CN214115717U - 镀膜设备 - Google Patents
镀膜设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN214115717U CN214115717U CN202023145825.2U CN202023145825U CN214115717U CN 214115717 U CN214115717 U CN 214115717U CN 202023145825 U CN202023145825 U CN 202023145825U CN 214115717 U CN214115717 U CN 214115717U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- coating
- layer
- film
- chamber
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 192
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 191
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 25
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 72
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 69
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 69
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 69
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 5
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005922 Phosphane Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000064 phosphane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种镀膜设备，在进行异质结太阳能电池的镀膜时，第一镀膜机构、第二镀膜机构及第三镀膜机构分别实现I层、p层及n层的镀设。硅片在第一运输组件的带动匀速通过第一镀膜腔体，从而在两面形成I层；接着，基片依次进入第二镀膜腔体及第三镀膜腔体，从而得到p层及n层。在第二镀膜腔体及第三镀膜腔体内，工艺参数可单独进行调整，从而得到所需的窗口层以保证转换效率。由于硅片两侧的I层成分相同，故可以在第一镀膜腔体内同时成型。而且，I层镀膜时的工艺参数保持恒定，故多个硅片可以连续通过第一镀膜腔体，从而实现I层的连续动态的镀膜。因此，第一镀膜腔体的利用率显著提升，故上述镀膜设备的产能的以提高。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜技术领域，特别涉及一种镀膜设备。
背景技术
异质结太阳能电池具有工艺简单、发电量高、度电成本低等优势，是目前太阳能电池领域的热点。异质结太阳能电池的主体结构包括N型硅片、形成于 N型硅片上下两面的I层以及分别形成于两个I层表面的p层及n层。在制备异质结电池时，一般采用真空镀膜的方式在于N型硅片的表面依次形成I层、p 层及n层。
现有的镀膜设备一般是一个I层镀膜腔体搭配一个n层镀膜腔体，另外一个I层镀膜腔体搭配一个p层镀膜腔体。在完成I-n层的镀膜后将硅片移出上一个镀膜腔体，并进行翻面再进入另一个镀膜腔体内完成I-p层的镀膜。
由于在制备异质结电池的窗口层时，需要变化不同的工艺参数，以达到更好的转换效率。因此，在镀膜腔体无法实现连续的动态镀膜。每次镀膜完成后，均需对镀膜腔体抽真空至底压，然后将放置硅片的托盘传出镀膜腔体。可见，在整个镀膜过程中，有相当一部分时间被托盘传输、加热稳定、通工艺气体、压力稳定、抽气等操作所占用，从而导致设备的产能较低。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有真空镀膜设备制备异质结太阳能电池的产能不高的问题，提供一种能够提高异质结太阳能电池产能的镀膜设备。
一种镀膜设备，包括：
