JPH09153461A

JPH09153461A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH09153461A
Application number: JP31183595A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Arakawa; 久荒川; Yoshihiko Sakurai; 義彦桜井; Takahisa Fukuhara; 隆寿福原
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1995-11-30
Filing date: 1995-11-30
Publication date: 1997-06-10

Abstract

(57)【要約】【課題】サセプタ上における半導体ウェハの処理結果
を均一にし、装置の処理能力を向上させる。【解決手段】半導体ウェハ１を保持するウェハ保持部
２ａが設けられかつ複数個のウェハ保持部２ａが並列配
置された円盤状のサセプタ２と、サセプタ２のウェハ載
置面２ｂのほぼ中央付近２ｃに配設されかつ処理ガス３
を噴流する支柱部４ａと処理ガス３の流出方向３ａを制
御する鍔部４ｂとからなるＴ形ガス供給ノズル４と、サ
セプタ２を介して半導体ウェハ１を加熱するワークコイ
ル５と、サセプタ２とＴ形ガス供給ノズル４とワークコ
イル５とを囲みかつ反応室６を形成するベルジャ７とか
らなり、Ｔ形ガス供給ノズル４の支柱部４ａにおける先
端部４ｃの鍔部近傍４ｄとサセプタ近傍４ｅとにそれぞ
れ複数個のガス噴流用小孔４ｆが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
おいて、処理ガスを用いて半導体ウェハに処理を行う半
導体製造装置に関し、特に、処理ガスを供給するＴ形ガ
ス供給ノズルを有する半導体製造装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】処理ガスによって半導体ウェハに処理を行
う半導体製造装置の一例として、エピタキシャル成長装
置が使用されている。

【０００４】このエピタキシャル成長装置は、モノシラ
ンガスなどの処理ガスを用いて半導体ウェハ上に単結晶
膜を成長させるものであり、処理を行う際の半導体ウェ
ハの配置方法などによって種々のタイプがある。

【０００５】その中に、複数枚の半導体ウェハを並列配
置させて保持する円盤状のサセプタと処理ガスを噴流さ
せるＴ形ガス供給ノズルとを用いた縦形エピタキシャル
成長装置と呼ばれるものがあり、搭載する半導体ウェハ
の数や大きさによって小形のものやあるいは超大形のも
のなどがある。

【０００６】ここで、超大形縦形エピタキシャル成長装
置では、多数の半導体ウェハの処理が可能なように、サ
セプタ上のウェハ保持部（ざぐりとも呼ぶ）が２列でか
つほぼ同心円上に並列配置されている。

【０００７】なお、縦形エピタキシャル成長装置につい
ては、例えば、工業調査会発行「超ＬＳＩ製造・試験装
置ガイドブック１９９５年版（電子材料別冊）」１９９
４年１１月２５日発行、５２〜５８頁に記載されてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における超大形縦形エピタキシャル成長装置では、２
列で並列配置されているサセプタ上の複数個のウェハ保
持部がその数だけ十分に使用されていない。

【０００９】つまり、処理ガスを噴流する複数個のガス
噴流用小孔が、Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部における先
端部の鍔部近傍にだけしか設けられていないため、処理
ガスの供給量がサセプタ上の内側のウェハ保持部と外側
のウェハ保持部とで異なる（この場合、外側のウェハ保
持部の方が内側のウェハ保持部よりも処理ガスが多く供
給される）。

【００１０】その結果、サセプタ上の内側のウェハ保持
部が使用できないという問題が発生し、これにより、エ
ピタキシャル成長装置の処理能力を向上できないという
問題もある。

【００１１】また、外側と内側の両方のウェハ保持部を
用いた場合には、両者において処理ガスの供給量が異な
るため、半導体ウェハ上に形成される膜厚が均一になら
ないという問題がある。

【００１２】本発明の目的は、サセプタ上における半導
体ウェハの処理結果を均一にし、処理能力を向上させる
半導体製造装置を提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１５】すなわち、本発明の半導体製造装置は、半
導体ウェハを保持するウェハ保持部が設けられかつ複数
個の前記ウェハ保持部が並列配置されたサセプタと、前
記サセプタのウェハ載置面のほぼ中央付近に配設されか
つ処理ガスを噴流する支柱部と前記処理ガスの流出方向
を制御する鍔部とからなるＴ形ガス供給ノズルとを有
し、前記Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部における鍔部近傍
とサセプタ近傍とにそれぞれ複数個のガス噴流用小孔が
設けられているものである。

