JPWO2014199538A1 - 真空処理装置 - Google Patents

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Abstract

本発明の真空処理装置は、真空容器内で基板支持部４１に支持された基板の処理面に対向して設けられた加熱部２４と、基板支持部４１に支持された基板の裏面に対向して設けられた冷却部２５と、加熱部２４によって基板を加熱処理する際に、基板と冷却部２５との間の所定位置に配置されることで基板の中心部と外周部分の温度差を低減させるために、基板の外周部分の温度を補正する温度補正部４５と、温度補正部４５を所定位置から退避させる補正部移動装置４９とを備える。

Description

本発明は真空処理装置に係り、特に、真空中の基板を加熱した後に基板を冷却する真空処理装置に関する。
超高真空雰囲気内で基板を加熱する真空処理装置は、例えば、真空容器内に支持された基板の上方に石英窓を介して赤外線ランプを配設し、下方に昇降自在の冷却部材を配設し、加熱後の基板を冷却部材に密着させて加熱冷却処理をするようになっている（例えば、特許文献１参照）。
特開平８−６９９７７号公報
このような技術では、基板と赤外線ランプの間に配置される石英窓により、赤外線ランプを基板に近づけて配置することは困難であるため、加熱処理の際、基板の外周部に中心部と同様に赤外線を照射することは難しい。従来は、基板の寸法よりも大きなランプを用いて基板の全面に赤外線を均一に照射することで基板の面内均熱性を図っていた。しかしながら、大きな寸法の加熱ランプを用いるため真空容器が大型化し、フットプリントの低減が困難になっていた。
本発明の目的は、上述した従来技術の課題を解消して、フットプリントの小さな装置であっても基板の均熱性を保つことが可能な真空処理装置を提供することにある。
本発明に係る真空処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に基板を支持する基板支持手段と、前記基板支持手段に支持された前記基板の処理面に対向して設けられた加熱手段と、前記基板支持手段に支持された前記基板の裏面に対向して設けられた冷却手段と、前記加熱手段によって前記基板を加熱処理する際に、前記基板支持手段に支持された前記基板と前記冷却手段との間の所定位置に配置されることで前記基板の中心部と外周部分の温度差を低減させるために、前記基板の外周部分の温度を補正する温度補正部と、前記温度補正部を、前記所定位置と、前記所定位置から退避させられた退避位置との間で移動する補正部移動手段と、を備えることを特徴とする。
本発明に係る真空処理装置によれば、フットプリントの小さな装置であっても基板の均熱性を保つことが可能な真空処理装置を提供できる。
本発明に係る真空処理装置が取り付けられる成膜装置の代表的な構成を示した平面図である。 本発明に係る真空処理装置の断面概略図である。 本発明に係る真空処理装置の加熱冷却室の断面概略図である。 図３のＡ−Ａ断面矢視図である。 第１の実施形態に係る真空処理装置の動作説明図である。 第１の実施形態に係る真空処理装置の動作説明図である。 第１の実施形態に係る真空処理装置の動作説明図である。 第１の実施形態に係る真空処理装置の動作説明図である。 第１の実施形態に係る真空処理装置の動作説明図である。 第１の実施形態に係る真空処理装置の動作説明図である。 第１の実施形態に係る真空処理装置の動作説明図である。 第１の実施形態に係る真空処理装置の動作説明図である。 第２の実施形態に係る真空処理装置の断面概略図である。 第３の実施形態に係る真空処理装置の断面概略図である。
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。以下に説明する部材、配置等は発明を具体化した一例であって本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変できることは勿論である。
（第１実施形態）
