JPH08302473A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH08302473A JPH08302473A JP7129206A JP12920695A JPH08302473A JP H08302473 A JPH08302473 A JP H08302473A JP 7129206 A JP7129206 A JP 7129206A JP 12920695 A JP12920695 A JP 12920695A JP H08302473 A JPH08302473 A JP H08302473A
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- substrate
- substrate holding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
- C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パージガスを基板外周縁に吹出すＣＶＤ装置
で、吹出しの不均一をなくして裏面成膜の発生を防止
し、基板全面に良好な分布の成膜を行い、高い生産性と
高い歩留まりを達成し、低圧条件の成膜にも対処する。 【構成】 反応容器11内に配置される基板保持体13の上
に例えば差圧チャックで基板15を固定し、基板の外周縁
周囲からパージガス通路29とパージガス吹出し溝28を通
ったパージガスを吹出す構成を有し、さらにパージガス
通路がパージガス吹出し溝の外壁面に開いたパージガス
吐出口を有するように形成される。また基板保持体の周
囲に設けたリング板部52b と筒部52a を含むシールド部
材52によって、基板の外周縁に第２のパージガスを供給
する通路を形成することも可能である。
で、吹出しの不均一をなくして裏面成膜の発生を防止
し、基板全面に良好な分布の成膜を行い、高い生産性と
高い歩留まりを達成し、低圧条件の成膜にも対処する。 【構成】 反応容器11内に配置される基板保持体13の上
に例えば差圧チャックで基板15を固定し、基板の外周縁
周囲からパージガス通路29とパージガス吹出し溝28を通
ったパージガスを吹出す構成を有し、さらにパージガス
通路がパージガス吹出し溝の外壁面に開いたパージガス
吐出口を有するように形成される。また基板保持体の周
囲に設けたリング板部52b と筒部52a を含むシールド部
材52によって、基板の外周縁に第２のパージガスを供給
する通路を形成することも可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置に関し、特
に、半導体装置製造工程において化学反応に基づく気相
成長を利用して薄膜を形成するＣＶＤ装置に関する。
に、半導体装置製造工程において化学反応に基づく気相
成長を利用して薄膜を形成するＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体装置製造の分野において素
子の集積化と微細化はますます進んでいる。素子の微細
化は、製造工程において新しい技術を要求する。例え
ば、微細ホール内への充分な膜の埋込、素子内の段差を
軽減する工夫、および高電流密度を原因とした発熱やエ
レクトロマイグレーションによる断線の予防などの技術
を要求する。これらの要求に応える新しい製造工程の１
つとして、スパッタリング法によるＡｌ膜の形成に代わ
って、ＷＦ6 （六沸化タングステン）ガスとＨ2 ガスを
用いた熱ＣＶＤ法（化学的気相成長法）によるブランケ
ットタングステン膜（以下「Ｂ−Ｗ膜」という）の形成
が注目されている。このＢ−Ｗ膜を使用すれば、ホール
径０．５μｍ以下、アスペクト比２以上のホールにおい
ても充分な段差被覆性を得ることができ、素子内の平坦
化やエレクトロマイグレーション防止の要求に応えるこ
とができる。
子の集積化と微細化はますます進んでいる。素子の微細
化は、製造工程において新しい技術を要求する。例え
ば、微細ホール内への充分な膜の埋込、素子内の段差を
軽減する工夫、および高電流密度を原因とした発熱やエ
レクトロマイグレーションによる断線の予防などの技術
を要求する。これらの要求に応える新しい製造工程の１
つとして、スパッタリング法によるＡｌ膜の形成に代わ
って、ＷＦ6 （六沸化タングステン）ガスとＨ2 ガスを
用いた熱ＣＶＤ法（化学的気相成長法）によるブランケ
ットタングステン膜（以下「Ｂ−Ｗ膜」という）の形成
が注目されている。このＢ−Ｗ膜を使用すれば、ホール
径０．５μｍ以下、アスペクト比２以上のホールにおい
ても充分な段差被覆性を得ることができ、素子内の平坦
化やエレクトロマイグレーション防止の要求に応えるこ
とができる。
【０００３】また一方、近年では、次のような理由で、
半導体装置製造工程において基板全面にＢ−Ｗ膜を成膜
する全面成膜が要求されている。
半導体装置製造工程において基板全面にＢ−Ｗ膜を成膜
する全面成膜が要求されている。
【０００４】今までのＣＶＤ装置では、基板の周縁付近
でスパッタリングによって作られた下地膜であるＴｉＮ
膜の成膜範囲が限定され、さらにその上に行われるＢ−
Ｗ膜の成膜時には、基板固定具で基板の外周縁全周を覆
い、かつ外周縁の複数箇所を直接に接触させて基板を固
定し、ＴｉＮ膜上のみに成膜を行うようにしていた。し
かしながら、かかる固定構造は様々な弊害を起こした。
すなわち、基板固定具の近傍における温度の低下、反応
ガスの濃度や流れの不均一に起因する膜剥がれ、基板と
の機械的な直接接触によるゴミの発生、可動部が機構的
に複雑になり、信頼性を低下させる等の弊害が起きた。
そこで、これらの問題を解決するため真空チャックや静
電チャック等の固定手段が提案され、これらの固定手段
によって機械的な直接接触を避け、全面成膜を行うこと
によって上記の問題を解決しようとしている。
でスパッタリングによって作られた下地膜であるＴｉＮ
膜の成膜範囲が限定され、さらにその上に行われるＢ−
Ｗ膜の成膜時には、基板固定具で基板の外周縁全周を覆
い、かつ外周縁の複数箇所を直接に接触させて基板を固
定し、ＴｉＮ膜上のみに成膜を行うようにしていた。し
かしながら、かかる固定構造は様々な弊害を起こした。
すなわち、基板固定具の近傍における温度の低下、反応
ガスの濃度や流れの不均一に起因する膜剥がれ、基板と
の機械的な直接接触によるゴミの発生、可動部が機構的
に複雑になり、信頼性を低下させる等の弊害が起きた。
そこで、これらの問題を解決するため真空チャックや静
電チャック等の固定手段が提案され、これらの固定手段
によって機械的な直接接触を避け、全面成膜を行うこと
によって上記の問題を解決しようとしている。
【０００５】また基板に全面成膜を行うようにすれば、
基板の有効領域が拡大し、チップ収量を増加することが
可能となる。
基板の有効領域が拡大し、チップ収量を増加することが
可能となる。
【０００６】次に、図面を参照して従来のＢ−Ｗ膜ＣＶ
Ｄ装置の具体例を説明する。まず図７を参照して従来の
Ｂ−Ｗ膜ＣＶＤ装置の第１の例を説明する。このＢ−Ｗ
膜ＣＶＤ装置は、全面成膜の方式の装置である。この従
来装置は、米国特許第5,374,594 号公報に示されるもの
である。
Ｄ装置の具体例を説明する。まず図７を参照して従来の
Ｂ−Ｗ膜ＣＶＤ装置の第１の例を説明する。このＢ−Ｗ
膜ＣＶＤ装置は、全面成膜の方式の装置である。この従
来装置は、米国特許第5,374,594 号公報に示されるもの
である。
【０００７】当該ＣＶＤ装置では、反応容器７１内の上
方位置に反応ガス供給板７１が設けられ、下方位置に基
板保持体７３が設けられる。基板保持体７３の上面に基
板７４が配置される。基板保持体７３の平面形状は円形
である。
方位置に反応ガス供給板７１が設けられ、下方位置に基
板保持体７３が設けられる。基板保持体７３の上面に基
板７４が配置される。基板保持体７３の平面形状は円形
である。
【０００８】反応ガス供給板７２の下面には複数のガス
吹出し孔が形成され、ガス供給管７２ａで供給された反
応ガスがガス吹出し孔から吹出し、反応容器７１内に導
入される。反応ガス供給板７２の下面は、基板保持体７
３の上に配置された基板７４に対向している。反応ガス
供給板７２で供給された反応ガスによって、基板７４の
表面に所望の薄膜が形成される。反応容器７１内で生じ
た未反応ガスおよび副生成ガスは排気部７５によって排
気される。
吹出し孔が形成され、ガス供給管７２ａで供給された反
応ガスがガス吹出し孔から吹出し、反応容器７１内に導
入される。反応ガス供給板７２の下面は、基板保持体７
３の上に配置された基板７４に対向している。反応ガス
供給板７２で供給された反応ガスによって、基板７４の
表面に所望の薄膜が形成される。反応容器７１内で生じ
た未反応ガスおよび副生成ガスは排気部７５によって排
気される。
【０００９】基板保持体７３の中心部には上下方向に貫
通状態で形成された孔７６が設けられ、この孔７６は差
圧チャック排気部７７と連結される。差圧チャック排気
部７７は、反応容器７１の上記排気部７５とは別のもの
である。基板保持体７３の表面には、基板７４と接する
部分に上記貫通孔７６と連結された差圧溝７８が設けら
れている。差圧溝７８は、径方向に向かう放射状の複数
本の直線溝と、同心円状に配置された複数本の円周溝と
からなる。基板７４が基板保持体７３上に載置された後
に差圧溝７８を真空に排気すると、基板７４の表面と差
圧溝７８との間に圧力差が生じる。この圧力差によっ
て、基板７４は基板保持体７３の上に固定される。通
常、この固定方法は差圧チャックまたは真空チャックと
呼ばれる。
通状態で形成された孔７６が設けられ、この孔７６は差
圧チャック排気部７７と連結される。差圧チャック排気
部７７は、反応容器７１の上記排気部７５とは別のもの
である。基板保持体７３の表面には、基板７４と接する
部分に上記貫通孔７６と連結された差圧溝７８が設けら
れている。差圧溝７８は、径方向に向かう放射状の複数
本の直線溝と、同心円状に配置された複数本の円周溝と
からなる。基板７４が基板保持体７３上に載置された後
に差圧溝７８を真空に排気すると、基板７４の表面と差
圧溝７８との間に圧力差が生じる。この圧力差によっ
て、基板７４は基板保持体７３の上に固定される。通
常、この固定方法は差圧チャックまたは真空チャックと
呼ばれる。
【００１０】反応容器７１の下壁部７１ａには、中央部
に筒状部７９ａが形成された石英窓７９が取り付けられ
る。筒状部７９ａの下側開口部には端壁８０が設けら
れ、この端壁８０には内外二重の筒体８１が取り付けら
れる。筒体８１の下部は閉じられ、上部には連結体８２
が取り付けられる。筒体８１の内側筒部は上記孔７６に
通じる孔を形成し、筒体８１の下壁から外部に延設され
る。筒体８１の外側筒部と内側筒部の間の空間にはパー
ジガス導入部８３を介してパージガスが供給される。上
記連結体８２には、その中央部に上記孔７６に通じる孔
が形成され、周囲部に複数のパージガス供給路８４が形
成される。
に筒状部７９ａが形成された石英窓７９が取り付けられ
る。筒状部７９ａの下側開口部には端壁８０が設けら
れ、この端壁８０には内外二重の筒体８１が取り付けら
れる。筒体８１の下部は閉じられ、上部には連結体８２
が取り付けられる。筒体８１の内側筒部は上記孔７６に
通じる孔を形成し、筒体８１の下壁から外部に延設され
る。筒体８１の外側筒部と内側筒部の間の空間にはパー
ジガス導入部８３を介してパージガスが供給される。上
記連結体８２には、その中央部に上記孔７６に通じる孔
が形成され、周囲部に複数のパージガス供給路８４が形
成される。
【００１１】上記基板保持体７３は連結体８２を介して
上記筒体８１の上に固定される。これによって基板保持
体７３は反応容器７１の下部の中央部に配置される。基
板保持体７３と連結体８２と支持用筒体８１は溶接等で
接合され、一体化される。この構造によって、差圧チャ
ックを形成する孔７６等、バージガス供給路、反応容器
７１の内部空間が互いに隔離される。
上記筒体８１の上に固定される。これによって基板保持
体７３は反応容器７１の下部の中央部に配置される。基
