KR20120032193A - 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치 - Google Patents

태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120032193A
KR20120032193A KR1020100093699A KR20100093699A KR20120032193A KR 20120032193 A KR20120032193 A KR 20120032193A KR 1020100093699 A KR1020100093699 A KR 1020100093699A KR 20100093699 A KR20100093699 A KR 20100093699A KR 20120032193 A KR20120032193 A KR 20120032193A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diffusion
unit
vacuum
solar cell
main body
Prior art date
Application number
KR1020100093699A
Other languages
English (en)
Inventor
장재철
Original Assignee
(주)리드엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)리드엔지니어링 filed Critical (주)리드엔지니어링
Priority to KR1020100093699A priority Critical patent/KR20120032193A/ko
Publication of KR20120032193A publication Critical patent/KR20120032193A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864Annealing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 P-N 도핑 공정을 처리하는 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치에 관한 것으로서, 다수개의 기판을 이송시키는 기판로딩부와, 확산유닛이 내설된 확산부와, 가스공급부, 및 제어부로 구성된 태양전지 제조용 확산장치에 있어서, 상기 기판로딩부와 확산부는 로더스테이션과 확산유닛이 서로 대응되게 복수로 병렬 설치됨으로써, 복수의 확산 공정을 동시 처리하는 것이 가능하여 공정 자동화에 따른 공정 효율의 향상과 생산성 향상을 얻을 수 있고, 또한 상기 확산부에 내설되는 확산튜브의 후단부에 배기구가 구비된 플랜지가 설치됨으로써, 진공펌프를 이용하여 소스 가스의 균일한 확산 및 오염 방지를 통해 광전 변환 효율이 우수한 고품질의 태양전지 생산이 가능한 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치에 관한 것이다.

Description

태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치{Vacuum diffusion apparatus for in-line furnace to manufacture solar cell}
본 발명은 P-N 도핑공정(확산공정)을 처리하는 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치로서, 보다 구체적으로는 로더스테이션과 확산유닛을 상,하 방향으로 복수로 병렬 설치하여 확산공정의 동시 처리가 가능하도록 하고, 또한 확산튜브의 후단부에 플랜지를 설치하여 진공펌프 연결이 가능토록 함으로써, 공정 효율의 향상과 생산성 향상은 물론 확산튜브 내부를 진공 분위기로 변환하여 소스 가스의 균일한 확산 및 오염 방지를 통해 고품질의 태양전지 생산이 가능한 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치에 관한 것이다.
일반적으로 태양전지(Solar Cell)는 빛 에너지를 직접 전기 에너지로 변환하는 반도체 소자의 하나로서, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)를 가공하여 전자(electron)와 정공(hole)이 각각 구비되는 다른 극성의 N(negative)형 반도체 및 P(positive)형 반도체를 접합시키고 전극을 형성함으로써, P-N접합에 의한 태양광 발전의 원리를 이용하여 빛 에너지에 의한 전자의 이동을 통해 전기 에너지를 생산하게 되는 광전지 중의 하나이다.
상기와 같은 태양전지는 전력 생산을 위해 다수개의 모듈(module)과 태양전지 패널(panel)로 구성되는 태양전지 어레이(array)의 가장 최소 단위의 기본 소자로서, 다결정(poly crystal) 및 단결정(single crystal) 실리콘 태양전지 또는 비정질 실리콘 태양전지와 같은 실리콘계 태양전지와 화합물 반도체 태양전지 등으로 크게 분류된다.
실리콘계 태양전지는 대략 200㎛의 얇은 두께의 실리콘 웨이퍼(이하 '기판'이라 함)를 제조한 후, 이 기판을 여러 가공 공정을 통해 처리함으로써 제작되어 진다.
이러한 태양전지 제조공정은 광흡수율을 높이기 위한 텍스처링공정(Texturing,표면조직화공정), P-N접합을 형성시키는 확산공정(도핑공정), 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 산화막 제거공정, 광반사 손실을 줄이기 위한 반사 방지막 코팅공정, 전후면 전극 인쇄공정, 및 P-N접합 분리를 위한 P-N접합 분리공정 등으로 이루어진다.
