JPH0563223A - 非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに用いる製造装置 - Google Patents
非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに用いる製造装置Info
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- JPH0563223A JPH0563223A JP3254728A JP25472891A JPH0563223A JP H0563223 A JPH0563223 A JP H0563223A JP 3254728 A JP3254728 A JP 3254728A JP 25472891 A JP25472891 A JP 25472891A JP H0563223 A JPH0563223 A JP H0563223A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い変換効率と信頼性を有するタンデム型太
陽電池を、比較的簡易な工程で、安価な装置を用いて作
成する非単結晶タンデム型太陽電池及びそれに用いる製
造装置を提供する。 【構成】 本発明の製法は、ｐｉｎ接合を単室型製膜装
置と多室分離型製膜装置を組合せてなる製膜装置を用い
て非単結晶タンデム型太陽電池を製造するものである。
また、本発明の製造装置は、主制御装置１と、原料ガス
供給装置２と、ガス流量制御装置３と、搬送装置４５と
基板保持装置４２と反応装置とを有する複数の反応室４
と、ガス圧力調節装置５、ガス排出装置６とからなる非
単結晶タンデム型太陽電池の製造装置であって、主制御
装置１の制御により少なくとも一つの反応室において、
ｐｉｎ接合を形成することができるものである。
陽電池を、比較的簡易な工程で、安価な装置を用いて作
成する非単結晶タンデム型太陽電池及びそれに用いる製
造装置を提供する。 【構成】 本発明の製法は、ｐｉｎ接合を単室型製膜装
置と多室分離型製膜装置を組合せてなる製膜装置を用い
て非単結晶タンデム型太陽電池を製造するものである。
また、本発明の製造装置は、主制御装置１と、原料ガス
供給装置２と、ガス流量制御装置３と、搬送装置４５と
基板保持装置４２と反応装置とを有する複数の反応室４
と、ガス圧力調節装置５、ガス排出装置６とからなる非
単結晶タンデム型太陽電池の製造装置であって、主制御
装置１の制御により少なくとも一つの反応室において、
ｐｉｎ接合を形成することができるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非単結晶シリコンを中
心とする非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに
用いる製造装置に関する。
心とする非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに
用いる製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコン太陽電池をはじめとする
非単結晶太陽電池はその大部分がシラン、ジシラン、ゲ
ルマン、メタンなどの原料ガスを、必要に応じてジボラ
ン、フォスフィン、アルシンなどのドーピングガスとと
もに高周波電力などによるプラズマ中で分解し所望の基
板上に堆積するいわゆるグロー放電分解法によってｐｉ
ｎ接合を形成することによって形成されている。その
際、高い性能を得るためには、ｉ層中の不純物濃度を極
力低減する必要があることは公知となっている。ｐ層や
ｎ層を形成するためのボロンやリンなども性能の低下を
引き起こすため、最近では、ｐ層、ｉ層、ｎ層をそれぞ
れ専用の反応室で形成するいわゆる分離形成法が一般的
となっている。この分離形成法は、変換効率の高い太陽
電池を形成できる反面、各層を形成後、真空中で他の反
応室に基板を搬送するシステムを有する多室分離型成膜
装置が必要となるとともに製造工程も複雑となる。
非単結晶太陽電池はその大部分がシラン、ジシラン、ゲ
ルマン、メタンなどの原料ガスを、必要に応じてジボラ
ン、フォスフィン、アルシンなどのドーピングガスとと
もに高周波電力などによるプラズマ中で分解し所望の基
板上に堆積するいわゆるグロー放電分解法によってｐｉ
ｎ接合を形成することによって形成されている。その
際、高い性能を得るためには、ｉ層中の不純物濃度を極
力低減する必要があることは公知となっている。ｐ層や
ｎ層を形成するためのボロンやリンなども性能の低下を
引き起こすため、最近では、ｐ層、ｉ層、ｎ層をそれぞ
れ専用の反応室で形成するいわゆる分離形成法が一般的
となっている。この分離形成法は、変換効率の高い太陽
電池を形成できる反面、各層を形成後、真空中で他の反
応室に基板を搬送するシステムを有する多室分離型成膜
装置が必要となるとともに製造工程も複雑となる。
【０００３】しかるに最近では、ｐｉｎが一層からなる
接合太陽電池に代わって、高い変換効率と信頼性が期待
されるｐｉｎ層を複数積層したタンデム型太陽電池が注
目されてきている。このタンデム型太陽電池を形成する
には、積層する層数が少なくとも２倍以上になるため分
離形成法を採用した場合、ますます複雑で高価な装置が
必要となるという問題がある（図１５参照）。
接合太陽電池に代わって、高い変換効率と信頼性が期待
されるｐｉｎ層を複数積層したタンデム型太陽電池が注
目されてきている。このタンデム型太陽電池を形成する
には、積層する層数が少なくとも２倍以上になるため分
離形成法を採用した場合、ますます複雑で高価な装置が
必要となるという問題がある（図１５参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の問題点に鑑みなされたもので、高い変換効率と信
頼性を有するタンデム型太陽電池を、比較的簡易な工程
で、安価な装置を用いて作成する非単結晶タンデム型太
陽電池の製法及びそれに用いる製造装置を提供すること
を目的とする。
技術の問題点に鑑みなされたもので、高い変換効率と信
頼性を有するタンデム型太陽電池を、比較的簡易な工程
で、安価な装置を用いて作成する非単結晶タンデム型太
陽電池の製法及びそれに用いる製造装置を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の非単結晶タンデ
ム型太陽電池の製法は、太陽電池に含まれる複数の接合
の一部のｐ、ｉ、ｎ層を同一の反応室で形成し、残部の
ｐ、ｉ、ｎ層を個別の専用反応室で形成することを特徴
としている。
ム型太陽電池の製法は、太陽電池に含まれる複数の接合
の一部のｐ、ｉ、ｎ層を同一の反応室で形成し、残部の
ｐ、ｉ、ｎ層を個別の専用反応室で形成することを特徴
としている。
【０００６】また、本発明の非単結晶タンデム型太陽電
池の製造装置は、ｐｉｎ層形成装置と、ｐ層形成装置、