板保持体７３と連結体８２と支持用筒体８１は溶接等で
接合され、一体化される。この構造によって、差圧チャ
ックを形成する孔７６等、バージガス供給路、反応容器
７１の内部空間が互いに隔離される。
【００１２】基板保持体７３には、その表面に円形溝で
あるパージガス吹出し溝８５が形成され、かつその内部
の径方向に上記連結体８２のパージガス供給路８４とパ
ージガス吹出し溝８５とを接続する複数のパージガス通
路８６が形成される。連結体８２の複数のパージガス供
給路８４と、基板保持体７３の複数のパージガス通路８
６は、それぞれ、例えば８本の供給路または通路であ
り、円周方向に等角度で配置される。上記パージガス吹
出し溝８５は、基板保持体７３の上面に対して垂直にな
るように形成され、かつ基板保持体７３上に配置された
基板７４に対してその外壁面が基板７４の外周縁よりも
内側の位置になるように形成される。パージガス通路８
６は、かかるパージガス吹出し溝８５に対し、パージガ
ス吹出し溝８５の内壁面に開口するように接続される。
あるパージガス吹出し溝８５が形成され、かつその内部
の径方向に上記連結体８２のパージガス供給路８４とパ
ージガス吹出し溝８５とを接続する複数のパージガス通
路８６が形成される。連結体８２の複数のパージガス供
給路８４と、基板保持体７３の複数のパージガス通路８
６は、それぞれ、例えば８本の供給路または通路であ
り、円周方向に等角度で配置される。上記パージガス吹
出し溝８５は、基板保持体７３の上面に対して垂直にな
るように形成され、かつ基板保持体７３上に配置された
基板７４に対してその外壁面が基板７４の外周縁よりも
内側の位置になるように形成される。パージガス通路８
６は、かかるパージガス吹出し溝８５に対し、パージガ
ス吹出し溝８５の内壁面に開口するように接続される。
【００１３】基板保持体７３の周囲には、反応容器７１
の下壁に固定された筒型のシールド部材８７が配置され
る。シールド部材８７の高さは基板保持体７３の高さと
ほぼ同じである。シールド部材８７を設けることによっ
て、基板保持体７３の下部および周囲にスペースが形成
され、このスペースは、他のパージガス導入部８８によ
って導入されるパージガスを流す通路として使用され
る。
の下壁に固定された筒型のシールド部材８７が配置され
る。シールド部材８７の高さは基板保持体７３の高さと
ほぼ同じである。シールド部材８７を設けることによっ
て、基板保持体７３の下部および周囲にスペースが形成
され、このスペースは、他のパージガス導入部８８によ
って導入されるパージガスを流す通路として使用され
る。
【００１４】反応容器７３の下側に、反射部を備えた環
状のランプ支持部材８９が配置される。ランプ支持部材
８９には、ほぼ等間隔で複数の加熱ランプ９０が配置さ
れる。加熱ランプ９０から生じた輻射熱は石英窓７９を
通して基板保持体７３に与えられ、基板保持体７３を加
熱する。基板７４は、基板保持体７３から伝導される熱
によって加熱される。基板保持体７３の温度は内部に埋
め込まれた熱電対９１によって測定され、その測定デー
タは、その後、基板保持体７３の温度制御に使用され
る。
状のランプ支持部材８９が配置される。ランプ支持部材
８９には、ほぼ等間隔で複数の加熱ランプ９０が配置さ
れる。加熱ランプ９０から生じた輻射熱は石英窓７９を
通して基板保持体７３に与えられ、基板保持体７３を加
熱する。基板７４は、基板保持体７３から伝導される熱
によって加熱される。基板保持体７３の温度は内部に埋
め込まれた熱電対９１によって測定され、その測定デー
タは、その後、基板保持体７３の温度制御に使用され
る。
【００１５】上記構成によれば、基板７４に対向した反
応ガス供給板７２から反応容器７１内に反応ガスが導入
され、基板７４の上に所望の薄膜が形成される。反応容
器７１内で生じた未反応ガスや副生成ガスは排気部７５
から排気される。成膜の間、パージガス導入部８３、パ
ージガス供給路８４、パージガス通路８６、パージガス
吹出し溝８５を通してパージガスが供給され、基板７４
の外周囲からパージガスを吹き出すことによって基板７
４の裏面に成膜が行われることを防いでいる。パージガ
ス吹出し溝８５に導入されたパージガスは、基板７４と
基板保持体７３との間に設けられた隙間９２を介して反
応容器７１内へ吹出し、基板７４の裏面に反応ガスが回
り込むのを防止する。またパージガス導入部８８、基板
保持体７３と石英窓７９とシールド部材８７とで形成さ
れるパージガスの通路によって他のパージガスが供給さ
れ、基板保持体７３の周囲からパージガスを吹き出すこ
とによって石英窓７９や基板保持体７３に成膜が行われ
るのを防いでいる。
応ガス供給板７２から反応容器７１内に反応ガスが導入
され、基板７４の上に所望の薄膜が形成される。反応容
器７１内で生じた未反応ガスや副生成ガスは排気部７５
から排気される。成膜の間、パージガス導入部８３、パ
ージガス供給路８４、パージガス通路８６、パージガス
吹出し溝８５を通してパージガスが供給され、基板７４
の外周囲からパージガスを吹き出すことによって基板７
４の裏面に成膜が行われることを防いでいる。パージガ
ス吹出し溝８５に導入されたパージガスは、基板７４と
基板保持体７３との間に設けられた隙間９２を介して反
応容器７１内へ吹出し、基板７４の裏面に反応ガスが回
り込むのを防止する。またパージガス導入部８８、基板
保持体７３と石英窓７９とシールド部材８７とで形成さ
れるパージガスの通路によって他のパージガスが供給さ
れ、基板保持体７３の周囲からパージガスを吹き出すこ
とによって石英窓７９や基板保持体７３に成膜が行われ
るのを防いでいる。
【００１６】一方、基板保持体７３等に付着した膜は、
各成膜ごと、またはロット枚数ごとにＲＩＥクリーニン
グを行って除去される。
各成膜ごと、またはロット枚数ごとにＲＩＥクリーニン
グを行って除去される。
【００１７】上記のＣＶＤ装置における通常の成膜条件
は、Ｂ−Ｗ膜の成膜に関し、成膜初期の核生成段階とし
て、反応ガスＷＦ6 は２〜１０sccm、ＳｉＨ4 は２〜１
０sccm、パージガス（Ａｒ）は１００〜５００sccm、成
膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜１０To
rrで成膜が行われ、続いて、Ｈ2 の還元により厚膜が形
成される成膜条件は、反応ガスＷＦ6 は５０〜２００sc
cm、Ｈ2 は５００〜２０００sccm、パージガスＡｒは３
００〜１０００sccm、成膜温度は４００〜５００℃、成
膜圧力は３０〜７０Torrである。
は、Ｂ−Ｗ膜の成膜に関し、成膜初期の核生成段階とし
て、反応ガスＷＦ6 は２〜１０sccm、ＳｉＨ4 は２〜１
０sccm、パージガス（Ａｒ）は１００〜５００sccm、成
膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜１０To
rrで成膜が行われ、続いて、Ｈ2 の還元により厚膜が形
成される成膜条件は、反応ガスＷＦ6 は５０〜２００sc
cm、Ｈ2 は５００〜２０００sccm、パージガスＡｒは３
００〜１０００sccm、成膜温度は４００〜５００℃、成
膜圧力は３０〜７０Torrである。
【００１８】次に図８を参照して従来のＢ−Ｗ膜ＣＶＤ
装置の第２の例を説明する。図８において、図７で説明
した従来装置における構成要素と実質的に同一の要素に
は同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
装置の第２の例を説明する。図８において、図７で説明
した従来装置における構成要素と実質的に同一の要素に
は同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００１９】図８に示した従来装置においても、反応容
器７１の内部の上方に反応ガス供給板７２が設けられ、
下方に基板保持体９３が設けられる。反応容器７１に排
気部７５が付設される。基板保持体７３は、上面に差圧
溝７８が形成され、中央部に貫通孔７６が形成される。
差圧溝７８は貫通孔７６に通じている。反応容器７１の
下壁には石英窓７９が取り付けられ、石英窓７９の中央
部に筒状支持体９４が固定される。筒状支持体９４の上
部に上記基板保持体９３が複数本のネジ９５で固定され
る。基板保持体９３の貫通孔７６は、支持体９４の中央
孔に接続され、さらに差圧チャック排気部７７に連結さ
れる。石英窓７９の下側には、加熱ランプ９０と反射部
を備えたランプ支持部材８９が配置される。また端壁８
０にパージガス導入部８８が設けられる。
器７１の内部の上方に反応ガス供給板７２が設けられ、
下方に基板保持体９３が設けられる。反応容器７１に排
気部７５が付設される。基板保持体７３は、上面に差圧
溝７８が形成され、中央部に貫通孔７６が形成される。
差圧溝７８は貫通孔７６に通じている。反応容器７１の
下壁には石英窓７９が取り付けられ、石英窓７９の中央
部に筒状支持体９４が固定される。筒状支持体９４の上
部に上記基板保持体９３が複数本のネジ９５で固定され
る。基板保持体９３の貫通孔７６は、支持体９４の中央
孔に接続され、さらに差圧チャック排気部７７に連結さ
れる。石英窓７９の下側には、加熱ランプ９０と反射部
を備えたランプ支持部材８９が配置される。また端壁８
０にパージガス導入部８８が設けられる。
【００２０】上記の基板保持体９３の上面に載置された
基板７４は、前述した差圧チャックの方式で固定され
る。
基板７４は、前述した差圧チャックの方式で固定され
る。
【００２１】基板保持体９３の上面周囲には、さらにリ
ング板９６が配置される。このリング板９６は、複数本
の上下軸部９７に支持され、この上下軸部９７によって
上下に移動可能となっている。リング板９６は、基板保
持体９３上に固定された基板７４の外周縁の近くに配置
される。リング板９６の内周縁と基板７４の外周縁とは
重なる状態にある。またリング板９６の外側の位置には
筒状のシールド部材９８が配置される。シールド部材９
８の上縁にはシールリング９９が設けられる。リング板
９６が下限位置に移動すると、リング板９６の外周縁の
下側はシールド部材９８のシールリング９９に接触す
る。この下限位置状態において、反応容器７１の下壁、
シールド部材９８、リング板９６、基板保持体９３によ
って、パージガス導入部８８で導入されたパージガスの
流れる通路が形成される。反応容器７１内に導入された
パージガスは、リング板９６と基板７４との間に形成さ
れた一定の隙間１００から吹き出される。かかる構成に
よって、反応ガス供給板７２によって供給された反応ガ
スが、基板７４の裏面に回り込み、裏面成膜が生じるの
を防止する。
ング板９６が配置される。このリング板９６は、複数本
の上下軸部９７に支持され、この上下軸部９７によって
上下に移動可能となっている。リング板９６は、基板保
持体９３上に固定された基板７４の外周縁の近くに配置
される。リング板９６の内周縁と基板７４の外周縁とは
重なる状態にある。またリング板９６の外側の位置には
筒状のシールド部材９８が配置される。シールド部材９
８の上縁にはシールリング９９が設けられる。リング板
９６が下限位置に移動すると、リング板９６の外周縁の
下側はシールド部材９８のシールリング９９に接触す
る。この下限位置状態において、反応容器７１の下壁、
シールド部材９８、リング板９６、基板保持体９３によ
って、パージガス導入部８８で導入されたパージガスの
流れる通路が形成される。反応容器７１内に導入された
パージガスは、リング板９６と基板７４との間に形成さ
れた一定の隙間１００から吹き出される。かかる構成に
よって、反応ガス供給板７２によって供給された反応ガ
スが、基板７４の裏面に回り込み、裏面成膜が生じるの
を防止する。
【００２２】リング板９６を上下動するようにしたの
は、リング板９６が基板７４の外周縁をわずかに基板上
方から覆い、基板との間で所望の隙間１００を形成し、
堆積膜の分布に影響しない程度の範囲内で基板７４とリ
ング板９６の隙間１００におけるパージガス吹出し速度
を所望のものにするためである。
は、リング板９６が基板７４の外周縁をわずかに基板上
