JP2001119049A - 光電変換装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
光電変換装置の製造方法および製造装置Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製膜される基板の温度管理を、短時間で容易
に、かつ低コストで行うことを可能とする光電変換装置
の製造方法および製造装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 基板を保持するホルダーを、インライン
に配列された複数の製膜室に順次導入し、それぞれの製
膜室内において基板表面に半導体薄膜を製膜する工程を
含む光電変換装置の製造方法において、最初の製膜室に
導入される、ホルダ―に保持された基板の温度を、大気
圧下において一定に制御することを特徴とする
に、かつ低コストで行うことを可能とする光電変換装置
の製造方法および製造装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 基板を保持するホルダーを、インライン
に配列された複数の製膜室に順次導入し、それぞれの製
膜室内において基板表面に半導体薄膜を製膜する工程を
含む光電変換装置の製造方法において、最初の製膜室に
導入される、ホルダ―に保持された基板の温度を、大気
圧下において一定に制御することを特徴とする
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置の製
造方法および製造装置に係り、特に、ホルダー循環系の
一部に温度制御機構を設けたインラインＣＶＤ製膜方法
および製膜装置に関する。
造方法および製造装置に係り、特に、ホルダー循環系の
一部に温度制御機構を設けたインラインＣＶＤ製膜方法
および製膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコン太陽電池をはじめとする
非単結晶太陽電池は、その大部分がシラン、ジシラン、
ゲルマン、メタンなどの原料ガスを、必要に応じてジボ
ラン、フォスフィン、アルシンなどのドーピングガスと
ともに高周波電力などによるプラズマ中で分解し、所望
の基板上に堆積するいわゆるグロー放電分解法によって
ｐｉｎ接合を形成することによって形成されている。
非単結晶太陽電池は、その大部分がシラン、ジシラン、
ゲルマン、メタンなどの原料ガスを、必要に応じてジボ
ラン、フォスフィン、アルシンなどのドーピングガスと
ともに高周波電力などによるプラズマ中で分解し、所望
の基板上に堆積するいわゆるグロー放電分解法によって
ｐｉｎ接合を形成することによって形成されている。
【０００３】その際、高い性能を得るためには、ｉ層中
の不純物濃度を極力低減する必要があることは公知とな
っている。ｐ層やｎ層を形成するためのボロンやリンな
ども性能の低下を引き起こすため、最近では、ｐ層、ｉ
層、ｎ層をそれぞれ専用の製膜室で形成するいわゆる分
離形成法が一般的となっている。
の不純物濃度を極力低減する必要があることは公知とな
っている。ｐ層やｎ層を形成するためのボロンやリンな
ども性能の低下を引き起こすため、最近では、ｐ層、ｉ
層、ｎ層をそれぞれ専用の製膜室で形成するいわゆる分
離形成法が一般的となっている。
【０００４】この分離形成法は、各製膜室をインライン
に配列し、各層を形成後、真空中で他の製膜室に基板を
搬送するシステムを有するインライン多室分離型製膜装
置が必要となる。また、最初の製膜室の前にローディン
グ室を設けて、そこでホルダーに基板を保持させ、最後
の製膜室の後にアンローディング室を設けて、そこでホ
ルダーから基板を外し、ホルダーは循環してローディン
グ室に戻して、繰返し使用するものである。
に配列し、各層を形成後、真空中で他の製膜室に基板を
搬送するシステムを有するインライン多室分離型製膜装
置が必要となる。また、最初の製膜室の前にローディン
グ室を設けて、そこでホルダーに基板を保持させ、最後
の製膜室の後にアンローディング室を設けて、そこでホ
ルダーから基板を外し、ホルダーは循環してローディン
グ室に戻して、繰返し使用するものである。
【０００５】このようなインライン多室分離型製膜装置
では、製膜室内に設置されたヒーターにより基板を２０
０℃程度に加熱して、製膜が行われるが、真空中での加
熱には長時間を要し、かつコストが高いという問題があ
る。また、基板は順次移動するため、製膜室内で基板温
度をモニターすることは非常に困難である。
では、製膜室内に設置されたヒーターにより基板を２０
０℃程度に加熱して、製膜が行われるが、真空中での加