상기 제조공정 중 확산(도핑)공정은 극성이 다른 N형 반도체 층과 P형 반도체 층으로 구성된 P-N접합을 형성하기 위해 의도적으로 첨가물을 고온에서 P형 실리콘 기판에 확산시켜 P층과 N층을 적층 형성하는 단계이다.
즉 P-N접합은 POCl3 또는 H3PO4와 같은 N형 불순물의 첨가물을 고온에서 P형 반도체 상에 확산시켜 P형 반도체의 외주면에 소정 두께의 N형 반도체를 형성함으로써 이루어진다.
이때 N형 반도체 층은 에미터(emitter)로 작용하게 되며, 추후 전극 인쇄공정에서 전극이 인쇄되는 부분이다.
이러한 확산공정은 고온의 가열로(furnace) 내에 다수개의 기판을 투입하고 소스 가스를 투입하여 수행되어 진다.
따라서 확산공정은 태양전지의 광전 변환 효율에 큰 영향을 미치는 중요한 공정 중의 하나로서, 균일한 에미터층 형성을 위하여 확산튜브 내에서의 소스 가스의 오염 방지는 물론 신속하고 균일한 확산이 중요할 뿐 아니라, 태양전지의 생산성 확보를 위해 소스 가스의 신속한 투입과 배기를 통한 공정 효율의 향상 또한 중요하다.
그러나 종래의 태양전지 제조용 확산장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 하나의 확산유닛에 의해 확산공정이 수행되는 단일 구조로서, 기판의 로딩 및 언로딩이 효율적으로 이루어지지 않아 기판의 대기 시간이 길어질 뿐 아니라, 확산로의 예열과 가열 및 냉각에 따른 지연으로 인해 연속 공정 진행이 곤란한 문제점이 있었고, 둘째, 종래의 확산튜브는 진공펌프 장착이 곤란하여 확산튜브 내의 진공 분위기 조성이 곤란하게 됨으로써, 확산튜브 내에서의 소스 가스의 신속하고 균일한 확산이 용이하지 않고, 또한 반응 불순물이나 오염 물질의 잔류로 인하여 확산막의 균일도 및 품질이 현저히 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 첫째, 로더스테이션과 확산유닛을 기판로딩부와 확산부에 상,하 방향으로 서로 대응되게 복수로 각각 병렬 설치함으로써, 복수의 확산공정이 순차적으로 또는 동시에 이루어질 수 있게 함으로써, 기판의 로딩 및 언로딩이 효율적으로 수행되도록 하여 기판의 대기 시간이 최소화 되도록 하고, 둘째, 확산튜브의 후단부에 플랜지를 설치하여 진공펌프 연결이 가능토록 함으로써, 확산튜브 내의 반응 불순물 또는 오염 물질 제거는 물론 소스 가스가 신속하고 균일하게 확산되도록 하여 확산막의 균일도 및 품질이 향상될 수 있는 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치를 제공하고자 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 다수개의 기판을 이송시키는 로더스테이션이 구비된 기판로딩부와, 확산유닛이 내설되는 확산부와, 상기 확산부 내에 소스 가스를 공급하는 가스공급부, 및 제어부로 구성된 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치에 있어서,
상기 기판로딩부와 확산부는 확산 공정의 동시 처리가 가능하도록 로더스테이션과 확산유닛이 서로 대응되게 상,하 방향으로 격리되어 복수로 병렬 설치되고, 상기 확산유닛에 구비되는 확산튜브는 내부가 비어 있고 양단이 개방된 일정 길이의 본체와, 상기 본체에 내설되는 가스분사관, 및 상기 본체 후단에 결합하되, 배기구와 상기 가스분사관이 관통 설치되는 플랜지로 구성된다.
여기서 상기 플랜지는 상기 본체 후단부에 외삽되는 고정부재 및 상기 고정부재에 결합되며 상기 배기구와 상기 가스분사관이 관통 설치되는 덮개부재로 구성된다.
또한 상기 배기구에는 상기 본체의 내부 가스를 강제 배출시켜 진공 분위기로 변환시킬 수 있는 진공펌프가 연결 설치된다.