図１は本発明に係る真空処理装置が取り付けられる成膜装置１０の代表的な構成を示した平面図である。この成膜装置１０はクラスタ型であり、複数の成膜チャンバ１２を備えている。ロボット搬送装置１３が備えられた搬送チャンバ１１が中央位置に設置されている。ロボット搬送装置１３は伸縮自在なアームに設けられたハンド１３ａに基板を載置することができる。アームの端部は搬送チャンバ１１の中心部に回転自在に取り付けられている。
成膜装置１０の搬送チャンバ１１には、ロードチャンバ１４ａおよびアンロードチャンバ１４ｂが接続されている。ロードチャンバ１４ａを介して外部から成膜装置１０に被処理材としての基板が搬入されるとともに、多層膜の成膜処理が終了した基板がアンロードチャンバ１４ｂから成膜装置１０の外部へ搬出される。
成膜装置１０では、搬送チャンバ１１（搬送容器）の周囲に、３つの成膜チャンバ１２とクリーンニングチャンバ１５と加熱冷却チャンバ１７が接続されている。隣り合う２つのチャンバの間には、両チャンバを隔離し、かつ開閉自在なゲートバルブが配置されている。
成膜チャンバ１２の各々は、デバイスに用いられる元素の膜を成膜するための成膜チャンバである。本実施形態によれば、基板上に堆積される多層膜を複数のグループに分け、各グループに属する複数の膜を予め設定したいずれかの成膜チャンバで成膜させるように構成している。それぞれの成膜チャンバ１２ではスパッタリングを利用したＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｏｎ）法によって膜を形成する。なお、同一グループに属する膜を成膜する成膜チャンバを複数配置することでスループットを向上する構成でもよいことはもちろんである。クリーンニングチャンバ１５は、イオンビームエッチング機構やＲＦスパッタエッチング機構により表面平坦化が行われるチャンバである。
加熱冷却チャンバ１７は、本発明の特徴を備える真空処理装置の真空容器であり、３つの成膜チャンバ１２のいずれかで成膜された成膜層の熱処理を行う真空容器である。加熱冷却チャンバ１７は、基板を加熱後に冷却し、スループット向上、および高真空内での冷却による不純ガスの吸蔵の低減を図っている。加熱冷却チャンバ１７については後述する。
成膜装置１０において、ロードチャンバ１４ａを通して内部に搬入された基板は、ロボット搬送装置１３によって、成膜チャンバ１２のそれぞれに、作製対象である多層膜デバイスに応じて予め定められた順序で導入され、各成膜チャンバ１２では所定の成膜処理が行われる。作製対象の多層膜デバイスの例を挙げると、ＬＥＤ、ＬＯＧＩＣ、ＤＲＡＭ、ＭＲＡＭ、ＴＭＲヘッド、アドバンスド（改良型）ＧＭＲなどである。
なお、図１において、成膜チャンバ１２の内部を所要の真空状態にするための真空排気装置、ターゲット電極に印加される電力を供給するための給電装置、ターゲット電極のそれぞれに取り付けられるターゲット、プロセスガス導入機構などのプラズマを生成するための装置等の図示は省略されている。
また、酸化膜成膜チャンバやドライエッチングチャンバ等デバイス構成に必要な機能を有する処理装置を設けてもよい。酸化膜成膜チャンバは、金属層を酸化する表面化学反応が行われるチャンバであり、表面化学反応には、プラズマ酸化、自然酸化、オゾン酸化、紫外線−オゾン酸化、ラジカル酸素などが使用される。ドライエッチングチャンバは成膜チャンバ１２のいずれかで成膜された成膜層の一部をイオンビームでエッチングするチャンバである。本実施形態の成膜チャンバ１２は、いずれも同様の構成であるが、作製対象である多層膜デバイスの膜構成に応じて各成膜チャンバのターゲット電極に搭載されるターゲットの種類も変更されることは勿論である。
図２、図３、図４に基づき、加熱冷却チャンバ１７の特徴的な構造について説明する。図２は加熱冷却チャンバ１７を側面方向から見た断面概略図である。加熱冷却チャンバ１７は、加熱冷却室２１とポンプ室２２を有して構成された真空容器である。加熱冷却室２１は、搬送チャンバ１１にゲートバルブを介して連結されており、ロボット搬送装置１３によって搬送チャンバ１１と加熱冷却室２１との間で基板の移送ができる。ポンプ室２２は、加熱冷却室２１と内部が連通されており、加熱冷却チャンバ１７内を真空排気する真空ポンプ２２ａからなる排気装置を備えている。また、メンテナンスの際に大気開放するためのベント機構がポンプ室２２に接続されている。