熱には長時間を要し、かつコストが高いという問題があ
る。また、基板は順次移動するため、製膜室内で基板温
度をモニターすることは非常に困難である。
【０００６】更に、ホルダーの繰返し使用により、ホル
ダーが蓄熱したり、環境温度により影響を受けたりする
など、ローディング室に投入される基板の温度が一定と
ならず、そのため製膜室内の基板の温度を一定に制御す
ることが困難となる。
ダーが蓄熱したり、環境温度により影響を受けたりする
など、ローディング室に投入される基板の温度が一定と
ならず、そのため製膜室内の基板の温度を一定に制御す
ることが困難となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の問題点に鑑みなされたもので、製膜される基板の
温度管理を、短時間で容易に、かつ低コストで行うこと
を可能とする光電変換装置の製造方法および製造装置を
提供することを目的とする。
技術の問題点に鑑みなされたもので、製膜される基板の
温度管理を、短時間で容易に、かつ低コストで行うこと
を可能とする光電変換装置の製造方法および製造装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、基板を保持するホルダーを、インライン
に配列された複数の製膜室に順次導入し、それぞれの製
膜室内において基板表面に半導体薄膜を製膜する工程を
含む光電変換装置の製造方法において、最初の製膜室に
導入される、ホルダ―に保持された基板の温度を、大気
圧下において一定に制御することを特徴とする光電変換
装置の製造方法を提供する。
め、本発明は、基板を保持するホルダーを、インライン
に配列された複数の製膜室に順次導入し、それぞれの製
膜室内において基板表面に半導体薄膜を製膜する工程を
含む光電変換装置の製造方法において、最初の製膜室に
導入される、ホルダ―に保持された基板の温度を、大気
圧下において一定に制御することを特徴とする光電変換
装置の製造方法を提供する。
【０００９】また、本発明は、インラインに配列された
複数の製膜室と、基板を保持するホルダーと、このホル
ダーを、前記複数の製膜室に順次導入し、循環搬送する
手段と、それぞれの製膜室内において基板表面に半導体
薄膜を製膜する手段と、最初の製膜室に導入される、ホ
ルダ―に保持された基板の温度を、大気圧下において一
定に制御する手段とを具備することを特徴とする光電変
換装置の製造装置を提供する。
複数の製膜室と、基板を保持するホルダーと、このホル
ダーを、前記複数の製膜室に順次導入し、循環搬送する
手段と、それぞれの製膜室内において基板表面に半導体
薄膜を製膜する手段と、最初の製膜室に導入される、ホ
ルダ―に保持された基板の温度を、大気圧下において一
定に制御する手段とを具備することを特徴とする光電変
換装置の製造装置を提供する。
【００１０】本発明の光電変換装置の製造方法および製
造装置において、最初の製膜室に導入される基板の温度
と、最後の製膜室から排出される基板の温度をモニター
することが出来る。また、このようにモニターされた、
最初の製膜室に導入される基板の温度に応じて、複数の
製膜室内の温度を制御することが出来る。なお、基板の
温度のモニターは、ホルダーに温度計を取り付けること
により行うことが出来る。
造装置において、最初の製膜室に導入される基板の温度
と、最後の製膜室から排出される基板の温度をモニター
することが出来る。また、このようにモニターされた、
最初の製膜室に導入される基板の温度に応じて、複数の
製膜室内の温度を制御することが出来る。なお、基板の
温度のモニターは、ホルダーに温度計を取り付けること
により行うことが出来る。
【００１１】最初の製膜室に導入される、ホルダ―に保
持された基板の温度は、基板に熱風を吹き付けること、
基板に高圧水蒸気を吹き付けること、または基板に赤外
線を照射することにより、制御することが出来る。これ
らの中では、基板に熱風を吹き付けることが、簡易な手
段であってコストも低く、短時間での昇温が可能である
ことから、最も好ましい。
持された基板の温度は、基板に熱風を吹き付けること、
基板に高圧水蒸気を吹き付けること、または基板に赤外
線を照射することにより、制御することが出来る。これ
らの中では、基板に熱風を吹き付けることが、簡易な手
段であってコストも低く、短時間での昇温が可能である
ことから、最も好ましい。
【００１２】なお、熱風は、清浄化されたクリーンエア
ーであることが好ましい。最初の製膜室に導入される、
ホルダ―に保持された基板の温度は、製膜室における製
膜は１６０℃〜２４０℃の温度下で行われるので、この