또 상기 확산유닛에 구비되는 확산로의 외주면에는 5개의 온도 측정용 TC 센서가 일정 간격으로 이격되게 설치될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 첫째, 병렬 설치된 복수의 로더스테이션과 확산유닛을 통해 복수의 확산공정이 순차적으로 또는 동시에 이루어질 수 있어 공정 효율의 향상은 물론 생산성 향상의 효과가 있고, 둘째, 진공펌프를 통해 확산튜브 내를 진공 분위기로 유지함으로써, 소스 가스의 신속하고 균일한 확산 및 반응 불순물이나 오염 물질을 제거하여 고품질의 확산막 형성을 통해 태양전지의 품질과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치의 사시도,
도 2는 도 1의 정면도,
도 3은 본 발명의 진공펌프가 설치된 상태의 확산유닛의 측단면도,
도 4는 본 발명의 확산유닛의 측단면도,
도 5는 본 발명의 확산튜브의 측단면도,
도 6은 도 5의 부분 확대도,
도 7은 본 발명의 확산로의 개략 측면도이다.
이하 본 발명에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치의 사시도를 나타낸 것이고, 도 2는 도 1의 정면도를 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 확산장치는 기판로딩부(10), 확산부(50), 가스공급부(80), 및 제어부(200)로 구성된다.
기판로딩부(10)는 기판(100)(실리콘 웨이퍼)이 탑재된 보트(30)를 이송하여 하기에서 설명하는 확산부(50)의 확산유닛(70)에 투입시키는 역할을 하는 것으로서, 메인프레임(12)과 로더스테이션(20)으로 구성된다.
메인프레임(12)은 로더스테이션(20)을 지지함과 동시에 로더스테이션(20)의 작동을 가이드하는 것으로서, 로더스테이션(20)이 상,하 방향으로 복수로 설치될 수 있게 내부 공간이 상부와 하부로 분리 형성되도록 구비된다.
이때 메인프레임(12)의 중앙부에는 내부 공간을 상,하부로 분리하는 격벽(15)이 설치되는 것이 바람직하다.
즉 로더스테이션(20)은 메인프레임(12) 상에 병렬로 설치되어 동시에 작동 가능하도록 구비될 수 있으나, 도시된 바와 같이, 한 쌍으로 한정되는 것은 아니며, 상,하 방향으로 두 개 이상의 다수개가 병렬 설치될 수도 있을 것이다.
여기서 로더스테이션(20)은 이송유닛(21)과 개폐부(25) 및 보트거치대(27)로 구성된다.
본 발명의 로더스테이션(20)은 다수개의 기판(100)(1장~200장)이 탑재된 보트(30)를 확산부(50)의 확산유닛(70)(도3에 도시함)에 설치된 확산튜브(77) 내에 자동적으로 투입 또는 인출하는 작업을 수행하여 기판(100)을 확산튜브(77) 내에 로딩 또는 언로딩 시키는 것으로서, 확산유닛(77)에 대응되게 마주보도록 설치되는 것이다.
여기서 이송유닛(21)은 개폐부(25)와 보트거치대(27)를 직선 왕복 이동시키는 것으로서, 구동부(22)와 지지프레임(23)으로 구성된다.
구동부(22)는 지지프레임(23)을 메인프레임(12)의 수평 방향으로 직선 왕복 이동시키기 위한 것으로서, 통상적으로 구동모터에 의해 순환 이송되는 이송벨트를 설치하고, 상기 이송벨트의 일측부에 지지프레임(23)을 고정함으로써, 이송벨트의 이송과 연계되어 지지프레임(23)이 왕복 이송되도록 하는 것이다.
이때 이송벨트는 정확하고 신뢰성이 있는 수평 이송을 위하여 타이밍 벨트 등이 사용되는 것이 바람직하다.
그러나 구동부(22)는 상기와 같은 구동 방식에 한정되는 것은 아니며, 이송 스크류 방식이나 리니어 모듈 등 지지프레임(23)을 직선 왕복 이송시킬 수 있는 통상적인 다양한 구동 방식이 적용될 수 있을 것이다.
한편 개폐부(25)는 이송유닛(21)에 결합되는 것으로서, 서로 마주보는 한 쌍의 개폐판으로 구성된다.
