JP3335936B2 - 縦型気相成長装置 - Google Patents
縦型気相成長装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型気相成長装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】縦型気相成長装置の一例を図９を用いて
説明する。図９に示すように縦型気相成長装置は、外管
３内にボート５ａが保温筒４に支持されて設置され、ボ
ート５ａには、図１１に示すような複数枚の半導体基板
（ウェハー）６が上下複数段に配置して搭載されてい
る。
説明する。図９に示すように縦型気相成長装置は、外管
３内にボート５ａが保温筒４に支持されて設置され、ボ
ート５ａには、図１１に示すような複数枚の半導体基板
（ウェハー）６が上下複数段に配置して搭載されてい
る。
【０００３】そして、外管３内に不純物ソースが供給さ
れ、その不純物ソースがウェハー６の表面に接触してウ
ェハー６に気相成長膜が成膜されるようになっている。
れ、その不純物ソースがウェハー６の表面に接触してウ
ェハー６に気相成長膜が成膜されるようになっている。
【０００４】ここで、ウェハー６に気相成長膜が成膜す
る際には、不純物ソースはウェハ−６に接触するばかり
でなく、治工具、例えばボート５ａ及び保温筒４に接触
するため、ボート５ａ及び保温筒４にも余分な気相成長
膜が成膜することとなる。
る際には、不純物ソースはウェハ−６に接触するばかり
でなく、治工具、例えばボート５ａ及び保温筒４に接触
するため、ボート５ａ及び保温筒４にも余分な気相成長
膜が成膜することとなる。
【０００５】この余分な気相成長膜が剥離して浮遊する
と、ウェハー６の気相成長膜に付着して膜質を低下して
しまうため、治工具を定期的に点検する必要がある。
と、ウェハー６の気相成長膜に付着して膜質を低下して
しまうため、治工具を定期的に点検する必要がある。
【０００６】ところで図９に示すように、ボート５ａが
保温筒４の上端に支持されたまま、成膜が多数回行われ
ると、ボート５ａと保温筒４との接触部周面に気相成長
膜が橋架成膜し、この気相成長膜によりボート５ａと保
温筒４とが分離し難くなることがある。
保温筒４の上端に支持されたまま、成膜が多数回行われ
ると、ボート５ａと保温筒４との接触部周面に気相成長
膜が橋架成膜し、この気相成長膜によりボート５ａと保
温筒４とが分離し難くなることがある。
【０００７】そこで、従来、ボート５ａと保温筒４とを
分離し易くするように工夫がされている。
分離し易くするように工夫がされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
では以下に述べる問題がある。従来例と、その問題点を
具体例を用いて説明する。
では以下に述べる問題がある。従来例と、その問題点を
具体例を用いて説明する。
【０００９】図９に示す従来例では、保温筒４とボート
５ａとの接合部７ａを付着防止板１２ａで覆っている。
５ａとの接合部７ａを付着防止板１２ａで覆っている。
【００１０】しかしながら図９に示す構造では、付着防
止板１２ａが接合部７ａを不純物ソース１１ａの供給側
から覆うものであり、しかも、付着防止板１２ａが不純
物ソース１１ａの流れ内に位置するため、ガス流に影響
が生じ、各ウェハー面内での気相成長膜の均一性、及び
バッチ内での気相成長膜の均一性が悪化したり、付着防
止板１２ａに成膜した余分な気相成長膜からパーティク
ルが発生してウェハーの気相成長膜の膜質を低下させて
しまうという問題がある。
止板１２ａが接合部７ａを不純物ソース１１ａの供給側
から覆うものであり、しかも、付着防止板１２ａが不純
物ソース１１ａの流れ内に位置するため、ガス流に影響
が生じ、各ウェハー面内での気相成長膜の均一性、及び
バッチ内での気相成長膜の均一性が悪化したり、付着防
止板１２ａに成膜した余分な気相成長膜からパーティク