ｉ層形成装置およびｎ層形成装置との組合せから構成さ
れていることを特徴としている。
池の製造装置は、ｐｉｎ層形成装置と、ｐ層形成装置、
ｉ層形成装置およびｎ層形成装置との組合せから構成さ
れていることを特徴としている。
【０００７】
【作用及び実施例】非単結晶半導体は、結晶半導体と比
較して吸収係数が大きい反面、電子や正孔などの担体輸
送能が低く、太陽電池の光電変換効率を制限する原因と
なっている。従って、膜質の低下を招くｉ層への不純物
の混入により担体の収集長が低下した場合、大きな性能
低下を引き起こすことになる。一方、タンデム型太陽電
池では、複数の接合を直列に接続した構造になるように
ｐｉｎ各層を繰り返し成膜することになるが、光の入射
側に近いｉ層は通常の単一接合型太陽電池と比較してか
なり薄い膜厚設計を行うことになる。これは各接合を電
気的に直列に接続するため、各接合で発生する電流をほ
ぼ同程度にする必要があるからである。第１の接合のｉ
層を厚くした場合、光が第１の接合で吸収されてしまい
第２の接合で発生する電流が小さくなりすぎる。アモル
ファスシリコンのみの２層タンデム型太陽電池において
入射側から２つ目の接合のｉ層膜厚を４００ｎｍとした
場合、第１の接合のｉ層膜厚は、１００ｎｍ程度が最適
膜厚となる。
較して吸収係数が大きい反面、電子や正孔などの担体輸
送能が低く、太陽電池の光電変換効率を制限する原因と
なっている。従って、膜質の低下を招くｉ層への不純物
の混入により担体の収集長が低下した場合、大きな性能
低下を引き起こすことになる。一方、タンデム型太陽電
池では、複数の接合を直列に接続した構造になるように
ｐｉｎ各層を繰り返し成膜することになるが、光の入射
側に近いｉ層は通常の単一接合型太陽電池と比較してか
なり薄い膜厚設計を行うことになる。これは各接合を電
気的に直列に接続するため、各接合で発生する電流をほ
ぼ同程度にする必要があるからである。第１の接合のｉ
層を厚くした場合、光が第１の接合で吸収されてしまい
第２の接合で発生する電流が小さくなりすぎる。アモル
ファスシリコンのみの２層タンデム型太陽電池において
入射側から２つ目の接合のｉ層膜厚を４００ｎｍとした
場合、第１の接合のｉ層膜厚は、１００ｎｍ程度が最適
膜厚となる。
【０００８】この傾向は３層タンデム型太陽電池の場合
も基本的には同様で、３段目の接合に用いられるｉ層の
膜厚と比較して１段目、２段目の接合のｉ層膜厚は薄く
する必要がでてくる。
も基本的には同様で、３段目の接合に用いられるｉ層の
膜厚と比較して１段目、２段目の接合のｉ層膜厚は薄く
する必要がでてくる。
【０００９】この場合、ｉ層の内部電界は、その膜厚が
薄いため、シングル接合型太陽電池と比較して大きくな
り、ｉ層の膜質そのものも、シングル接合型太陽電池の
ｉ層やタンデム接合型太陽電池の光入射側から最も遠い
接合を構成するｉ層ほど高品質である必要はない可能性
がある。
薄いため、シングル接合型太陽電池と比較して大きくな
り、ｉ層の膜質そのものも、シングル接合型太陽電池の
ｉ層やタンデム接合型太陽電池の光入射側から最も遠い
接合を構成するｉ層ほど高品質である必要はない可能性
がある。
【００１０】このような観点から、ｉ層の膜厚を変えて
シングル接合型太陽電池を単室製膜、２室製膜および３
室製膜の３種類の成膜法で形成しその変換効率を調べ
た。
シングル接合型太陽電池を単室製膜、２室製膜および３
室製膜の３種類の成膜法で形成しその変換効率を調べ
た。
【００１１】成膜法１ ＳｎＯ2付ガラス基板上をｐ層形成用平行平板容量結合
型グロー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃
で加熱した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000p
pmH2) 15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｐ層を２５ｎｍ成膜した。つ
いで、残留ガスを排気した後、隣接するｉ層形成用平行
平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒータ
ー温度200℃で SiH4 10sccmを導入し、反応圧力0.3tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ層を５００ｎｍ成膜した。
しかるのち残留ガスを排気し、隣接するｎ層形成用平行
平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒータ
ー温度200℃で SiH4 5sccm、PH3(1000ppmH2) 100sccm、
H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦパワー5
0mW/cm2でｎ層を３０ｎｍ成膜した。その後試料を成膜
装置から取り出し、電子ビーム蒸着により１cm角のAg層
を形成し太陽電池とした。
型グロー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃
で加熱した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000p
pmH2) 15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｐ層を２５ｎｍ成膜した。つ
いで、残留ガスを排気した後、隣接するｉ層形成用平行
平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒータ
ー温度200℃で SiH4 10sccmを導入し、反応圧力0.3tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ層を５００ｎｍ成膜した。
しかるのち残留ガスを排気し、隣接するｎ層形成用平行
平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒータ
ー温度200℃で SiH4 5sccm、PH3(1000ppmH2) 100sccm、
H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦパワー5
0mW/cm2でｎ層を３０ｎｍ成膜した。その後試料を成膜
装置から取り出し、電子ビーム蒸着により１cm角のAg層
を形成し太陽電池とした。
【００１２】成膜法２ ｉ層の膜厚を１００ｎｍとしたほかは、成膜法１と同様
にして太陽電池を成膜した。
にして太陽電池を成膜した。
【００１３】成膜法３ ＳｎＯ2付ガラス基板上を単室平行平板容量結合型グロ
ー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃で加熱
した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000ppmH2)