【００１６】これにより、サセプタ上において、Ｔ形ガ
ス供給ノズルの支柱部の近傍である中央付近とサセプタ
の外周部とにほぼ同量の処理ガスを供給することができ
るため、サセプタ上の内側のウェハ保持部と外側のウェ
ハ保持部との両者に載置した半導体ウェハの処理結果を
均一にすることができる。

【００１７】その結果、サセプタ上の内側のウェハ保持
部と外側のウェハ保持部とを同時に使用することが可能
になるため、サセプタ上で半導体ウェハを２列配置させ
て処理を行うことができる。

【００１８】また、本発明の半導体製造装置は、半導体
ウェハを保持するウェハ保持部が設けられかつ複数個の
前記ウェハ保持部が並列配置されたサセプタと、前記サ
セプタのウェハ載置面のほぼ中央付近に配設されかつ処
理ガスを噴流する支柱部と前記処理ガスの流出方向を制
御する鍔部とからなるＴ形ガス供給ノズルとを有し、前
記Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部全体に複数個のガス噴流
用小孔が設けられているものである。

【００１９】さらに、本発明の半導体製造装置は、モノ
シランガスなどの処理ガスを用いて半導体ウェハ上に単
結晶膜を成長させるエピタキシャル成長装置である。

【００２０】また、本発明の半導体製造装置は、前記Ｔ
形ガス供給ノズルの前記サセプタ上への配設時の高さが
１６４〜１８３ｍｍである。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２２】図１は本発明の半導体製造装置である超大
形縦形エピタキシャル成長装置の構造の実施の形態の一
例を示す部分断面図、図２は本発明の半導体製造装置に
おけるＴ形ガス供給ノズルの構造の実施の形態の一例を
示す部分断面図、図３は本発明の半導体製造装置におけ
るサセプタの構造の実施の形態の一例を示す平面図、図
４は本発明の半導体製造装置による半導体ウェハ処理時
の処理ガスの流出状態および半導体ウェハの膜厚分布の
実施の形態の一例を示す概念図、図５は本発明の半導体
製造装置によって得られる直径１５０mm半導体ウェハの
膜厚分布の実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）は
Ｔ形ガス供給ノズルのノズル高さを示す部分断面図、
（ｂ）は半導体ウェハの測定位置を示す平面図、（ｃ）
は分布結果図、図６は本発明の半導体製造装置によって
得られる直径１２５mm半導体ウェハの膜厚分布の実施の
形態の一例を示す平面図、図７は本発明の半導体製造装
置によって得られる直径２００mm半導体ウェハの膜厚分
布の実施の形態の一例を示す平面図である。

【００２３】なお、本実施の形態で説明する半導体製造
装置は、処理ガスを用いて半導体ウェハに処理を行うも
のであり、その一例として、モノシランガスなどの処理
ガスを用いて半導体ウェハ上に単結晶膜を成長させる超
大形縦形エピタキシャル成長装置を取り上げて説明す
る。

【００２４】前記超大形縦形エピタキシャル成長装置の
構成は、半導体ウェハ１を保持するウェハ保持部２ａ
（ざぐりとも呼ぶ）が設けられかつ複数個のウェハ保持
部２ａが並列配置された円盤状のサセプタ２と、サセプ
タ２のウェハ載置面２ｂのほぼ中央付近２ｃに配設され
かつモノシランガスなどの処理ガス３を噴流する支柱部
４ａと処理ガス３の流出方向３ａを制御する鍔部４ｂと
からなるＴ形ガス供給ノズル４と、サセプタ２を介して
半導体ウェハ１を加熱する加熱手段であるワークコイル
５と、サセプタ２とＴ形ガス供給ノズル４とワークコイ
ル５とを囲みかつ反応室６を形成するベルジャ７とから
なる。

【００２５】さらに、Ｔ形ガス供給ノズル４には、その
支柱部４ａにおける先端部４ｃの鍔部近傍４ｄとサセプ
タ近傍４ｅとにそれぞれ複数個のガス噴流用小孔４ｆが
設けられている。