範囲内の製膜温度より低いが、この製膜温度に近い温度
であるとともに、１００℃を越える温度、例えば１００
〜１５０℃に制御されることが好ましい。
ーであることが好ましい。最初の製膜室に導入される、
ホルダ―に保持された基板の温度は、製膜室における製
膜は１６０℃〜２４０℃の温度下で行われるので、この
範囲内の製膜温度より低いが、この製膜温度に近い温度
であるとともに、１００℃を越える温度、例えば１００
〜１５０℃に制御されることが好ましい。
【００１３】以上のように構成される本発明の光電変換
装置の製造方法および製造装置によると、最初の製膜室
に導入される、ホルダ―に保持された基板の温度を、大
気圧下において一定に制御することにより、製膜室内の
基板の温度管理を、短時間で容易に、かつ低コストで行
うことが可能である。
装置の製造方法および製造装置によると、最初の製膜室
に導入される、ホルダ―に保持された基板の温度を、大
気圧下において一定に制御することにより、製膜室内の
基板の温度管理を、短時間で容易に、かつ低コストで行
うことが可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。図１は、本発明の一実施
形態に係るインラインＣＶＤ製膜装置の模式図である。
図１において、ｐ層製膜室１、ｉ層製膜室２、およびｎ
層製膜室３が一列に配列され、その前後にローディング
室４およびアンローディング室５が設置されている。
実施の形態について説明する。図１は、本発明の一実施
形態に係るインラインＣＶＤ製膜装置の模式図である。
図１において、ｐ層製膜室１、ｉ層製膜室２、およびｎ
層製膜室３が一列に配列され、その前後にローディング
室４およびアンローディング室５が設置されている。
【００１５】これらローディング室４、 ｐ層製膜室
１、ｉ層製膜室２、ｎ層製膜室３、およびアンローディ
ング室５内を、製膜される基板６を支持するホルダー７
が、ホルダー循環系８によって搬送され、循環され、繰
返し使用されている。
１、ｉ層製膜室２、ｎ層製膜室３、およびアンローディ
ング室５内を、製膜される基板６を支持するホルダー７
が、ホルダー循環系８によって搬送され、循環され、繰
返し使用されている。
【００１６】ローディング室４において、ホルダー７上
に保持された基板６は、熱風吹き付けノズル９から熱風
を吹き付けられ、所定の温度に加熱される。所定の温度
とは、通常、１００〜１５０℃である。このような温度
が得られるように、熱風の温度、吹き付け時間等が制御
される。なお、温度制御は、ホルダー自体の温度および
周囲温度を考慮してなされる必要がある。また、後述す
る、最後の製膜室から排出されるホルダーの温度も考慮
される。
に保持された基板６は、熱風吹き付けノズル９から熱風
を吹き付けられ、所定の温度に加熱される。所定の温度
とは、通常、１００〜１５０℃である。このような温度
が得られるように、熱風の温度、吹き付け時間等が制御
される。なお、温度制御は、ホルダー自体の温度および
周囲温度を考慮してなされる必要がある。また、後述す
る、最後の製膜室から排出されるホルダーの温度も考慮
される。
【００１７】ローディング室４内は大気圧下にあり、熱
風の吹き付けによる基板の所定の温度への昇温は、短時
間で容易に行うことが出来る。
風の吹き付けによる基板の所定の温度への昇温は、短時
間で容易に行うことが出来る。
【００１８】所定の温度に加熱された基板は、ｐ層製膜
室１、ｉ層製膜室２、およびｎ層製膜室３内において、
順次、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層、およびｎ型半導体
層が製膜される。製膜は、各室に設けられたヒーターに
より２００℃の下で行われるが、 基板６は、ｐ層製膜
室１に導入される前に、あらかじめ１００〜１５０℃の
一定の温度に加熱制御されているため、２００℃への昇
温は、正確に、かつ極めて短時間で行うことが出来る。
室１、ｉ層製膜室２、およびｎ層製膜室３内において、
順次、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層、およびｎ型半導体
層が製膜される。製膜は、各室に設けられたヒーターに
より２００℃の下で行われるが、 基板６は、ｐ層製膜
室１に導入される前に、あらかじめ１００〜１５０℃の
一定の温度に加熱制御されているため、２００℃への昇
温は、正確に、かつ極めて短時間で行うことが出来る。
【００１９】なお、ホルダー７には温度計が取付けられ
ていて、 ｐ層製膜室１に導入される際の温度と、 ｎ層
製膜室３から出る際の温度がモニタ―されており、その
値に応じて、各製膜室内のヒーターの温度がコントロー
