施して作製される。
次いで、シリコンウェーハ11の両面には、気相エピタキシャル法により例えばシリコンによるエピタキシャル膜がそれぞれ成長され(S105)、その後、両面のエピタキシャル膜12,13を同時研磨(S106)することで、エピタキシャルウェーハ10が作製される(S107)。
この後の面取り工程(S101)では、回転中の面取り用砥石をシリコンウェーハ11の外周部に押し付けて面取りする。
ラッピング工程(S102)では、遊星歯車式の両面ラッピング装置によりシリコンウェーハ11の両面を同時にラッピングする。すなわち、シリコンウェーハ11を遊星キャリヤに保持し、遊星キャリヤを上下のラップ定盤の間で自転および公転させる。
エッチング工程(S103)では、エッチング槽に貯留された酸性エッチング液にラッピング後のシリコンウェーハ11を浸漬してエッチングし、面取りおよびラッピングのダメージを除去する。
両面研磨工程(S104)では、遊星歯車式の両面研磨装置を用い、シリコンウェーハ11の両面を同時に鏡面研磨する。
両面気相エピタキシャル成長装置20は、平面視して楕円形の外チャンバ21と、外チャンバ21の内部空間に収納され、平面視して略長方形状の内チャンバ22との二重構造を有している。内チャンバ22の内部にはA室が形成され、外チャンバ21と内チャンバ22との間にはB室が形成されている。
爪部23aと条片部24aとは、サセプタ23の係止時に互いに嵌合し、かつ互いに摺動可能に構成されている。
また、各条片部24aの表面(A室側面)の一端側には、それぞれバネ式のロックピンが備えられているとともに、各爪部23aの裏面(B室側面)の一端側には図示しないロックピンに嵌合可能な凹部が形成されている。各爪部23aの条片部24aに沿った摺動が進めば、爪部23aの各凹部が、それぞれ対応するロックピン上に位置した時点で互いに嵌合し、これにより一対のサセプタ23が各ウェーハ保持孔24に係止される。
外チャンバ21の上部には、A室内へのみ材料ガスを含む層流の反応ガス(通常シリコンウェーハ11にエピタキシャル成長によりシリコン膜を形成させるべく用いられるガス)を上方から下方へ向けて供給する図示しない第2のガス流通手段を設け、外チャンバ21の下部には、底部からB室内へ材料ガスを含む反応ガスを下方から上方へ向けて供給する図示しない第1のガス流通手段とが備えられている。A,B室に接続された両ガス流通手段は独立しており、反応ガスの濃度、流量などを任意に調整可能とし、エピ厚みおよび抵抗率を任意に調整できる。内チャンバ22には、A室上方から供給された反応ガスを底部から側壁に沿って上方へ送り、外チャンバ21の外へ排出する流路26が設けられている。
また、各ヒータ25の輻射熱照射面と、それぞれ対応するサセプタ23およびシリコンウェーハ11の裏面とは平行で、ウェーハ全面にわたって均一な加熱が行われる。
まず、2枚のシリコンウェーハ11が装着された一対のサセプタ23を、対応するウェーハ保持孔24に係止する。その後、一対のヒータ25によってエピタキシャル成長条件に必要な温度までシリコンウェーハ11を加熱する。次いで、第1のガス流通手段と第2のガス流通手段により、反応ガスをB室へ下方から上方へ向けて供給するとともに、A室に層流の反応ガスを上方から下方へ所定時間供給することで、両シリコンウェーハ11の両面に、同じ厚さの例えばシリコンのエピタキシャル膜12,13が同時に成長される。
しかも、シリコンウェーハ11のデバイスが形成される表面へのエピタキシャル膜12の成長と同時に、シリコンウェーハ11の裏面にエピタキシャル膜13を成長させたので、エピタキシャル膜12の成長中、ボロンがウェーハ裏面から外方拡散してウェーハ表面へ回り込むことで発生するオートドープ現象を抑制することができる。
そして、シリコンウェーハ11として、比抵抗値が0.01Ω・cm以下となるまでボロンをハイドープしたものを使用したので、シリコンウェーハ11にボロンのゲッタリング作用によるIG層を形成することができる。
また、枚葉型のエピタキシャル成長装置を用いて、図7に示すように、シリコンウェーハ11の表面にエピタキシャル膜12を成長させた後、シリコンウェーハ11を表裏反転し、ウェーハの裏面にエピタキシャル膜13を成長させてもよい。これにより、両面のエピタキシャル膜12,13において、それぞれ、例えば厚み、抵抗率、素材(シリコン,ポリシリコンなど)などを簡単に異ならせることができる。
ウェーハ表面のエピタキシャル膜と、ウェーハ裏面のエピタキシャル膜は、同一素材でも異素材でもよい。
エピタキシャル膜の厚さは、デバイスの種類に応じて数μm〜数百μmの範囲に設定される。
エピタキシャル膜は、シリコンウェーハの両面に同時に成長させてもよい。また、ウェーハ表面(デバイス形成面)に形成後、ウェーハ裏面にエピタキシャル膜を成長させてもよい。またはその反対の順序でもよい。
気相エピタキシャル成長装置としては、シリコンウェーハの両面にエピタキシャル膜を同時にエピタキシャル成長可能な両面気相エピタキシャル成長装置を採用することができる。また、シリコンウェーハの一方の面のみにエピタキシャル膜を成長可能な片面気相エピタキシャル成長装置でもよい。
気相エピタキシャル成長装置は、枚葉型のものでも、複数枚のシリコンウェーハを同時に処理可能なパンケーキ型、バレル型、ホットウォール型、クラスタ型でもよい。
11 シリコンウェーハ、
12,12A,13 エピタキシャル膜。
Claims (3)