【００２６】これにより、処理ガス３が複数個のガス噴
流用小孔４ｆから噴流されるため、サセプタ２上に搭載
された複数枚の半導体ウェハ１にほぼ均一に処理ガス３
を供給できる。

【００２７】なお、本実施の形態による超大形縦形エピ
タキシャル成長装置は、超大形でかつ縦形であることか
ら多数の半導体ウェハ１を処理できるように、サセプタ
２上のウェハ保持部２ａが２列（内側２ｄのウェハ保持
部２ａと外側２ｅのウェハ保持部２ａ）でかつほぼ同心
円上に並列配置されている（図３参照）。

【００２８】また、Ｔ形ガス供給ノズル４およびベルジ
ャ７は、石英などによって形成され、サセプタ２は、例
えば、グラファイトなどによって形成されている。

【００２９】さらに、加熱手段であるワークコイル５
は、例えば、半導体ウェハ１を高周波誘導によって加熱
するものである。

【００３０】なお、Ｔ形ガス供給ノズル４は、回転駆動
手段１１に取り付けられており、処理ガス３を噴流させ
る際には、同じく回転駆動手段１１に取り付けられたサ
セプタ保持部１２が回転し、これにより、サセプタ２が
回転する。

【００３１】ただし、Ｔ形ガス供給ノズル４は、回転駆
動手段１１に取り付けられるのではなく、サセプタ２に
取り付けられるものであってもよい。

【００３２】また、本実施の形態による超大形縦形エピ
タキシャル成長装置には、Ｔ形ガス供給ノズル４のノズ
ル高さ９を調整する高さ調整手段であるリング部材８が
設けられている。

【００３３】すなわち、図２に示すように、Ｔ形ガス供
給ノズル４を取り付ける際に、支柱部４ａに設けられた
ストッパ部４ｇの下部にリング部材８を挟着することに
より、リング部材８の厚みの分だけ図５（ａ）に示すＴ
形ガス供給ノズル４のノズル高さ９（支柱部４ａの先端
部４ｃに設けられた鍔部４ｂのサセプタ２からの高さ）
を高くすることができる。

【００３４】なお、リング部材８は、例えば、ＳＵＳ
（ステンレス鋼）などによって形成され、Ｔ形ガス供給
ノズル４のノズル高さ９を変えることができるように種
々の厚さのものが準備されている。

【００３５】ただし、リング部材８は必ずしも装着する
部材ではなく、リング部材８以外の手段によってＴ形ガ
ス供給ノズル４のノズル高さ９の調整を行ってもよい。

【００３６】ここで、本実施の形態の超大形縦形エピタ
キシャル成長装置による処理ガス３の流出方向３ａと、
処理ガス３によって形成される膜の膜厚分布曲線１０と
の関係を図４に示す。

【００３７】これによれば、内側２ｄのウェハ保持部２
ａ（図３参照）に搭載された半導体ウェハ１と、外側２
ｅの前記ウェハ保持部２ａに搭載された半導体ウェハ１
とに均一に処理ガス３を流すことができるため、膜厚分
布曲線１０をほぼ直線で表すことができる。

【００３８】また、本実施の形態の超大形縦形エピタキ
シャル成長装置によって、図５に示す直径１５０ｍｍの
半導体ウェハ１に成膜試験を行った場合の膜厚分布につ
いて図１〜図５を用いて説明する。

【００３９】前記成膜試験は、図５（ａ）に示すノズル
高さ９について、図５（ｃ）に示すように、１６３、１
７３、１７６、１８０、１８４ｍｍの５種類のノズル高
さ９をパラメータとし、図５（ｂ）に示す２枚の半導体
ウェハ１上の１０箇所の測定位置（Ａ〜Ｊ）でその膜厚
を測定したものである。

【００４０】これによれば、直径１５０ｍｍの半導体ウ
ェハ１では、ノズル高さ９が１７３、１７６、１８０ｍ
ｍの場合に膜厚のばらつきが小さく（ばらつきは±3.７
８％）、また、１６３、１８４ｍｍの場合に膜厚のばら
つきが大きい。