方から覆い、基板との間で所望の隙間１００を形成し、
堆積膜の分布に影響しない程度の範囲内で基板７４とリ
ング板９６の隙間１００におけるパージガス吹出し速度
を所望のものにするためである。
【００２３】今までの実験結果によれば、下記の通常の
成膜条件において、吹出し速度が５０〜７００cm／min
であれば、裏面成膜が生じない。そのことは、基板７４
とリング板９６との隙間１００が０．２mmのとき、６イ
ンチ基板への成膜では、パージガス流量が約５０〜７０
０sccmの場合に相当し、得られた基板上の成膜分布は６
インチ基板において外周から１０mm以内の範囲において
２〜３％であった。
成膜条件において、吹出し速度が５０〜７００cm／min
であれば、裏面成膜が生じない。そのことは、基板７４
とリング板９６との隙間１００が０．２mmのとき、６イ
ンチ基板への成膜では、パージガス流量が約５０〜７０
０sccmの場合に相当し、得られた基板上の成膜分布は６
インチ基板において外周から１０mm以内の範囲において
２〜３％であった。
【００２４】第２例の従来装置における通常の成膜条件
は、Ｂ−Ｗ膜の成膜に関し、成膜初期の核生成段階とし
て、反応ガスＷＦ6 は２〜１０sccm、ＳｉＨ4 は２〜１
０sccm、パージガス（Ａｒ）は１００〜３００sccm、成
膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜１０To
rrで成膜が行われ、続いて、Ｈ2 の還元により厚膜が形
成される成膜条件は、反応ガスＷＦ6 は５０〜２００sc
cm、Ｈ2 は５００〜２０００sccm、パージガスＡｒは３
００〜７０００sccm、基板保持体の温度は４００〜５０
０℃、成膜圧力は３０〜７０Torrである。
は、Ｂ−Ｗ膜の成膜に関し、成膜初期の核生成段階とし
て、反応ガスＷＦ6 は２〜１０sccm、ＳｉＨ4 は２〜１
０sccm、パージガス（Ａｒ）は１００〜３００sccm、成
膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜１０To
rrで成膜が行われ、続いて、Ｈ2 の還元により厚膜が形
成される成膜条件は、反応ガスＷＦ6 は５０〜２００sc
cm、Ｈ2 は５００〜２０００sccm、パージガスＡｒは３
００〜７０００sccm、基板保持体の温度は４００〜５０
０℃、成膜圧力は３０〜７０Torrである。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】第１の例として説明さ
れた従来のＣＶＤ装置は次の問題を有する。基板７４の
裏面成膜を防止するためにパージガスを基板７４の外周
縁に流すにあたって、基板保持体７３のパージガス吹出
し溝８５に沿った方向において、当該溝８５にパージガ
スを供給するパージガス通路８６の出口付近に偏った状
態でパージガスが吹出すという傾向が生じる。その結
果、基板７４と基板保持体７３の隙間から均一にパージ
ガスが出ず、パージガスの吹出しの弱い部分が生じ、そ
の弱い部分で裏面成膜が起こる。図９は、裏面成膜によ
る基板７４の裏面の薄膜付着状況を示す。パージガス通
路８６としては８本の通路が設けられているが、各通路
の出口に対応する箇所１０１間の領域にＷ膜１０２が付
着が生じている。
れた従来のＣＶＤ装置は次の問題を有する。基板７４の
裏面成膜を防止するためにパージガスを基板７４の外周
縁に流すにあたって、基板保持体７３のパージガス吹出
し溝８５に沿った方向において、当該溝８５にパージガ
スを供給するパージガス通路８６の出口付近に偏った状
態でパージガスが吹出すという傾向が生じる。その結
果、基板７４と基板保持体７３の隙間から均一にパージ
ガスが出ず、パージガスの吹出しの弱い部分が生じ、そ
の弱い部分で裏面成膜が起こる。図９は、裏面成膜によ
る基板７４の裏面の薄膜付着状況を示す。パージガス通
路８６としては８本の通路が設けられているが、各通路
の出口に対応する箇所１０１間の領域にＷ膜１０２が付
着が生じている。
【００２６】またパージガスの流量を多くして吹出しの
相対的に弱い部分に十分なパージガスを供給しようとし
ても、吹出しの強弱の関係は変化せず、吹出しの強い部
分での温度の低下や反応ガスの濃度低下を引き起こし、
分布劣化を生じる。
相対的に弱い部分に十分なパージガスを供給しようとし
ても、吹出しの強弱の関係は変化せず、吹出しの強い部
分での温度の低下や反応ガスの濃度低下を引き起こし、
分布劣化を生じる。
【００２７】さらに、パージガスを多くすると、パージ
ガスにより基板垂直方向に力が働くために、基板７４が
基板保持体７３から外れやすくなる。特に、成膜圧力が
１０Torr以下の成膜では、基板の表面と差圧溝との差圧
が小さくなって不安定であり、ガス導入時や成膜終了後
の排気時にいっそう不安定になる。
ガスにより基板垂直方向に力が働くために、基板７４が
基板保持体７３から外れやすくなる。特に、成膜圧力が
１０Torr以下の成膜では、基板の表面と差圧溝との差圧
が小さくなって不安定であり、ガス導入時や成膜終了後
の排気時にいっそう不安定になる。
【００２８】加えて従来装置のように、パージガス供給
部や差圧チャックの排気系と基板保持体とを結合する支
持部分と、基板保持体とが一体になっていると、メイン
テナンス性が問題になる。すなわち、基板保持体のクリ
ーニングや交換時の取り外しが面倒となる。
部や差圧チャックの排気系と基板保持体とを結合する支
持部分と、基板保持体とが一体になっていると、メイン
テナンス性が問題になる。すなわち、基板保持体のクリ
ーニングや交換時の取り外しが面倒となる。
【００２９】また第２の例として説明された従来のＣＶ
Ｄ装置は次の問題を有する。このＣＶＤ装置は、リング
板９６を上下動させる構造を備えているため、第１に機
構が複雑になり、第２にパーティクル発生の原因を作
り、第３に上下動の時間によってスループットを低下さ
せるという問題を提起する。
Ｄ装置は次の問題を有する。このＣＶＤ装置は、リング
板９６を上下動させる構造を備えているため、第１に機
構が複雑になり、第２にパーティクル発生の原因を作
り、第３に上下動の時間によってスループットを低下さ
せるという問題を提起する。
【００３０】機構の複雑性の問題は、上下機構と駆動機
構を必要とすることに起因する。またパージガスの通路
を形成するための構造、当該パージガス通路と反応容器
の内部空間との機密性を保持するための構造が要求され
ることが機構の複雑性の問題を大きくする。機構の複雑
性は、メインテナンス作業性を低下し、装置稼働率を低
下させる。
構を必要とすることに起因する。またパージガスの通路
を形成するための構造、当該パージガス通路と反応容器
の内部空間との機密性を保持するための構造が要求され
ることが機構の複雑性の問題を大きくする。機構の複雑
性は、メインテナンス作業性を低下し、装置稼働率を低
下させる。
【００３１】パーティクル発生の問題は、機械的な動作
部分に起因する。当該機械的な動作は、反応容器内にパ
ーティクルを発生させ、半導体製造において歩留まりを
劣化させる。特にリング板９６の先部に膜が付着した場
合にパーティクルは発生しやすい。
部分に起因する。当該機械的な動作は、反応容器内にパ
ーティクルを発生させ、半導体製造において歩留まりを
劣化させる。特にリング板９６の先部に膜が付着した場
合にパーティクルは発生しやすい。
【００３２】またスループットを低下する問題が起きる
理由は、リング板９６の上下動時においてその間基板が
静止状態に保たれなければならず、Ｂ−Ｗ膜の処理時間
は通常４〜５分程度で、この成膜時間および反応容器内
の基板搬送時間で全体のスループットが決まるからであ
る。
理由は、リング板９６の上下動時においてその間基板が
静止状態に保たれなければならず、Ｂ−Ｗ膜の処理時間
は通常４〜５分程度で、この成膜時間および反応容器内
の基板搬送時間で全体のスループットが決まるからであ
る。
【００３３】本発明の第１の目的は、パージガスを基板
の外周縁に吹出すときに、吹出しの不均一をなくして裏
面成膜の発生を防止し、基板の外周縁に至るまで基板全
面に良好な分布の成膜を行うことができ、高い生産性と
高い歩留まりを得ることができるＣＶＤ装置を提供する
ことにある。
の外周縁に吹出すときに、吹出しの不均一をなくして裏
面成膜の発生を防止し、基板の外周縁に至るまで基板全
面に良好な分布の成膜を行うことができ、高い生産性と
高い歩留まりを得ることができるＣＶＤ装置を提供する
ことにある。
【００３４】本発明の第２の目的は、装置の構造を簡素
化し、生産性を高め、低圧条件の成膜にも最適に対処で
きるＣＶＤ装置を提供することにある。
化し、生産性を高め、低圧条件の成膜にも最適に対処で
きるＣＶＤ装置を提供することにある。
【００３５】
【課題を解決するための手段】第１の本発明（請求項
１）に係るＣＶＤ装置は、上記目的を達成するために、
反応容器と、反応容器内に配置され、成膜対象である基
板を配置する基板保持体と、反応容器の内部を排気する
排気部と、反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供
給装置と、基板保持体を加熱する加熱装置と、基板保持
体の上に配置された基板を当該基板の成膜面に押力を加
えることなく例えば圧力差で固定する差圧チャック固定
部と、パージガスを供給するパージガス供給部とを備
え、基板保持体で、その基板配置面に基板の直径よりも
小さい直径の外壁面を有する円形のパージガス吹出し溝
を形成し、その内部にパージガス供給部で導入されたパ
ージガスをパージガス吹出し溝に供給する複数のパージ
ガス通路を形成し、パージガスを、パージガス吹出し溝
を通して基板の外周縁と基板保持体との隙間から反応容
器内に吹出すように構成された基本構成を有し、さら
に、パージガス通路が、基板保持体の径方向に向く径方
向部を含み、パージガス吹出し溝の外壁面に設けられた
パージガス吐出口を有するように形成される。
１）に係るＣＶＤ装置は、上記目的を達成するために、
反応容器と、反応容器内に配置され、成膜対象である基
板を配置する基板保持体と、反応容器の内部を排気する
排気部と、反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供
給装置と、基板保持体を加熱する加熱装置と、基板保持
体の上に配置された基板を当該基板の成膜面に押力を加
えることなく例えば圧力差で固定する差圧チャック固定
部と、パージガスを供給するパージガス供給部とを備
え、基板保持体で、その基板配置面に基板の直径よりも
小さい直径の外壁面を有する円形のパージガス吹出し溝
を形成し、その内部にパージガス供給部で導入されたパ
ージガスをパージガス吹出し溝に供給する複数のパージ
ガス通路を形成し、パージガスを、パージガス吹出し溝
を通して基板の外周縁と基板保持体との隙間から反応容
器内に吹出すように構成された基本構成を有し、さら
に、パージガス通路が、基板保持体の径方向に向く径方
向部を含み、パージガス吹出し溝の外壁面に設けられた
パージガス吐出口を有するように形成される。
【００３６】第２の本発明（請求項２）に係るＣＶＤ装
置は、前述の基本構成を有し、さらに、パージガス通路
が、基板保持体の径方向に向く径方向部を含み、パージ
ガス吹出し溝の外壁面に設けられたガス吐出口を有する
ように形成されると共に、基板保持体の基板配置面の周
囲を被うリング板部と基板保持体の側部周囲を被う筒部
からなり、基板保持体の周囲に他のパージガス供給路を
形成し、リング板部と基板保持体の間の隙間から他のパ
ージガスを吹出させるシールド部材を備え、これによっ
て第１および第２のパージガスを供給するための２つの
パージガス供給路を設けるように構成される。
置は、前述の基本構成を有し、さらに、パージガス通路
が、基板保持体の径方向に向く径方向部を含み、パージ
ガス吹出し溝の外壁面に設けられたガス吐出口を有する
ように形成されると共に、基板保持体の基板配置面の周
囲を被うリング板部と基板保持体の側部周囲を被う筒部
からなり、基板保持体の周囲に他のパージガス供給路を
形成し、リング板部と基板保持体の間の隙間から他のパ