- シリコンウェーハの両面に、気相エピタキシャル法によってエピタキシャル膜をそれぞれ成長させることにより、その両面にエピタキシャル膜を有するエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
内部空間を有する外チャンバと、
前記外チャンバの内部空間に収納された、直方体状の内チャンバとを有し、
前記内チャンバの内部には、A室が形成され、
前記外チャンバと前記内チャンバとの間には、B室が形成され、
前記A室と前記B室とを仕切る前記内チャンバの両側壁の中央部には、シリコンウェーハを垂直に保持するウェーハ保持孔がそれぞれ形成され、
これらのウェーハ保持孔にシリコンウェーハをそれぞれ保持させることにより、これらのシリコンウェーハの表面はA室に露呈され、これらのシリコンウェーハの裏面はB室に露呈され、
上記B室は第1のガス流通手段を備え、
上記A室は第1のガス流通手段とは独立した第2のガス流通手段を備える両面気相エピタキシャル成長装置を用いて前記シリコンウェーハの両面に、前記エピタキシャル膜を同時に成長させ、その後、少なくとも一方のエピタキシャル膜の表面を研磨するエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記シリコンウェーハとして、比抵抗値が0.01Ω・cm以下のものを使用する請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記シリコンウェーハの両面に、異なるエピタキシャル膜をそれぞれ成長させる請求項1または請求項2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009520602A JP5146848B2 (ja) | 2007-06-26 | 2008-06-24 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007167948 | 2007-06-26 | ||
JP2007167948 | 2007-06-26 | ||
PCT/JP2008/061494 WO2009001833A1 (ja) | 2007-06-26 | 2008-06-24 | エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
JP2009520602A JP5146848B2 (ja) | 2007-06-26 | 2008-06-24 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009001833A1 JPWO2009001833A1 (ja) | 2010-08-26 |
JP5146848B2 true JP5146848B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=40185647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009520602A Active JP5146848B2 (ja) | 2007-06-26 | 2008-06-24 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5146848B2 (ja) |
TW (1) | TWI418648B (ja) |
WO (1) | WO2009001833A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040081828A1 (en) | 2002-10-25 | 2004-04-29 | Dezutter Ramon C. | Flowable and meterable densified fiber particle |
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JP6123150B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2017-05-10 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハ加工量の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
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-
2008
- 2008-06-24 JP JP2009520602A patent/JP5146848B2/ja active Active
- 2008-06-24 WO PCT/JP2008/061494 patent/WO2009001833A1/ja active Application Filing
- 2008-06-25 TW TW97123660A patent/TWI418648B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2009001833A1 (ja) | 2010-08-26 |
WO2009001833A1 (ja) | 2008-12-31 |
TWI418648B (zh) | 2013-12-11 |
TW200907097A (en) | 2009-02-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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