第一镀膜机构，包括第一镀膜腔体及第一运输组件，所述第一运输组件可带动基片匀速通过所述第一镀膜腔体，所述第一镀膜腔体用于在所述基片相对的两面镀设第一膜层；
第二镀膜机构，包括第二镀膜腔体及第二运输组件，所述第二运输组件用于带动镀设有所述第一膜层的所述基片进出所述第二镀膜腔体，所述第二镀膜腔体用于在其中一个所述第一膜层上镀设第二膜层；及
第三镀膜机构，包括第三镀膜腔体及第三运输组件，所述第三运输组件用于带动镀设有所述第二膜层的所述基片进出所述第三镀膜腔体，所述第三镀膜腔体用于在另中一个所述第一膜层上镀设第三膜层。
在其中一个实施例中，所述第一镀膜机构还包括分别位于所述第一镀膜腔体两端的载入腔及载出腔，所述第一运输组件可带动所述基片依次通过所述载入腔、所述第一镀膜腔体及所述载出腔。
在其中一个实施例中，所述第一镀膜机构还包括氢处理工艺腔及位于所述氢处理工艺腔与所述第一镀膜腔体之间的隔离件，所述第一运输组件可带动所述基片经所述氢处理工艺腔及所述隔离件，进入所述第一镀膜腔体。
在其中一个实施例中，所述隔离件为第一隔离腔或气帘。
在其中一个实施例中，所述第一运输组件包括用于承载所述基片的第一托盘及带动所述第一托盘循环的第一回传系统，所述第一托盘的中部镂空，以暴露所述基片相对的两个表面。
在其中一个实施例中，所述第二运输组件包括用于承载所述基片的第二托盘及带动所述第二托盘进出所述第二镀膜腔体的第二回传系统；
所述第三运输组件包括用于承载所述基片的第三托盘及带动所述第三托盘进出所述第三镀膜腔体的第三回传系统，所述第二托盘及所述第三托盘均为板状结构，以覆盖所述基片的其中一个表面。
在其中一个实施例中，还包括：
设于所述第一镀膜机构与所述第二镀膜机构之间的取片机构，所述取片机构用于将所述第一托盘上的所述基片转移至所述第二托盘；
设于所述第二镀膜机构与所述第三镀膜机构之间的翻片机构，所述翻片机构用于将所述第二托盘上的所述基片翻转并转移至所述第三托盘。
在其中一个实施例中，所述第二回传系统为双层结构，且所述第二回传系统其中一层将所述第二托盘从外部传入所述第二镀膜腔体，另一层将所述第二托盘从所述第二镀膜腔体内传出；
所述第三回传系统为双层结构，且所述第三回传系统其中一层将所述第三托盘从外部传入所述第三镀膜腔体，另一层将所述第三托盘从所述第三镀膜腔体内传出。
在其中一个实施例中，所述第二镀膜机构还包括第二过渡腔，所述第二运输组件经所述第二过渡腔带动所述基片进出所述第二镀膜腔体；
所述第三镀膜机构还包括第三过渡腔，所述第三运输组件经所述第三过渡腔带动所述基片进出所述第三镀膜腔体。
在其中一个实施例中，所述第二镀膜机构为多个，且经过所述第一镀膜腔体镀设所述第一膜层的所述基片可转移至任一个所述第二镀膜机构，所述第三镀膜机构为多个，且经过所述第二镀膜腔体镀设所述第二膜层的所述基片可转移至任一个所述第三镀膜机构。
上述镀膜设备，在进行异质结太阳能电池的镀膜时，第一镀膜机构、第二镀膜机构及第三镀膜机构分别实现I层、p层及n层的镀设。硅片在第一运输组件的带动匀速通过第一镀膜腔体，从而在两面形成I层；接着，基片依次进入第二镀膜腔体及第三镀膜腔体，从而得到p层及n层。在第二镀膜腔体及第三镀膜腔体内，工艺参数可单独进行调整，从而得到所需的窗口层以保证转换效率。由于硅片两侧的I层成分相同，故可以在第一镀膜腔体内同时成型。而且，I层镀膜时的工艺参数保持恒定，故多个硅片可以连续通过第一镀膜腔体，从而实现I层的连续动态的镀膜。因此，第一镀膜腔体的利用率显著提升，故上述镀膜设备的产能的以提高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型较佳实施例中镀膜设备的模块示意图；
图2为本实用新型另一个实施例中镀膜设备的模块示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
请参阅图1，本实用新型较佳实施例中的镀膜设备10包括第一镀膜机构 100、第二镀膜机构200及第三镀膜机构300。
本实施例中的镀膜设备10用于异质结太阳能电池的镀膜工艺。其中，第一镀膜机构100用于在硅片的正反两面均镀设I层，I层为本征非晶硅层，在异质结太阳能电池中主要起到钝化硅片表面缺陷的作用，主要是采用硅烷和氢气两种气体制备而成。第二镀膜机构200及第三镀膜机构300分别用于镀设p层及n 层。p层主要是在制备非晶/微晶硅薄膜时掺入硼烷，形成掺杂有硼元素的非晶/ 微晶硅薄膜。n层是在制备非晶/微晶硅薄膜时掺入磷烷，形成掺杂有磷元素的非晶/微晶硅薄膜。
