TWI570259B - Vacuum processing device - Google Patents

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TWI570259B
TWI570259B TW103120024A TW103120024A TWI570259B TW I570259 B TWI570259 B TW I570259B TW 103120024 A TW103120024 A TW 103120024A TW 103120024 A TW103120024 A TW 103120024A TW I570259 B TWI570259 B TW I570259B
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Hidehiro Yasukawa
Masahiro Sugihara
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Canon Anelva Corp
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Description

真空處理裝置
本發明係有關於真空處理裝置，尤其有關於在對於真空中的基板進行加熱之後對於基板進行冷卻之真空處理裝置。
在超高真空環境內對於基板進行加熱之真空處理裝置，係例如作成：在支撐於真空容器內之基板的上方隔著石英窗而配設紅外線燈，在下方配設升降自如的冷卻構材，使加熱後的基板密接於冷卻構材而進行加熱冷卻處理(例如，參見專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本發明專利公開平8-69977號公報
在這樣的技術方面，係由於配置在基板與紅 外線燈之間的石英窗，使得難以使紅外線燈靠近基板而配置，故加熱處理時，難以對於基板的外周部如同中心部照射紅外線。歷來，係使用大於基板的尺寸之燈而以紅外線均勻對於基板的整面作照射從而謀求基板的面內均熱性。然而，使用大尺寸的加熱燈使得真空容器大型化，變得難以減低佔用面積。
本發明之目的，係在於：消解上述之現有技術的課題，而提供即使為佔用面積小之裝置仍可確保基板的均熱性之真空處理裝置。
本發明相關之真空處理裝置，係特徵在於：具備：真空容器；在前述真空容器內對於基板作支撐之基板支撐手段；對向於支撐於前述基板支撐手段之前述基板的處理面而設之加熱手段；對向於支撐於前述基板支撐手段之前述基板的背面而設之冷卻手段；在藉前述加熱手段而對於前述基板進行加熱處理時，配置在支撐於前述基板支撐手段之前述基板與前述冷卻手段之間的既定位置從而為了使前述基板的中心部與外周部分之溫度差作減低，而對於前述基板的外周部分之溫度作修正的溫度修正部；以及使前述溫度修正部，在前述既定位置、及從前述既定位置而退避的退避位置之間作移動之修正部移動手段。
依本發明相關之真空處理裝置，即可提供即使為佔用面積小之裝置仍可確保基板的均熱性之真空處理裝置。
10‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧搬送室
12‧‧‧成膜室
13‧‧‧機器人搬送裝置
13a‧‧‧手部
14‧‧‧裝載/卸載室
15‧‧‧清洗室
17‧‧‧加熱冷卻室
21‧‧‧加熱冷卻室
22‧‧‧泵室
22a‧‧‧真空泵浦
24‧‧‧加熱部
25‧‧‧冷卻部
31‧‧‧透明窗
33‧‧‧加熱燈
35‧‧‧基板載置部
37‧‧‧冷卻裝置
41‧‧‧基板支撐部
42‧‧‧第1支撐部
43a‧‧‧升降銷(第2支撐部)
45、46、47‧‧‧溫度修正部
46a‧‧‧遮熱板
46b‧‧‧間隔物
47a、57‧‧‧輔助加熱器
49‧‧‧修正部移動裝置
65a、65b‧‧‧分段
66‧‧‧切槽部
[圖1]對於安裝有本發明相關之真空處理裝置的成膜裝置之代表性的構成進行繪示之平面圖。
[圖2]本發明相關之真空處理裝置的剖面示意圖。
