TWI576554B - 熱處理爐及熱處理方法 - Google Patents

Description

熱處理爐及熱處理方法

本發明係關於一種對複數基板實施熱處理之熱處理爐及熱處理方法，特別是關於一種在製程管(process tube)內設置加溫構件，並利用製程管外之加熱器(heater)來加熱加溫構件之熱處理爐及熱處理方法。

在被稱為橫型爐之一般的橫型熱處理爐中，藉由設置在製程管之外側的加熱器所加熱之基板係藉由與氛圍氣體(atmosphere gas)接觸而進行熱處理。為了對於複數個基板均勻地實施熱處理，加熱器係朝製程管之軸方向分離成複數區塊(zone)，且施行對各區塊供給適當之電力的措施。

然而，一般而言係在製程管之一方的端部，設置有基板導入用之門扉，另一方之管終端部(tube end part)係連接有氣體導入(gas introduction)之配管，且在該等之部位並未設置加熱器。因此，設置在製程管內之基板群的兩端係由於與門扉或管終端部相接而被冷卻之氛圍氣體因對流而流入至基板設置區域而使基板溫度降低，因而有 熱處理無法均勻地進行之課題。

在門扉之外面配置隔熱材時，門扉之溫度會保持在高溫，而緩和氛圍氣體之冷卻，但在門扉配置隔熱材時，基板導入等之作業性會降低，因此通常不會配置隔熱材。再者，以接近室溫之溫度而導入之導入氣體亦會成為使基板溫度降低之原因。因此，設置在製程管內之基板群的一端，會有基板溫度因導入氣體(introduced gas)而降低，且無法均勻地進行熱處理之課題。

在橫型爐中，在門扉或管終端部冷卻之氛圍氣體及從導入配管導入之低溫的導入氣體係滯留在橫向設置之製程管的底部，而成為在管之剖面內的溫度分佈，無法利用加熱器之區塊控制(zone control)來解決。因此，上述課題雖係為在稱為縱型爐之縱型熱處理爐及橫型爐之任一者皆會產生的課題，但特別是在橫型爐中成為嚴重之問題。

因此，為了要解決上述課題，係提案有一種在鄰接於橫型爐之門扉側及管終端部側的位置設置發熱虛擬區塊(heat generation dummy block)之熱處理爐(專利文獻1)。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2006-19406號公報

然而，專利文獻1所記載之熱處理爐係對於門扉側及管終端部賦予熱源者，發熱虛擬區塊係必須從外部供應電源。在專利文獻1中，雖設置供電電線用之配管(piping tube)而對發熱虛擬區塊進行供電，但必須在每次基板之進出使發熱虛擬區塊進出，因此必須每當使發熱虛擬區塊進出時進行供電線之設置，因此在熱處理之加工成本(treatment cost)增大之方面並不實用。再者，一般使用在半導體基板之熱處理爐係在高溫下進行熱處理者，在製程管內設置成為金屬汚染源之供電線之情形在基板品質維持之觀點上並不理想。

本發明係鑑於上述課題而研創者，其目的在於可獲致一種熱處理爐，其係在不使加工成本增大之情形下，且在不會使品質劣化之情形下，可提升製程管內之溫度均勻性者。

為了解決上述課題並達成目的，本發明之熱處理爐係具備製程管，該製程管呈一端閉塞且另一端開放之筒狀，且具有形成在一端之氣體導入口、形成在另一端之周緣部的氣體排出口、及用以開閉另一端之門扉，並且從另一端將處理對象之基板收容於製程管內並關閉門扉，並將氣體從氣體導入口(gas entrance)導入於製程管內而對基板進行處理，將處理後之氣體從氣體排出口(gas exhaust)排出至製程管外，該熱處理爐係具備：加熱器，以 包圍製程管之外周的方式設置；以及加溫構件，分別設置在製程管內之一端與基板之收容位置之間、及門扉與基板之收容位置之間，以吸收加熱器所發出之熱，且將所吸收之熱在製程管內傳熱至氣體(gas)，其中，加溫構件係呈將複數個板狀構件配置成放射狀之形狀，且使複數個板狀構件之各者沿著製程管之軸方向設置在製程管內。