ージガスを吹出させるシールド部材を備え、これによっ
て第１および第２のパージガスを供給するための２つの
パージガス供給路を設けるように構成される。
【００３７】第３の本発明（請求項３）に係るＣＶＤ装
置は、第１または第２の発明において、パージガス吹出
し溝が基板配置面に好ましくは垂直に形成され、パージ
ガス通路が基板保持体の径方向を向く径方向部と軸方向
を向く軸方向部からなり、パージガス通路の径方向部は
中心方向に折り返されてパージガス吹出し溝に接続され
るように構成される。
置は、第１または第２の発明において、パージガス吹出
し溝が基板配置面に好ましくは垂直に形成され、パージ
ガス通路が基板保持体の径方向を向く径方向部と軸方向
を向く軸方向部からなり、パージガス通路の径方向部は
中心方向に折り返されてパージガス吹出し溝に接続され
るように構成される。
【００３８】第４の本発明（請求項４）に係るＣＶＤ装
置は、第１〜第３の発明において、パージガス吹出し溝
に接続されるパージガス通路の径方向部が、パージガス
吹出し溝の前記外壁面に対して好ましくは垂直であるよ
うに形成される。
置は、第１〜第３の発明において、パージガス吹出し溝
に接続されるパージガス通路の径方向部が、パージガス
吹出し溝の前記外壁面に対して好ましくは垂直であるよ
うに形成される。
【００３９】第５の本発明（請求項５）に係るＣＶＤ装
置は、第１または第２の発明において、パージガス通路
のパージガス吐出口が、パージガス吹出し溝の底部近傍
に設けられる。
置は、第１または第２の発明において、パージガス通路
のパージガス吐出口が、パージガス吹出し溝の底部近傍
に設けられる。
【００４０】第６の本発明（請求項６）に係るＣＶＤ装
置は、第１または第２の発明において、基板保持体にお
けるパージガス吹出し溝よりも内側部分の表面とパージ
ガス吹出し溝よりも外側部分の表面との間に段差を設け
るようにした。
置は、第１または第２の発明において、基板保持体にお
けるパージガス吹出し溝よりも内側部分の表面とパージ
ガス吹出し溝よりも外側部分の表面との間に段差を設け
るようにした。
【００４１】第７の本発明（請求項７）に係るＣＶＤ装
置は、第６の発明において、段差の高さは、基板と前記
基板保持体との間に当該段差に基づいて形成される隙間
から吹出されるパージガスの速度が５０〜７００cm/min
の範囲に設定される。
置は、第６の発明において、段差の高さは、基板と前記
基板保持体との間に当該段差に基づいて形成される隙間
から吹出されるパージガスの速度が５０〜７００cm/min
の範囲に設定される。
【００４２】第８の本発明（請求項８）に係るＣＶＤ装
置は、第１または第２の発明において、基板保持体にお
けるパージガス吹出し溝よりも内側部分の表面とパージ
ガス吹出し溝よりも外側部分の表面の高さを同じとし、
外側部分の表面における少なくとも基板の外周縁よりも
内側の範囲に微細な凹凸を形成した。
置は、第１または第２の発明において、基板保持体にお
けるパージガス吹出し溝よりも内側部分の表面とパージ
ガス吹出し溝よりも外側部分の表面の高さを同じとし、
外側部分の表面における少なくとも基板の外周縁よりも
内側の範囲に微細な凹凸を形成した。
【００４３】第９の本発明（請求項９）に係るＣＶＤ装
置は、第１または第２の発明において、パージガス吹出
し溝に、その内壁面側に位置するリング部材が配置され
るようにした。
置は、第１または第２の発明において、パージガス吹出
し溝に、その内壁面側に位置するリング部材が配置され
るようにした。
【００４４】第１０の本発明（請求項１０）に係るＣＶ
Ｄ装置は、第２の発明において、シールド部材のリング
板部の内周縁は、基板に対して非接触の状態にあり、基
板および基板保持体との間に所定の間隔が形成されるよ
うにした。
Ｄ装置は、第２の発明において、シールド部材のリング
板部の内周縁は、基板に対して非接触の状態にあり、基
板および基板保持体との間に所定の間隔が形成されるよ
うにした。
【００４５】第１１の本発明（請求項１１）に係るＣＶ
Ｄ装置は、第１０の発明において、リング板部の内周縁
の径が基板の径よりも大きいようにされる。
Ｄ装置は、第１０の発明において、リング板部の内周縁
の径が基板の径よりも大きいようにされる。
【００４６】第１２の本発明（請求項１２）に係るＣＶ
Ｄ装置は、第１０の発明において、リング板部と基板保
持体の間の隙間の距離が、当該隙間から吹出すパージガ
スの速度が５０〜７００cm／min の範囲に含まれるよう
に設定される。
Ｄ装置は、第１０の発明において、リング板部と基板保
持体の間の隙間の距離が、当該隙間から吹出すパージガ
スの速度が５０〜７００cm／min の範囲に含まれるよう
に設定される。
【００４７】第１３の本発明（請求項１３）に係るＣＶ
Ｄ装置は、前述の基本構成を有するものにおいて、複数
のパージガス通路の各々の出口から吹出されるパージガ
スの吹出し方向と、基板と基板保持体の間の隙における
各出口に対応する部分からのパージガス吹出し方向とが
反対になるように、複数のパージガス通路の各々が形成
される。
Ｄ装置は、前述の基本構成を有するものにおいて、複数
のパージガス通路の各々の出口から吹出されるパージガ
スの吹出し方向と、基板と基板保持体の間の隙における
各出口に対応する部分からのパージガス吹出し方向とが
反対になるように、複数のパージガス通路の各々が形成
される。
【００４８】
【作用】本発明では、基板保持体の基板配置面に形成さ
れた円形のパージガス吹出し溝に接続されるように基板
保持体内に形成され、導入されたパージガスをパージガ
ス吹出し溝に供給するパージガス通路が、パージガス吐
出口がパージガス吹出し溝の外壁面に設けられるので、
パージガス吐出口からのパージガス吹出し方向と、基板
と基板保持体の間の隙間からのパージガス吹出し方向と
が逆方向となり、パージガス吹出し溝に供給されたパー
ジガスにおける当該溝の円周方向の流れが複雑となっ
て、当該溝の方向のパージガスの流れが分散され、基板
の外周縁全周のパージガス吹出し圧力が均一化される。
れた円形のパージガス吹出し溝に接続されるように基板
保持体内に形成され、導入されたパージガスをパージガ
ス吹出し溝に供給するパージガス通路が、パージガス吐
出口がパージガス吹出し溝の外壁面に設けられるので、
パージガス吐出口からのパージガス吹出し方向と、基板
と基板保持体の間の隙間からのパージガス吹出し方向と
が逆方向となり、パージガス吹出し溝に供給されたパー
ジガスにおける当該溝の円周方向の流れが複雑となっ
て、当該溝の方向のパージガスの流れが分散され、基板
の外周縁全周のパージガス吹出し圧力が均一化される。
【００４９】また基板保持体内に形成されるパージガス
通路、基板保持体の基板配置面に形成されるパージガス
吹出し溝で形成される第１のパージガス供給路で供給さ
れる第１のパージガスと、基板保持体の周囲にシールド
部材を利用して形成される第２のパージガス供給路で供
給される第２のパージガスとを適宜に組合せることによ
って、低圧条件での基板固定を安定なものとし、かつ基
板の裏面成膜の防止作用を高める。
通路、基板保持体の基板配置面に形成されるパージガス
吹出し溝で形成される第１のパージガス供給路で供給さ
れる第１のパージガスと、基板保持体の周囲にシールド
部材を利用して形成される第２のパージガス供給路で供
給される第２のパージガスとを適宜に組合せることによ
って、低圧条件での基板固定を安定なものとし、かつ基
板の裏面成膜の防止作用を高める。
【００５０】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００５１】図１〜図３を参照して本発明に係るＣＶＤ
装置の第１実施例を説明する。この例ではＢ−Ｗ膜ＣＶ
Ｄ装置を示す。図１はＣＶＤ装置の要部の縦断面図、図
２は基板保持体の要部平面図、図３は基板保持体の一部
拡大縦断面図である。
装置の第１実施例を説明する。この例ではＢ−Ｗ膜ＣＶ
Ｄ装置を示す。図１はＣＶＤ装置の要部の縦断面図、図
２は基板保持体の要部平面図、図３は基板保持体の一部
拡大縦断面図である。
【００５２】図１に示したＣＶＤ装置では、反応容器１
１内の上方位置に反応ガス供給板１２が設けられ、下方
位置に基板保持体１３が設けられる。基板保持体１３は
例えばアルミニウムで形成され、基板保持体１３の上面
に基板１５が配置される。基板保持体１３の平面形状は
円形である。
１内の上方位置に反応ガス供給板１２が設けられ、下方
位置に基板保持体１３が設けられる。基板保持体１３は
例えばアルミニウムで形成され、基板保持体１３の上面
に基板１５が配置される。基板保持体１３の平面形状は
円形である。
【００５３】反応ガス供給板１２の下面には複数のガス
吹出し孔１２ａが形成され、ガス供給管１４で供給され
た反応ガスがガス吹出し孔１２ａから吹出し、反応容器
１１内に導入される。反応ガス供給板１２の下面は、基
板保持体１３の上に配置された基板１５に対向してい
る。反応ガス供給板１２で供給された反応ガスによっ
て、基板１５の表面に所望の薄膜が形成される。反応容
器１１内で生じた未反応ガスおよび副生成ガスは排気部
１６によって排気される。
吹出し孔１２ａが形成され、ガス供給管１４で供給され
た反応ガスがガス吹出し孔１２ａから吹出し、反応容器
１１内に導入される。反応ガス供給板１２の下面は、基
板保持体１３の上に配置された基板１５に対向してい
る。反応ガス供給板１２で供給された反応ガスによっ
て、基板１５の表面に所望の薄膜が形成される。反応容
器１１内で生じた未反応ガスおよび副生成ガスは排気部
１６によって排気される。
【００５４】基板保持体１３の中心部には上下方向に貫
通状態で形成された孔１７が設けられ、この孔１７は下
方の差圧チャック排気部１８と連結される。差圧チャッ
ク排気部１８は、反応容器１１に付設された上記排気部
１６とは別のものである。基板保持体１３の上面には、
基板１５と接する部分に上記貫通孔１７と連結された差
圧溝１９が設けられている。差圧溝１９は、図２に示す
ように、径方向に向かう放射状の例えば８本の直線溝１
９ａと、同心円状に配置された例えば２本の円周溝１９
ｂとからなる。差圧溝１９の深さは例えば１mm、幅は例
えば１．５mmである。また円周溝１９ｂに関し、例え
ば、内側の円周溝の直径は７１mm、外側の円周溝の直径
は１３３mmである。基板１５が基板保持体１３の上面に
載置された後に差圧溝１９を差圧チャック排気部１８に
よって真空に排気すると、基板１５の表面と差圧溝１９
との間に圧力差が生じる。この圧力差によって、基板１
５は基板保持体１３の上に固定される。この基板固定手
段によれば、基板１５の成膜が行われる面に機械的な接
触が直接的に行われず、基板１５の表面全面に成膜を行
うことができる。通常、この固定方法は差圧チャックま
たは真空チャックと呼ばれる。なお固定手段としては、
静電チャック装置を用いることもできる。
通状態で形成された孔１７が設けられ、この孔１７は下
方の差圧チャック排気部１８と連結される。差圧チャッ
ク排気部１８は、反応容器１１に付設された上記排気部
１６とは別のものである。基板保持体１３の上面には、
基板１５と接する部分に上記貫通孔１７と連結された差
圧溝１９が設けられている。差圧溝１９は、図２に示す
ように、径方向に向かう放射状の例えば８本の直線溝１
９ａと、同心円状に配置された例えば２本の円周溝１９
ｂとからなる。差圧溝１９の深さは例えば１mm、幅は例
えば１．５mmである。また円周溝１９ｂに関し、例え
ば、内側の円周溝の直径は７１mm、外側の円周溝の直径
は１３３mmである。基板１５が基板保持体１３の上面に
載置された後に差圧溝１９を差圧チャック排気部１８に
よって真空に排気すると、基板１５の表面と差圧溝１９
との間に圧力差が生じる。この圧力差によって、基板１
５は基板保持体１３の上に固定される。この基板固定手
段によれば、基板１５の成膜が行われる面に機械的な接
触が直接的に行われず、基板１５の表面全面に成膜を行
うことができる。通常、この固定方法は差圧チャックま
たは真空チャックと呼ばれる。なお固定手段としては、