[圖3]本發明相關之真空處理裝置的加熱冷卻室之剖面示意圖。
[圖4]圖3之A-A剖面箭視圖。
[圖5]第1實施形態相關之真空處理裝置的動作說明圖。
[圖6]第1實施形態相關之真空處理裝置的動作說明圖。
[圖7]第1實施形態相關之真空處理裝置的動作說明圖。
[圖8]第1實施形態相關之真空處理裝置的動作說明圖。
[圖9]第1實施形態相關之真空處理裝置的動作說明圖。
[圖10]第1實施形態相關之真空處理裝置的動作說明圖。
[圖11]第1實施形態相關之真空處理裝置的動作說明圖。
[圖12]第1實施形態相關之真空處理裝置的動作說明圖。
[圖13]第2實施形態相關之真空處理裝置的剖面示意圖。
[圖14]第3實施形態相關之真空處理裝置的剖面示意圖。
在以下，基於附圖而說明本發明的適當之實施形態。說明於下之構材、配置等係對於發明作具體化之一例而非限定本發明者，當然可依本發明的趣旨而作各種改變。
(第1實施形態)
圖1係對於安裝有本發明相關之真空處理裝置的成膜裝置10之代表性的構成進行繪示之平面圖。此成膜裝置10係枚葉式，具備複數個成膜室12。具備有機器人搬送裝置13之搬送室11設置於中央位置。機器人搬送裝置13係可將基板載置於設置在伸縮自如之臂件的手部13a。臂件的端部係旋轉自如地安裝於搬送室11的中心部。
在成膜裝置10的搬送室11，係連接著：裝載室14a及卸載室14b。透過裝載室14a而從外部對於成膜 裝置10搬入作為被處理材料之基板，同時結束多層膜的成膜處理之基板被從卸載室14b往成膜裝置10的外部作搬出。
在成膜裝置10，係在搬送室11(搬送容器)的周圍，連接著：3個成膜室12、清洗室15、及加熱冷卻室17。在相鄰之2個腔室之間，係配置：隔離兩腔室，且開閉自如之閘閥。
成膜室12的各者，係供以形成使用於裝置之元素的膜之成膜室。依本實施形態，即構成為：將堆積於基板上之多層膜分成複數個群組，使屬於各群組之複數個膜在預設之任一成膜室作成膜。在各成膜室12係藉利用了濺鍍之PVD(Physical Vapor Depositon)法而形成膜。另外，當然亦可為配置複數個形成屬於同一群組之膜的成膜室從而提升產量之構成。清洗室15，係藉離子束蝕刻機構或RF濺鍍蝕刻機構而進行表面平坦化之腔室。
加熱冷卻室17，係具備本發明的特徵之真空處理裝置的真空容器，係進行在3個成膜室12中之任一者中作成膜之成膜層的熱處理之真空容器。加熱冷卻室17，係對於基板在加熱後進行冷卻，謀求：產量提升、及在高真空內之冷卻所造成之不純氣體的吸留之減低。關於加熱冷卻室17係於後作敘述。
在成膜裝置10中，通過裝載室14a而搬入於內部之基板，係藉機器人搬送裝置13，而對於成膜室12之各者，以依製作對象之多層膜裝置而預定之順序作導 入，在各成膜室12係進行既定之成膜處理。製作對象之多層膜裝置的例子，列舉：LED、LOGIC、DRAM、MRAM、TMR頭、改良型(advanced)GMR等。
另外，在圖1中，供以使成膜室12的內部成為所需之真空狀態的抽真空裝置、供以供應施加於靶材電極之電力的供電裝置、安裝於靶材電極之各者的靶材、處理氣體導入機構等之供以生成電漿的裝置等之圖示係作省略。
此外，亦可設置具有氧化膜成膜室和乾式蝕刻室等裝置構成所需之功能的處理裝置。氧化膜成膜室係進行會將金屬層氧化之表面化學反應的腔室，在表面化學反應方面，係使用：電漿氧化、自然氧化、臭氧化、紫外線-臭氧化、活性氧等。乾式蝕刻室係對於在成膜室12之任一者所成膜的成膜層之一部分以離子束進行蝕刻的腔室。本實施形態的成膜室12，係皆為同樣的構成，但當然亦會依是製作對象之多層膜裝置的膜構成而變更搭載於各成膜室的靶材電極之靶材的種類。
基於圖2、圖3、圖4，而說明有關於加熱冷卻室17的具特徵性之構造。圖2係對於加熱冷卻室17從側面方向觀看時之剖面示意圖。加熱冷卻室17，係具有加熱冷卻室21與泵室22而構成之真空容器。加熱冷卻室21，係隔著閘閥而連結於搬送室11，藉機器人搬送裝置13可在搬送室11與加熱冷卻室21之間進行基板的移送。泵室22，係與加熱冷卻室21內部作連通，具備由對 於加熱冷卻室17內進行抽真空之真空泵浦22a所成之排氣裝置。此外，供以在維護時作大氣開放之排氣機構被連接於泵室22。