依據本發明，可發揮以下效果：在不使加工成本增大之情形下，且在不會使品質劣化之情形下，可提升製程管內之溫度均勻性。

1、101‧‧‧製程管

2、102‧‧‧氣體導入口

3、103‧‧‧氣體排出口

4、104‧‧‧門扉

5、105‧‧‧基板設置皿

6、106‧‧‧基板

6-1、106-1‧‧‧管終端部側基板

6-2、106-2‧‧‧門扉側基板

7、107‧‧‧基板用加熱器

8‧‧‧管終端部側加溫構件

9‧‧‧管終端部側加溫構件用加熱器

10‧‧‧門扉側加溫構件

11‧‧‧門扉側加溫構件用加熱器

12、112‧‧‧材料氣體

13、113‧‧‧管終端部

15‧‧‧加溫構件用保持構件

16‧‧‧保持構件

17‧‧‧結合棒

18‧‧‧開縫

21、23‧‧‧紅外光

22、24‧‧‧反射光

25‧‧‧加溫構件

第1圖係顯示本發明之熱處理爐之實施形態1之構成的圖。

第2圖係顯示加溫構件用保持構件之構成的圖。

第3圖(a)及(b)係顯示加溫構件之圖。

第4圖係顯示一般之熱處理爐的圖。

第5圖係顯示未具有管終端部側加溫構件(tube end side warming member)及門扉側加溫構件時之片電阻(sheet resistance)之分佈的圖。

第6圖係顯示具有管終端部側加溫構件及門扉側加溫構件時之片電阻之分佈的圖。

第7圖係顯示將基板朝製程管之軸方向平行地設置之實施形態2的熱處理爐之構成的圖。

第8圖係顯示將管終端部側加溫構件及門扉側加溫構件搭載於基板設置皿之實施形態3的熱處理爐之構成的圖。

以下，依據圖式詳細說明本發明之熱處理爐之實施形態。此外，本發明並非由本實施形態所限定者。

實施形態1

第1圖係顯示本發明之熱處理爐之實施形態1之構成的圖。如第1圖所示，實施形態1之熱處理爐之石英玻璃(quartz glass)製的製程管1之一端係由管終端部13所閉塞。在管終端部13設置有氣體導入口2，在氣體導入口2連接有氣體導入用之配管。製程管1之另一端係為了導入基板6而成為開放端，門扉4係設置成可開閉。在製程管1之開放端的周緣部設置有氣體排出口3。

在本實施形態之熱處理爐中，係在石英玻璃製之基板設置皿5安裝有複數個基板6，且插入於製程管1。在此，基板6係設為太陽電池用矽基板(silicon wafer)。在以下之說明中，雖將可搭載於一台製程管1之基板6的個數設為280個，但這僅是一例，並未限定於該值。

在製程管1之外周部，以包圍基板6之收容位置的方式設置基板用加熱器7。此外，基板6之收容位置係指製程管1內之配置有基板設置皿(wafer fixing boat)5的部分。在基板設置皿5與管終端部13之間設置管 終端部側加溫構件8，且以包圍管終端部側加溫構件8之設置位置的方式，在製程管1之外側設置管終端部側加溫構件用加熱器9並使之通電。此外，在基板設置皿5與門扉4之間，設置門扉側加溫構件10，且以包圍門扉側加溫構件10之設置位置的方式，在製程管1之外側設置門扉側加溫構件用加熱器11並使之通電。此外，為了容易地理解構造，基板用加熱器7、管終端部側加溫構件用加熱器9及門扉側加溫構件用加熱器11係以虛線顯示外形，且圖示成穿透而使製程管1看得見。

在此雖未圖示，基板用加熱器7係為了抑制基板6間之溫度變異(temperature variation)，區分成沿著製程管1之軸方向而區分之複數個區塊而獨立地進行控制。在本實施形態中，區分成5區塊，且對應於各個區塊而在製程管1之外壁設置溫度感測器(temperature sensor)，以使來自溫度感測器之輸出成為目標溫度之方式調整供給至5區塊之各個加熱器(heater)的電壓。具體而言，設置於基板用加熱器7之5區塊的溫度感測器之測定值成為820℃之方式調整加熱器電壓(voltage of heater)。另一方面，在基板6之收容位置與管終端部13之間、及基板6之收容位置與門扉4之間的製程管1之外周部，設置有未圖示之溫度感測器。管終端部側加溫構件用加熱器9係將加熱器電壓調整成使由設置在基板6之收容位置與管終端部13之間之溫度感測器所測得之測定值成為900℃。同樣地，門扉側加溫構件用加熱器11係將加熱器電壓調整成使 由設置在基板6之收容位置與門扉4之間的溫度感測器所得的測定值成為900℃。