【００４１】なお、前記膜厚のばらつきは、ばらつき
（％）＝（（膜厚最大値−膜厚最小値）／膜厚平均値）
×５０の計算式によって求めたものである。

【００４２】したがって、直径１５０ｍｍの半導体ウェ
ハ１の成膜処理においては、ノズル高さ９を１６４〜１
８３ｍｍにすることが好ましい。

【００４３】また、同様の成膜試験を、直径１２５ｍｍ
と直径２００ｍｍの半導体ウェハ１について行った試験
結果をそれぞれ図６または図７に示す。

【００４４】これによれば、直径１２５ｍｍの半導体ウ
ェハ１（図６参照）においては、膜厚のばらつきが±1.
７４％となり、さらに、直径２００ｍｍの半導体ウェハ
１（図７参照）においては、膜厚のばらつきが±1.５９
％となる。

【００４５】なお、図６および図７に示す半導体ウェハ
１内に記載された数値は、半導体ウェハ１上に成長した
膜厚のその位置における測定値であり、その単位はμｍ
である。

【００４６】本実施の形態の半導体製造装置である超大
形縦形エピタキシャル成長装置によれば、以下のような
作用効果が得られる。

【００４７】すなわち、Ｔ形ガス供給ノズル４の支柱部
４ａにおける鍔部近傍４ｄとサセプタ近傍４ｅとに複数
個のガス噴流用小孔４ｆが設けられていることにより、
それぞれのガス噴流用小孔４ｆから処理ガス３が噴流さ
れるため、サセプタ２上において、Ｔ形ガス供給ノズル
４の支柱部４ａの近傍である中央付近２ｃとサセプタ２
の外周部２ｆとにほぼ同量の処理ガス３を供給すること
ができる。

【００４８】これにより、サセプタ２上の内側２ｄのウ
ェハ保持部２ａと外側２ｅのウェハ保持部２ａとの両者
において、サセプタ２上に載置した半導体ウェハ１の処
理結果、すなわち成膜処理によって成長させた単結晶膜
の膜厚を均一にすることができる（直径１２５ｍｍの半
導体ウェハ１の場合の膜厚のばらつきは±1.７４％、直
径１５０ｍｍの半導体ウェハ１の場合の膜厚のばらつき
は±3.７８％、直径２００ｍｍの半導体ウェハ１の場合
の膜厚のばらつきは±1.５９％であり、何れの半導体ウ
ェハ１においても膜厚の均一性を向上させることができ
る）。

【００４９】したがって、サセプタ２上の内側２ｄのウ
ェハ保持部２ａと外側２ｅのウェハ保持部２ａとを同時
に使用することが可能になるため、サセプタ２上で半導
体ウェハ１を２列配置させて処理を行うことができる。

【００５０】その結果、サセプタ２上に多数の半導体ウ
ェハ１を搭載して処理を行うことができるため、半導体
製造装置（超大形縦形エピタキシャル成長装置）の処理
能力を向上させることができる（直径１２５ｍｍの半導
体ウェハ１の場合、１バッチ処理当たりの半導体ウェハ
１の処理枚数を１６枚から２５枚に増やすことができ、
さらに、直径１５０ｍｍの半導体ウェハ１の場合、１バ
ッチ処理当たりの半導体ウェハ１の処理枚数を１３枚か
ら１９枚に増やすことができる）。

【００５１】なお、Ｔ形ガス供給ノズル４のノズル高さ
９を１６４〜１８３ｍｍとすることにより、超大形縦形
エピタキシャル成長装置において、直径１５０ｍｍの半
導体ウェハ１上に形成する膜厚の均一性をさらに向上さ
せることができる。

【００５２】また、前記超大形縦形エピタキシャル成長
装置は、半導体ウェハ１上に成長させる単結晶膜の膜厚
のばらつきが比較的厳しく求められるバイポーラ半導体
集積回路装置に用いられる半導体素子の製造に使用する
のが、より有効である。

【００５３】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００５４】例えば、前記実施の形態においては、複数
個のガス噴流用小孔が、Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部に
おける鍔部近傍とサセプタ近傍とに設けられている場合
を説明したが、図８、図９、図１０の他の実施の形態の
Ｔ形ガス供給ノズル４に示す各々の箇所に、ガス噴流用
小孔４ｆが設けられていてもよい。