개폐판은 확산부(56)에 내설되는 확산튜브(77)의 기판투입구(71a)를 개폐시키기 위한 것으로서, 원형 판재 형태로 구비된다.
한편 보트거치대(27)는 다수개의 기판(100)이 일정 간격으로 탑재되는 일정 길이의 기판(100) 탑재용 보트(30)가 고정되는 부분으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 일정 길이의 사각형 및 반원형 바(bar)가 연속으로 이어지는 구조로 구비될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 보트(30)의 길이와 형상에 대응되도록 다양한 구조로 구비될 수 있을 것이다.
여기서 보트(30)는 다수개의 기판(100)을 카세트 방식으로 끼워 넣을 수 있는 일정 길이의 프레임 구조로 형성된다.
보트거치대(27)는 보트(30)를 안정적으로 지지할 수 있도록 이에 대응되는 길이로 연장 형성되며, 이때, 일단부가 개폐부(25)의 하측부를 관통하여 이송유닛(21)의 지지프레임(23)에 결합되는 것이다.
따라서 보트거치대(27)는 이송유닛(21)의 작동과 연계되어 확산튜브(77) 내부에 보트(30)를 투입시키게 되는 것이다.
보트거치대(27)는 보트(30)의 하면 양측부를 각각 지지할 수 있게 일정 거리 이격되도록 한 쌍으로 구비될 수도 있을 것이다.
로더스테이션(20)은 보트거치대(27)가 구비된 통상적인 구조의 기판 로딩 장치가 사용될 수 있으며, 확산튜브(77)의 중심축 상에서 확산튜브(77)와 마주보도록 설치됨으로써, 기판(100)이 탑재된 보트(30)를 확산튜브(77) 내에 용이하게 투입 또는 인출할 수 있도록 구비되는 것이다.
한편 보트거치대(27)와 보트(30)는 확산유닛(70)의 내부가 확산(도핑) 공정 수행을 위하여 850℃~940℃ 정도의 고온을 유지하게 되므로, 이러한 고온을 견딜 수 있는 석영 소재로 형성되는 것이 바람직하며, 또한 열 융착이나 용접 가공 등을 통해 각각 제작될 수 있을 것이다.
이하 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 확산부(50)를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 진공펌프(90)가 설치된 상태의 확산유닛(70)의 측단면도를, 도 4는 확산유닛(70)의 측단면도를, 도 5는 본 발명의 확산튜브(77)의 측단면도를, 도 6은 도 5의 부분 확대도를, 도 7은 확산로(60)의 측면도를 각각 나타낸 것이다.
확산부(50)는 고온의 분위기에서 소스 가스를 이용하여 기판(100)(태양전지) 표면에 확산막을 형성하는 공정을 수행하는 부분으로서, 메인하우징(51)과 확산유닛(70)으로 구성된다.
메인하우징(51)은 확산공정이 고온에서 수행되어 져야 하는 특성상 내부의 확산유닛(70)이 외부와 격리되도록 구비되며, 기판(100)이 확산유닛(70)에 투입 또는 인출될 수 있도록 확산유닛(70)에 대응되게 외측면에 기판출입구(52)가 형성된다.
여기서 확산공정은 P형 실리콘 웨이퍼에 N형 불순물(POCl3 또는 H3PO4)을 고온에서 확산(도핑)시킴으로써, P형 실리콘 웨이퍼 외주면 전체에 N형 실리콘 웨이퍼가 적층된 P-N접합 구조의 기판(100)을 형성하는 것이다.
여기서 확산부(50)는 기판로딩부(10)의 로더스테이션(20)에 대응되게 확산유닛(70)을 메인하우징(51)에 상,하 방향으로 복수로 병렬 설치함으로써, 복수의 확산공정이 순차적으로 또는 동시에 수행되도록 하여 공정 효율 향상과 생산성을 증대시킬 수 있는 것이다.
이때 메인하우징(51) 내부에는 두 개의 확산유닛(70)을 상,하로 격리시킬 수 있도록 격벽(도시하지 않음)이 설치될 수 있다.
한편 확산유닛(70)은 확산로(60)와 확산튜브(77)로 구성된다.