第2圖係顯示加溫構件用保持構件之構成的圖。管終端部側加溫構件8係將板材以放射狀組裝在第2圖所示之加溫構件用保持構件15。

加溫構件用保持構件15之圓環狀之保持構件16係利用4個結合棒17而以相對向之位置關係被結合。此外，在圓環狀之保持構件16，以可使板材嵌入之方式於圓環之內面設置有具寬度1.5mm、深度6mm的開縫(slit)18。開縫18係以可使板材嵌入之方式，在每一個圓環內以等角度間隔分離之16個部位進行加工。圓環狀之保持構件16的圓環直徑為可插入製程管1內之尺寸。列舉其一例，若製程管1之內徑為25cm，則圓環狀之保持構件16的圓環直徑係設為20cm，因此可插入於內徑25cm之製程管1內。結合棒17之長度係與組裝於加溫構件用保持構件15之板材的寬度相同，列舉其一例，結合棒17之長度為12cm。

就組裝於加溫構件用保持構件15之板材而言，準備2個在長度方向之中央部將開縫從單側形成至寬度方向之中央為止者。列舉其一例，準備2個對於長度19cm、寬度12cm、板厚1mm之板材將長度6cm、寬度1.2mm之開縫從單側朝延伸方向之中央部形成者。將該等相互地組合而作成十字形狀之葉片，並嵌入於加溫構件用保持構件15之開縫18中的4個部位。在剩餘之12個部位的開縫， 嵌入與結合棒17之長度相同寬度的板材。列舉其一例，在加溫構件用保持構件15之開縫18中的12個部位，嵌入長度9cm、寬度12cm、板厚1mm之板材。如以上所述，在加溫構件用保持構件15之內側形成以放射狀配置有16個葉片之構件，以作成管終端部側加溫構件8。

門扉側加溫構件10亦與管終端部側加溫構件8同樣地，藉由在加溫構件用保持構件15之內側形成以放射狀配置有16個葉片之構件而作成。在此，雖在加溫構件用保持構件15組合板材而形成加溫構件，但亦可直接銲接各個板材彼此，而形成放射狀加溫構件。當直接溶接板材彼此時，由於加溫構件之處理容易，因而成為更佳之形狀。

管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10係藉由以石英玻璃製之未圖示的夾具加以支持，而在插入於製程管1時設為使中心成為與製程管1之中心相同的高度。藉由在與製程管1之中心相同的高度支持管終端部側加溫構件8，氣體導入口2係位於構成管終端部側加溫構件8之板材所收斂之軸的延長線上。藉由氣體導入口2位於構成管終端部側加溫構件8之板材所收斂之軸的延長線上，從氣體導入口2導入至製程管1內之氛圍氣體係均勻地分散於製程管1內，因而可防止加工不均勻之產生。

雖從管終端部側加溫構件用加熱器9及門扉側加溫構件用加熱器11可發出可見光及紅外光，但石英玻璃係相對於紅外光呈不透明，因此紅外光係被吸收於製 程管1，且對製程管1進行加熱。再者，從製程管1之內壁，放射出對應於製程管1之溫度的紅外光，且對製程管1內之構件進行加熱。在本實施形態中，由於在製程管1內收納有石英玻璃製之管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10，因此紅外光係被吸收於管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10，且管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10之溫度會上升。如此，在對管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10進行加熱時，無須將容易成為雜質混入之原因的供電線設置在製程管1內。此外，由於不需要將供電線設置在製程管1內之作業，因此不會導致加工成本之增大。

第3圖係顯示加溫構件之圖。一面參照第3圖，一面針對加溫構件之形狀更詳細地說明。第3圖(a)係顯示本實施形態中所使用之將板狀構件組合成放射狀的管終端部側加溫構件8。從製程管內壁(process tube inside wall)發出之紅外光21係在以銳角射入至板狀構件後，一部分被吸收，剩餘之部分則成為反射光22。由於使板狀構件組合成放射狀，因此反射光22再度射入至隣接之板狀構件，而可無損失地有助於板狀構件之升溫。另一方面，第3圖(b)係對比例，並非以放射狀而是相互平行地配置板材者。平行地配置板材而構成加溫構件25時，換言之，在未將板材配置成放射狀而構成加溫構件25時，從製程管內壁發出之紅外光23係在以銳角射入後，一部分被吸收，剩餘之部分則成為反射光24逸退至外側，而無助於板狀構件之 升溫。基於以上之理由，藉由作成本實施形態之加溫構件形狀，即可使來自加熱器之紅外光有助於加溫構件之有效率的加熱。