ルされる。
ていて、 ｐ層製膜室１に導入される際の温度と、 ｎ層
製膜室３から出る際の温度がモニタ―されており、その
値に応じて、各製膜室内のヒーターの温度がコントロー
ルされる。
【００２０】なお、図１に示す製膜装置において、各製
膜室間の一部またはすべてに、不純物の混入を防ぐため
にさらに中間室を設けることが可能である。また、製膜
される半導体層の厚さ、製膜時間の相違を考慮して、同
一の半導体層を複数の製膜室で製膜するようにすること
も可能である。
膜室間の一部またはすべてに、不純物の混入を防ぐため
にさらに中間室を設けることが可能である。また、製膜
される半導体層の厚さ、製膜時間の相違を考慮して、同
一の半導体層を複数の製膜室で製膜するようにすること
も可能である。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を示し、本発
明についてさらに詳しく説明する。図１に示す、複数の
平行平板容量結合型グロー放電分解製膜室をインライン
に配置したＣＶＤ製膜装置を用い、以下のように、Ｓｎ
Ｏ２付ガラス基板上にｐ層、ｉ層およびｎ層の各非晶質
半導体層の製膜を行った。まず、ローディング室４内に
おいて、ホルダー７上にＳｎＯ２付ガラス基板６を配置
した。次いで、大気圧下で、熱風ノズル９から２００℃
の熱風を３００秒間吹き付け、基板温度を１２０℃とし
た。基板温度は、ホルダー７に取付けられた温度計によ
りモニターされている。
明についてさらに詳しく説明する。図１に示す、複数の
平行平板容量結合型グロー放電分解製膜室をインライン
に配置したＣＶＤ製膜装置を用い、以下のように、Ｓｎ
Ｏ２付ガラス基板上にｐ層、ｉ層およびｎ層の各非晶質
半導体層の製膜を行った。まず、ローディング室４内に
おいて、ホルダー７上にＳｎＯ２付ガラス基板６を配置
した。次いで、大気圧下で、熱風ノズル９から２００℃
の熱風を３００秒間吹き付け、基板温度を１２０℃とし
た。基板温度は、ホルダー７に取付けられた温度計によ
りモニターされている。
【００２２】次に、基板６を保持したホルダー７をｐ層
製膜室１に搬送し、減圧下でヒーター温度１８０℃で加
熱した後、ＳｉＨ４３００ｓｃｃｍ、ＣＨ３７００ｓｃ
ｃｍ、 Ｂ２Ｈ６５ｓｃｃｍ、Ｈ２１０００ｓｃｃｍ を
導入し、反応圧力１ｔｏｒｒ、 ＲＦパワー３０ｍＷ／
ｃｍ２でｐ層を１０ｎｍ製膜した。
製膜室１に搬送し、減圧下でヒーター温度１８０℃で加
熱した後、ＳｉＨ４３００ｓｃｃｍ、ＣＨ３７００ｓｃ
ｃｍ、 Ｂ２Ｈ６５ｓｃｃｍ、Ｈ２１０００ｓｃｃｍ を
導入し、反応圧力１ｔｏｒｒ、 ＲＦパワー３０ｍＷ／
ｃｍ２でｐ層を１０ｎｍ製膜した。
【００２３】続いて、 ｐ層製膜室１内の残留ガスを排
気した後、基板６を保持したホルダー７を、隣接するｉ
層製膜室２に搬送し、減圧下でヒーター温度２００℃で
加熱した後、 ＳｉＨ４５００ｓｃｃｍを導入し、反応
圧力０．３ｔｏｒｒ、 ＲＦパワー５０ｍＷ／ｃｍ２で
ｉ層を３００ｎｍ製膜した。
気した後、基板６を保持したホルダー７を、隣接するｉ
層製膜室２に搬送し、減圧下でヒーター温度２００℃で
加熱した後、 ＳｉＨ４５００ｓｃｃｍを導入し、反応
圧力０．３ｔｏｒｒ、 ＲＦパワー５０ｍＷ／ｃｍ２で
ｉ層を３００ｎｍ製膜した。
【００２４】更に、 ｉ層製膜室２内の残留ガスを排気
した後、基板６を保持したホルダー７を、隣接するｎ層
製膜室１に搬送し、減圧下でヒーター温度２００℃で加
熱した後、ＳｉＨ４２００ｓｃｃｍ、ＰＨ３５ｓｃｃ
ｍ、Ｈ２４０００ｓｃｃｍを導入し、反応圧力１ｔｏｒ
ｒ、 ＲＦパワー１００ｍＷ／ｃｍ２でｎ層を２０ｎｍ
製膜した。
した後、基板６を保持したホルダー７を、隣接するｎ層
製膜室１に搬送し、減圧下でヒーター温度２００℃で加
熱した後、ＳｉＨ４２００ｓｃｃｍ、ＰＨ３５ｓｃｃ
ｍ、Ｈ２４０００ｓｃｃｍを導入し、反応圧力１ｔｏｒ
ｒ、 ＲＦパワー１００ｍＷ／ｃｍ２でｎ層を２０ｎｍ
製膜した。
【００２５】このようにして、 ＳｎＯ２付ガラス基板
６上に、ｐｉｎ接合を有する３層の非晶質半導体層を製
膜した。その後、製膜された基板６をホルダーから外し
て、次の工程に搬送し、ホルダー７はそのまま搬送され
て、ローディング室４に戻された。
６上に、ｐｉｎ接合を有する３層の非晶質半導体層を製
膜した。その後、製膜された基板６をホルダーから外し
て、次の工程に搬送し、ホルダー７はそのまま搬送され
て、ローディング室４に戻された。
【００２６】以上のような製膜工程においては、基板６
は、ｐ層製膜室１に導入される前に、熱風で加熱され、
所定の温度に制御されており、この温度はホルダー７に
取付けられた温度計によりモニターされ、この温度に応