図３は加熱冷却室２１の断面概略図である。図４は加熱冷却室２１の水平方向（図３のＡ−Ａ断面方向）の断面矢視図である。加熱冷却室２１は、基板の処理面を加熱する加熱部２４、基板を冷却する冷却部（基板ホルダー２５）、加熱部２４によって基板を加熱する際に基板の外周部分の温度低下を防ぐ温度補正部４５、温度補正部４５を移動させる補正部移動装置４９、基板を支持しながら重力方向に移動できる基板支持部４１を備えている。加熱冷却室２１の上部に形成された開口には透明石英製の透明窓３１が、加熱冷却室２１の容器（真空容器）に気密に設けられている。加熱部２４は、加熱ランプ３３を有しており、透明窓３１の大気側に配置されている。本実施形態の加熱ランプ３３は赤外線ランプから構成されているが、透明窓３１を介して基板を加熱できる構成であればよい。
基板を冷却する冷却部として用いられる基板ホルダー２５は、基板を載置する基板載置部３５と基板載置部３５の基板載置面Ｐに支持された基板Ｗを冷却する冷却装置３７を有して構成されている。冷却装置３７は基板載置部３５の基板載置面Ｐとは逆側に設けられ、基板載置面Ｐを冷却するように構成されている。本実施形態の冷却装置３７は、内部に冷却水などの冷媒を流通させるための水路３７ａが形成された水冷ブロックである。冷却装置３７には水路３７ａに冷却水を循環させるホース３７ｂを介して不図示の冷却水循環装置が接続されている。なお、冷却装置３７は、基板載置部３５を冷却できるものであれば基板載置部３５とは別体に構成されたものでもよい。また、ＧＭ式冷凍機やスターリング式冷凍機、若しくはペルチエ素子を用いた構造の装置を用いることもできる。
基板載置部３５は、静電チャック（ＥＳＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋｉｎｇ）を備えおり、冷却された基板載置面Ｐに基板Ｗを密着させることができる。基板載置面Ｐには、基板Ｗの裏面との間で冷却ガスを流通できる溝が形成されている。基板Ｗを基板載置面Ｐに載置した際に、溝に流れる冷却ガスによって基板Ｗの裏面側を冷却できる。基板載置面Ｐは冷却装置３７によって冷却されているため、基板Ｗを基板載置部３５の基板載置面Ｐに載置することで冷却ガスを介して基板Ｗをすばやく冷却できる。なお、基板載置部３５と冷却装置の間には、カーボンシート３６を挟み込んでこれらの部材間の熱抵抗を低下させている。
基板支持部４１は、加熱部２４に近い位置で基板Ｗを支持する第１支持部４２と冷却部（基板ホルダー２５）に近い位置で基板を支持する第２支持部の２つの構成を有している。第２支持部は３つのリフトピン４３ａを備えて構成されている。３つのリフトピン４３ａが上昇した状態で、リフトピン４３ａは基板Ｗの裏面を支持する。リフトピン４３ａにより基板Ｗを支持した状態でリフトピン４３ａが降下し、基板載置面Ｐよりリフトピン４３ａの先端が下がると、基板Ｗは基板載置面Ｐに載置される。第１支持部４２は、加熱部２４によって基板が加熱される位置（加熱位置）で支持する部材である。第１支持部４２は、加熱冷却室２１内でハンド１３ａの上下動範囲内の高さに設けられているため、ロボット搬送装置１３のハンド１３ａに載置された基板を加熱冷却室２１内で受け取ることができる。
第１支持部４２は、水平方向に移動でき、加熱部２４側に移動したリフトピン４３ａに基板Ｗを受け渡すことができる。本実施形態の第１支持部４２は２つに分割されており、リフトピン４３ａに支持されて冷却部（基板ホルダー２５）側に移動する基板Ｗに接触しないように、互いに離間する方向（図４の矢印方向）に移動できる。また、２つに分割されたそれぞれの第１支持部４２には、基板Ｗの成膜面の裏面に当接する凸部が形成されている。凸部の数は１つでもよいし、複数（例えば、２つずつ）形成してもよい。基板Ｗの裏面と凸部を点接触させることで基板Ｗから第１支持部４２への熱逃げを防止することができる。