在本實施形態中，管終端側加溫構件8及門扉側加溫構件10係由石英玻璃所形成，該石英玻璃係為具有穿透率相對於波長4μm之紅外光未達70%之物性的材料，換言之係具有吸收率相對於波長4μm之紅外光為30%以上之物性的材料。石英玻璃之耐熱性高，且具有較高之機械加工的自由度，相對於波長4μm之紅外光具有35%左右之吸收率。加溫構件亦可使用矽(silicon)。矽之波長4μm的吸收率為50%左右，而在紅外光之吸收的方面，雖比石英玻璃更為有利，但對於加溫構件之形狀的加工之難易度較高。

在本實施形態中，係加熱至上述設定溫度為止，且從氣體導入口2導入材料氣體(material gas)12，供給屬於擴散源之POCl₃。具體而言，材料氣體12係為由載體(carrier)N₂、O₂、POCl₃所構成之混合氣體(mixed gas)，流量分別為30SLM(SLM：Standard Liter per Minute，每分標準公升)、4SLM、4SLM。POCl₃係使N₂以上述流量通過液體POCl₃中並使之起泡(bubbling)者。在供給15分鐘之擴散源後，僅停止POCl₃之起泡，並且繼續進行15分鐘之熱處理。

第4圖係顯示一般之熱處理爐的圖。如第4圖所示，一般之熱處理爐之石英玻璃製的製程管101之一 端係由管終端部113所閉塞。在管終端部113設置有氣體導入口102，在氣體導入口102連接有氣體導入用之配管。製程管101之另一端係為了使基板106導入而成為開放端，門扉104係設置成可開閉。在門扉104設置有氣體排出口103。在一般之熱處理爐中，係在石英玻璃製之基板設置皿105安裝複數個基板106，且插入至製程管101。在製程管101之外周部，以包圍基板106之收容位置的方式設置基板用加熱器107。基板106之收容位置係指製程管101內之配置有基板設置皿105的部分。此外，為了容易地理解構造，基板用加熱器107係以虛線顯示外形，並且圖示成可穿透而可看得見製程管101。

在第4圖所示之一般的熱處理爐中，導入之材料氣體112係成為室溫，因此管終端部側基板106-1被冷卻，而無法獲得均勻之擴散結果。此外，並未在門扉104設置有加熱器，門扉104係藉由外気而冷卻。因此，與門扉104接觸之製程管101內的材料氣體112係藉由門扉104而冷卻，且藉由對流而下降至製程管101之底部，且往基板106側倒流。當材料氣體112往基板106側倒流時，門扉側基板106-2之基板溫度會降低，且擴散結果變得不均勻。

相對於此，在本實施形態之熱處理爐中，導入至製程管1內之材料氣體12係藉由與發熱之管終端部側加溫構件8接觸而加溫，且到達基板6之收容位置，因而可獲得均勻之擴散結果。

再者，本實施形態之熱處理爐係具備門扉側加溫構件10及門扉側加溫構件用加熱器11，藉由門扉4而冷卻之材料氣體12係藉由門扉側加溫構件10而被加熱，因此門扉側基板6-2之基板溫度降低會被抑制。

在本實施形態中，管終端部側加溫構件8係形成相對於製程管1之軸方向之中心軸旋轉對稱的形狀，因此來自圓筒形狀之製程管1的內壁之紅外線輻射係均等地照射在全部之板狀構件。因此，管終端部側加溫構件8整體係均勻地被加熱，而可將導入之材料氣體12充分地加溫。

再者，在本實施形態中，由於具備可與基板加熱用加熱器7獨立地通電之管終端部側加溫構件用加熱器9及門扉側加溫構件用加熱器11，因此可獨立地調整由管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10所進行之材料氣體12的加溫，且可配合基板用加熱器7之調整而獲得均勻之擴散結果。

接著，針對使用本實施形態之熱處理爐時之擴散不均改善效果加以說明。表1係針對具有管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10時與未具有管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10時顯示擴散後之片電阻測定結果。表1之基板號碼係將最靠近門扉4側之基板6的門扉側基板6-2分配為1號，將最靠近管終端部13側之基板6的管終端部側基板6-1分配為280號。由此，基板號碼係顯示基板6在製程管1內之位置。基板6之片電阻測 定係依每40片來實施。此外，片電阻測定係在基板6之面內的25點實施，表1係揭載平均值、最大值及最小值。此外，表1所揭載之值的單位為Ω/□。第5圖係顯示未具有管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10時之片電阻之分佈的圖。第6圖係顯示具有管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10時之片電阻之分佈的圖。