じて、 ｐ層製膜室１内のヒーターの温度が設定されて
いる。
は、ｐ層製膜室１に導入される前に、熱風で加熱され、
所定の温度に制御されており、この温度はホルダー７に
取付けられた温度計によりモニターされ、この温度に応
じて、 ｐ層製膜室１内のヒーターの温度が設定されて
いる。
【００２７】そのため、 ｐ層製膜室１内の基板６の温
度は、製膜に必要な温度に正確に、かつ短時間で達成さ
れ、それによって、製膜室内の基板の温度管理を容易に
行うことが可能となった。
度は、製膜に必要な温度に正確に、かつ短時間で達成さ
れ、それによって、製膜室内の基板の温度管理を容易に
行うことが可能となった。
【００２８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よると、最初の製膜室に導入される、ホルダ―に保持さ
れた基板の温度を、大気圧下において一定に制御するこ
とにより、製膜室内の基板の温度管理を、短時間で容易
に、かつ低コストで行うことが可能となった。
よると、最初の製膜室に導入される、ホルダ―に保持さ
れた基板の温度を、大気圧下において一定に制御するこ
とにより、製膜室内の基板の温度管理を、短時間で容易
に、かつ低コストで行うことが可能となった。
【図１】本発明の一実施形態に係るインラインＣＶＤ製
膜装置を概略的に示す図。
膜装置を概略的に示す図。
１…ｐ層製膜室 ２…ｉ層製膜室 ３…ｎ層製膜室 ４…ローディング室 ５…アンローディング室 ６…基板 ７…ホルダー ８…ホルダー循環系 ９…熱風吹き付けノズル
Claims (10)
- 【請求項１】基板を保持するホルダーを、インラインに
配列された複数の製膜室に順次導入し、それぞれの製膜
室内において基板表面に半導体薄膜を製膜する工程を含
む光電変換装置の製造方法において、最初の製膜室に導
入される、ホルダ―に保持された基板の温度を、大気圧
下において一定に制御することを特徴とする光電変換装
置の製造方法。 - 【請求項２】最初の製膜室に導入される基板の温度と、
最後の製膜室から排出される基板の温度をモニターする
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造
方法。 - 【請求項３】最初の製膜室に導入される基板の温度に応
じて、前記複数の製膜室内の温度を制御することを特徴
とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項４】最初の製膜室に導入される、ホルダ―に保
持された基板の温度は、基板に熱風を吹き付けること、
基板に高圧水蒸気を吹き付けること、基板に赤外線を照
射することからなる群から選ばれた１種により、制御さ
れることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかの項
に記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項５】最初の製膜室に導入される、ホルダ―に保
持された基板の温度は、１００〜１５０℃に制御される
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかの項に記
載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項６】インラインに配列された複数の製膜室と、
基板を保持するホルダーと、このホルダーを、前記複数
の製膜室に順次導入し、循環搬送する手段と、それぞれ
の製膜室内において基板表面に半導体薄膜を製膜する手
段と、最初の製膜室に導入される、ホルダ―に保持され
た基板の温度を、大気圧下において一定に制御する手段
とを具備することを特徴とする光電変換装置の製造装
置。 - 【請求項７】最初の製膜室に導入される基板の温度と、
最後の製膜室から排出される基板の温度をモニターする
手段を更に具備することを特徴とする請求項６に記載の
光電変換装置の製造装置。 - 【請求項８】最初の製膜室に導入される基板の温度に応
じて、前記複数の製膜室内の温度を制御することを特徴
とする請求項６に記載の光電変換装置の製造装置。 - 【請求項９】最初の製膜室に導入される、ホルダ―に保
持された基板の温度を、大気圧下において一定に制御す
る手段は、基板に熱風を吹き付ける手段、基板に高圧水
蒸気を吹き付ける手段、および赤外線ヒーターからなる
群から選ばれた１種を有することを特徴とする請求項６
ないし８のいずれかの項に記載の光電変換装置の製造装
置。 - 【請求項１０】最初の製膜室に導入される、ホルダ―に
保持された基板の温度は、１００〜１５０℃に制御され