リフトピン４３ａは、重力方向に移動可能に、基板載置部３５と冷却装置３７を貫通して３本設けられている。３本のリフトピン４３ａは同期して移動し、基板Ｗが加熱される位置で第１支持部４２に支持された基板を受け取った後、基板Ｗが基板載置部３５の基板載置面Ｐに載置される位置まで重力方向に移動する。冷却装置３７の下方側にはリフトピン４３ａを上下動させる不図示の昇降装置が設けられている。
温度補正部４５は、ＳｉＣからなるリング状の板状部材（蓄熱リング）を有しており、加熱ランプ３３からの熱を蓄積することができる。温度補正部４５は、基板Ｗの裏側に配置されることで、基板の外周部分と中心部分の熱の放射状態に違いを出し、基板Ｗの外周部分の温度低下を抑えるものである。特に、真空中では放射による温度低下が支配的になるため、基板Ｗの温度低下を防ぎたい部分（外周部）の近くに、加熱時の基板Ｗとの温度差の小さい蓄熱リングを配置することで、基板Ｗの外周部分と中心部分の温度差を小さくすることができる。
本実施形態の温度補正部４５および蓄熱リングは、丸いリング状であるが、温度補正したい基板Ｗの温度分布に応じて形状を変更できる。例えば、基板Ｗの外周部分の温度低下の度合いに応じて、温度補正部４５の中心の開口の大きさや形状を変更できる。蓄熱リングは、基板Ｗの直径よりも大きな直径を有している。基板Ｗが加熱される際に基板Ｗの裏面に対向して配置されるため、温度補正部４５によって加熱中の基板Ｗの外周部分の温度低下を抑えることができる。なお、基板Ｗの加熱中に温度補正部４５が配置される位置を所定位置というものとする。
補正部移動装置４９は、温度補正部４５を水平方向に移動する装置であり、冷却部（基板ホルダー２５）で基板Ｗを冷却する際に、温度補正部４５をリフトピン４３ａに支持された基板Ｗと冷却部（基板ホルダー２５）との間から退避させることができる。補正部移動装置４９は、基板Ｗが加熱される際に温度補正部４５を基板Ｗの下方に配置し、基板Ｗの加熱処理の終了後に温度補正部４５をポンプ室２２側に移動させることができる。補正部移動装置４９によって、リフトピン４３ａが接触しない位置に温度補正部４５を退避させることができるため、リフトピン４３ａによる基板Ｗの移動を妨げない。そのため、温度補正部４５の形状はリフトピン４３ａからの制約を受けない。なお、温度補正部４５がリフトピン４３ａや基板Ｗと接触しない位置を退避位置というものとする。図４の破線で示す温度補正部４５は、補正部移動装置４９の移動により温度補正部４５が退避した位置を示している。
図５に温度補正部の拡大断面図を示す。図５中のＣは温度補正部の中心線である。本実施形態の温度補正部４５の断面図を図５のａに示す。ＳｉＣ製のリング状の蓄熱部材４５ａと、蓄熱部材４５ａを支持するとともに補正部移動装置４９に連結する連結部材４５ｂを主要構成要素としている。
温度補正部の他の構成例１を図５のｂに示す。温度補正部の他の構成例である温度補正部４６は、予備加熱の際に、蓄熱リングの中央の開口を通過する加熱ランプ３３からの赤外線を遮蔽する円板状の遮熱板４６ａを備えている。この場合、温度補正部４６は二層構造となり、加熱ランプ３３に近い側に蓄熱部材４５ａが配置され、蓄熱部材４５ａの冷却部側に遮熱板４６ａを設けるとよい。遮熱板４６ａは、加熱ランプ３３から照射される熱を遮蔽する。遮熱板４６ａにより、予備加熱の際に冷却部（基板ホルダー２５）に赤外線が照射されることを防げるため、冷却部（基板ホルダー２５）の温度管理が容易になる。なお、蓄熱部材４５ａと遮熱板４６ａの間にはスペーサ４６ｂを設けると、蓄熱部材４５ａから遮熱板４６ａへの熱の流入を低減できる。
また、加熱処理時に基板Ｗからの熱を逃がすための開口を遮熱板４６ａに形成してもよい。例えば、加熱処理時に基板Ｗの一部の温度が高い場合は、基板Ｗの高温部の下方に位置する遮蔽板の一部を切欠くことによって、加熱処理中の基板Ｗの高温部の裏面から熱を逃がすことができるので、基板Ｗの温度分布をより均一にすることができる。