第一镀膜机构100包括第一镀膜腔体110及第一运输组件120。第一镀膜腔体110一般为长条形的腔体结构，可以由金属板焊接而成。第一镀膜腔体110 镀膜时，可与外部环境保持隔离，从而维持其内部工艺环境的稳定。第一镀膜腔体110用于在基片相对的两面镀设第一膜层。具体在本实施中，基片为硅片，而第一膜层则指的是I层。
第一镀膜腔体110一般基于PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition等离子体增强化学的气相沉积法)实现镀膜。具体的，第一镀膜腔体 110内设置有两组等离子发射器，从而在第一镀膜腔体110内形成上下相对的两个镀膜区域。而且，第一镀膜腔体110在镀膜时充入特定的工艺气体。当硅片经过该镀膜区域时，便可在上下两个表面同时形成I层。
由于硅片两侧的I层成分相同，所用工艺气体成分及比例一致，不用担心串气及绕镀的影响，故可以在第一镀膜腔体110内同时实现两面I层的成型。而且，上下两个相对的镀膜区域一般呈长条形，I层镀膜时第一镀膜腔体110的工艺参数保持恒定。因此，多个硅片可以连续通过第一镀膜腔体110，并同时进行镀膜，从而实现在第一镀膜腔体110内多个硅片实现连续动态的I层镀膜，故第一镀膜腔体110的利用率显著提升。
另外，由于在第一镀膜腔体110能同时完成硅片上下表面I层的制备，故避免了在镀完其中一面薄膜后，还需将硅片传出腔体进行翻面，进而避免了硅片未镀膜的表面受环境污染和吸盘印的影响，显著提升钝化效果。而且，由于硅片I层镀膜的过程为连续动态的过程，故膜层的均匀性不受某一个点的条件所影响，故I层的均匀性也可得到改善。
进一步的，第一运输组件120可带动基片匀速通过第一镀膜腔体110。第一运输组件120可以循环运转，也可直线往复运转。第一运输组件120可带动多个硅片依次连续的通过第一镀膜腔体110。
在本实施例中，第一运输组件120包括用于承载基片的第一托盘121及带动第一托盘121循环的第一回传系统122，第一托盘121的中部镂空，以暴露基片相对的两个表面。
在第一回传系统122的带动下，第一托盘121可由起点进入第一镀膜腔体 110并带动承载的硅片穿过第一镀膜腔体110，并最后回到起点，从而实现硅片的循环运输。由于第一托盘121的中部镂空，故第一托盘121大致呈环形框结构。在承载硅片时，第一托盘121可仅与硅片的边缘相承接，从而暴露出硅的正反两面，以方便在正反两面同时实现I层镀膜。
在本实施例中，第一镀膜机构100还包括分别位于第一镀膜腔体110两端的载入腔130及载出腔140，第一运输组件120可带动基片依次通过载入腔130、第一镀膜腔体110及载出腔140。
具体的，载入腔130及载出腔140可以是结构相同的腔体结构，两端具有可开启或关闭的阀门。在第一运输组件120的带动下，硅片先进入载入腔130；载入腔130的阀门关闭并抽底压；接着，打开载入腔130与第一镀膜腔体110 对接的阀门，硅片进入第一镀膜腔体110并关闭载入腔130的阀门；完成I层镀膜后，载出腔140抽底压；接着，打开载出腔140与第一镀膜腔体110对接的阀门，硅片进入载出腔140；最后，关闭载出腔140与第一镀膜腔体110对接的阀门，硅片由载出腔140另一端的阀门转出。
载入腔130及载出腔140均可起到过渡的作用，从而防止第一镀膜腔体110 内的工艺环境在硅片载入及载出的过程中被破坏。
第二镀膜机构200包括第二镀膜腔体210及第二运输组件(图未示)。第二运输组件用于带动镀设有第一膜层的基片进出第二镀膜腔体210，第二镀膜腔体210用于在其中一个第一膜层上镀设第二膜层。具体在本实施例中，第二膜层指的是p层。
硅片在第一镀膜腔体110内完成正反两面的I层镀膜后，将被转出第一镀膜腔体110外。此时，第二运输组件便可带动完成I层镀膜的硅片进入第二镀膜腔体210内，进行p层的镀设。在完成p层镀设后，第二运输组件再将硅片转出至第二镀膜腔体210外。
第三镀膜机构300包括第三镀膜腔体310及第三运输组件(图未示)，第三运输组件用于带动镀设有第二膜层的基片进出第三镀膜腔体310，第三镀膜腔体 310用于在另中一个第一膜层上镀设第三膜层。具体在本实施例中，第三膜层指的是n层。显然，第三膜层也可是p层，而第二膜层则为n层。
第三镀膜机构300与第二镀膜机构200的结构大致相同，区别在于第三镀膜腔体310用于镀设n层，而第二镀膜腔体210用于镀设p层。硅片在第二镀膜腔体210内完成p层的镀设后，转出第二镀膜腔体210外。此时，第三运输组件便可带动完成p层镀设的硅片进入第三镀膜腔体310内，并在未镀设p层的另一个I层的表面进行n的镀设。在完成n层镀设后，第三运输组件再将基片转出至第三镀膜腔体310外。