圖3係加熱冷卻室21的剖面示意圖。圖4係加熱冷卻室21之水平方向(圖3的A-A剖面方向)的剖面箭視圖。加熱冷卻室21，係具備：對於基板的處理面進行加熱之加熱部24、對於基板進行冷卻之冷卻部(基板保持器25)、在藉加熱部24而對於基板進行加熱時防止基板的外周部分之溫度降低的溫度修正部45、使溫度修正部45移動之修正部移動裝置49、可一邊對於基板進行支撐一邊移動於重力方向之基板支撐部41。在形成於加熱冷卻室21之上部的開口係透明石英製的透明窗31被設置成對於加熱冷卻室21之容器(真空容器)氣密。加熱部24，係具有加熱燈33，並配置於透明窗31之大氣側。本實施形態的加熱燈33係由紅外線燈所構成，但只要為可隔著透明窗31而對於基板進行加熱之構成即可。
作為對於基板進行冷卻之冷卻部而採用之基板保持器25，係構成為具有：對於基板作載置之基板載置部35、及對於支撐於基板載置部35的基板載置面P之基板W進行冷卻的冷卻裝置37。冷卻裝置37係設置於基板載置部35的基板載置面P之相反側，以對於基板載置面P進行冷卻的方式而構成。本實施形態的冷卻裝置37，係在內部形成有供以使冷卻水等之冷媒作流通的水路37a之水冷塊。於冷卻裝置37係透過使冷卻水於水路37a 循環之軟管37b而連接著不圖示的冷卻水循環裝置。另外，冷卻裝置37，係只要為可對於基板載置部35進行冷卻者則可為與基板載置部35不同形體而構成者。此外，亦可使用：GM式冷凍機或史特靈冷凍機、或採用珀耳帖元件之構造的裝置。
基板載置部35，係具備靜電夾具(ESC：Electro Static Chucking)，可使基板W密接於冷卻之基板載置面P。於基板載置面P，係在與基板W的背面之間形成有可使冷卻氣體作流通的溝。將基板W載置於基板載置面P時，可藉流於溝之冷卻氣體而對於基板W的背面側進行冷卻。基板載置面P係藉冷卻裝置37而作冷卻，故將基板W載置於基板載置部35的基板載置面P使得可透過冷卻氣體而快速對於基板W進行冷卻。另外，在基板載置部35與冷卻裝置之間，係夾入碳片36而將此等之構材間的熱阻予以降低。
基板支撐部41，係具有以下2個構成：在靠近加熱部24之位置對於基板W作支撐之第1支撐部42、及在靠近冷卻部(基板保持器25)位置對於基板作支撐之第2支撐部。第2支撐部係具備3個升降銷43a而構成。在3個升降銷43a上升之狀態下，升降銷43a對於基板W的背面作支撐。在藉升降銷43a而對於基板W作支撐之狀態下升降銷43a下降，升降銷43a的前端從基板載置面P降下時，基板W係載置於基板載置面P。第1支撐部42，係在藉加熱部24而對於基板作加熱之位置(加熱 位置)作支撐之構材。第1支撐部42，係在加熱冷卻室21內設置成手部13a的上下動範圍內之高度，故可將載置於機器人搬送裝置13的手部13a之基板在加熱冷卻室21內作接收。
第1支撐部42，係可移動於水平方向，可對於移動至加熱部24側之升降銷43a傳遞基板W。本實施形態的第1支撐部42係分割成2個，能以不接觸於支撐在升降銷43a而往冷卻部(基板保持器25)側作移動之基板W的方式，移動於彼此分開之方向(圖4的箭頭方向)。此外，在分割成2個之各第1支撐部42，係形成有抵接於基板W的成膜面之背面的凸部。凸部的個數可為1個，形成複數個(例如，各2個)亦可。使基板W的背面與凸部作點接觸使得可防止從基板W往第1支撐部42之熱逃逸。
升降銷43a，係以可移動於重力方向的方式，貫通基板載置部35與冷卻裝置37而設有3個。3個升降銷43a係同步作移動，在基板W被加熱之位置接收支撐於第1支撐部42之基板後，於重力方向移動至基板W被載置於基板載置部35的基板載置面P之位置。在冷卻裝置37的下方側係設有使升降銷43a上下動之不圖示的升降裝置。
溫度修正部45，係具有由SiC所成之環狀的板狀構材(蓄熱環)，可累積來自加熱燈33之熱。溫度修正部45，係如下者：配置於基板W的背側，從而對於 基板的外周部分與中心部分之熱的放射狀態取出差異，抑制基板W的外周部分之溫度降低。尤其，在真空中係左右於放射所造成之溫度降低，故在欲防止基板W的溫度降低之部分(外周部)的附近，配置與加熱時的基板W之溫度差小的蓄熱環，使得可減小基板W的外周部分與中心部分之溫度差。