温度補正部の他の構成例２を図５のｃに示す。温度補正部の他の構成例である温度補正部４７は、基板加熱の際に、基板外周部分の裏面を直接加熱できる補助ヒーター（ヒーター）としての加熱ランプ４７ａを備えている。加熱ランプ４７ａはリング状であり、基板外周部分の裏面を直接加熱するため、出力を制御することで基板Ｗの温度分布をより均一にすることができる。なお、加熱ランプ４７ａの冷却部側に蓄熱部材４５ａを配置してもよい。加熱ランプ４７ａの冷却部側に蓄熱部材４５ａを配置すると、予備加熱をポンプ室２２内で行うことができる。
図６〜図１２に基づいて、加熱冷却チャンバの動作について説明する。図６〜図１２のそれぞれにおいて、ａ図は加熱冷却室の水平方向の断面概略図、ｂ図は図３のＡ−Ａ断面矢視図である。図６は、加熱冷却チャンバ１７内に基板Ｗが搬入される際の各部の状態を示している。ロボット搬送装置１３のハンド１３ａ上に熱処理前の基板Ｗが載置されている。第１支持部４２は基板Ｗを支持する位置にあり、ロボット搬送装置１３のハンド１３ａが重力方向に移動すると、第１支持部４２上に基板Ｗが受け渡される。温度補正部４５は、第１支持部４２の下方に位置している。リフトピン４３ａは下限位置にあり、リフトピン４３ａの先端は基板載置面Ｐの下方側に位置している。
図７は搬入された基板Ｗが加熱部で加熱される際の各部の状態を示している。第１支持部４２は、ハンド１３ａから基板Ｗを受け取った位置から動いていない。なお、基板Ｗが加熱部２４で加熱される位置を基板加熱位置（加熱位置）とする。加熱部２４の加熱ランプ３３により、基板Ｗの成膜面側が加熱ランプ３３によって加熱される。このとき、昇温された温度補正部４５が基板Ｗの外周部分の裏側に配置され、基板外周部分から熱逃げを軽減する。温度補正部４５は、第１支持部４２に支持された基板Ｗと冷却部（基板ホルダー２５）との間の所定位置に配置されることで基板の中心部と外周部分との温度差を低減させるために、基板の外周部分の温度を補正する。温度補正部４５の補正により、基板Ｗの外周部分の温度低下を防ぎ、基板Ｗの中心部と外周部との温度差を低減し、基板Ｗの温度分布を均一にすることができる。図８は、基板Ｗの加熱処理が終了した後の各部の状態を示している。補正部移動装置４９によって温度補正部４５はポンプ室２２内に退避している。
図９〜１１は、温度補正部４５が基板Ｗの下方から退避した後の各部の状態を示している。リフトピン４３ａが基板Ｗの裏面を突き上げて支持する（図９）。そして、第１支持部４２が基板Ｗの裏面から退避し（図１０）、その後、基板Ｗを支持したリフトピン４３ａが重力方向に移動し、基板Ｗを基板載置部３５の基板載置面Ｐに載置する（図１１）。基板Ｗが基板載置面Ｐに載置された位置が基板冷却位置（冷却位置）である。この冷却位置で基板Ｗの冷却処理が行われる。
基板Ｗの冷却処理の終了後、リフトピン４３ａで処理後の基板Ｗを上方に移動し、第１支持部４２に受け渡す。処理後の基板Ｗは、リフトピン４３ａからハンド１３ａに移載される。なお、第１支持部４２を介してリフトピン４３ａからハンド１３ａに処理後の基板Ｗを移載してもよい。ロボット搬送装置１３により加熱冷却チャンバ１７から搬送チャンバ１１に移動した処理後の基板Ｗは、成膜装置１０から取り出されるか、成膜チャンバ１２などで次の真空処理がなされる。
また、図１２は、温度補正部４５を予備加熱する際の各部の配置を示している。処理後の基板Ｗが加熱冷却チャンバ１７から取り出され、次に処理される基板が加熱冷却チャンバ１７に搬入されるまでの間に、温度補正部４５の予備加熱が行われる。すなわち、リフトピン４３ａから第１支持部４２に処理後の基板Ｗが受け渡され、リフトピン４３ａが降下した後に、温度補正部４５を加熱ランプ３３の下方に移動して、加熱ランプ３３で加熱しておくことで、温度補正部４５のＳｉＣ製の蓄熱リングに熱を蓄積しておき、次の基板の加熱処理をより迅速に行うことができる。
本発明に係る加熱冷却チャンバ１７を用いることによって、基板を加熱後に冷却し、スループット向上、および高真空内での冷却による不純ガスの吸蔵の低減を図ることができる。さらに、加熱冷却チャンバ１７による熱処理によって、成膜層の結晶状態を制御するとともに、基板と膜の密着性を向上することができる。
（第２実施形態）