完成I层、p层及n层的镀膜后，通过蚀刻去除硅片边缘被镀到的n层及p 层，避免漏电流的产生。最后，通过在P层及n层的表面形成TCO层及电极，便得到异质结太阳能电池。
第二镀膜腔体210、第三镀膜腔体310与第一镀膜腔体110为单独的腔体结构，故不存在串气的风险。第二运输组件及第三运输组件一般采用步进的方式输送硅片，硅片在第二镀膜腔体210、第三镀膜腔体310并非连续运动。而且，第二镀膜腔体210及第三镀膜腔体310内的工艺参数可单独进行调整，与第一镀膜腔体110互不影响。因此，第二镀膜腔体210及第三镀膜腔体310内均可采用静态镀膜的方式，在p层及n层镀膜过程中可根据需要实时调整工艺参数，得到所需的窗口层。
由此可见，上述镀膜设备10通过将连续动态镀膜方式与静态镀膜方式相结合，在提升设备产能的同时，还能保证所制备的异质结太阳能电池具备较高的转换效率。
在本实施例中，第二镀膜机构200还包括第二过渡腔220，第二运输组件经第二过渡腔220带动基片进出第二镀膜腔体210。第三镀膜机构300还包括第三过渡腔320，第三运输组件经第三过渡腔320带动基片进出第三镀膜腔体310。
具体的，第二过渡腔220的两端具有可开启或关闭的阀门。进行p层镀设时，硅片先进入第二过渡腔220；第二过渡腔220关闭并抽底压；接着打开与第二镀膜腔体210对接的阀门，硅片进入第二镀膜腔体210并关闭第二过渡腔220 的阀门；完成p层镀膜后，打开第二过渡腔220与第二镀膜腔体210对接的阀门，硅片进入第二过渡腔220；最后，关闭第二过渡腔220与第二镀膜腔体210 对接的阀门，硅片由第二过渡腔220另一端的阀门转出。
同样的，进行n层镀膜时，硅片进出第三镀膜腔体310的流程与进出第二镀膜腔体210的流程相同。如此，第二过渡腔220及第三过渡腔320可在硅片进出时起到过渡的作用，从而防止第二镀膜腔体210及第三镀膜腔体310内的工艺环境在硅片载入及载出的过程中被破坏。
进一步的，具体在本实施例中，第二过渡腔220及第三过渡腔320的内壁装配有加热板(图未示)，以保持对托盘和硅片的持续加热过程，从而减少托盘在镀膜腔体内的热稳定时间。
在本实施例中，第二运输组件包括用于承载基片的第二托盘(图未示)及带动第二托盘进出第二镀膜腔体210的第二回传系统(图未示)。其中，第二托盘为板状结构，以覆盖基片的其中一个表面。
第二托盘中部不存在镂空区域，故硅片与第二托盘接触的表面会被第二托盘所覆盖。在对其中一个I层的表面进行p层的镀设时，另一个I层的表面可被第二托盘遮挡，故可避免掺杂层绕镀到硅片背面形成反型层，从而保证异质结太阳能电池的转换效率。
第三运输组件包括用于承载基片的第三托盘(图未示)及带动第三托盘进出第三镀膜腔体310的第三回传系统(图未示)。其中，第三托盘与第二托盘的结构相同，为板状结构。同样的，第三托盘可覆盖硅片的其中一个表面。在对另一个I层的表面进行n层的镀设时，已完成p层镀设的一侧可表面可被第三托盘遮挡，从而避免掺杂层绕镀到硅片背面并在p层表面形成反型层。
而且，在进行I层、p层及n层的镀设时，硅片采用不同的托盘进行承载，故还能够避免了托盘对膜层造成交叉污染。
进一步的，在本实施例中，镀膜设备10还包括取片机构400及翻片机构500。其中：
取片机构400设于第一镀膜机构100与第二镀膜机构200之间，取片机构 400用于将第一托盘121上的基片转移至第二托盘。具体的，取片机构400可以包括取片平台及机械手，完成I层镀设的硅片片在第一运输组件120的带动下转移至取片平台，机械手可将取片平台上的硅片抓取并放置于第二托盘。
翻片机构500设于第二镀膜机构200与第三镀膜机构300之间，翻片机构 500用于将第二托盘上的基片翻转并转移至第三托盘。具体的，翻片机构500可以是机械手，完成p层镀设的硅片在第二运输组件的带动下转出至第二镀膜腔体210外，机械手可将第二托盘上的硅片抓取并进行翻面，最终反面朝上放置于第三托盘。
进一步的，在本实施例中，第二回传系统为双层结构，且第二回传系统其中一层将第二托盘从外部传入第二镀膜腔体210，另一层将第二托盘从第二镀膜腔体210内传出。
两层第二回传系统可同时移动，其中一层第二回传系统将承载有完成P层镀膜的基片的第二托盘从第二镀膜腔体210传出。同时，另一层第二回传系统将承载有未完成P层镀膜的基片的第二托盘从第二镀膜腔体210外传入。如此，可缩短第二镀膜腔体210开启时间，并提升效率。