本實施形態的溫度修正部45及蓄熱環，係圓環狀，但可依欲作溫度修正之基板W的溫度分布而變更形狀。例如，可依基板W的外周部分之溫度降低的程度，而變更溫度修正部45的中心之開口的大小和形狀。蓄熱環，係具有大於基板W的直徑之直徑。在基板W被加熱時對向於基板W的背面而配置，故可藉溫度修正部45而抑制加熱中之基板W的外周部分之溫度降低。另外，採取下者：將在基板W的加熱中配置溫度修正部45之位置稱作既定位置。
修正部移動裝置49，係將溫度修正部45移動於水平方向之裝置，可在以冷卻部(基板保持器25)對於基板W作冷卻時，使溫度修正部45從支撐於升降銷43a之基板W與冷卻部(基板保持器25)之間退避。修正部移動裝置49，係可在基板W被加熱時將溫度修正部45配置於基板W的下方，在基板W的加熱處理之結束後使溫度修正部45移動至泵室22側。藉修正部移動裝置49，可使溫度修正部45退避至升降銷43a不接觸之位置，故不妨礙利用升降銷43a之基板W的移動。為此， 溫度修正部45的形狀係不受升降銷43a的制約。另外，採取下者：將溫度修正部45不與升降銷43a和基板W接觸之位置稱作退避位置。圖4的以虛線所示之溫度修正部45，係繪示藉修正部移動裝置49的移動而溫度修正部45作退避之位置。
於圖5繪示溫度修正部的放大剖面圖。圖5中的C係溫度修正部的中心線。將本實施形態的溫度修正部45之剖面圖繪示於圖5的a。主要構成要素在於：SiC製的環狀之蓄熱構材45a、及對於蓄熱構材45a作支撐並連結於修正部移動裝置49之連結構材45b。
將溫度修正部的其他構成例1繪示於圖5的b。是溫度修正部的其他構成例之溫度修正部46，係具備：在預熱時，對於來自通過蓄熱環的中央之開口的加熱燈33之紅外線作遮蔽的圓板狀之遮熱板46a。此情況下，溫度修正部46係成為二層構造，在靠近加熱燈33之側配置蓄熱構材45a，在蓄熱構材45a的冷卻部側設置遮熱板46a較佳。遮熱板46a，係對於從加熱燈33而照射之熱作遮蔽。藉遮熱板46a，防止在預熱時於冷卻部(基板保持器25)照射紅外線，故冷卻部(基板保持器25)的溫度管理變容易。另外，在蓄熱構材45a與遮熱板46a之間設置間隔物46b時，可減低從蓄熱構材45a往遮熱板46a之熱的流入。
此外，亦可將供以在加熱處理時使來自基板W之熱脫逃的開口形成於遮熱板46a。例如，在加熱處理 時基板W的一部分之溫度為高之情況下，係對於位於基板W的高溫部之下方的遮蔽板之一部分作切槽，使得可使熱從加熱處理中之基板W的高溫部之背面脫逃，故可使基板W的溫度分布更均勻。
將溫度修正部的其他構成例2繪示於圖5的c。是溫度修正部的其他構成例之溫度修正部47，係具備：在基板加熱時，作為可直接對於基板外周部分之背面進行加熱的輔助加熱器(加熱器)之加熱燈47a。加熱燈47a係環狀，直接對於基板外周部分的背面進行加熱，故可藉對於輸出進行控制而使基板W的溫度分布更均勻。另外，亦可於加熱燈47a的冷卻部側配置蓄熱構材45a。於加熱燈47a的冷卻部側配置蓄熱構材45a時，可在泵室22內進行預熱。
基於圖6~圖12，而說明有關於加熱冷卻室的動作。在圖6~圖12之各者中，a圖係加熱冷卻室的水平方向之剖面示意圖，b圖係圖3之A-A剖面箭視圖。圖6，係繪示基板W被搬入至加熱冷卻室17內時之各部分的狀態。在機器人搬送裝置13的手部13a上載置了熱處理前之基板W。第1支撐部42係位於對於基板W作支撐之位置，機器人搬送裝置13的手部13a移動於重力方向時，基板W傳遞至第1支撐部42上。溫度修正部45，係位於第1支撐部42的下方。升降銷43a係位於下限位置，升降銷43a之前端係位於基板載置面P的下方側。