静電チャック装置を用いることもできる。
【００５５】上記の差圧溝１９の構造によって、基板１
５を基板保持体１３に固定することができる。本実施例
のＣＶＤ装置の構造によれば、基板１５の上面すなわち
成膜面に対して直接に接触するものが存在しないために
基板１５の表面の温度分布は、基板保持体１３の温度分
布が均一ならば、基板１５と基板保持体１３の接触状態
のみによって決定される。それ故に、基板１５が基板保
持体１３上に均一に固定されるならば、基板１５は均一
な温度分布を持つことになる。
５を基板保持体１３に固定することができる。本実施例
のＣＶＤ装置の構造によれば、基板１５の上面すなわち
成膜面に対して直接に接触するものが存在しないために
基板１５の表面の温度分布は、基板保持体１３の温度分
布が均一ならば、基板１５と基板保持体１３の接触状態
のみによって決定される。それ故に、基板１５が基板保
持体１３上に均一に固定されるならば、基板１５は均一
な温度分布を持つことになる。
【００５６】反応容器１１の下壁部１１ａには、中央部
に筒状部２０ａが形成された石英窓２０が取り付けられ
る。筒状部２０ａの下側開口部には端壁２１が設けら
れ、この端壁２１には内外二重の筒体２２が取り付けら
れる。筒体２２は基板保持体１３を支持する働きを有す
る。筒体２２の下部は閉じられ、上部には連結体２３が
固設される。筒体２２の内側筒部２２ａは上記孔１７に
通じる孔を形成し、筒体２２の下壁から外部に延設され
る。筒体２２の外側筒部２２ｂと内側筒部２２ａの間の
空間にはパージガス導入部２４を介してパージガス（第
１のパージガス）が供給される。上記連結体２３には、
その中央部に上記の孔１７や内側筒部２２ａ内の孔に通
じる孔２３ａが形成され、その周囲部に例えば１０本の
パージガス供給路２５が形成される。
に筒状部２０ａが形成された石英窓２０が取り付けられ
る。筒状部２０ａの下側開口部には端壁２１が設けら
れ、この端壁２１には内外二重の筒体２２が取り付けら
れる。筒体２２は基板保持体１３を支持する働きを有す
る。筒体２２の下部は閉じられ、上部には連結体２３が
固設される。筒体２２の内側筒部２２ａは上記孔１７に
通じる孔を形成し、筒体２２の下壁から外部に延設され
る。筒体２２の外側筒部２２ｂと内側筒部２２ａの間の
空間にはパージガス導入部２４を介してパージガス（第
１のパージガス）が供給される。上記連結体２３には、
その中央部に上記の孔１７や内側筒部２２ａ内の孔に通
じる孔２３ａが形成され、その周囲部に例えば１０本の
パージガス供給路２５が形成される。
【００５７】上記基板保持体１３は、連結体２３にネジ
１９で固定され、上記筒体２２に取り付けられる。これ
によって基板保持体１３は、筒体２２に支持された状態
で、反応容器１１の下側中央部に好ましくはほぼ水平状
態で配置される。基板保持体１３と連結体２３と支持用
筒体２２は一体的に形成される。この構造によって、差
圧チャックを形成する孔１７等、バージガス供給路２
５、反応容器１１の内部空間が互いに隔離される。な
お、連結体２３と基板保持体１３との接触面には、パー
ジガスが通路外に漏れるのを防止するためのシール材２
７が設けられる。
１９で固定され、上記筒体２２に取り付けられる。これ
によって基板保持体１３は、筒体２２に支持された状態
で、反応容器１１の下側中央部に好ましくはほぼ水平状
態で配置される。基板保持体１３と連結体２３と支持用
筒体２２は一体的に形成される。この構造によって、差
圧チャックを形成する孔１７等、バージガス供給路２
５、反応容器１１の内部空間が互いに隔離される。な
お、連結体２３と基板保持体１３との接触面には、パー
ジガスが通路外に漏れるのを防止するためのシール材２
７が設けられる。
【００５８】基板保持体１３には、その表面に円形溝で
あるパージガス吹出し溝２８が形成され、さらにその内
部に例えば１０本のパージガス通路２９が形成される。
１０本のパージガス通路２９の各々は、連結体２３にお
ける対応するパージガス供給路２５と、基板保持体１３
の上面に形成されたパージガス吹出し溝２８とを接続す
る。各パージガス通路２９は、パージガス導入部２４に
よって導入される第１のパージガスをパージガス吹出し
溝２８に対して供給する。各パージガス通路２９は、好
ましくは水平であって基板保持体１３の径方向を向いた
径方向部と、好ましくは垂直であって基板保持体１３の
軸方向を向いた軸方向部とによって形成される。各パー
ジガス通路２９の径方向部は、図２に示すように、等角
度の間隔で放射状の位置に配置される。パージガス通路
２９の径方向部は、図１中下側に位置して円形のパージ
ガス吹出し溝２８の外壁面の半径よりも大きな長さを有
する第１の径方向部と、図１中上側に位置してパージガ
ス吹出し溝２８の外壁面にパージガス吐出口（出口部）
が形成される第２の径方向部とがある。パージガス通路
２９の形状は全体としてパージガス吹出し溝２８の半径
よりも長くなるように径方向に延設され、かつその後に
垂直な軸方向部を経由して基板保持体１３の中心部方向
に折り返され、パージガス吹出し溝２８に対してその外
側から接続される。
あるパージガス吹出し溝２８が形成され、さらにその内
部に例えば１０本のパージガス通路２９が形成される。
１０本のパージガス通路２９の各々は、連結体２３にお
ける対応するパージガス供給路２５と、基板保持体１３
の上面に形成されたパージガス吹出し溝２８とを接続す
る。各パージガス通路２９は、パージガス導入部２４に
よって導入される第１のパージガスをパージガス吹出し
溝２８に対して供給する。各パージガス通路２９は、好
ましくは水平であって基板保持体１３の径方向を向いた
径方向部と、好ましくは垂直であって基板保持体１３の
軸方向を向いた軸方向部とによって形成される。各パー
ジガス通路２９の径方向部は、図２に示すように、等角
度の間隔で放射状の位置に配置される。パージガス通路
２９の径方向部は、図１中下側に位置して円形のパージ
ガス吹出し溝２８の外壁面の半径よりも大きな長さを有
する第１の径方向部と、図１中上側に位置してパージガ
ス吹出し溝２８の外壁面にパージガス吐出口（出口部）
が形成される第２の径方向部とがある。パージガス通路
２９の形状は全体としてパージガス吹出し溝２８の半径
よりも長くなるように径方向に延設され、かつその後に
垂直な軸方向部を経由して基板保持体１３の中心部方向
に折り返され、パージガス吹出し溝２８に対してその外
側から接続される。
【００５９】基板保持体１３内に形成されるパージガス
通路２９は、実際には、それを形成する径方向部と軸方
向部のそれぞれを個別に、基板保持体１２の外面から孔
を開け、それぞれを接続することによって作製される。
径方向部と軸方向部の各孔を作製した後に、当該孔の開
口部は栓を埋めることにより閉じられる。
通路２９は、実際には、それを形成する径方向部と軸方
向部のそれぞれを個別に、基板保持体１２の外面から孔
を開け、それぞれを接続することによって作製される。
径方向部と軸方向部の各孔を作製した後に、当該孔の開
口部は栓を埋めることにより閉じられる。
【００６０】また基板保持体１３の上面では、バージガ
ス吹出し溝２８の内側に位置する表面すなわち基板配置
面と、バージガス吹出し溝２８の外側に位置する表面と
の間に段差が設けられる。この段差は、例えば０．２mm
である。この段差が設けられることによって、基板１５
を基板配置面に配置したとき、基板１５と基板保持体１
３の間にパージガスを吹出すための隙間３４が形成され
る。
ス吹出し溝２８の内側に位置する表面すなわち基板配置
面と、バージガス吹出し溝２８の外側に位置する表面と
の間に段差が設けられる。この段差は、例えば０．２mm
である。この段差が設けられることによって、基板１５
を基板配置面に配置したとき、基板１５と基板保持体１
３の間にパージガスを吹出すための隙間３４が形成され
る。
【００６１】連結体２３に形成されるパージガス供給路
２５の数は、基板保持体１３の１０本のパージガス通路
２９と同じであり、円周方向にて等角度の間隔で配置さ
れる。上記パージガス吹出し溝２８は、基板保持体１３
の上面（基板配置面）に対して好ましくは垂直になるよ
うに形成され、かつ好ましくは基板保持体１３上に配置
された基板１５に対してパージガス吹出し溝２８の外壁
面が基板１５の外周縁よりも内側の位置になるように形
成される。つまり、パージガス吹出し溝２８の外壁面の
半径（または直径）は基板１５の半径（または直径）よ
りも小さく設定される。かかるパージガス吹出し溝２８
の寸法は、例えば、その内径（内壁面の直径）は１４０
mm、深さは１０mm、幅は２．５mmである。パージガス通
路２９の出口（パージガス吐出口）は、かかるパージガ
ス吹出し溝２８に対し、パージガス吹出し溝２８の好ま
しくは下端（底部の近傍箇所）であって外壁面に開口す
るように接続される。
２５の数は、基板保持体１３の１０本のパージガス通路
２９と同じであり、円周方向にて等角度の間隔で配置さ
れる。上記パージガス吹出し溝２８は、基板保持体１３
の上面（基板配置面）に対して好ましくは垂直になるよ
うに形成され、かつ好ましくは基板保持体１３上に配置
された基板１５に対してパージガス吹出し溝２８の外壁
面が基板１５の外周縁よりも内側の位置になるように形
成される。つまり、パージガス吹出し溝２８の外壁面の
半径（または直径）は基板１５の半径（または直径）よ
りも小さく設定される。かかるパージガス吹出し溝２８
の寸法は、例えば、その内径（内壁面の直径）は１４０
mm、深さは１０mm、幅は２．５mmである。パージガス通
路２９の出口（パージガス吐出口）は、かかるパージガ
ス吹出し溝２８に対し、パージガス吹出し溝２８の好ま
しくは下端（底部の近傍箇所）であって外壁面に開口す
るように接続される。
【００６２】基板保持体１３の側部周囲には、反応容器
１１の下壁１１ａに固定された筒型（環状またはリング
状）のシールド部材３０が配置される。シールド部材３
０の高さは基板保持体１３の高さとほぼ同じである。シ
ールド部材３０を設けることによって、基板保持体１３
の下部および側部周囲には所要のスペースが形成され、
このスペースは、別途に設けられた他のパージガス導入
部３１によって導入されるパージガス（第２のパージガ
ス）を流すための通路として使用される。
１１の下壁１１ａに固定された筒型（環状またはリング
状）のシールド部材３０が配置される。シールド部材３
０の高さは基板保持体１３の高さとほぼ同じである。シ
ールド部材３０を設けることによって、基板保持体１３
の下部および側部周囲には所要のスペースが形成され、
このスペースは、別途に設けられた他のパージガス導入
部３１によって導入されるパージガス（第２のパージガ
ス）を流すための通路として使用される。
【００６３】反応容器１１の下側に、反射部を備えた環
状のランプ支持部材３１が配置される。ランプ支持部材
３１には、ほぼ等間隔で複数の加熱ランプ３２が配置さ
れる。加熱ランプ３２から生じた輻射熱（輻射光）は石
英窓２０を通して基板保持体１３に与えられ、基板保持
体１３を加熱する。基板１５は、基板保持体１３から伝
導される熱によって加熱される。基板保持体１３の温度
は内部に埋め込まれた熱電対３３によって測定され、そ
の測定データは、その後、図示しない加熱制御系によっ
て基板保持体１３の温度制御に使用される。
状のランプ支持部材３１が配置される。ランプ支持部材
３１には、ほぼ等間隔で複数の加熱ランプ３２が配置さ
れる。加熱ランプ３２から生じた輻射熱（輻射光）は石
英窓２０を通して基板保持体１３に与えられ、基板保持
体１３を加熱する。基板１５は、基板保持体１３から伝
導される熱によって加熱される。基板保持体１３の温度
は内部に埋め込まれた熱電対３３によって測定され、そ
の測定データは、その後、図示しない加熱制御系によっ
て基板保持体１３の温度制御に使用される。
【００６４】上記構成によれば、加熱ランプ３２によっ
て所望の温度に保持された基板保持体１３上に、差圧チ
ャックによって基板１５が固定される。かかる基板１５
に対向した反応ガス供給板１２から反応容器１１内に反
応ガスが導入され、基板１５の上に所望の薄膜が形成さ