15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦ
パワー50mW/cm2でｐ層を２５ｎｍ成膜した。続いて、残
留ガスを排気した後、同じヒーター温度でSiH4 10sccm
を導入し、反応圧力0.3torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ
層を５００ｎｍ成膜した。続いて、残留ガスを排気した
後、同じヒーター温度200℃で SiH4 5sccm PH3(1000ppm
H2)100sccm、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0torr、
ＲＦパワー50mW/cm2で３０ｎｍ成膜した。その後、試料
を成膜装置から取り出し、電子ビーム蒸着により１cm角
のAg層を形成し太陽電池とした。
ー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃で加熱
した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000ppmH2)
15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦ
パワー50mW/cm2でｐ層を２５ｎｍ成膜した。続いて、残
留ガスを排気した後、同じヒーター温度でSiH4 10sccm
を導入し、反応圧力0.3torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ
層を５００ｎｍ成膜した。続いて、残留ガスを排気した
後、同じヒーター温度200℃で SiH4 5sccm PH3(1000ppm
H2)100sccm、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0torr、
ＲＦパワー50mW/cm2で３０ｎｍ成膜した。その後、試料
を成膜装置から取り出し、電子ビーム蒸着により１cm角
のAg層を形成し太陽電池とした。
【００１４】成膜法４ ｉ層の膜厚を１００ｎｍとしたほかは、成膜法３と同様
にして太陽電池を成膜した。
にして太陽電池を成膜した。
【００１５】成膜法５ ＳｎＯ2付ガラス基板上をｐn層形成用平行平板容量結合
型グロー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃
で加熱した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000p
pmH2) 15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｐ層を２５ｎｍ成膜した。つ
いで、残留ガスを排気した後、隣接するｉ層形成用平行
平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒータ
ー温度200℃で SiH4 10sccmを導入し、反応圧力0.3tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ層を５００ｎｍ成膜した。
しかるのち残留ガスを排気し、再度pｎ層形成用平行平
板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒーター
温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000ppmH2) 100sccm、
H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦパワー50
mW/cm2でｎ層を３０ｎｍ成膜した。その後試料を成膜装
置から取り出し、電子ビーム蒸着により１cm角のAg層を
形成し太陽電池とした。
型グロー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃
で加熱した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000p
pmH2) 15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｐ層を２５ｎｍ成膜した。つ
いで、残留ガスを排気した後、隣接するｉ層形成用平行
平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒータ
ー温度200℃で SiH4 10sccmを導入し、反応圧力0.3tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ層を５００ｎｍ成膜した。
しかるのち残留ガスを排気し、再度pｎ層形成用平行平
板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒーター
温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000ppmH2) 100sccm、
H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦパワー50
mW/cm2でｎ層を３０ｎｍ成膜した。その後試料を成膜装
置から取り出し、電子ビーム蒸着により１cm角のAg層を
形成し太陽電池とした。
【００１６】成膜法６ ｉ層の膜厚を１００ｎｍとしたほかは、成膜法５と同様
にして太陽電池を成膜した。
にして太陽電池を成膜した。
【００１７】以上の６種類の成膜法によって形成したシ
ングル接合型太陽電池の変換効率を、AM-1、 100mW/cm2
の擬似太陽光の下で測定した。結果を表１に示す。
ングル接合型太陽電池の変換効率を、AM-1、 100mW/cm2
の擬似太陽光の下で測定した。結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１からわかるように、ｉ層膜厚５００ｎ
ｍでは、分離型成膜装置で形成する成膜法１が、単室成
膜装置で形成する成膜法３に優っており、得られる太陽
電池の変換効率は高い。これに対して、ｉ層膜厚１００
ｎｍでは、分離型成膜装置で形成する成膜法２と、単室
成膜装置で形成する成膜法４に大きな差はみられず、得
られる太陽電池の変換効率はほぼ同じである。
ｍでは、分離型成膜装置で形成する成膜法１が、単室成
膜装置で形成する成膜法３に優っており、得られる太陽
電池の変換効率は高い。これに対して、ｉ層膜厚１００
ｎｍでは、分離型成膜装置で形成する成膜法２と、単室
成膜装置で形成する成膜法４に大きな差はみられず、得
られる太陽電池の変換効率はほぼ同じである。
【００２０】タンデム型太陽電池の変換効率は各接合で
発生する電流がほぼ同じ場合には、各接合の変換効率が
反映されることになる。厳密にはｉ層膜厚１００ｎｍの
