JP5998925B2 - 加熱装置 - Google Patents
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本発明の第1の実施形態に係る加熱装置1は、図1に示すように、複数の基板プレート11を有するボートタイプのサンプルホルダ10に搭載された複数の基板100を加熱する加熱装置であって、サンプルホルダ10が格納されるチャンバー20と、チャンバー20内においてサンプルホルダ10の周囲及び基板プレート11間に配置されたヒータと30とを備える。
図1に示した加熱装置1については、チャンバー20内を真空状態にして基板100を加熱する方法を説明した。本発明の第2の実施形態に係る加熱装置1では、一定の圧力になるようにチャンバー20内に気体を導入した状態で、基板100を加熱する。チャンバー20内に導入する気体は、例えば窒素(N2)ガスや空気などである。また、チャンバー20内の圧力は10000Pa以上に設定される。チャンバー20内を大気圧にしてもよい。
2…成膜装置
3…搬送装置
10…サンプルホルダ
11…基板プレート
12…底板
20…チャンバー
30…ヒータ
40…ガス導入機構
50…ガス排出機構
60…断熱材
100…基板
110…搭載面
Claims (6)
- 搭載面をそれぞれ有する複数の基板プレートを並行に前記搭載面の面法線方向に配列した構成のボートタイプのサンプルホルダの前記搭載面に垂直に搭載された基板を加熱する加熱装置であって、
前記サンプルホルダが格納されるチャンバーと、
前記チャンバー内において前記サンプルホルダの周囲及び前記基板プレート間に配置されたヒータと
を備え、
前記ヒータが前記基板を透過して前記サンプルホルダで吸収される波長を放射し、前記ヒータによって加熱された前記サンプルホルダを伝導した熱によって、基板温度をオーバーシュートさせることなく前記基板を所定の温度に加熱することを特徴とする加熱装置。 - 前記基板がシリコン基板であり、
前記ヒータの放射波長が1300nm〜2000nmであることを特徴とする請求項1に記載の加熱装置。 - 前記ヒータの放射する前記波長が、前記基板で吸収されない波長であることを特徴とする請求項1に記載の加熱装置。
- 前記チャンバー内が10000Pa以上の圧力に設定されて前記基板が加熱されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の加熱装置。
- 前記チャンバー内に空気が導入され、大気圧に設定されることを特徴とする請求項4に記載の加熱装置。
- 前記チャンバーに窒素ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバーから前記窒素ガスを排出することにより、前記チャンバー内の圧力を設定するガス排出機構と
を更に備え、窒素雰囲気中で前記基板を加熱することを特徴とする請求項4に記載の加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012287525A JP5998925B2 (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014130900A JP2014130900A (ja) | 2014-07-10 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5998925B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6418729U (ja) * | 1987-07-24 | 1989-01-30 | ||
JPH08288296A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-11-01 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の基板加熱装置 |
US6688375B1 (en) * | 1997-10-14 | 2004-02-10 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling |
JP2001119049A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法および製造装置 |
JP4089113B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2008-05-28 | 株式会社Ihi | 薄膜作成装置 |
JP5015541B2 (ja) * | 2006-10-07 | 2012-08-29 | 昭和鉄工株式会社 | 熱処理装置 |
JP2012049251A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Shimadzu Corp | 太陽電池の製造装置および太陽電池の製造方法 |
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2012
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Publication number | Publication date |
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JP2014130900A (ja) | 2014-07-10 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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