JP5326888B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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(1)エピタキシャル膜形成前の第1平坦化処理されたシリコンウェーハの平坦度を測定する工程と、エピタキシャル膜形成後のエピタキシャルウェーハの平坦度及びエピタキシャル膜の膜厚分布を測定する工程と、それらの測定値をフィードフォワードし、前記エピタキシャルウェーハの第2平坦化処理を行う工程とを備え、該エピタキシャルウェーハの第2平坦化処理は、エピタキシャル膜形成後のエピタキシャルウェーハの平坦度の測定値から、エピタキシャル膜形成前の第1平坦化処理されたシリコンウェーハの平坦度及びエピタキシャル膜の膜厚分布の測定値を差し引いた値を、前記エピタキシャル膜の形成時に前記シリコンウェーハの裏面端部に付着したシリコン析出物の存在量とすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、図1に示すように、エピタキシャル膜20形成前の第1平坦化処理されたシリコンウェーハ10(図1(a))の平坦度、エピタキシャル膜20形成後のエピタキシャルウェーハ30(図1(a))の平坦度及びエピタキシャル膜20の膜厚分布を測定し、それらの測定値をフィードフォワードし、前記エピタキシャルウェーハ30の第2平坦化処理を行う(図1(c))ことを特徴とする製造方法である。
前記静電容量式の測定とは、2本の静電容量センサーを測定するウェーハの上下に配置し、各センサーからウェーハの表面20a及び裏面10aまでの位置(距離)を検出し、ウェーハの厚み及び平坦度を算出する方法である。前記光干渉方式の測定とは、紫外/可視光を利用しウェーハ表面20a及び裏面10aの干渉スペクトルを検出し、ウェーハの厚み及び平坦度を測定する方法である。前記レーザー変位計による測定とは、ウェーハの上下に配置されたレーザーで、ウェーハの表面20a及び裏面10aまでの距離を測定し、ウェーハ全体における厚みデータを算出し、平坦度データとして取得する方法である。
ここで、両面同時研磨は、図1(c)に示すように、両面研磨装置50を用いて、キャリア(図示せず)にウェーハ30を充填し、研磨パッド53、54を貼り付けた定盤51、52でウェーハ30を挟み込んで研磨することができる。この場合も、上述の各測定値(第1平坦化処理されたシリコンウェーハ10の平坦度、エピタキシャルウェーハ30の平坦度及びエピタキシャル膜20の膜厚分布)をフィードフォワードし、定盤の圧力、回転数、研磨パッドの種類等の研磨条件を変更することによって、平坦化処理の調整を図ることができる。
ここで、ウェーハ30の片面研磨の方法は、図示していないが、例えば、片面研磨装置を用いて、キャリアに1枚のウェーハ30を、研磨面を下にした状態で充填し、研磨パッドを有する定盤を下から押し付けて研磨を施す枚葉式研磨方式や、セラミックブロックに、複数のウェーハ30を貼り付けた状態で、定盤に上から押し付けて研磨を施すバッチ研磨法式によって行うことができる。この場合も、上述の各測定値(第1平坦化処理されたシリコンウェーハ10の平坦度、エピタキシャルウェーハ30の平坦度及びエピタキシャル膜20の膜厚分布)をフィードフォワードし、研磨条件を変更することによって、平坦化処理の調整を図ることができる。
実施例1では、図1に示すように、エピタキシャル膜20形成前の第1平坦化処理されたシリコンウェーハ10(図1(a))の平坦度、エピタキシャル膜20形成後のエピタキシャルウェーハ30(図1(a))の平坦度及びエピタキシャル膜20の膜厚分布を測定し、それらの測定値をフィードフォワードし、前記エピタキシャルウェーハ30の第2平坦化処理を行う(図1(c))ことで、エピタキシャルウェーハ30を製造した。
なお、前記第1平坦化処理として、シリコン単結晶インゴットからウェーハを切り出した後、面取りを行い、面取り後にラッピングを行い、その後、ウェーハ表面にエッチング、両面研磨及び仕上げ研磨を順次行った。また、前記第2平坦化処理については、図2(a)〜(d)に示すように、エピタキシャル膜20形成後のエピタキシャルウェーハ30(図2(a))の平坦度(A)の測定値から、エピタキシャル膜形成前の第1平坦化処理されたシリコンウェーハ(図2(b))の平坦度(B)及びエピタキシャル膜(図2(c))の膜厚分布(C)の測定値を差し引いた値が、前記エピタキシャル膜の形成時に前記シリコンウェーハの裏面端部に付着したシリコン析出物(図2(d))の存在量Dであるとして、研磨パッドの回転速度を変更することで第2平坦化処理の制御を行った。
比較例は、各測定値の測定値をフィードフォワード処理を行わず、第2平坦化処理として、通常の両面研磨を施したこと以外は、実施例1と同様の条件によってエピタキシャルウェーハ100を製造した。
実施例及び比較例で製造されたエピタキシャルウェーハについて、エピタキシャルウェーハの平坦度及びエピタキシャル膜厚分布の測定を行った。平坦度については、ADE社製フラットネス測定器(WaferSight)を用いて測定を行い、エピタキシャル膜厚分布については、フーリエ変換型赤外分光光度計(FTIR)用いて測定した。その結果、実施例の製造方法によって製造されたエピタキシャルウェーハの、平坦度及びエピタキシャル膜厚分布が、比較例によって製造されたエピタキシャルウェーハの結果よりも優れている(平坦度が高く、エピタキシャル膜厚のバラツキが小さい)ことがわかった。これは、実施例については、シリコンウェーハの裏面端部に付着したシリコン析出物の存在量を考慮した上で、第2平坦化処理を端部中心に行っているのに対して、比較例では、前記シリコン析出部を考慮せずに、第2平坦化処理を行ったためであると考えられる。
20 エピタキシャル膜
21 シリコン析出物
30 エピタキシャルウェーハ
50 両面研磨装置
51、52 定盤
53、54 研磨パッド
Claims (5)
- エピタキシャル膜形成前の第1平坦化処理されたシリコンウェーハの平坦度を測定する工程と、エピタキシャル膜形成後のエピタキシャルウェーハの平坦度及びエピタキシャル膜の膜厚分布を測定する工程と、それらの測定値をフィードフォワードし、前記エピタキシャルウェーハの第2平坦化処理を行う工程とを備え、
該エピタキシャルウェーハの第2平坦化処理は、エピタキシャル膜形成後のエピタキシャルウェーハの平坦度の測定値から、エピタキシャル膜形成前の第1平坦化処理されたシリコンウェーハの平坦度及びエピタキシャル膜の膜厚分布の測定値を差し引いた値を、前記エピタキシャル膜の形成時に前記シリコンウェーハの裏面端部に付着したシリコン析出物の存在量とすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記エピタキシャルウェーハの第2平坦化処理は、該エピタキシャルウェーハの、表面全体及び裏面端部のみを研磨することにより行う請求項1記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記エピタキシャルウェーハの第2平坦化処理は、該エピタキシャルウェーハの両面全体を、同時研磨することにより行う請求項1記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記エピタキシャルウェーハの第2平坦化処理は、前記エピタキシャル膜の表面全体及び前記シリコンウェーハの裏面全体を、別個に片面ずつ研磨することにより行う請求項1記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記第2平坦化処理は、研磨パッドの圧力、研磨パッドの回転速度及び研磨パッドの材質のうちの少なくとも1種類を変更することで制御を行う請求項1〜4のいずれか1項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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