図１３のａ、ｂに第２実施形態に係る加熱冷却チャンバの断面図を示す。上述の第１実施形態に係る加熱冷却チャンバ１７は、一体に形成されたリング状の温度補正部４５を備えているが、本実施形態の加熱冷却チャンバは、２つのセグメント６５ａ，６５ｂに分割された温度補正部４５を備えている。蓄熱部材も分割されてセグメント６５ａ，６５ｂに設けられている。セグメント６５ａ，６５ｂには、切欠き部６６が設けられており、リフトピン４３ａと干渉しないようになっている。また、セグメント６５ａ，６５ｂには、基板Ｗを支持する凸部を設けてもよい。この場合、第１支持部４２は、温度補正部に設けられていることとなる。温度補正部は第１支持部４２と同様に基板Ｗを支持することが可能であるため、第１支持部４２は不要となる。
（第３実施形態）
図１４に第３実施形態に係る加熱冷却チャンバの断面図を示す。本実施形態は、温度補正部４５に替えてランプヒーターを用いた実施形態である。温度補
正部４５の代わりに用いるランプヒーターを補助ヒーター５７とする。補助ヒーター５７は加熱冷却室２１に固定されており、基板Ｗの加熱の際に出力をＯＮにすることで、加熱中の基板Ｗの外周部分の裏面を加熱し、基板Ｗの中心部と外周部分の温度差を低減させる。本実施形態は蓄熱部材を備えていないので予備加熱に相当する操作は必要としない。
（第４実施形態）
上述の各実施形態に係る加熱冷却チャンバ１７は、冷却部の位置が固定されているが、冷却部が進退動可能に構成にしてもよい。本実施形態の加熱冷却チャンバでは、基板Ｗを冷却する際に、基板Ｗは第１支持部４２、若しくは、基板Ｗを支持する凸部を有する温度補正部に支持された状態で、冷却部（基板ホルダー２５）が基板Ｗの裏面に接する位置まで上昇移動する。冷却部が上昇移動することが可能であるためリフトピンは必ずしも必要ない。また、基板Ｗの加熱の際には、冷却部（基板ホルダー２５）は基板Ｗから離れて下方に降下移動する。
本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
本願は、２０１３年６月１１日提出の日本国特許出願特願２０１３−１２２５２７を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。
１０ 成膜装置
１１ 搬送チャンバ
１２ 成膜チャンバ
１３ ロボット搬送装置
１３ａ ハンド
１４ ロード／アンロードチャンバ
１５ クリーンニングチャンバ
１７ 加熱冷却チャンバ
２１ 加熱冷却室
２２ ポンプ室
２２ａ 真空ポンプ
２４ 加熱部
２５ 冷却部
３１ 透明窓
３３ 加熱ランプ
３５ 基板載置部
３７ 冷却装置
４１ 基板支持部
４２ 第１支持部
４３ａ リフトピン（第２支持部）
４５，４６，４７ 温度補正部
４６ａ 遮熱板
４６ｂ スペーサ
４７ａ ５７ 補助ヒーター
４９ 補正部移動装置
６５ａ，６５ｂ セグメント
６６ 切欠き部
本発明に係る真空処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に基板を支持する基板支持手段と、前記基板支持手段に支持された前記基板の処理面に対向して設けられた加熱手段と、前記基板支持手段に支持された前記基板の裏面に対向して設けられた冷却手段と、前記加熱手段によって前記基板を加熱処理する際に、前記基板支持手段に支持された前記基板と前記冷却手段との間の所定位置に配置されることで前記基板の中心部と外周部分の温度差を低減させるために、前記基板の外周部分の温度を補正する温度補正部と、前記温度補正部を、前記所定位置と、前記所定位置から退避させられた退避位置との間で移動する補正部移動手段と、を備え、前記基板支持手段は、前記加熱手段によって前記基板が加熱処理される加熱位置、および前記冷却手段によって前記基板が冷却処理される冷却位置に前記基板を移動可能に設けられ、前記基板支持手段は、前記加熱位置で前記基板を支持する第１支持部と、前記加熱位置で前記第１支持部に支持された前記基板を受け取り前記冷却位置に移動する第２支持部と、を有し、前記補正部移動手段は、前記第２支持部が前記第１支持部から前記基板を受け取る前に、前記温度補正部を前記退避位置に退避させることを特徴とする。