第三回传系统为双层结构，且第三回传系统其中一层将第三托盘从外部传入第三镀膜腔体310，另一层将第三托盘从第三镀膜腔体310内传出。同样的，在进行n层镀膜时，可缩短第三镀膜腔体310开启时间，并提升效率。
在本实施例中，第二镀膜机构200为多个，且经过第一镀膜腔体110镀设第一膜层的基片可转移至任一个第二镀膜机构200，第三镀膜机构300为多个，且经过第二镀膜腔体210镀设第二膜层的基片可转移至任一个第三镀膜机构300。
由于第一镀膜机构100在进行I层镀膜时是连续动态过程，而第二镀膜机构 200及第三镀膜机构300在进行p层及n层镀膜时为静态过程。因此，第一镀膜机构100在单位时间内对基片的处理量要大于第二镀膜机构200及第三镀膜机构300各自的处理量。为第一镀膜机构100搭配多个第二镀膜机构200及第三镀膜机构300，能够使得经过I层镀膜的基片被后续的第二镀膜机构200及第三镀膜机构300及时处理，从而进一步提升产能。
如图1所示，第二镀膜机构200为两个，且两个第二镀膜机构200对称排列；第三镀膜机构300也为两个，且两个第三镀膜机构300对称排列。
请参阅图2，本实用新型另一个实施例中的镀膜设备10与前一个实施例中的镀膜设备10的区别在于：第一镀膜机构100还包括氢处理工艺腔150及位于氢处理工艺腔150与第一镀膜腔体110之间的隔离件160，第一运输组件120可带动基片经氢处理工艺腔150及隔离件160，进入第一镀膜腔体110。
氢处理工艺腔150与第一镀膜腔体110的结构及外形基本一致，区别在于所通入的工艺气体只有氢气。一般的，氢处理工艺腔150的上下相对的两个内壁上设有用于注入氢气的喷淋板。硅片在进入第一镀膜机构100前，将会先在氢处理工艺腔150进行两面的氢处理，从而有助于提升钝化效果。另外，隔离件160用于隔离氢处理腔150与第一镀膜腔体110，从而避免在两者之间出现串气的问题。
进一步的，具体在本实施例中，隔离件160为第一隔离腔或气帘。
具体的，第一隔离腔与第二隔离腔220及第三隔离器320的结构类似，其两端设有阀门，且在每次开启阀门前都要进行一次抽底压的动作，以避免串气。而气帘的硬件成本较低，且能够减小占地面积。
上述镀膜设备10，在进行异质结太阳能电池的镀膜时，第一镀膜机构100、第二镀膜机构200及第三镀膜机构300分别实现I层、p层及n层的镀设。硅片在第一运输组件120的带动匀速通过第一镀膜腔体110，从而在两面形成I层；接着，基片依次进入第二镀膜腔体210及第三镀膜腔体310，从而得到p层及n 层。在第二镀膜腔体210及第三镀膜腔体310内，工艺参数可单独进行调整，从而得到所需的窗口层以保证转换效率。由于硅片两侧的I层成分相同，故可以在第一镀膜腔体110内同时成型。而且，I层镀膜时的工艺参数保持恒定，故多个硅片可以连续通过第一镀膜腔体110，从而实现I层的连续动态的镀膜。因此，第一镀膜腔体110的利用率显著提升，故上述镀膜设备10的产能的以提高。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：
第一镀膜机构，包括第一镀膜腔体及第一运输组件，所述第一运输组件可带动基片匀速通过所述第一镀膜腔体，所述第一镀膜腔体用于在所述基片相对的两面镀设第一膜层；
第二镀膜机构，包括第二镀膜腔体及第二运输组件，所述第二运输组件用于带动镀设有所述第一膜层的所述基片进出所述第二镀膜腔体，所述第二镀膜腔体用于在其中一个所述第一膜层上镀设第二膜层；及
第三镀膜机构，包括第三镀膜腔体及第三运输组件，所述第三运输组件用于带动镀设有所述第二膜层的所述基片进出所述第三镀膜腔体，所述第三镀膜腔体用于在另中一个所述第一膜层上镀设第三膜层。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一镀膜机构还包括分别位于所述第一镀膜腔体两端的载入腔及载出腔，所述第一运输组件可带动所述基片依次通过所述载入腔、所述第一镀膜腔体及所述载出腔。
3.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一镀膜机构还包括氢处理工艺腔及位于所述氢处理工艺腔与所述第一镀膜腔体之间的隔离件，所述第一运输组件可带动所述基片经所述氢处理工艺腔及所述隔离件，进入所述第一镀膜腔体。
4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述隔离件为第一隔离腔或气帘。