ルが発生してウェハーの気相成長膜の膜質を低下させて
しまうという問題がある。
【００１１】図１０に示す従来例では、接合部７ｂに炉
内下部から不活性ガス１３ｂを流して成膜を阻止してい
る。
内下部から不活性ガス１３ｂを流して成膜を阻止してい
る。
【００１２】しかしながら図１０に示す構造では、不純
物ソース１１ｂに不活性ガス１３ｂが取り込まれ、成膜
される膜質に影響を与えてしまう虞がある。
物ソース１１ｂに不活性ガス１３ｂが取り込まれ、成膜
される膜質に影響を与えてしまう虞がある。
【００１３】図１１に示す従来例では、内外２重管２，
３からなる炉内にヒータ１５による均熱ゾーン１４ａ
と、プロセスガスの反応生成温度未満の温度勾配ゾーン
１４ｂを設定し、かつ、ボート５ｃの下部に延長部を増
設して、温度勾配ゾーン１４ｂに保温筒４とボート５ｃ
の接合部７ｃが設置させるようにして成膜を阻止してい
る。
３からなる炉内にヒータ１５による均熱ゾーン１４ａ
と、プロセスガスの反応生成温度未満の温度勾配ゾーン
１４ｂを設定し、かつ、ボート５ｃの下部に延長部を増
設して、温度勾配ゾーン１４ｂに保温筒４とボート５ｃ
の接合部７ｃが設置させるようにして成膜を阻止してい
る。
【００１４】図１１に示す構造では、保温筒４とボート
５ｃの接合部７ｃが、プロセスガスの反応生成温度未満
に設定された温度勾配ゾーン１４ｂに設置されているた
め、不純物ソースが接合部７ｃに接触しても気相成長す
ることがなく、余分な気相成長膜の成膜を抑えることが
可能である。
５ｃの接合部７ｃが、プロセスガスの反応生成温度未満
に設定された温度勾配ゾーン１４ｂに設置されているた
め、不純物ソースが接合部７ｃに接触しても気相成長す
ることがなく、余分な気相成長膜の成膜を抑えることが
可能である。
【００１５】しかしながら、図１１に示す構造では、均
熱長を確保するために、保温筒４の上部、或いはボート
５ｃの下部寸法を拡張する必要があり、そのために炉内
容積を無駄に拡大してしまい、装置が大型化するととも
に、炉内の温度制御自体が非常に難しくなるという問題
がある。
熱長を確保するために、保温筒４の上部、或いはボート
５ｃの下部寸法を拡張する必要があり、そのために炉内
容積を無駄に拡大してしまい、装置が大型化するととも
に、炉内の温度制御自体が非常に難しくなるという問題
がある。
【００１６】また、温度勾配ゾーン１４ｂと均熱ゾーン
１４ａの境界付近は、温度が不安定であり、膜厚均一性
に乏しく、ボート５ｃの下方位置に多くのダミーウェハ
ーを搭載する必要がある。
１４ａの境界付近は、温度が不安定であり、膜厚均一性
に乏しく、ボート５ｃの下方位置に多くのダミーウェハ
ーを搭載する必要がある。
【００１７】本発明の目的は、ボートと保温筒との間に
橋架成膜する気相成長膜に対する破壊力を増大して、ク
リーニングの際の治工具の分離作業を容易にする縦型気
相成長装置を提供することにある。
橋架成膜する気相成長膜に対する破壊力を増大して、ク
リーニングの際の治工具の分離作業を容易にする縦型気
相成長装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、半導体基板搭載用ボートの下部を保温筒の上部に分
離可能に接触支持して反応室内に縦置きに配置し、前記
ボートに支持された半導体基板に気相成長膜を成膜する
縦型気相成長装置であって、前記ボートの下部または前
記保温筒の上部に円環状の端面を有し、該円環状の端面
上に複数の脚部を突き出して設け、前記脚部を介して前
記ボートの下部を前記保温筒の上部に接触支持すること
により、接触面を縮小し接触面に橋架成膜する気相成長
膜を減じたものである。また、半導体基板搭載用ボート
の下部を保温筒の上部に分離可能に接触支持して反応室
内に縦置きに配置し、前記ボートに支持された半導体基
板に気相成長膜を成膜する縦型気相成長装置であって、
前記ボートの下部および前記保温筒の上部に円環状の端
面を有し、それぞれの円環状の端面上に複数の脚部を突