れる。反応容器１１内で生じた未反応ガスや副生成ガス
は排気部１６から排気される。
て所望の温度に保持された基板保持体１３上に、差圧チ
ャックによって基板１５が固定される。かかる基板１５
に対向した反応ガス供給板１２から反応容器１１内に反
応ガスが導入され、基板１５の上に所望の薄膜が形成さ
れる。反応容器１１内で生じた未反応ガスや副生成ガス
は排気部１６から排気される。
【００６５】上記の実施例に係るＣＶＤ装置において、
通常の成膜条件は、成膜初期の核生成段階として、反応
ガスＷＦ6 は２〜１０sccm、ＳｉＨ4 は２〜１０sccm、
第１のパージガス（Ａｒ）は５０〜１５０sccm、第２の
パージガス（Ａｒ）は１５０〜３００sccm、成膜温度は
４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜５Torrで成膜が
行われ、続いて、Ｈ2 の還元により厚膜が形成される成
膜条件は、反応ガスＷＦ6 は５０〜２００sccm、Ｈ2 は
５００〜２０００sccm、第１のパージガス（Ａｒ）は３
００〜７００sccm、第２のパージガス（Ａｒ）は１００
〜３００sccm、成膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力
は３０〜７０Torrである。
通常の成膜条件は、成膜初期の核生成段階として、反応
ガスＷＦ6 は２〜１０sccm、ＳｉＨ4 は２〜１０sccm、
第１のパージガス（Ａｒ）は５０〜１５０sccm、第２の
パージガス（Ａｒ）は１５０〜３００sccm、成膜温度は
４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜５Torrで成膜が
行われ、続いて、Ｈ2 の還元により厚膜が形成される成
膜条件は、反応ガスＷＦ6 は５０〜２００sccm、Ｈ2 は
５００〜２０００sccm、第１のパージガス（Ａｒ）は３
００〜７００sccm、第２のパージガス（Ａｒ）は１００
〜３００sccm、成膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力
は３０〜７０Torrである。
【００６６】次に、上記実施例において基板１５の裏面
成膜を防止するための主要構成部分である第１のパージ
ガスに係るパージガス供給路の構成、およびその実施条
件について詳述する。
成膜を防止するための主要構成部分である第１のパージ
ガスに係るパージガス供給路の構成、およびその実施条
件について詳述する。
【００６７】第１のパージガスはパージガス導入部２４
によって導入され、筒体２２の内壁２２ａと外壁２２ｂ
の間を通り、連結体２３の１０本のパージガス供給路２
５に分散される。各パージガス供給路２５に分散された
パージガスは、基板保持体１３内における対応するパー
ジガス通路２９を通って円形のパージガス吹出し溝２８
に供給され、パージガスはパージガス吹出し溝２８でそ
の円周方向に分散されながら、基板１５と基板保持体１
３の間に形成された隙間３４を通って反応容器１１の内
部に吹出される。基板１５の外周縁の下側から径方向に
て外方向にパージガスが吹出すことによって、基板１５
の裏面に反応ガスが回り込むのを防止し、基板１５にお
ける裏面成膜を防止する。
によって導入され、筒体２２の内壁２２ａと外壁２２ｂ
の間を通り、連結体２３の１０本のパージガス供給路２
５に分散される。各パージガス供給路２５に分散された
パージガスは、基板保持体１３内における対応するパー
ジガス通路２９を通って円形のパージガス吹出し溝２８
に供給され、パージガスはパージガス吹出し溝２８でそ
の円周方向に分散されながら、基板１５と基板保持体１
３の間に形成された隙間３４を通って反応容器１１の内
部に吹出される。基板１５の外周縁の下側から径方向に
て外方向にパージガスが吹出すことによって、基板１５
の裏面に反応ガスが回り込むのを防止し、基板１５にお
ける裏面成膜を防止する。
【００６８】上記のごとく本実施例では、好ましくはパ
ージガス通路２９がパージガス吹出し溝２８の外壁面に
垂直でかつもっとも下方の位置に接続するようにしたた
め、パージガス吹出し溝２８内でのパージガスの流れが
複雑に生じ、パージガス吹出し溝２８における円周方向
へパージガスの流れが均一に分散する。これによって、
基板１５の外周縁の全周囲におけるパージガスの吹出し
圧力が均等化される。これによって、基板１５の全周囲
で裏面に反応ガスが回り込むのを防止し、基板１５にお
ける裏面成膜の発生を全周囲で完全に防止することがで
きる。
ージガス通路２９がパージガス吹出し溝２８の外壁面に
垂直でかつもっとも下方の位置に接続するようにしたた
め、パージガス吹出し溝２８内でのパージガスの流れが
複雑に生じ、パージガス吹出し溝２８における円周方向
へパージガスの流れが均一に分散する。これによって、
基板１５の外周縁の全周囲におけるパージガスの吹出し
圧力が均等化される。これによって、基板１５の全周囲
で裏面に反応ガスが回り込むのを防止し、基板１５にお
ける裏面成膜の発生を全周囲で完全に防止することがで
きる。
【００６９】上記のパージガスの流れに関するパージガ
ス吹出し溝２８の円周方向の分散特性は、当該溝２８の
外壁面に連結されるパージガス通路２９と、当該外壁面
とのなす角度が鋭角であればあるほど、さらに大きな効
果が生じる。
ス吹出し溝２８の円周方向の分散特性は、当該溝２８の
外壁面に連結されるパージガス通路２９と、当該外壁面
とのなす角度が鋭角であればあるほど、さらに大きな効
果が生じる。
【００７０】また実施条件は次の通りである。基板１５
の裏面に反応ガスが侵入するのを防止できる直接の要因
は、パージガスの吹出し速度である。このパージガスの
吹出し速度は、パージガスの流量を、隙間３４と当該隙
間を構成する円周とからなる面積で割って得た値で定義
される（標準状態の線速度）。本実施例の場合、パージ
ガスの吹出し口の円周が基板１５（６インチの基板）の
円周とほぼ等しいとすると、パージガスの吹出し速度
は、導入したパージガス流量を、１５π×０．０２cm＝
０．９５cm2 で割ることにより得られる。
の裏面に反応ガスが侵入するのを防止できる直接の要因
は、パージガスの吹出し速度である。このパージガスの
吹出し速度は、パージガスの流量を、隙間３４と当該隙
間を構成する円周とからなる面積で割って得た値で定義
される（標準状態の線速度）。本実施例の場合、パージ
ガスの吹出し口の円周が基板１５（６インチの基板）の
円周とほぼ等しいとすると、パージガスの吹出し速度
は、導入したパージガス流量を、１５π×０．０２cm＝
０．９５cm2 で割ることにより得られる。
【００７１】これまでの実験により、通常の成膜条件に
おいて、成膜圧力が１０Torr以下では吹出し速度が５０
cm/min以上、成膜圧力が１０Torr以上では吹出し速度が
３００cm／min 以上であれば、基板の裏面成膜防止、基
板保持体上への成膜防止が可能であることが判明してい
る。
おいて、成膜圧力が１０Torr以下では吹出し速度が５０
cm/min以上、成膜圧力が１０Torr以上では吹出し速度が
３００cm／min 以上であれば、基板の裏面成膜防止、基
板保持体上への成膜防止が可能であることが判明してい
る。
【００７２】上記の実施例では、パージガス流量は１０
Torr以下の成膜では５０〜１５０sccm、１０Torr以上の
成膜では３００〜７００sccmで、差圧チャックを不安定
にすることなく成膜を行うことができ、かつ基板の裏面
への成膜も完全に抑えることができた。また以上の条件
において、基板１５と基板保持体１３との間の隙間、お
よび基板保持体１３とシールド部材３０との間の隙間か
ら吹出すパージガスの速度が５０〜７００cm/minとなっ
ている。
Torr以下の成膜では５０〜１５０sccm、１０Torr以上の
成膜では３００〜７００sccmで、差圧チャックを不安定
にすることなく成膜を行うことができ、かつ基板の裏面
への成膜も完全に抑えることができた。また以上の条件
において、基板１５と基板保持体１３との間の隙間、お
よび基板保持体１３とシールド部材３０との間の隙間か
ら吹出すパージガスの速度が５０〜７００cm/minとなっ
ている。
【００７３】一方、パージガスの吹出し速度が７００cm
/min以上であると、基板１５の外周の温度低下や反応ガ
スの供給不足によって分布が劣化する。
/min以上であると、基板１５の外周の温度低下や反応ガ
スの供給不足によって分布が劣化する。
【００７４】以上のごとく、第１のパージガスは、パー
ジガス通路２９、パージガス吹出し溝２８、および隙間
３４の構成によって、基板１５の外周に沿って均一に吹
出され、ムラなく基板裏面への成膜を防止することがで
きる。
ジガス通路２９、パージガス吹出し溝２８、および隙間
３４の構成によって、基板１５の外周に沿って均一に吹
出され、ムラなく基板裏面への成膜を防止することがで
きる。
【００７５】またパージガス導入部３１によって導入さ
れる第２のパージガス（Ａｒ）を流すことによりシール
ド部材３０と基板保持体１３の間の隙間からパージガス
を吹出し、これによって石英窓２０への成膜を防止でき
る。
れる第２のパージガス（Ａｒ）を流すことによりシール
ド部材３０と基板保持体１３の間の隙間からパージガス
を吹出し、これによって石英窓２０への成膜を防止でき
る。
【００７６】次に、上記実施例の変形例を説明する。
【００７７】図４は、基板保持体４１の上面におけるパ
ージガス吹出し溝２８の外側の表面の所定範囲に微細な
凹凸４２を設けた場合の例を示す。この実施例による基
板保持体４１では、好ましくはパージガス吹出し溝２８
の内側表面の高さと外側表面の高さとをほぼ等しくし、
かつ外側表面の所定範囲に微細な凹凸領域を形成する。
凹凸領域を形成する範囲は、パージガス吹出し溝２８の
外壁面から少なくとも基板１５の外周縁までの間の範囲
である。微細な凹凸４２は、ブラスト加工によって形成
され、凹部と凸部の段差は例えば数十ミクロンである。
このような微細な凹凸がパージガスの微細な流路を複雑
に形成することによって、パージガスが基板１５と基板
保持体４１の隙間から基板外周に沿って均一に吹出され
る。
ージガス吹出し溝２８の外側の表面の所定範囲に微細な
凹凸４２を設けた場合の例を示す。この実施例による基
板保持体４１では、好ましくはパージガス吹出し溝２８
の内側表面の高さと外側表面の高さとをほぼ等しくし、
かつ外側表面の所定範囲に微細な凹凸領域を形成する。
凹凸領域を形成する範囲は、パージガス吹出し溝２８の
外壁面から少なくとも基板１５の外周縁までの間の範囲
である。微細な凹凸４２は、ブラスト加工によって形成
され、凹部と凸部の段差は例えば数十ミクロンである。
このような微細な凹凸がパージガスの微細な流路を複雑
に形成することによって、パージガスが基板１５と基板
保持体４１の隙間から基板外周に沿って均一に吹出され
る。
【００７８】図５は、パージガス吹出し溝２８の中に溝
の内壁面に接触するようなリング部材４３を配置した場
合の例を示す。リング部材４３の材質は、基板保持体１
３の材質と同じで、アルミニウムである。パージガス吹
出し溝２８の中にリング部材４３を挿入することによ
り、当該溝の加工上の問題、すなわち切削バイトによる
加工不可能の問題を解消できる。このようにパージガス
吹出し溝２８の中に内側面に接触するようにリング部材
４３を配置することによってパージガス吹出し溝２８の
幅を狭くし、それによってパージガスの円周方向の分散
化をさらに高めることができる。なお、リング部材４３
を配置する場合と同様な効果は、パージガスの出口であ
る隙間３４を極端に小さくすることによっても得られる
が、この場合にはパージガス吹出し溝内の圧力が大きく
なり、差圧チャックが不安定になるという不具合が生じ
る。
の内壁面に接触するようなリング部材４３を配置した場
合の例を示す。リング部材４３の材質は、基板保持体１
３の材質と同じで、アルミニウムである。パージガス吹
出し溝２８の中にリング部材４３を挿入することによ
り、当該溝の加工上の問題、すなわち切削バイトによる
加工不可能の問題を解消できる。このようにパージガス