5.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一运输组件包括用于承载所述基片的第一托盘及带动所述第一托盘循环的第一回传系统，所述第一托盘的中部镂空，以暴露所述基片相对的两个表面。
6.根据权利要求5所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二运输组件包括用于承载所述基片的第二托盘及带动所述第二托盘进出所述第二镀膜腔体的第二回传系统；
所述第三运输组件包括用于承载所述基片的第三托盘及带动所述第三托盘进出所述第三镀膜腔体的第三回传系统，所述第二托盘及所述第三托盘均为板状结构，以覆盖所述基片的其中一个表面。
7.根据权利要求6所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：
设于所述第一镀膜机构与所述第二镀膜机构之间的取片机构，所述取片机构用于将所述第一托盘上的所述基片转移至所述第二托盘；
设于所述第二镀膜机构与所述第三镀膜机构之间的翻片机构，所述翻片机构用于将所述第二托盘上的所述基片翻转并转移至所述第三托盘。
8.根据权利要求6所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二回传系统为双层结构，且所述第二回传系统其中一层将所述第二托盘从外部传入所述第二镀膜腔体，另一层将所述第二托盘从所述第二镀膜腔体内传出；
所述第三回传系统为双层结构，且所述第三回传系统其中一层将所述第三托盘从外部传入所述第三镀膜腔体，另一层将所述第三托盘从所述第三镀膜腔体内传出。
9.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二镀膜机构还包括第二过渡腔，所述第二运输组件经所述第二过渡腔带动所述基片进出所述第二镀膜腔体；
所述第三镀膜机构还包括第三过渡腔，所述第三运输组件经所述第三过渡腔带动所述基片进出所述第三镀膜腔体。
10.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二镀膜机构为多个，且经过所述第一镀膜腔体镀设所述第一膜层的所述基片可转移至任一个所述第二镀膜机构，所述第三镀膜机构为多个，且经过所述第二镀膜腔体镀设所述第二膜层的所述基片可转移至任一个所述第三镀膜机构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023145825.2U CN214115717U (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 镀膜设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023145825.2U CN214115717U (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 镀膜设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN214115717U true CN214115717U (zh) | 2021-09-03 |
Family
ID=77513968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202023145825.2U Active CN214115717U (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 镀膜设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN214115717U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114351124A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-04-15 | 营口金辰机械股份有限公司 | 一种电池片镀膜系统 |
-
2020
- 2020-12-23 CN CN202023145825.2U patent/CN214115717U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114351124A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-04-15 | 营口金辰机械股份有限公司 | 一种电池片镀膜系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9263310B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