확산로(60)는 소스 가스의 불순물 이온이 기판(100) 표면에 확산(도핑)되어 에미터층이 형성될 수 있게 내부를 고온의 분위기로 유지하는 가열로(heating furnace)로서, 석고블록 등의 내열 소재가 사용되며, 내측면에는 가열 히터(도시하지 않음)와 쿨링 라인이 설치된다.
따라서 확산로(60)는 확산 공정이 수행될 수 있도록 가열 히터를 이용하여 확산튜브(77) 내부 분위기가 약 850℃ ~ 940℃의 고온으로 유지되도록 하는 것이다.
이때 확산로(60)는 도 7에 도시된 바와 같이, 외주면에 길이 방향을 따라 5개의 온도 측정용 TC(Thermal Couple) 센서가 일정 간격으로 이격되어 설치된다.
따라서 TC 센서는 확산로(60) 내부 전체의 온도를 보다 세부적으로 검출함으로써, 확산튜브(77) 내에서의 소스 가스의 균일한 분포와 균일한 확산막 형성을 얻기 위한 온도 균일도를 확보할 수 있을 것이다.
한편 확산튜브(77)는 본체(71)와 가스분사관(72) 및 플랜지(75)로 구성된다.
확산튜브(77)는 확산로(60)에 내설되는 것으로, 확산공정에서 내부가 상기와 같이 고온 상태를 유지해야 하므로 본체(71)는 석영(쿼츠)으로 내부가 비어 있고 양단이 개방된 원통형으로 제작되며, 전단부에는 기판투입구(71a)가, 후단부에는 가스배출구(71b)가 형성된다.
이때 가스배출구(71b)에는 플랜지(75)가 결합되는 것이다.
여기서 가스분사관(72)은 본체(71) 하측면에 위치하도록 플랜지(75)에 관통 결합된다.
가스분사관(72)은 가스공급부(80)에 구비되는 소스 가스공급관(도시하지 않음)과 연결되어 소스 가스를 확산튜브(77)의 본체(71) 내에 분사하는 역할을 하는 것이다.
확산튜브(77) 내에는 로더스테이션(20)에 의해 다수개의 기판(100)이 탑재된 보트(30)가 로딩된다.
가스분사관(72)은 일정 길이의 분사파이프 외주면에 길이 방향을 따라 다수개의 분사노즐을 형성하여 소스 가스가 본체(71) 내에 신속하게 효과적으로 분산되어 불순물 이온의 밀도나 분포도가 균일하게 유지되도록 할 수 있을 것이다.
소스 가스는 통상적으로 불순물 이온과 산소(O₂) 및 운반용 불활성 가스(N₂등) 등이 투입된다.
한편 플랜지(75)는 고정부재(76)와 덮개부재(78)로 구성된다.
고정부재(76)는 본체(71)의 가스배출구(71b) 단부에 외삽되어 결합되는 것으로서, 가스배출구(71b)의 외주면에 대응되게 내주면이 형성되는 원형의 링 형상으로 구비된다.
이때 고정부재(76)의 내주면과 가스배출구(71b)의 외주면 사이에는 소스 가스의 누출을 방지할 수 있는 오링(O-Ring)(76a)이 설치된다.
한편 덮개부재(78)는 고정부재(76)에 결합되는 것으로서, 원형 플레이트 형태로 구비될 수 있으며, 중앙부에는 배기구(75a)가 관통 형성되며, 배기구(75a)에는 개폐밸브가 설치될 수 있다.
이때 덮개부재(78)는 외주면을 따라 다수개의 볼트를 이용하여 고정부재(76)에 체결되며, 가스배출구(71b)의 단부와 밀착되는 부위에는 오링(O-Ring)(78a)이 설치된다.
고정부재(76)와 덮개부재(78)에 설치되는 오링(76a,78a)은 확산튜브(77)를 효과적으로 밀폐시킬 수 있는 바이톤(viton) O-Ring이 사용될 수 있다.
한편 플랜지(75)의 배기구(75a)에는 진공펌프(90)가 연결 설치된다.