き出して設け、前記脚部を介して前記ボートの下部を前
記保温筒の上部に接触支持することにより、接触面を縮
小し接触面に橋架成膜する気相成長膜を減じたものであ
る。また、前記複数の脚部は、短冊状、島状に形成され
た矩形或いは角状であり、前記円環状の横断面に対して
放射状に形成されているものである。また、前記複数の
脚部の対向する前記ボートの下部または前記保温筒の上
部との総接触面積は、前記円環状の横断面積の約１０分
の１である。
め、半導体基板搭載用ボートの下部を保温筒の上部に分
離可能に接触支持して反応室内に縦置きに配置し、前記
ボートに支持された半導体基板に気相成長膜を成膜する
縦型気相成長装置であって、前記ボートの下部または前
記保温筒の上部に円環状の端面を有し、該円環状の端面
上に複数の脚部を突き出して設け、前記脚部を介して前
記ボートの下部を前記保温筒の上部に接触支持すること
により、接触面を縮小し接触面に橋架成膜する気相成長
膜を減じたものである。また、半導体基板搭載用ボート
の下部を保温筒の上部に分離可能に接触支持して反応室
内に縦置きに配置し、前記ボートに支持された半導体基
板に気相成長膜を成膜する縦型気相成長装置であって、
前記ボートの下部および前記保温筒の上部に円環状の端
面を有し、それぞれの円環状の端面上に複数の脚部を突
き出して設け、前記脚部を介して前記ボートの下部を前
記保温筒の上部に接触支持することにより、接触面を縮
小し接触面に橋架成膜する気相成長膜を減じたものであ
る。また、前記複数の脚部は、短冊状、島状に形成され
た矩形或いは角状であり、前記円環状の横断面に対して
放射状に形成されているものである。また、前記複数の
脚部の対向する前記ボートの下部または前記保温筒の上
部との総接触面積は、前記円環状の横断面積の約１０分
の１である。
【００１９】また、半導体基板搭載用ボートの下部を保
温筒の上部に分離可能に接触支持して反応室内に縦置き
に配置し、前記ボートに支持された半導体基板に気相成
長膜を成膜する縦型気相成長装置であって、前記ボート
の下部または前記保温筒の上部に円環状の端面を有し、
該円環状の端面上に半球状の複数の脚部を有し、前記脚
部を介して前記ボートの下部を前記保温筒の上部に接触
支持することにより、接触面を縮小し接触面に橋架成膜
する気相成長膜を減じたものである。また、半導体基板
搭載用ボートの下部を保温筒の上部に分離可能に接触支
持して反応室内に縦置きに配置し、前記ボートに支持さ
れた半導体基板に気相成長膜を成膜する縦型気相成長装
置であって、前記ボートの下部および前記保温筒の上部
に円環状の端面を有し、それぞれの円環状の端面上に半
球状の複数の脚部を有し、前記脚部を介して前記ボート
の下部を前記保温筒の上部に接触支持することにより、
接触面を縮小し接触面に橋架成膜する気相成長膜を減じ
たものである。
温筒の上部に分離可能に接触支持して反応室内に縦置き
に配置し、前記ボートに支持された半導体基板に気相成
長膜を成膜する縦型気相成長装置であって、前記ボート
の下部または前記保温筒の上部に円環状の端面を有し、
該円環状の端面上に半球状の複数の脚部を有し、前記脚
部を介して前記ボートの下部を前記保温筒の上部に接触
支持することにより、接触面を縮小し接触面に橋架成膜
する気相成長膜を減じたものである。また、半導体基板
搭載用ボートの下部を保温筒の上部に分離可能に接触支
持して反応室内に縦置きに配置し、前記ボートに支持さ
れた半導体基板に気相成長膜を成膜する縦型気相成長装
置であって、前記ボートの下部および前記保温筒の上部
に円環状の端面を有し、それぞれの円環状の端面上に半
球状の複数の脚部を有し、前記脚部を介して前記ボート
の下部を前記保温筒の上部に接触支持することにより、
接触面を縮小し接触面に橋架成膜する気相成長膜を減じ
たものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
により説明する。