| JP5813920B2 (ja) | 基板上に薄膜を蒸着する方法および基板のインライン真空処理のための装置 | |
| US8367565B2 (en) | Methods and systems of transferring, docking and processing substrates | |
| TWI401765B (zh) | 傳送基板至二個或多個的製程模組的方法 | |
| US9870937B2 (en) | High productivity deposition reactor comprising a gas flow chamber having a tapered gas flow space | |
| US20100162955A1 (en) | Systems and methods for substrate processing | |
| TW201336098A (zh) | 鈍化矽晶太陽能電池的先進平台 | |
| KR101100284B1 (ko) | 박막 증착 장치 | |
| CN111471965B (zh) | 传送载板、真空镀膜设备及真空镀膜方法 | |
| WO2010042577A2 (en) | Advanced platform for processing crystalline silicon solar cells | |
| KR20110006091A (ko) | 기판처리 장치 및 방법과, 이를 포함한 인라인 처리 시스템 및 방법 | |
| JP2013530514A (ja) | インライン基板処理装置 | |
| CN214115717U (zh) | 镀膜设备 | |
| KR101147658B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 방법 | |
| KR20140069715A (ko) | 대면적 원자층 증착 장치 | |
| JP6282983B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| US20170243774A1 (en) | Method and apparatus for forming porous silicon layers | |
| CN117153898A (zh) | 切割电池片及其组件以及电池片的侧切面的钝化镀膜方法 | |
| US20120017831A1 (en) | Chemical vapor deposition method and system for semiconductor devices | |
| CN206742216U (zh) | 基板传送装置及包含该基板传送装置的基板处理系统 | |
| TWI673815B (zh) | 基板處理系統、基板傳送裝置和傳送方法 | |
| CN212270220U (zh) | 传送载板及真空镀膜设备 | |
| JP3649898B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置を用いた多層薄膜形成装置 | |
| CN113410342A (zh) | 用于异质结太阳能电池的镀膜方法及镀膜设备 | |
| WO2010078264A2 (en) | Methods and systems of transferring, docking and processing substrates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 27 Changjiang South Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province, China Patentee after: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. Address before: 214000 No. 11 Lijiang Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. |