진공펌프(90)는 반응이 완료된 확산튜브(77) 내의 가스를 흡입관(95)을 통해 강제로 흡입하여 외부로 배출시킴으로써, 반응 불순물이나 오염 물질이 확산튜브(77) 내부에 잔류하는 것을 차단함과 동시에 확산튜브(77) 내부를 진공 분위기로 변환시킴으로써, 확산막의 품질을 현저히 향상시킬 수 있는 것이다.
한편 가스공급부(80)는 공정 수행에 필요한 소스 가스를 공급하는 것으로서, 확산튜브(77)에 설치된 가스분사관(72)과 연결되어 소스 가스를 확산튜브(77) 내에 주입시키게 된다.
한편 제어부(200)는 기판로딩부(10), 확산부(50), 가스공급부(80), 및 진공펌프(90)를 제어하여 확산 공정이 각각의 확산유닛(70)에서 동시에 또는 순차적으로 수행될 수 있도록 하는 것으로서, 시스템의 구동은 전자동(Full Auto)으로서 윈도우 운영체제를 기반으로 한 프로그램 수행형 시스템이 사용될 수 있으며, 여기서 사용되는 소프트웨어는 공정 특성에 맞게 개발된 것을 사용한다.
파워공급부는 별도로 트랜스와 장비를 구동하기 위한 전기 전장파트 및 PLC(Program Logic Controller)가 구비될 수 있다.
이하 본 발명의 공정 수행 과정을 설명한다.
먼저 로더스테이션(20)은 메인하우징(51)과 확산유닛(70)의 기판투입구(52,71a)가 개방된 상태에서 제어부(200)로부터 작동 신호를 전달받아 다수개의 기판(100)이 탑재된 보트(29)를 확산튜브(77) 내로 투입함과 동시에 확산튜브(77)를 폐쇄시키게 된다.
이와 같이, 기판(100)의 로딩이 완료되면 확산튜브(77) 내부는 배기구(75a)를 통해 내부 기체가 외부로 강제 배기되어 진공상태로 변환된 후 밀폐되고, 확산로(60)는 확산튜브(77)가 밀폐된 상태에서 확산튜브(77) 내부 분위기를 적정온도로 가열시키게 되며, 이때 가스분사관(72)을 통해 불순물 이온이 포함된 소스 가스가 확산튜브(77) 내에 분사됨으로써, 불순물 이온이 기판(100) 표면에 도핑되어 에미터층이 형성되도록 하는 것이다.
불순물 이온의 확산(도핑)이 완료되면 반응이 완료된 가스는 배기구(75a)를 통해 외부로 배출되고, 로더스테이션(20)이 제자리로 후퇴하여 확산튜브(77) 내의 보트(30)를 인출함으로써 확산공정이 완료되는 것이다.
따라서 본 발명은 로더스테이션과(20)과 확산유닛(70)을 상,하 방향으로 복수로 병렬 설치하여 복수의 확산공정이 순차적으로 또는 동시에 이루어질 수 있을 뿐 아니라, 기판(100)의 로딩 및 언로딩이 효율적으로 수행될 수 있어 공정 효율과 생산성을 현저히 향상시킬 수 있게 되고, 또한 확산튜브(77)의 후단부에 설치된 진공펌프(90)를 이용하여 확산튜브(77) 내의 반응 불순물이나 오염 물질 제거를 통해 확산막의 균일도 및 품질이 향상될 수 있는 것이다.