由表1、第5圖及第6圖得知，在未具有管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10時，最靠近門扉4側之基板號碼1的基板6、與最靠近管終端部13側之基板號碼280的基板6之最大值係變得非常大，由於導入冷的材料氣體12及因門扉4而被冷卻之材料氣體12的倒流，因而造成片電阻局部地變高。另一方面，在具有管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10時，可確認出：門扉4側、管終端部13側之最大值皆會被抑制，而可改善均勻性。

在上述說明中，雖以橫型之熱處理爐為例，但即使在縱型之熱處理爐之情形時，亦可藉由在製程管之終端側及門扉側設置加溫構件，而可獲得防止材料氣體之溫度降低，且提升擴散均勻性之效果。

實施形態2

在實施形態2中，如第7圖所示，基板6係朝製程管1之軸方向平行地設置。在該種基板配置之情形時，由於導入氣體容易通過基板間，因此面內均勻性會提升，另一方面，冷的導入氣體或因門扉而被冷卻之氛圍氣體容易通過晶圓(wafer)間，因此在更廣範圍內會產生基板溫度降低之影響。在該種情形下，如第7圖所示，導入管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10時之均勻性改善的效果較大。

實施形態3

在製程管1內設置管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10時，基板6之進出方法係成為課題。在將管終端部側加溫構件8插入至製程管1後，亦可採用先插入基板設置皿5，接著插入門扉側加溫構件10的方法，但考慮到生產性，即使將管終端部側加溫構件8與門扉側加溫構件10設置在基板設置皿5之一部分，亦可獲得相同之效果。第8圖係顯示將管終端部側加溫構件及門扉側加溫構件搭載於基板設置皿之實施形態3的熱處理爐之構成的圖。如第8圖所示，藉由使基板設置皿5相對於製程管1搬入並搬出，即可同時地使管終端部側加溫構件8、基板6及門 扉側加溫構件10搬入並搬出，而無須與基板6個別地對管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10進行搬入及搬出，且不會使生產性降低。在此情形下，基板設置皿5係可作成為所搭載之管終端部側加溫構件8及門扉側加溫構件10的中心成為與製程管1之中心相同的高度之形狀。

(產業上之可利用性)

如以上所述，本發明之熱處理爐係在提升擴散均勻性之方面較為有用，特別是適用於製程管設置成橫型之橫型爐。

1‧‧‧製程管

2‧‧‧氣體導入口

3‧‧‧氣體排出口

4‧‧‧門扉

5‧‧‧基板設置板基板設置皿

6‧‧‧基板

6-1‧‧‧管終端部側基板

6-2‧‧‧門扉側基板

7‧‧‧基板用加熱器

8‧‧‧管終端部側加溫構件

9‧‧‧管終端部側加溫構件用加熱器

10‧‧‧門扉側加溫構件

11‧‧‧門扉側加溫構件用加熱器

12‧‧‧材料氣體

13‧‧‧管終端部

Claims (35)