ることを特徴とする請求項６ないし９のいずれかの項に
記載の光電変換装置の製造装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29397599A JP2001119049A (ja) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | 光電変換装置の製造方法および製造装置 |
| AU22441/00A AU767161B2 (en) | 1999-08-20 | 2000-03-21 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
| US09/531,933 US6461444B1 (en) | 1999-08-20 | 2000-03-21 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
| ES00106258T ES2289980T3 (es) | 1999-08-20 | 2000-03-22 | Procedimiento para limpiar un aparato formador de peliculas semiconductoras delgadas de silicio. |
| EP00106258A EP1079422B1 (en) | 1999-08-20 | 2000-03-22 | Method of cleaning a silicon-based semiconductor film-forming apparatus |
| AT00106258T ATE368297T1 (de) | 1999-08-20 | 2000-03-22 | Verfahren zur säuberung einer vorrichtung zum herstellen von dünnfilm-silizium |
| DE60035648T DE60035648T2 (de) | 1999-08-20 | 2000-03-22 | Verfahren zur Säuberung einer Vorrichtung zum Herstellen von Dünnfilm-Silizium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29397599A JP2001119049A (ja) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | 光電変換装置の製造方法および製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001119049A true JP2001119049A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17801627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29397599A Pending JP2001119049A (ja) | 1999-08-20 | 1999-10-15 | 光電変換装置の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001119049A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009246060A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Ihi Corp | インライン型処理装置 |
| JP2014130900A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shimadzu Corp | 加熱装置 |
-
1999
- 1999-10-15 JP JP29397599A patent/JP2001119049A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009246060A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Ihi Corp | インライン型処理装置 |
| JP2014130900A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shimadzu Corp | 加熱装置 |
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