シングル接合型太陽電池の場合にはAg層の反射の効果
で、タンデム型太陽電池の第１の接合より変換効率は高
くなっているが、これらの結果から、タンデム型太陽電
池の光入射側に近い接合は分離型成膜装置を使用せず、
単室成膜装置で形成しても高い変換効率を有する接合が
得られ、その他の接合を分離形成装置で形成すればよい
ことがわかる。
発生する電流がほぼ同じ場合には、各接合の変換効率が
反映されることになる。厳密にはｉ層膜厚１００ｎｍの
シングル接合型太陽電池の場合にはAg層の反射の効果
で、タンデム型太陽電池の第１の接合より変換効率は高
くなっているが、これらの結果から、タンデム型太陽電
池の光入射側に近い接合は分離型成膜装置を使用せず、
単室成膜装置で形成しても高い変換効率を有する接合が
得られ、その他の接合を分離形成装置で形成すればよい
ことがわかる。
【００２１】以下、本発明の製造装置の構成概念の例を
示す。まず、参考として２層タンデム型太陽電池を形成
するための従来の基本的な成膜室の配置を図１６に示
す。この装置においては、各半導体層間の不純物の侵入
を防ぐ目的で６室の成膜装置が必要である。これに対し
て、本発明による代表的な製造装置の場合（図１）、ｉ
層の薄い第１の接合を１室で形成するために、合計４室
で従来のものと同程度の変換効率を有する太陽電池を製
造することができる。また、ｐ層とｎ層は不純物の影響
が少ないことを利用して図２に示した製造装置も可能に
なる。これらの製造装置を用いた製法のほかに、接合の
形成途中での大気中への取り出しと異なり、各接合が形
成された後の取り出しの影響が小さいことを利用してそ
れぞれの接合を独立の製造装置で形成する図３の製造装
置も本発明の製法を実施するものとして利用できる。
示す。まず、参考として２層タンデム型太陽電池を形成
するための従来の基本的な成膜室の配置を図１６に示
す。この装置においては、各半導体層間の不純物の侵入
を防ぐ目的で６室の成膜装置が必要である。これに対し
て、本発明による代表的な製造装置の場合（図１）、ｉ
層の薄い第１の接合を１室で形成するために、合計４室
で従来のものと同程度の変換効率を有する太陽電池を製
造することができる。また、ｐ層とｎ層は不純物の影響
が少ないことを利用して図２に示した製造装置も可能に
なる。これらの製造装置を用いた製法のほかに、接合の
形成途中での大気中への取り出しと異なり、各接合が形
成された後の取り出しの影響が小さいことを利用してそ
れぞれの接合を独立の製造装置で形成する図３の製造装
置も本発明の製法を実施するものとして利用できる。
【００２２】また、図１６の装置の改良として各成膜室
間の一部またはすべてに不純物の混入を防ぐためにさら
に中間室を設けた装置、一部の単一または類似の半導体
層を複数の成膜室で形成する装置などが用いられる場合
もあるが、本発明はこれらにも適用できる。
間の一部またはすべてに不純物の混入を防ぐためにさら
に中間室を設けた装置、一部の単一または類似の半導体
層を複数の成膜室で形成する装置などが用いられる場合
もあるが、本発明はこれらにも適用できる。
【００２３】３層タンデム型太陽電池の場合にも、同様
に本発明を適用できる。まず、参考として３層タンデム
型太陽電池を形成するための従来の基本的な成膜室の配
置を図１７に示す。この装置においては、各半導体層間
の不純物の侵入を防ぐ目的で９室の成膜装置が必要であ
る。これに対して、本発明による代表的な製造装置の場
合（図４）、ｉ層の薄い第１の接合を１室で形成するた
めに、７室で従来のものと同程度の変換効率を有する太
陽電池を製造することができる。また、２層タンデム型
太陽電池の場合と同様に、ｐ層とｎ層の不純物の影響が
少ないことを利用して図７に示した製造装置も可能にな
る。さらに、第２の接合も単室で形成する場合には図５
や図８が、第１、第２の接合を同一の成膜室で形成する
場合には、図６、図９の装置が利用できる。これらの製
造装置を用いた製法のほかに、２層タンデム型太陽電池
の場合と同様に、接合の形成途中での大気中への取り出
しと異なり、各接合が形成された後の取り出しの影響が
小さいことを利用してそれぞれの接合を独立の製造装置
で形成する図１０〜１３のもの本発明の製法を実施する
ものとして利用できる。
に本発明を適用できる。まず、参考として３層タンデム
型太陽電池を形成するための従来の基本的な成膜室の配
置を図１７に示す。この装置においては、各半導体層間
の不純物の侵入を防ぐ目的で９室の成膜装置が必要であ
る。これに対して、本発明による代表的な製造装置の場
合（図４）、ｉ層の薄い第１の接合を１室で形成するた
めに、７室で従来のものと同程度の変換効率を有する太
陽電池を製造することができる。また、２層タンデム型
太陽電池の場合と同様に、ｐ層とｎ層の不純物の影響が
少ないことを利用して図７に示した製造装置も可能にな
る。さらに、第２の接合も単室で形成する場合には図５
や図８が、第１、第２の接合を同一の成膜室で形成する
場合には、図６、図９の装置が利用できる。これらの製
造装置を用いた製法のほかに、２層タンデム型太陽電池
の場合と同様に、接合の形成途中での大気中への取り出
しと異なり、各接合が形成された後の取り出しの影響が
小さいことを利用してそれぞれの接合を独立の製造装置
で形成する図１０〜１３のもの本発明の製法を実施する
ものとして利用できる。
【００２４】また、２層タンデム型太陽電池の場合と同
様に、図１７の装置の改良として各成膜室間の一部また
はすべてに不純物の混入を防ぐためにさらに中間室を設
けた装置、一部の単一または類似の半導体層を複数の成
膜室で形成する装置などが用いられる場合があるが、本
発明はこれらの場合にも適用できる。
様に、図１７の装置の改良として各成膜室間の一部また
はすべてに不純物の混入を防ぐためにさらに中間室を設
けた装置、一部の単一または類似の半導体層を複数の成
膜室で形成する装置などが用いられる場合があるが、本
発明はこれらの場合にも適用できる。
【００２５】次に、本発明の製造装置の一実施例につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２６】図１４は本発明のｐｉｎ層形成装置の一実
施例の概略図である。図において、１は主制御装置、２
は原料ガス供給装置、３はガス流量制御装置、４は反応
室、５はガス圧力調節装置、６はガス排出装置を示す。
施例の概略図である。図において、１は主制御装置、２
は原料ガス供給装置、３はガス流量制御装置、４は反応
室、５はガス圧力調節装置、６はガス排出装置を示す。
【００２７】主制御装置１は、制御盤であって、高周波
用電源、圧力・温度表示装置、マスフローコントローラ
表示装置、マスフローコントローラ制御部、コンダクタ
ンス制御バブル制御部、ポンプのスイッチ、搬送機構制
御部などを備えている。これにより主制御装置１は、１
反応室における反応条件を、ｐ層用、ｉ層用およびｎ層
用に変更することができるので、１室にてｐｉｎ層を成