【００５５】ここで、図８に示す半導体製造装置のＴ形
ガス供給ノズル４は、支柱部４ａの全体に複数個のガス
噴流用小孔４ｆが設けられているものである。

【００５６】また、図９に示す半導体製造装置のＴ形ガ
ス供給ノズル４は、支柱部４ａの先端部４ｃと中央部４
ｈとに鍔部４ｂが設けられ、支柱部４ａにおける先端部
４ｃの鍔部近傍４ｄと中央部４ｈの鍔部近傍４ｄとにそ
れぞれ複数個のガス噴流用小孔４ｆが設けられているも
のである。この場合、サセプタ近傍４ｅにはガス噴流用
小孔４ｆが設けられていてもよく、また設けられていな
くてもよい。

【００５７】さらに、図１０に示す半導体製造装置のＴ
形ガス供給ノズル４は、支柱部４ａの先端部４ｃの鍔部
近傍４ｄと、支柱部４ａの先端部４ｃの鍔部４ｂとに複
数個のガス噴流用小孔４ｆが設けられているものであ
る。ここで、支柱部４ａの先端部４ｃの鍔部４ｂに設け
られた複数個のガス噴流用小孔４ｆは、下方、すなわち
サセプタ２の方向にだけ設けられている。

【００５８】図８、図９または図１０に示すＴ形ガス供
給ノズル４によっても、前記実施の形態のＴ形ガス供給
ノズル４と同様の作用効果が得られる。

【００５９】また、前記実施の形態で説明したサセプタ
は、ウェハ保持部がほぼ同心円上にかつ２列に並列配置
されたものであったが、前記サセプタは、前記実施の形
態もしくは他の実施の形態によるＴ形ガス供給ノズルが
設けられていれば、ウェハ保持部が１列に配置されたも
のであってもよい。

【００６０】なお、前記サセプタにおいて、前記ウェハ
保持部が１列に配置された縦形エピタキシャル成長装置
は、超大形ではなく、小形縦形エピタキシャル成長装置
と呼ばれることもある。

【００６１】さらに、前記実施の形態もしくは他の実施
の形態による半導体製造装置は、サセプタおよびＴ形ガ
ス供給ノズルが前記実施の形態もしくは他の実施の形態
で説明したものを使用していれば、エピタキシャル成長
装置以外のＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition ）装置
などの他の半導体製造装置であってもよい。

【００６２】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００６３】（１）．Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部にお
ける鍔部近傍とサセプタ近傍とに複数個のガス噴流用小
孔が設けられていることにより、それぞれのガス噴流用
小孔から処理ガスが噴流されるため、サセプタ上におい
て、Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部の近傍である中央付近
とサセプタの外周部とにほぼ同量の処理ガスを供給する
ことができる。これにより、サセプタ上の内側のウェハ
保持部と外側のウェハ保持部との両者において、サセプ
タ上に載置した半導体ウェハの処理結果を均一にするこ
とができるため、サセプタ上で半導体ウェハを２列配置
させて処理を行うことができる。

【００６４】（２）．サセプタ上で半導体ウェハを２列
配置させて処理を行うことができるため、サセプタ上に
多数の半導体ウェハを搭載して処理を行うことができ
る。その結果、半導体製造装置の処理能力を向上させる
ことができる。

【００６５】（３）．半導体製造装置がモノシランガス
などの処理ガスを用いて半導体ウェハ上に単結晶膜を成
長させるエピタキシャル成長装置であることにより、半
導体ウェハ上に成長させる単結晶膜などの膜厚を均一に
することができる。

【００６６】（４）．半導体製造装置が超大形縦形エピ
タキシャル成長装置の場合に、Ｔ形ガス供給ノズルのサ
セプタ上への設置時の高さを１６４〜１８３ｍｍとする
ことにより、半導体ウェハ上に成長させる単結晶膜など
の膜厚の均一性をさらに向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造装置である超大形縦形エピ
タキシャル成長装置の構造の実施の形態の一例を示す部
分断面図である。

【図２】本発明の半導体製造装置におけるＴ形ガス供給
ノズルの構造の実施の形態の一例を示す部分断面図であ
る。

【図３】本発明の半導体製造装置におけるサセプタの構
造の実施の形態の一例を示す平面図である。

【図４】本発明の半導体製造装置による半導体ウェハ処
理時の処理ガスの流出状態および半導体ウェハの膜厚分
布の実施の形態の一例を示す概念図である。

【図５】本発明の半導体製造装置によって得られる直径
１５０mm半導体ウェハの膜厚分布の実施の形態の一例を
示す図であり、（ａ）はＴ形ガス供給ノズルのノズル高
さを示す部分断面図、（ｂ）は半導体ウェハの測定位置
を示す平面図、（ｃ）は分布結果図である。