圖7係繪示被搬入之基板W被以加熱部作加 熱時的各部分之狀態。第1支撐部42，係未從自手部13a接收基板W之位置而移動。另外，使基板W被以加熱部24作加熱之位置為基板加熱位置(加熱位置)。藉加熱部24的加熱燈33，基板W的成膜面側被加熱燈33加熱。此時，升溫之溫度修正部45配置於基板W的外周部分之背側，從基板外周部分減輕熱脫逃。溫度修正部45，係配置於支撐於第1支撐部42之基板W與冷卻部(基板保持器25)之間的既定位置從而為了使基板的中心部與外周部分之溫度差減低，而對於基板的外周部分之溫度作修正。藉溫度修正部45的修正，可防止基板W的外周部分之溫度降低，減低基板W的中心部與外周部之溫度差，使基板W的溫度分布成為均勻。圖8，係繪示基板W的加熱處理結束後之各部分的狀態。藉修正部移動裝置49使得溫度修正部45係退避至泵室22內。
圖9~11，係繪示溫度修正部45從基板W的下方退避後之各部分的狀態。升降銷43a將基板W的背面往上頂而作支撐(圖9)。然後，第1支撐部42從基板W的背面作退避(圖10)，之後，對於基板W作支撐之升降銷43a移動於重力方向，將基板W載置於基板載置部35的基板載置面P(圖11)。基板W被載置於基板載置面P之位置為基板冷卻位置(冷卻位置)。在此冷卻位置進行基板W的冷卻處理。
基板W的冷卻處理之結束後，以升降銷43a使處理後的基板W往上方作移動，傳遞給第1支撐部 42。處理後的基板W，係從升降銷43a移載至手部13a。另外，亦可透過第1支撐部42而從升降銷43a將處理後的基板W移載至手部13a。藉機器人搬送裝置13而從加熱冷卻室17移動至搬送室11之處理後的基板W，係從成膜裝置10取出，或在成膜室12等進行接下來的真空處理。
此外，圖12，係繪示對於溫度修正部45作預熱時之各部分的配置。在處理後的基板W被從加熱冷卻室17取出，下個被處理之基板被搬入加熱冷卻室17為止的期間，進行溫度修正部45的預熱。亦即，在處理後的基板W從升降銷43a傳遞給第1支撐部42，升降銷43a下降之後，使溫度修正部45移動至加熱燈33的下方，而以加熱燈33作加熱，使得可於溫度修正部45的SiC製之蓄熱環累積熱，更迅速進行接下來的基板之加熱處理。
採用本發明相關之加熱冷卻室17，使得可對於基板在加熱後進行冷卻，謀求產量提升、及在高真空內之冷卻所造成之不純氣體的吸留之減低。再者，藉採用加熱冷卻室17而進行之熱處理，使得可對於成膜層的結晶狀態進行控制，同時提升基板與膜之密著性。
(第2實施形態)
於圖13之a、b繪示第2實施形態相關之加熱冷卻室的剖面圖。上述之第1實施形態相關之加熱冷卻室17係具備一體成形之環狀的溫度修正部45，而本實施形態的 加熱冷卻室係具備分割成2個的分段65a、65b之溫度修正部45。蓄熱構材亦分割而設於分段65a、65b。於分段65a、65b，係作成：設有切槽部66，不與升降銷43a干涉。此外，於分段65a、65b，係亦可設有對於基板W作支撐之凸部。此情況下，第1支撐部42，係變成設於溫度修正部。溫度修正部係如同第1支撐部42對於基板W作支撐，故第1支撐部42係變成不需要。
(第3實施形態)
於圖14繪示第3實施形態相關之加熱冷卻室的剖面圖。本實施形態，係代替溫度修正部45而採用燈加熱器之實施形態。代替溫度修正部45而採用之燈加熱器採用輔助加熱器57。輔助加熱器57係固定於加熱冷卻室21，在基板W的加熱時使輸出為ON，從而對於加熱中之基板W的外周部分之背面進行加熱，使基板W的中心部與外周部分之溫度差減低。本實施形態係不具備蓄熱構材故不需相對於預熱之操作。
(第4實施形態)
上述之各實施形態相關之加熱冷卻室17，係冷卻部的位置作固定，但亦可冷卻部構成為可進退移動。在本實施形態的加熱冷卻室方面，係在對於基板W作冷卻時，在基板W係支撐於第1支撐部42、或具有對於基板W作支撐之凸部的溫度修正部之狀態下，冷卻部(基板保持器 25)上升移動至接觸於基板W的背面之位置。冷卻部可上升移動故升降銷係不一定需要。此外，在基板W的加熱時，冷卻部(基板保持器25)係從基板W離開而往下方作下降移動。
本發明非限定於上述實施之形態者，不脫離本發明的精神及範圍之下，可進行各式的變更及變化。因此，為了公開本發明的範圍，附上以下的請求項。
13‧‧‧機器人搬送裝置
21‧‧‧加熱冷卻室
24‧‧‧加熱部
25‧‧‧冷卻部
31‧‧‧透明窗