이상, 상기의 실시 예는 단지 설명의 편의를 위해 예시로서 설명한 것에 불과하므로 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 기판로딩부 12 : 메인프레임
15 : 격벽 20 : 로더스테이션
21 : 이송유닛 22 : 구동부
23 : 지지프레임 25 : 개폐부
27 : 보트거치대 30 : 보트
50 : 확산부 51 : 메인하우징
52,71a : 기판투입구 60 : 확산로
65 : TC 센서 70 : 확산유닛
71 : 본체 71b : 가스배출구
72 : 가스분사관 75 : 플랜지
75a : 배기구 76 : 고정부재
77 : 확산튜브 78 : 덮개부재
76a,78a : 오링 80 : 가스공급부
90 : 진공펌프 95 : 흡입관
100 : 기판 200 : 제어부

Claims (4)

  1. 다수개의 기판을 이송시키는 로더스테이션이 구비된 기판로딩부와, 확산유닛이 내설되는 확산부와, 상기 확산부 내에 소스 가스를 공급하는 가스공급부, 및 제어부로 구성된 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치에 있어서,
    상기 기판로딩부와 확산부는 확산 공정의 동시 처리가 가능하도록 로더스테이션과 확산유닛이 서로 대응되게 상,하 방향으로 격리되어 복수로 병렬 설치되고,
    상기 확산유닛에 구비되는 확산튜브는,
    내부가 비어 있고 양단이 개방된 일정 길이의 본체와,
    상기 본체에 내설되는 가스분사관, 및
    상기 본체 후단에 결합하되, 배기구와 상기 가스분사관이 관통 설치되는 플랜지로 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플랜지는,
    상기 본체 후단부에 외삽되는 고정부재; 및
    상기 고정부재에 결합되며 상기 배기구와 상기 가스분사관이 관통 설치되는 덮개부재;
    로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 배기구에는 상기 본체의 내부 가스를 강제 배출시켜 진공 분위기로 변환시킬 수 있는 진공펌프가 연결 설치되는 것을 특징으로 하는 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 확산유닛에 구비되는 확산로의 외주면에는 5개의 온도 측정용 TC 센서가 일정 간격으로 이격되게 설치되는 것을 특징으로 하는 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치.
KR1020100093699A 2010-09-28 2010-09-28 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치 KR20120032193A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100093699A KR20120032193A (ko) 2010-09-28 2010-09-28 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100093699A KR20120032193A (ko) 2010-09-28 2010-09-28 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120032193A true KR20120032193A (ko) 2012-04-05

Family

ID=46135365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100093699A KR20120032193A (ko) 2010-09-28 2010-09-28 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120032193A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101431564B1 (ko) * 2013-05-06 2014-08-22 주식회사 나래나노텍 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR20190075627A (ko) 2017-12-21 2019-07-01 (주)피앤테크 웨이퍼 도핑 프로세스튜브의 배기 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101431564B1 (ko) * 2013-05-06 2014-08-22 주식회사 나래나노텍 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR20190075627A (ko) 2017-12-21 2019-07-01 (주)피앤테크 웨이퍼 도핑 프로세스튜브의 배기 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8652259B2 (en) Scalable, high-throughput, multi-chamber epitaxial reactor for silicon deposition
EP2331725B1 (en) Epitaxial reactor for silicon deposition
US8968473B2 (en) Stackable multi-port gas nozzles
KR20080100057A (ko) 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법과 그 제조장치 및시스템
KR20090011519A (ko) 결정질 실리콘 태양전지와 그 제조방법 및 제조시스템
KR20110006091A (ko) 기판처리 장치 및 방법과, 이를 포함한 인라인 처리 시스템 및 방법
CN101736317A (zh) 原子层沉积设备
KR101478151B1 (ko) 대면적 원자층 증착 장치
CN112582504A (zh) 一种用于太阳能电池片镀膜和光注入的集成设备和工艺
KR101011493B1 (ko) 태양전지 제조 공정시스템
KR20120032194A (ko) 태양전지 제조용 확산장치의 기판 로딩장치
KR20120032193A (ko) 태양전지 인라인 퍼니스용 진공 확산장치
KR20110133690A (ko) 연속 공정 수행이 가능한 플라즈마 반응장치
WO2012151410A1 (en) Novel doping process for solar cell manufacture
KR20100032161A (ko) 태양전지 제조방법 및 장치
US20100083900A1 (en) Atomic layer deposition apparatus
CN214115717U (zh) 镀膜设备
KR101075930B1 (ko) 태양전지 제조용 확산장치
KR20100113774A (ko) 기판처리장치
KR20120061731A (ko) 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법
KR101131602B1 (ko) 태양전지 제조용 열처리 이중 로딩장치
JP2015137415A (ja) 大面積原子層蒸着装置
KR101131603B1 (ko) 태양전지 제조용 확산튜브 및 확산장치
KR101403292B1 (ko) 트레이 및 이를 구비한 기판처리장치
KR101247109B1 (ko) 수직형 열처리장치의 고온 튜브 어세이

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application