膜する機能を有する。
用電源、圧力・温度表示装置、マスフローコントローラ
表示装置、マスフローコントローラ制御部、コンダクタ
ンス制御バブル制御部、ポンプのスイッチ、搬送機構制
御部などを備えている。これにより主制御装置１は、１
反応室における反応条件を、ｐ層用、ｉ層用およびｎ層
用に変更することができるので、１室にてｐｉｎ層を成
膜する機能を有する。
【００２８】なお、主制御装置１における各制御部は、
マイコン等を用いて構成してもよく、ワイヤードロジッ
ク回路により構成してもよい。
マイコン等を用いて構成してもよく、ワイヤードロジッ
ク回路により構成してもよい。
【００２９】原料ガス供給装置２は、ガスボンベからな
り、使用ガスの種類に見合う分だけ設置されている。
り、使用ガスの種類に見合う分だけ設置されている。
【００３０】ガス流量制御装置３は、マスフローコント
ローラであって、使用ガスの種類に見合う分だけ配設さ
れている。
ローラであって、使用ガスの種類に見合う分だけ配設さ
れている。
【００３１】反応室４は、本体４１、基板保持装置４
２、対向電極４３、周波数整合装置４４および搬送装置
４５からなる反応装置とから構成されている。これによ
り、反応室４内において、いわゆるグロー放電分解化学
蒸着を行うことができる。
２、対向電極４３、周波数整合装置４４および搬送装置
４５からなる反応装置とから構成されている。これによ
り、反応室４内において、いわゆるグロー放電分解化学
蒸着を行うことができる。
【００３２】またこれら原料ガス供給装置２、ガス流量
制御装置３および反応室４は、配管により相互に接続さ
れている。これにより、原料ガス供給装置２からの原料
ガスは、ガス流量制御装置３を介して反応室４に供給さ
れることができる。
制御装置３および反応室４は、配管により相互に接続さ
れている。これにより、原料ガス供給装置２からの原料
ガスは、ガス流量制御装置３を介して反応室４に供給さ
れることができる。
【００３３】これらの搬送装置４５および基板保持装置
４２は、従来より多室成膜法に用いられているものと同
様であるので、その構成の詳細な説明は省略する。
４２は、従来より多室成膜法に用いられているものと同
様であるので、その構成の詳細な説明は省略する。
【００３４】反応室４には、さらに所望に応じて光ＣＶ
Ｄ装置を付加してもよい。光ＣＶＤ装置を用いる場合に
は、対向電極４３に代って本体４１には反応光照射用の
窓が形成されている。
Ｄ装置を付加してもよい。光ＣＶＤ装置を用いる場合に
は、対向電極４３に代って本体４１には反応光照射用の
窓が形成されている。
【００３５】反応室４は、また配管を介してガス圧力調
節装置５に接続されている。このガス圧力調節装置５
は、コンダクタンス制御バブルから構成されている。
節装置５に接続されている。このガス圧力調節装置５
は、コンダクタンス制御バブルから構成されている。
【００３６】このガス圧力調節装置５のガス排気側は、
ガス排出装置６に接続されている。このガス排出装置６
は、ロータリポンプと、タ−ボ分子ポンプ、クライオポ
ンプや拡散ポンプとの組み合わせから構成されている。
ガス排出装置６に接続されている。このガス排出装置６
は、ロータリポンプと、タ−ボ分子ポンプ、クライオポ
ンプや拡散ポンプとの組み合わせから構成されている。
【００３７】本発明のｐｉｎ層形成装置は、このように
構成されているので、一室にてｐｉｎ層を形成すること
ができる。一室にてｐｉｎ層を形成する場合は、当然の
ことながら各層形成に際し、反応室４内を充分に排気し
ておく必要がある。
構成されているので、一室にてｐｉｎ層を形成すること
ができる。一室にてｐｉｎ層を形成する場合は、当然の
ことながら各層形成に際し、反応室４内を充分に排気し
ておく必要がある。
【００３８】なお、当然のことながらこのｐｉｎ層形成
装置は、原料ガスの供給を調節することにより、ｐ層、
ｉ層、ｎ層の単独の製膜装置として、あるいはｐｉｎｐ
層製膜装置などとしても使用することができる。
装置は、原料ガスの供給を調節することにより、ｐ層、
ｉ層、ｎ層の単独の製膜装置として、あるいはｐｉｎｐ
層製膜装置などとしても使用することができる。
【００３９】また、ｐ層、ｉ層、ｎ層の単独の製膜装置
としては、従来の製膜装置を用いることができる。
としては、従来の製膜装置を用いることができる。
【００４０】以下、本発明の効果について、より具体的
な実施例をもとにさらに詳しく説明する。
な実施例をもとにさらに詳しく説明する。
【００４１】実施例 ＳｎＯ2付ガラス基板上を単室平行平板容量結合型グロ
ー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃で加熱
した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000ppmH2)
15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦ
パワー50mW/cm2でｐ層を１５ｎｍ成膜した。続いて、残
留ガスを排気した後、同じヒーター温度でSiH4 10sccm
を導入し、反応圧力0.3torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ
層を１００ｎｍ成膜した。続いて、残留ガスを排気した
後、同じヒーター温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000p
pmH2) 100sccm、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、ＲＦパワー50mW/cm2でｎ層を２０ｎｍ成膜し第１の
接合を形成した。しかるのち一旦、試料を成膜装置から
取り出し、今度は、分離形成型成膜装置のｐ層形成用平
行平板容量結合型グロー放電分解成膜室に設置し、ヒー
ター温度200℃で加熱した後、SiH4 5sccm、 CH3 15scc
m、 B2H6(1000ppmH2) 15sccm、 H2 50sccmを導入し、反
応圧力1.0torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｐ層を１５ｎｍ
成膜した。続いて、残留ガスを排気した後、隣接するｉ
層形成用平行平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移
動し、ヒーター温度200℃でSiH4 10sccmを導入し、反応
圧力0.3torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ層を４００ｎｍ
成膜した。続いて、残留ガスを排気した後、隣接するｎ
層形成用平行平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移