1. 一種熱處理爐，係具備製程管，該製程管係呈一端閉塞且另一端開放之筒狀，且具有形成在前述一端之氣體導入口、形成在前述另一端之周緣部的氣體排出口、及用以開閉前述另一端之門扉，並且從前述另一端將處理對象之基板收容於前述製程管內並關閉前述門扉，並將氣體從前述氣體導入口導入於前述製程管內而對前述基板進行處理，將處理後之氣體從前述氣體排出口排出至前述製程管外，該熱處理爐係具備：加熱器，以包圍前述製程管之外周的方式設置；以及加溫構件，分別設置在前述製程管內之前述一端與前述基板之收容位置之間、及前述門扉與前述基板之收容位置之間，以吸收前述加熱器所發出之熱，且將所吸收之熱在前述製程管內傳熱至前述氣體，其中，前述加溫構件係呈將複數個板狀構件配置成放射狀之形狀，且使前述複數個板狀構件之各者沿著前述製程管之軸方向設置在前述製程管內。
2. 如申請專利範圍第1項所述之熱處理爐，係為前述製程管設置成橫型之橫型爐。
3. 如申請專利範圍第1項所述之熱處理爐，其中，前述加熱器係包含：包圍前述基板之收容位置的基板用加熱器；及包圍前述加溫構件之設置位置的加溫構件用加熱器； 前述基板用加熱器與前述加溫構件用加熱器係可獨立地通電。
4. 如申請專利範圍第2項所述之熱處理爐，其中，前述加熱器係包含：包圍前述基板之收容位置的基板用加熱器；及包圍前述加溫構件之設置位置的加溫構件用加熱器；前述基板用加熱器與前述加溫構件用加熱器係可獨立地通電。
5. 如申請專利範圍第1項所述之熱處理爐，其中，前述氣體導入口係位於前述複數個板狀構件所收斂之軸的延長線上。
6. 如申請專利範圍第2項所述之熱處理爐，其中，前述氣體導入口係位於前述複數個板狀構件所收斂之軸的延長線上。
7. 如申請專利範圍第3項所述之熱處理爐，其中，前述氣體導入口係位於前述複數個板狀構件所收斂之軸的延長線上。
8. 如申請專利範圍第4項所述之熱處理爐，其中，前述氣體導入口係位於前述複數個板狀構件所收斂之軸的延長線上。
9. 如申請專利範圍第1項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由相對於波長4μm之紅外光的穿透率未達70%的材料所形成。
10. 如申請專利範圍第2項所述之熱處理爐，其中，前述 加溫構件係由相對於波長4μm之紅外光的穿透率未達70%的材料所形成。
11. 如申請專利範圍第3項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由相對於波長4μm之紅外光的穿透率未達70%的材料所形成。
12. 如申請專利範圍第4項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由相對於波長4μm之紅外光的穿透率未達70%的材料所形成。
13. 如申請專利範圍第5項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由相對於波長4μm之紅外光的穿透率未達70%的材料所形成。
14. 如申請專利範圍第6項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由相對於波長4μm之紅外光的穿透率未達70%的材料所形成。
15. 如申請專利範圍第7項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由相對於波長4μm之紅外光的穿透率未達70%的材料所形成。
16. 如申請專利範圍第8項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由相對於波長4μm之紅外光的穿透率未達70%的材料所形成。
17. 如申請專利範圍第9項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由石英玻璃所形成。
18. 如申請專利範圍第10項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由石英玻璃所形成。
19. 如申請專利範圍第11項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由石英玻璃所形成。
20. 如申請專利範圍第12項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由石英玻璃所形成。
21. 如申請專利範圍第13項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由石英玻璃所形成。
22. 如申請專利範圍第14項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由石英玻璃所形成。
23. 如申請專利範圍第15項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由石英玻璃所形成。
24. 如申請專利範圍第16項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由石英玻璃所形成。
25. 如申請專利範圍第9項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由矽所形成。
26. 如申請專利範圍第10項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由矽所形成。
27. 如申請專利範圍第11項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由矽所形成。
28. 如申請專利範圍第12項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由矽所形成。
29. 如申請專利範圍第13項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由矽所形成。
30. 如申請專利範圍第14項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由矽所形成。
31. 如申請專利範圍第15項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由矽所形成。
32. 如申請專利範圍第16項所述之熱處理爐，其中，前述加溫構件係由矽所形成。
33. 如申請專利範圍第1項至第32項中任一項所述之熱處理爐，其中，具有搭載前述基板之基板設置皿，前述加溫構件係與前述基板一同被搭載在前述基板設置皿。
34. 一種熱處理方法，係從製程管之另一端將處理對象之基板收容於前述製程管之中，並關閉門扉，將氣體從氣體導入口導入於前述製程管內而對前述基板進行處理，將處理後之氣體從氣體排出口排出至前述製程管外之熱處理方法，前述製程管係呈一端閉塞且前述另一端開放之筒狀，且具有形成在前述一端之前述氣體導入口、形成在前述另一端之周緣部的前述氣體排出口、及用以開閉前述另一端之前述門扉者，該熱處理方法係包含：在前述製程管內之前述一端與前述基板之收容位置之間、及前述門扉與前述基板之收容位置之間設置加溫構件之步驟，該加溫構件係呈將複數個板狀構件配置成放射狀之形狀，且係吸收從前述製程管外供應而來之熱，且將所吸收之熱在前述製程管內傳熱至前述氣體，在設置前述加溫構件之步驟中，係使前述複數個板狀構件之各者沿著前述製程管之軸方向而將前述加 溫構件設置在前述製程管內。
35. 如申請專利範圍第34項所述之熱處理方法，其中，在設置前述加溫構件之步驟中，將前述加溫構件與前述基板一同搭載在基板設置皿，且予以設置在前述製程管內之前述一端與前述基板之收容位置之間及前述門扉與前述基板之收容位置之間。