Claims (13)

  1. 真空容器と、
    前記真空容器内に基板を支持する基板支持手段と、
    前記基板支持手段に支持された前記基板の処理面に対向して設けられた加熱手段と、
    前記基板支持手段に支持された前記基板の裏面に対向して設けられた冷却手段と、
    前記加熱手段によって前記基板を加熱処理する際に、前記基板支持手段に支持された前記基板と前記冷却手段との間の所定位置に配置されることで前記基板の中心部と外周部分との温度差を低減させるために、前記基板の外周部分の温度を補正する温度補正部と、
    前記温度補正部を、前記所定位置と、前記所定位置から退避させられた退避位置との間で移動する補正部移動手段と、
    を備えることを特徴とする真空処理装置。
  2. 前記基板支持手段は、
    前記加熱手段によって前記基板が加熱処理される加熱位置、および前記冷却手段によって前記基板が冷却処理される冷却位置に前記基板を移動可能に設けられることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
  3. 前記基板支持手段は、
    前記加熱位置で前記基板を支持する第１支持部と、
    前記加熱位置で前記第１支持部に支持された前記基板を受け取り前記冷却位置に移動する第２支持部と、
    を有することを特徴とする請求項２に記載の真空処理装置。
  4. 前記真空容器は、前記真空容器内に前記基板を搬送する搬送装置を備えた搬送容器に気密に連結されており、
    前記第１支持部は、前記搬送装置との間で前記基板の受け渡しをすることを特徴とする請求項３に記載の真空処理装置。
  5. 前記補正部移動手段は、前記第２支持部が前記第１支持部から前記基板を受け取る前に、前記温度補正部を前記退避位置に退避させることを特徴とする請求項３又４に記載の真空処理装置。
  6. 前記温度補正部は、前記基板よりも大きな直径を有するリング状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
  7. 前記第１支持部は、前記温度補正部に設けられていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の真空処理装置。
  8. 前記温度補正部は、複数のセグメントから構成されており、
    前記補正部移動手段は、前記複数のセグメントを異なる方向に移動させることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
  9. 前記温度補正部は、前記基板支持手段に接触しないように切欠き部を有することを特徴とする請求項８に記載の真空処理装置。
  10. 前記冷却手段は、前記基板を冷却する際に前記基板支持手段に支持された前記基板の裏面に接する位置まで移動可能であり、前記基板の加熱の際には前記基板から離れ下方に移動することが可能に設けられることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
  11. 前記温度補正部は、前記加熱手段から照射された熱を蓄積する蓄熱部材を備えることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
  12. 前記温度補正部は、
    前記加熱手段から照射された熱を蓄積する蓄熱部材と、
    前記蓄熱部材と前記冷却手段との間に設けられ、前記加熱手段から照射される熱を遮蔽する遮熱板と、
    を備えることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
  13. 前記温度補正部は、前記基板の外周部分を加熱するヒーターを備えていることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
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