【図６】本発明の半導体製造装置によって得られる直径
１２５mm半導体ウェハの膜厚分布の実施の形態の一例を
示す平面図である。

【図７】本発明の半導体製造装置によって得られる直径
２００mm半導体ウェハの膜厚分布の実施の形態の一例を
示す平面図である。

【図８】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置
のＴ形ガス供給ノズルの構造の一例を示す断面図であ
る。

【図９】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置
のＴ形ガス供給ノズルの構造の一例を示す断面図であ
る。

【図１０】本発明の他の実施の形態である半導体製造装
置のＴ形ガス供給ノズルの構造の一例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１半導体ウェハ２サセプタ２ａウェハ保持部２ｂウェハ載置面２ｃ中央付近２ｄ内側２ｅ外側２ｆ外周部３処理ガス３ａ流出方向４Ｔ形ガス供給ノズル４ａ支柱部４ｂ鍔部４ｃ先端部４ｄ鍔部近傍４ｅサセプタ近傍４ｆガス噴流用小孔４ｇストッパ部４ｈ中央部５ワークコイル（加熱手段）６反応室７ベルジャ８リング部材（高さ調整手段）９ノズル高さ１０膜厚分布曲線１１回転駆動手段１２サセプタ保持部

フロントページの続き (72)発明者福原隆寿東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理ガスを用いて半導体ウェハに処理を
行う半導体製造装置であって、前記半導体ウェハを保持するウェハ保持部が設けられ、
かつ複数個の前記ウェハ保持部が並列配置されたサセプ
タと、前記サセプタのウェハ載置面のほぼ中央付近に配設さ
れ、かつ前記処理ガスを噴流する支柱部と前記処理ガス
の流出方向を制御する鍔部とからなるＴ形ガス供給ノズ
ルとを有し、前記Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部における鍔部近傍とサ
セプタ近傍とにそれぞれ複数個のガス噴流用小孔が設け
られていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】処理ガスを用いて半導体ウェハに処理を
行う半導体製造装置であって、前記半導体ウェハを保持するウェハ保持部が設けられ、
かつ複数個の前記ウェハ保持部が並列配置されたサセプ
タと、前記サセプタのウェハ載置面のほぼ中央付近に配設さ
れ、かつ前記処理ガスを噴流する支柱部と前記処理ガス
の流出方向を制御する鍔部とからなるＴ形ガス供給ノズ
ルとを有し、前記Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部全体に複数個のガス噴
流用小孔が設けられていることを特徴とする半導体製造
装置。
【請求項３】処理ガスを用いて半導体ウェハに処理を
行う半導体製造装置であって、前記半導体ウェハを保持するウェハ保持部が設けられ、
かつ複数個の前記ウェハ保持部が並列配置されたサセプ
タと、前記サセプタのウェハ載置面のほぼ中央付近に配設さ
れ、かつ前記処理ガスを噴流する支柱部と前記処理ガス
の流出方向を制御する鍔部とからなるＴ形ガス供給ノズ
ルとを有し、前記Ｔ形ガス供給ノズルの支柱部の先端部と中央部とに
前記鍔部が設けられ、前記支柱部における先端部の鍔部
近傍と中央部の鍔部近傍とにそれぞれ複数個のガス噴流
用小孔が設けられていることを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項４】請求項１，２または３記載の半導体製造
装置であって、前記半導体製造装置がモノシランガスな
どの処理ガスを用いて半導体ウェハ上に単結晶膜を成長
させるエピタキシャル成長装置であることを特徴とする
半導体製造装置。
【請求項５】請求項１，２，３または４記載の半導体
製造装置であって、前記Ｔ形ガス供給ノズルの高さを調
整する高さ調整手段が設けられていることを特徴とする
半導体製造装置。
【請求項６】請求項１，２，３，４または５記載の半
導体製造装置であって、前記Ｔ形ガス供給ノズルの前記
サセプタ上への配設時の高さが、１６４〜１８３ｍｍで
あることを特徴とする半導体製造装置。