吹出し溝２８の中に内側面に接触するようにリング部材
４３を配置することによってパージガス吹出し溝２８の
幅を狭くし、それによってパージガスの円周方向の分散
化をさらに高めることができる。なお、リング部材４３
を配置する場合と同様な効果は、パージガスの出口であ
る隙間３４を極端に小さくすることによっても得られる
が、この場合にはパージガス吹出し溝内の圧力が大きく
なり、差圧チャックが不安定になるという不具合が生じ
る。
【００７９】上記の各実施例においては、上記成膜条件
下で成膜分布測定径１４０mmにおいて±５％と良好な値
が得られ、かつ基板の裏面成膜が全くない状態であっ
た。また成膜領域は、基板外周縁まで可能であるが、下
地ＴｉＮの成膜範囲より内側であった。
下で成膜分布測定径１４０mmにおいて±５％と良好な値
が得られ、かつ基板の裏面成膜が全くない状態であっ
た。また成膜領域は、基板外周縁まで可能であるが、下
地ＴｉＮの成膜範囲より内側であった。
【００８０】次に、図６に基づいて本発明に係るＣＶＤ
装置の第２の実施例を説明する。図６において、図１で
示された要素と実質的に同一の要素は同一の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
装置の第２の実施例を説明する。図６において、図１で
示された要素と実質的に同一の要素は同一の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
【００８１】反応容器１１の外面には、反応容器１１を
冷却するための複数の水冷通路５１が設けられる。また
基板保持体１３の周囲にシールド部材５２が配置され
る。このシールド部材５２は、基板保持体１３の側部周
囲に位置する円筒部５２ａと、基板保持体１３の上面の
基板周囲の面を被うリング板部５２ｂとからなる。シー
ルド部材５２の円筒部５２ａは、反応容器１１の下壁１
１ａに固定される。リング板部５２ｂと基板保持体１３
との間の隙間は、室温では１mm程度の隙間として形成さ
れる。しかし、成膜温度のときには基板保持体１３が熱
膨脹し、当該隙間は０．２mm程度になり、基板１５と基
板保持体１３の間に形成される上記隙間３４とほぼ等し
い隙間となる。従ってリング板部５２ｂの内周縁と基板
１５の外周縁はほぼ同じ高さの位置に存在し、かつそれ
らの間に例えば１mm程度の隙間５３が形成される。シー
ルド部材５２と基板保持体１３とによって、パージガス
導入部３１で導入される第２のパージガスを流す供給路
が形成される。
冷却するための複数の水冷通路５１が設けられる。また
基板保持体１３の周囲にシールド部材５２が配置され
る。このシールド部材５２は、基板保持体１３の側部周
囲に位置する円筒部５２ａと、基板保持体１３の上面の
基板周囲の面を被うリング板部５２ｂとからなる。シー
ルド部材５２の円筒部５２ａは、反応容器１１の下壁１
１ａに固定される。リング板部５２ｂと基板保持体１３
との間の隙間は、室温では１mm程度の隙間として形成さ
れる。しかし、成膜温度のときには基板保持体１３が熱
膨脹し、当該隙間は０．２mm程度になり、基板１５と基
板保持体１３の間に形成される上記隙間３４とほぼ等し
い隙間となる。従ってリング板部５２ｂの内周縁と基板
１５の外周縁はほぼ同じ高さの位置に存在し、かつそれ
らの間に例えば１mm程度の隙間５３が形成される。シー
ルド部材５２と基板保持体１３とによって、パージガス
導入部３１で導入される第２のパージガスを流す供給路
が形成される。
【００８２】その他の構成は、図１に基づいて説明した
第１実施例に係るＣＶＤ装置の構成と同じである。
第１実施例に係るＣＶＤ装置の構成と同じである。
【００８３】第２のパージガスは、主に基板保持体１３
への成膜を防ぐためのものであり、リング板部５２ｂを
設け、このリング板部５２ｂと基板保持体１３との間に
形成される隙間、およびリング板部５２ｂの内周縁と基
板１５の外周縁との間の隙間５３を通して第２のパージ
ガスを吹出すようにしている。
への成膜を防ぐためのものであり、リング板部５２ｂを
設け、このリング板部５２ｂと基板保持体１３との間に
形成される隙間、およびリング板部５２ｂの内周縁と基
板１５の外周縁との間の隙間５３を通して第２のパージ
ガスを吹出すようにしている。
【００８４】上記第２のパージガスは、基板保持体１３
のパージガス通路２９およびパージガス吹出し溝２８を
通して供給される第１のパージガスと、隙間５３付近で
合流し、反応容器１１の内部に吹出る。この場合におい
て、隙間５３の形成位置、第１および第２のパージガス
の吹出し方向および合流作用によって、第２のパージガ
スは基板保持体１３の表面または基板１５に対してほぼ
直角に吹出すことになる。第２のパージガスの吹出し作
用によって、反応ガスが、基板保持体１３とリング板部
５２ｂの間の隙間に侵入するのを防止することができ
る。さらに詳しくは、上方から隙間５３付近への反応ガ
スは、合流したパージガスによって濃度が薄められ、基
板１５の裏面への反応ガスの侵入は隙間３４から吹出る
第１のパージガスによって防止され、基板保持体１３と
リング板部５２ｂの間の隙間への反応ガスの侵入は第２
のパージガスによって防止される。
のパージガス通路２９およびパージガス吹出し溝２８を
通して供給される第１のパージガスと、隙間５３付近で
合流し、反応容器１１の内部に吹出る。この場合におい
て、隙間５３の形成位置、第１および第２のパージガス
の吹出し方向および合流作用によって、第２のパージガ
スは基板保持体１３の表面または基板１５に対してほぼ
直角に吹出すことになる。第２のパージガスの吹出し作
用によって、反応ガスが、基板保持体１３とリング板部
５２ｂの間の隙間に侵入するのを防止することができ
る。さらに詳しくは、上方から隙間５３付近への反応ガ
スは、合流したパージガスによって濃度が薄められ、基
板１５の裏面への反応ガスの侵入は隙間３４から吹出る
第１のパージガスによって防止され、基板保持体１３と
リング板部５２ｂの間の隙間への反応ガスの侵入は第２
のパージガスによって防止される。
【００８５】上記第２実施例の装置構成によっても、前
述の第１実施例と同等な作用および効果が生じるのは勿
論である。
述の第１実施例と同等な作用および効果が生じるのは勿
論である。
【００８６】また第２の従来装置との比較において、第
２の実施例の装置構成ではシールド部材５２を移動させ
ず、固定したため、次の利点が生じる。
２の実施例の装置構成ではシールド部材５２を移動させ
ず、固定したため、次の利点が生じる。
【００８７】シールド部材５２はネジ等によって反応容
器１１の下壁１１ａに固定されるだけであり、上下移動
機構が不要であり、そのためにメインテナンスに要する
作業時間を従来装置に比較して２／３に短縮することが
できた。
器１１の下壁１１ａに固定されるだけであり、上下移動
機構が不要であり、そのためにメインテナンスに要する
作業時間を従来装置に比較して２／３に短縮することが
できた。
【００８８】シールド部材５２が常に静止しているた
め、リング板部５２ｂの移動に伴って生じた塵（パーテ
ィクル）が全く生じなくなった。なお、前述した水冷通
路５１を設けるようにしたため、シールド部材５２は冷
却され、この結果、通常条件においてリング板部５２ｂ
の内周縁での温度が高々２５０℃に保たれた。この温度
における成膜速度は、５０オングストローム／min であ
り、非常に抑制される。このことは、塵が低減されるこ
とに寄与している。
め、リング板部５２ｂの移動に伴って生じた塵（パーテ
ィクル）が全く生じなくなった。なお、前述した水冷通
路５１を設けるようにしたため、シールド部材５２は冷
却され、この結果、通常条件においてリング板部５２ｂ
の内周縁での温度が高々２５０℃に保たれた。この温度
における成膜速度は、５０オングストローム／min であ
り、非常に抑制される。このことは、塵が低減されるこ
とに寄与している。
【００８９】またリング板部５２ｂの上下動がなくな
り、反応容器１１内に基板１５が静止状態に保持される
時間が３秒程度減少したため、単位時間あたりの基板処
理枚数が０．２枚程度増加させることが可能となった。
り、反応容器１１内に基板１５が静止状態に保持される
時間が３秒程度減少したため、単位時間あたりの基板処
理枚数が０．２枚程度増加させることが可能となった。
【００９０】また第１および第２のパージガスの供給路
および吹出し構造に関しては、反応容器１１内が低圧で
あっても、差圧チャックによって安定して基板１５を基
板保持体１３に固定し、かつ基板の裏面成膜を防止する
ことができるという効果を発揮する。すなわち、第１の
パージガスは基板１５に対して上方に持ち上げるように
力を作用するため、例えば３Torr以下の低圧では差圧チ
ャックによる固定が不安定になりやすい。しかしなが
ら、上記第２の実施例の構成によれば、第１のパージガ
スの吹出し量を少なくし、第２のパージガスの吹出し量
を多くすることによって、基板の固定を安定化すること
ができる。このように、低圧条件の膜形成（核形成）に
おいても、差圧チャックを利用して安定に基板を固定で
きる。
および吹出し構造に関しては、反応容器１１内が低圧で
あっても、差圧チャックによって安定して基板１５を基
板保持体１３に固定し、かつ基板の裏面成膜を防止する
ことができるという効果を発揮する。すなわち、第１の
パージガスは基板１５に対して上方に持ち上げるように
力を作用するため、例えば３Torr以下の低圧では差圧チ
ャックによる固定が不安定になりやすい。しかしなが
ら、上記第２の実施例の構成によれば、第１のパージガ
スの吹出し量を少なくし、第２のパージガスの吹出し量
を多くすることによって、基板の固定を安定化すること
ができる。このように、低圧条件の膜形成（核形成）に
おいても、差圧チャックを利用して安定に基板を固定で
きる。
【００９１】また第２のパージガスの反応容器内への吹
出し方向が基板１５とほぼ垂直になるように設定される
ため、反応ガスの侵入時の流れと逆行することがなく、
そのために基板上の成膜で良好な分布を得ることができ
る。
出し方向が基板１５とほぼ垂直になるように設定される
ため、反応ガスの侵入時の流れと逆行することがなく、
そのために基板上の成膜で良好な分布を得ることができ
る。
【００９２】前述の第２実施例に係るＣＶＤ装置におい
ても、第１実施例の変形例の場合と同様に変形すること
ができるのは勿論である。
ても、第１実施例の変形例の場合と同様に変形すること
ができるのは勿論である。
【００９３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、パージガスを基板の外周縁の近傍に形成された隙
間から吹出すように構成された装置において、パージガ
ス供給路の構造をパージガスを吹出し溝の円周方向に分
散できるように作ったため、吹出し圧力が基板外周縁に
沿って均一化され、吹出し圧力のムラをなくして、裏面
成膜の発生を完全に防止し、基板の外周縁の近傍に至る
まで基板全面に良好な分布の成膜を行うことができ、高
い生産性と高い歩留まりの成膜を行うことができる。
れば、パージガスを基板の外周縁の近傍に形成された隙
間から吹出すように構成された装置において、パージガ
ス供給路の構造をパージガスを吹出し溝の円周方向に分
散できるように作ったため、吹出し圧力が基板外周縁に
沿って均一化され、吹出し圧力のムラをなくして、裏面
成膜の発生を完全に防止し、基板の外周縁の近傍に至る
まで基板全面に良好な分布の成膜を行うことができ、高
い生産性と高い歩留まりの成膜を行うことができる。
【００９４】また第２のパージガスの供給路を形成する
シールド部材を固定して設けるようにしたため、移動機
構部をなくすことによって装置の構造を簡素化し、パー
ティクルの発生を低減し、さらに生産性を高めることが
できる。さらに第１のパージガスと第２のパージガスを
組合せるようにしたため、低圧条件の成膜にも最適に対
処することができる。
シールド部材を固定して設けるようにしたため、移動機
構部をなくすことによって装置の構造を簡素化し、パー