33‧‧‧加熱燈
35‧‧‧基板載置部
36‧‧‧夾入碳片
37‧‧‧冷卻裝置
37a‧‧‧水路
37b‧‧‧軟管
41‧‧‧基板支撐部
42‧‧‧第1支撐部
43a‧‧‧升降銷(第2支撐部)
45‧‧‧溫度修正部
W‧‧‧基板

Claims (13)

  1. 一種真空處理裝置，特徵在於：具備：真空容器；在前述真空容器內對於基板作支撐之基板支撐手段；對向於支撐於前述基板支撐手段之前述基板的處理面而設之加熱手段；對向於支撐於前述基板支撐手段之前述基板的背面而設之冷卻手段；在藉前述加熱手段而對於前述基板進行加熱處理時，配置在支撐於前述基板支撐手段之前述基板與前述冷卻手段之間的既定位置從而為了使前述基板的中心部與外周部分之溫度差作減低，而對於前述基板的外周部分之溫度作修正的溫度修正部；以及使前述溫度修正部，在前述既定位置、及從前述既定位置而退避的退避位置之間作移動之修正部移動手段。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述基板支撐手段，係設置成可使前述基板移動至藉前述加熱手段而使前述基板被加熱處理之加熱位置、及藉前述冷卻手段而使前述基板被冷卻處理之冷卻位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之真空處理裝置，其中，前述基板支撐手段，係具有：在前述加熱位置對於前述基板作支撐之第1支撐部；以及 接收在前述加熱位置支撐於前述第1支撐部之前述基板而移動至前述冷卻位置的第2支撐部。
  4. 如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中，前述真空容器，係氣密連結於具備在前述真空容器內搬送前述基板之搬送裝置的搬送容器，前述第1支撐部，係在與前述搬送裝置之間進行前述基板的傳遞。
  5. 如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中，前述修正部移動手段，係在前述第2支撐部從前述第1支撐部而接收前述基板之前，使前述溫度修正部退避至前述退避位置。
  6. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述溫度修正部，係形成為具有大於前述基板之直徑的環狀。
  7. 如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中，前述第1支撐部，係設於前述溫度修正部。
  8. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述溫度修正部係由複數個分段而構成，前述修正部移動手段係使前述複數個分段移動於不同的方向。
  9. 如申請專利範圍第8項之真空處理裝置，其中，前述溫度修正部，係以不接觸於前述基板支撐手段之方式具有切槽部。
  10. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述冷卻手段，係設成：在對於前述基板作冷卻時可移動 至接觸於支撐於前述基板支撐手段之前述基板的背面之位置，在前述基板的加熱時可從前述基板遠離而往下方作移動。
  11. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述溫度修正部，係具備：累積從前述加熱手段所照射之熱的蓄熱構材。
  12. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述溫度修正部係具備：累積從前述加熱手段所照射之熱的蓄熱構材；以及設於前述蓄熱構材與前述冷卻手段之間，對於從前述加熱手段所照射之熱作遮蔽之遮熱板。
  13. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述溫度修正部，係具備：對於前述基板的外周部分進行加熱之加熱器。
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