動し、ヒーター温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000ppm
H2) 100sccm、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｎ層を３０ｎｍ成膜し第２の
接合を形成した。その後、試料を成膜装置から取り出
し、電子ビーム蒸着により１cm角のAg層を形成し太陽電
池とした。この成膜法によって形成した２層タンデム型
太陽電池の変換効率を、AM-1、 100mW/cm2の擬似太陽光
の下で測定した。結果を表２に示す。
ー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃で加熱
した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000ppmH2)
15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦ
パワー50mW/cm2でｐ層を１５ｎｍ成膜した。続いて、残
留ガスを排気した後、同じヒーター温度でSiH4 10sccm
を導入し、反応圧力0.3torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ
層を１００ｎｍ成膜した。続いて、残留ガスを排気した
後、同じヒーター温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000p
pmH2) 100sccm、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、ＲＦパワー50mW/cm2でｎ層を２０ｎｍ成膜し第１の
接合を形成した。しかるのち一旦、試料を成膜装置から
取り出し、今度は、分離形成型成膜装置のｐ層形成用平
行平板容量結合型グロー放電分解成膜室に設置し、ヒー
ター温度200℃で加熱した後、SiH4 5sccm、 CH3 15scc
m、 B2H6(1000ppmH2) 15sccm、 H2 50sccmを導入し、反
応圧力1.0torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｐ層を１５ｎｍ
成膜した。続いて、残留ガスを排気した後、隣接するｉ
層形成用平行平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移
動し、ヒーター温度200℃でSiH4 10sccmを導入し、反応
圧力0.3torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ層を４００ｎｍ
成膜した。続いて、残留ガスを排気した後、隣接するｎ
層形成用平行平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移
動し、ヒーター温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000ppm
H2) 100sccm、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｎ層を３０ｎｍ成膜し第２の
接合を形成した。その後、試料を成膜装置から取り出
し、電子ビーム蒸着により１cm角のAg層を形成し太陽電
池とした。この成膜法によって形成した２層タンデム型
太陽電池の変換効率を、AM-1、 100mW/cm2の擬似太陽光
の下で測定した。結果を表２に示す。
【００４２】比較例１ ＳｎＯ2付ガラス基板上をｐ層形成用平行平板容量結合
型グロー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃
で加熱した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000p
pmH2) 15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｐ層を１５ｎｍ成膜した。続
いて、残留ガスを排気した後、隣接するｉ層形成用平行
平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒータ
ー温度200℃でSiH4 10sccmを導入し、反応圧力0.3tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ層を１００ｎｍ成膜した。
続いて、残留ガスを排気した後、隣接するｎ層形成用平
行平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒー
ター温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000ppmH2) 100scc
m、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦパワ
ー50mW/cm2でｎ層を２０ｎｍ成膜し第１の接合を形成し
た。しかるのち、試料を成膜装置から取り出し、再度、
同じｐ層形成用平行平板容量結合型グロー放電分解成膜
室に試料を設置し、ヒーター温度200℃で加熱した後、
ｉ層の膜厚を４００ｎｍとしたほかは、第１の接合を形
成したのと同様にして第２の接合を形成した。その後、
試料を成膜装置から取り出し、電子ビーム蒸着により１
cm角のAg層を形成し太陽電池とした。この成膜法によっ
て形成した２層タンデム型太陽電池の変換効率を、実施
例と同様にAM-1、 100mW/cm2の擬似太陽光の下で測定し
た。結果を表２に示す。
型グロー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃
で加熱した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000p
pmH2) 15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｐ層を１５ｎｍ成膜した。続
いて、残留ガスを排気した後、隣接するｉ層形成用平行
平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒータ
ー温度200℃でSiH4 10sccmを導入し、反応圧力0.3tor
r、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ層を１００ｎｍ成膜した。
続いて、残留ガスを排気した後、隣接するｎ層形成用平
行平板容量結合型グロー放電分解成膜室に移動し、ヒー
ター温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000ppmH2) 100scc
m、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦパワ
ー50mW/cm2でｎ層を２０ｎｍ成膜し第１の接合を形成し
た。しかるのち、試料を成膜装置から取り出し、再度、
同じｐ層形成用平行平板容量結合型グロー放電分解成膜
室に試料を設置し、ヒーター温度200℃で加熱した後、
ｉ層の膜厚を４００ｎｍとしたほかは、第１の接合を形
成したのと同様にして第２の接合を形成した。その後、
試料を成膜装置から取り出し、電子ビーム蒸着により１
cm角のAg層を形成し太陽電池とした。この成膜法によっ
て形成した２層タンデム型太陽電池の変換効率を、実施
例と同様にAM-1、 100mW/cm2の擬似太陽光の下で測定し
た。結果を表２に示す。
【００４３】比較例２ ＳｎＯ2付ガラス基板上を単室平行平板容量結合型グロ
ー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃で加熱
した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000ppmH2)
15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦ
パワー50mW/cm2でｐ層を１５ｎｍ成膜した。ついで、残
留ガスを排気した後、同じヒーター温度でSiH4 10sccm
を導入し、反応圧力0.3torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ
層を１００ｎｍ成膜した。ついで、残留ガスを排気した
後、同じヒーター温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000p
pmH2) 100sccm、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、ＲＦパワー50mW/cm2でｎ層を２０ｎｍ成膜し第１の
接合を形成した。しかるのち一旦、試料を成膜装置から
取り出し、再度、同じ成膜室に試料を設置し、ｉ層の膜
厚を４００ｎｍとしたほかは第１の接合と同様にして、
第２の接合を形成した。その後、試料を成膜装置から取
り出し、実施例と同様に、電子ビーム蒸着により１cm角
のAg層を形成し太陽電池とした。この成膜法によって形
成した２層タンデム型太陽電池の変換効率を、AM-1、 1
00mW/cm2の擬似太陽光の下で測定した。結果を表２に示
す。
ー放電分解成膜室に設置し、ヒーター温度200℃で加熱
した後、SiH4 5sccm、 CH3 15sccm、 B2H6(1000ppmH2)
15sccm、 H2 50sccmを導入し、反応圧力1.0torr、 ＲＦ
パワー50mW/cm2でｐ層を１５ｎｍ成膜した。ついで、残
留ガスを排気した後、同じヒーター温度でSiH4 10sccm
を導入し、反応圧力0.3torr、 ＲＦパワー50mW/cm2でｉ
層を１００ｎｍ成膜した。ついで、残留ガスを排気した
後、同じヒーター温度200℃で SiH4 5sccm、 PH3(1000p
pmH2) 100sccm、 H2 200sccmを導入し、反応圧力1.0tor
r、ＲＦパワー50mW/cm2でｎ層を２０ｎｍ成膜し第１の
接合を形成した。しかるのち一旦、試料を成膜装置から
取り出し、再度、同じ成膜室に試料を設置し、ｉ層の膜
厚を４００ｎｍとしたほかは第１の接合と同様にして、
第２の接合を形成した。その後、試料を成膜装置から取
り出し、実施例と同様に、電子ビーム蒸着により１cm角
のAg層を形成し太陽電池とした。この成膜法によって形
成した２層タンデム型太陽電池の変換効率を、AM-1、 1
00mW/cm2の擬似太陽光の下で測定した。結果を表２に示
す。
【００４３】
【表２】
【００４４】表２より明らかなように、第１の接合を単
室型成膜装置、第２の接合を３室分離型成膜装置で形成
した実施例の変換効率は、両接合を３室分離型成膜装置
で形成した比較例１とほぼ同じ値となっている。これに
対して、両接合を単室型成膜装置で形成した比較例２の
変換効率は比較例１や実施例の変換効率よりも１０％以
上低い値となっている。
室型成膜装置、第２の接合を３室分離型成膜装置で形成
した実施例の変換効率は、両接合を３室分離型成膜装置
で形成した比較例１とほぼ同じ値となっている。これに
対して、両接合を単室型成膜装置で形成した比較例２の
変換効率は比較例１や実施例の変換効率よりも１０％以
上低い値となっている。
【００４５】
【発明の効果】このように、本発明の製法は、全ての半
導体層を、分離した成膜室で形成することなく、高い性
能を有する非単結晶タンデム型太陽電池を製造でき、ま
た本発明による製造装置は、全てを分離形成する従来技
術による製造装置よりもきわめて安価に非単結晶タンデ
ム型太陽電池を製造できる。
導体層を、分離した成膜室で形成することなく、高い性
能を有する非単結晶タンデム型太陽電池を製造でき、ま
た本発明による製造装置は、全てを分離形成する従来技
術による製造装置よりもきわめて安価に非単結晶タンデ
ム型太陽電池を製造できる。
【図１】２層タンデム型太陽電池の４室成膜法の一実施
例の概念図である。
例の概念図である。
【図２】２層タンデム型太陽電池の４室成膜法の他の実
施例の概念図である。
施例の概念図である。
【図３】２層タンデム型太陽電池の３室成膜法の一実施
例の概念図である。
例の概念図である。
【図４】３層タンデム型太陽電池の７室成膜法の一実施
例の概念図である。
例の概念図である。
【図５】３層タンデム型太陽電池の５室成膜法の一実施
例の概念図である。
例の概念図である。
【図６】３層タンデム型太陽電池の４室成膜法の一実施
例の概念図である。
例の概念図である。
【図７】３層タンデム型太陽電池の６室成膜法の一実施
例の概念図である。
例の概念図である。
【図８】３層タンデム型太陽電池の４室成膜法の一実施
例の概念図である。
例の概念図である。
【図９】３層タンデム型太陽電池の３室成膜法の一実施
例の概念図である。
例の概念図である。
【図１０】３層タンデム型太陽電池の７室成膜法の他の
実施例の概念図である。
実施例の概念図である。
【図１１】３層タンデム型太陽電池の５室成膜法の他の
実施例の概念図である。
実施例の概念図である。
【図１２】３層タンデム型太陽電池の４室成膜法の他の
実施例の概念図である。
実施例の概念図である。
【図１３】３層タンデム型太陽電池の４室成膜法のさら
に他の実施例の概念図である。
に他の実施例の概念図である。
【図１４】本発明のｐｉｎ層形成装置の一実施例の概略
図である。
図である。
【図１５】従来のタンデム型太陽電池の製造装置の概略
図である。
図である。
【図１６】２層タンデム型太陽電池の従来の成膜法の概
念図である。
念図である。
【図１７】３層タンデム型太陽電池の従来の成膜法の概
念図である。
念図である。
１ 主制御装置 ２ 原料ガス供給装置 ３ ガス流量制御装置 ４ 反応室 ５ ガス圧力調節装置 ６ ガス排出装置
Claims (8)