ティクルの発生を低減し、さらに生産性を高めることが
できる。さらに第１のパージガスと第２のパージガスを
組合せるようにしたため、低圧条件の成膜にも最適に対
処することができる。
【図１】第１実施例に係るＣＶＤ装置の要部の縦断面図
である。
である。
【図２】第１実施例に係るＣＶＤ装置の基板保持体の要
部平面図である。
部平面図である。
【図３】第１実施例に係るＣＶＤ装置の基板保持体の一
部拡大縦断面図である。
部拡大縦断面図である。
【図４】第１実施例に係るＣＶＤ装置の基板保持体の変
形例を示す一部拡大縦断面図である。
形例を示す一部拡大縦断面図である。
【図５】第１実施例に係るＣＶＤ装置の基板保持体の他
の変形例を示す一部拡大縦断面図である。
の変形例を示す一部拡大縦断面図である。
【図６】第２実施例に係るＣＶＤ装置の要部の縦断面図
である。
である。
【図７】従来のＣＶＤ装置の第１の例を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図８】従来のＣＶＤ装置の第２の例を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図９】従来のＣＶＤ装置の第１例で成膜される基板に
生じた裏面成膜の例を示す図である。
生じた裏面成膜の例を示す図である。
１１ 反応容器 １２ 反応ガス供給板 １３，４１ 基板保持体 １５ 基板 １６ 排気部 １８ 差圧チャック排気部 １０ 差圧溝 ２０ 石英窓 ２５ パージガス供給路 ２８ パージガス吹出し溝 ２９ パージガス通路 ３４，５３ 隙間 ４２ 凹凸 ４３ リング部材 ５１ 水冷通路 ５２ シールド部材 ５２ａ 円筒部 ５２ｂ リング板部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐長谷 肇 東京都府中市四谷５丁目８番１号 日電ア ネルバ株式会社内 (72)発明者 高橋 信行 東京都府中市四谷５丁目８番１号 日電ア ネルバ株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 反応容器と、前記反応容器内に配置さ
れ、成膜対象である基板を配置する基板保持手段と、前
記反応容器の内部を排気する排気手段と、前記反応容器
内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記基板
保持手段を加熱する加熱手段と、前記基板保持手段の上
に配置された前記基板を当該基板の成膜面に押力を加え
ることなく固定する固定手段と、パージガスを供給する
パージガス供給手段とを備え、前記基板保持手段で、そ
の基板配置面に前記基板の直径よりも小さい直径の外壁
面を有する円形のパージガス吹出し溝を形成し、その内
部に前記パージガス供給手段で導入された前記パージガ
スを前記パージガス吹出し溝に供給する複数のパージガ
ス通路を形成し、前記パージガスを、前記パージガス吹
出し溝を通して前記基板の外周縁と前記基板保持手段と
の隙間から前記反応容器内に吹出すようにしたＣＶＤ装
置において、 前記パージガス通路は、前記基板保持手段の径方向に向
く径方向部を含み、前記パージガス吹出し溝の前記外壁
面に設けられるパージガス吐出口を有するように形成さ
れることを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 反応容器と、前記反応容器内に配置さ
れ、成膜対象である基板を配置する基板保持手段と、前
記反応容器の内部を排気する排気手段と、前記反応容器
内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記基板
保持手段を加熱する加熱手段と、前記基板保持手段の上
に配置した前記基板を当該基板の成膜面に押力を加える
ことなく固定する固定手段と、パージガスを供給するパ
ージガス供給手段とを備え、前記基板保持手段で、その
基板配置面に前記基板の直径よりも小さい直径の外壁面
を有する円形のパージガス吹出し溝を形成し、その内部
に前記パージガス供給手段で導入された前記パージガス
を前記パージガス吹出し溝に供給する複数のパージガス
通路を形成し、前記パージガスを、前記パージガス吹出
し溝を通して前記基板の外周縁と前記基板保持手段との
隙間から前記反応容器内に吹出すようにしたＣＶＤ装置
において、 前記パージガス通路は、前記基板保持手段の径方向に向
く径方向部を含み、前記パージガス吹出し溝の前記外壁
面に設けられるパージガス吐出口を有するように形成さ
れ、 さらに、前記基板保持手段の前記基板配置面の周囲を被
うリング板部と前記基板保持手段の側部周囲を被う筒部
からなり、前記基板保持手段の周囲に他のパージガス供
給路を形成し、前記リング板部と前記基板保持手段の間
の隙間からパージガスを吹出させるシールド部材を備
え、 ２つのパージガス供給路を設けたことを特徴とするＣＶ
Ｄ装置。 - 【請求項３】 前記パージガス吹出し溝は前記基板配置
面に垂直に形成され、前記パージガス通路は前記基板保
持手段の径方向を向く径方向部と軸方向を向く軸方向部
からなり、前記パージガス通路の前記径方向部は中心方
向に折り返されて前記パージガス吹出し溝に接続される
ことを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記パージガス吹出し溝に接続される前
記パージガス通路の前記径方向部は、前記パージガス吹
出し溝の前記外壁面に対して垂直であることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記パージガス通路のパージガス吐出口
は、前記パージガス吹出し溝の底部近傍に形成されるこ
とを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 前記基板保持手段における前記パージガ
ス吹出し溝よりも内側部分の表面と前記パージガス吹出
し溝よりも外側部分の表面との間に段差を設けたことを
特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項７】 前記段差の高さは、前記基板と前記基板
保持手段との間に前記段差に基づいて形成される隙間か
ら吹出されるパージガスの速度が５０〜７００cm/minの
範囲に設定されることを特徴とする請求項６記載のＣＶ
Ｄ装置。 - 【請求項８】 前記基板保持手段における前記パージガ
ス吹出し溝よりも内側部分の表面と前記パージガス吹出
し溝よりも外側部分の表面の高さを同じとし、前記外側
部分の表面における少なくとも前記基板の外周縁よりも
内側の範囲に微細な凹凸を形成したことを特徴とする請
求項１または２記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項９】 前記パージガス吹出し溝に、その内壁面
側に位置するリング部材を配置したことを特徴とする請
求項１または２記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項１０】 前記シールド部材の前記リング板部の
内周縁は、前記基板に非接触の状態にあり、前記基板お
よび前記基板保持手段との間に所定間隔が形成されるこ
とを特徴とする請求項２記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項１１】 前記リング板部の内周縁の径は前記基
板の径よりも大きいことを特徴とする請求項１０記載の
ＣＶＤ装置。 - 【請求項１２】 前記リング板部と前記基板保持手段の
間の隙間の距離は、当該隙間から吹出すパージガスの速
度が５０〜７００cm／min の範囲に含まれるように設定
されることを特徴とする請求項１０記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項１３】 反応容器と、前記反応容器内に配置さ
れ、成膜対象である基板を配置する基板保持手段と、前
記反応容器の内部を排気する排気手段と、前記反応容器
内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記基板
保持手段を加熱する加熱手段と、前記基板保持手段の上
に配置した前記基板を当該基板の成膜面に押力を加える
ことなく固定する固定手段と、パージガスを供給するパ
ージガス供給手段とを備え、前記基板保持手段で、その
基板配置面に前記基板の直径よりも小さい直径の外壁面
を有する円形のパージガス吹出し溝を形成し、その内部
に前記パージガス供給手段で導入された前記パージガス
を前記パージガス吹出し溝に供給する複数のパージガス
通路を形成し、前記パージガスを、前記パージガス吹出
し溝を通して前記基板の外周縁と前記基板保持手段との
隙間から前記反応容器内に吹出すようにしたＣＶＤ装置
において、 前記複数のパージガス通路の各々の出口から吹出される
前記パージガスの吹出し方向と、前記隙間における前記
の各出口に対応する部分からのパージガス吹出し方向と
が反対になるように、前記パージガス通路が形成される
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12920695A JP3553204B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | Ｃｖｄ装置 |
| US08/634,676 US5624499A (en) | 1995-04-28 | 1996-04-18 | CVD apparatus |
| TW085104693A TW307018B (ja) | 1995-04-28 | 1996-04-19 | |
| KR1019960012330A KR100244956B1 (ko) | 1995-04-28 | 1996-04-23 | 씨브이디(cvd) 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12920695A JP3553204B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08302473A true JPH08302473A (ja) | 1996-11-19 |
| JP3553204B2 JP3553204B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=15003765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12920695A Expired - Fee Related JP3553204B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5624499A (ja) |
| JP (1) | JP3553204B2 (ja) |
| KR (1) | KR100244956B1 (ja) |
| TW (1) | TW307018B (ja) |
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| KR100804169B1 (ko) * | 2005-12-31 | 2008-02-18 | 주식회사 아이피에스 | 박막증착챔버용 서셉터 |
| KR100850123B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-08-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 고정 스핀척 |
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| US9587314B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-03-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
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