- 【請求項１】 非単結晶層を少なくとも一層以上含み複
数のｐｉｎ接合を膜厚方向に直列に接続してなる非単結
晶タンデム型太陽電池の製法であって、ｐｉｎ接合を単
室型成膜装置と多室分離型成膜装置を組み合わせてなる
成膜装置を用いて形成することを特徴とする非単結晶タ
ンデム型太陽電池の製法。 - 【請求項２】 非晶質シリコンまたは非晶質のシリコン
とゲルマニウムまたは炭素の合金を主成分とする層のみ
から構成されている複数の接合を電気的に膜厚方向に直
列に接続してなる非単結晶タンデム型太陽電池の製法で
あって、各接合を単室型成膜装置と多室分離型成膜装置
を組み合わせてなる成膜装置を用いて形成することを特
徴とする非単結晶タンデム型太陽電池の製法。 - 【請求項３】 非晶質シリコンまたは非晶質のシリコン
とゲルマニウムまたは炭素の合金を主成分とする層のみ
から構成されている３つの接合を電気的に膜厚方向に直
列に接続してなる非単結晶タンデム型太陽電池の製法で
あって、各接合を光入射方向により第一の接合を単室型
成膜装置を用いて形成し他の二つの接合を多室分離型成
膜装置を用いて形成することを特徴とする非単結晶タン
デム型太陽電池の製法。 - 【請求項４】 非晶質シリコンまたは非晶質のシリコン
とゲルマニウムまたは炭素の合金を主成分とする層のみ
から構成されている３つの接合を電気的に膜厚方向に直
列に接続してなる非単結晶タンデム型太陽電池の製法で
あって、各接合を光入射方向より第一の接合と第二の接
合を単室型成膜装置を用いて形成し他の一つの接合を多
室分離型成膜装置を用いて形成することを特徴とする非
単結晶タンデム型太陽電池の製法。 - 【請求項５】 非晶質シリコンまたは非晶質のシリコン
とゲルマニウムまたは炭素の合金を主成分とする層のみ
から構成されている２つの接合を電気的に膜厚方向に直
列に接続してなる非単結晶タンデム型太陽電池の製法で
あって、各接合を光入射方向より第一の接合を単室型成
膜装置を用いて形成し他の一つの接合を多室分離型成膜
装置を用いて形成することを特徴とする非単結晶タンデ
ム型太陽電池の製法。 - 【請求項６】 主制御装置と、原料ガス供給装置と、ガ
ス流量制御装置と、搬送装置と基板保持装置と反応装置
とを有する複数の反応室と、ガス圧力調節装置と、ガス
排出装置とからなる非単結晶タンデム型太陽電池の製造
装置であって、主制御装置の制御により少なくとも１つ
の反応室において、ｐｉｎ接合を形成することができる
ことを特徴とする非単結晶タンデム型太陽電池の製造装
置。 - 【請求項７】 前記反応装置がグロー放電分解化学蒸着
装置であることを特徴とする請求項６記載の非単結晶タ
ンデム型太陽電池の製造装置。 - 【請求項８】 前記反応装置が光分解化学蒸着装置とグ
ロー放電分解化学蒸着装置とを組み合わせてなる装置で
あることを特徴とする請求項６記載の非単結晶タンデム
型太陽電池の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254728A JP3068276B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに用いる製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254728A JP3068276B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに用いる製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563223A true JPH0563223A (ja) | 1993-03-12 |
| JP3068276B2 JP3068276B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=17269031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3254728A Expired - Fee Related JP3068276B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに用いる製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068276B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6742977B1 (en) | 1999-02-15 | 2004-06-01 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing device, substrate conveying device, and substrate processing method |
| JP2008153646A (ja) * | 1994-03-25 | 2008-07-03 | Bp Corp North America Inc | 半導体素子の製造方法 |
| JP2010129971A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Sharp Corp | シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP3254728A patent/JP3068276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153646A (ja) * | 1994-03-25 | 2008-07-03 | Bp Corp North America Inc | 半導体素子の製造方法 |
| US6742977B1 (en) | 1999-02-15 | 2004-06-01 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing device, substrate conveying device, and substrate processing method |
| JP2010129971A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Sharp Corp | シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| WO2010064599A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | シャープ株式会社 | シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3068276B2 (ja) | 2000-07-24 |
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