により説明する。
【００２１】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係る縦型気相成長装置を示す断面図、図２（ａ）
は、図１のＡ部拡大図、図２（ｂ）は、本発明の実施形
態１に係る縦型気相成長装置におけるボートと保温筒と
の接合部分を示す平面図である。
１に係る縦型気相成長装置を示す断面図、図２（ａ）
は、図１のＡ部拡大図、図２（ｂ）は、本発明の実施形
態１に係る縦型気相成長装置におけるボートと保温筒と
の接合部分を示す平面図である。
【００２２】図１において本発明の実施形態１に係る縦
型気相成長装置は、ベース１上に、上端が開口した円筒
状の内管２を起立保持するとともに、下端が開口した外
管３を内管２の外側で気密的に封着して炉芯管を構成
し、内管２内に形成された反応室Ｓに、ボート５に支持
したウェハー（半導体基板）６を配置した状態で、その
反応室Ｓ内に反応ガス１１を導入し、ウェハー６の表面
に気相成長膜が形成するように構成されている。
型気相成長装置は、ベース１上に、上端が開口した円筒
状の内管２を起立保持するとともに、下端が開口した外
管３を内管２の外側で気密的に封着して炉芯管を構成
し、内管２内に形成された反応室Ｓに、ボート５に支持
したウェハー（半導体基板）６を配置した状態で、その
反応室Ｓ内に反応ガス１１を導入し、ウェハー６の表面
に気相成長膜が形成するように構成されている。
【００２３】またボート５は、保温筒４の上部に分離可
能に支持され、内管２内に形成された反応室Ｓ内に設置
されるようになっている。また、１６は反応室Ｓ内の気
圧を調整するポンプである。
能に支持され、内管２内に形成された反応室Ｓ内に設置
されるようになっている。また、１６は反応室Ｓ内の気
圧を調整するポンプである。
【００２４】本発明の基本的構成は、クリーニングの際
の治工具の分離作業を容易にするため、半導体基板（ウ
ェハー）搭載用ボート５と、それを支持する保温筒４と
の接触面積を可及的に縮小したものである。
の治工具の分離作業を容易にするため、半導体基板（ウ
ェハー）搭載用ボート５と、それを支持する保温筒４と
の接触面積を可及的に縮小したものである。
【００２５】半導体基板（ウェハー）搭載用ボート５に
支持されたウェハーに気相成長膜が成膜される際に、ボ
ート５と保温筒４との接触部周面に気相成長膜が橋架成
膜し、ボート５と保温筒４との間に接着力として作用す
るため、この気相成長膜を破壊しない限りボート５と保
温筒４を分離することができない。
支持されたウェハーに気相成長膜が成膜される際に、ボ
ート５と保温筒４との接触部周面に気相成長膜が橋架成
膜し、ボート５と保温筒４との間に接着力として作用す
るため、この気相成長膜を破壊しない限りボート５と保
温筒４を分離することができない。
【００２６】単位面積当たりの気相成長膜の接着力は極
く小さいなものであるが、ボート５と保温筒４との接触
部全周面に付着すると、その総接着力はボート５と保温
筒４の分離を阻止するに十分なものとなる。
く小さいなものであるが、ボート５と保温筒４との接触
部全周面に付着すると、その総接着力はボート５と保温
筒４の分離を阻止するに十分なものとなる。
【００２７】ボート５と保温筒４の接触面積が大きい、
すなわち、ボート５と保温筒４が密着していると、ボー
ト５と保温筒４の動きが規制されて相対的に動かすのに
大きな力を必要とし、ボート５と保温筒４の分離が困難
となる。
すなわち、ボート５と保温筒４が密着していると、ボー
ト５と保温筒４の動きが規制されて相対的に動かすのに
大きな力を必要とし、ボート５と保温筒４の分離が困難
となる。
【００２８】これを解決するには、ボート５と保温筒４
の接触面積を小さくする、すなわち、ボート５と保温筒
４を相対的に動き易くすれば、気相成長膜に対する破壊
力が増大することとなり、ボート５と保温筒４を容易に
分離することができる。
の接触面積を小さくする、すなわち、ボート５と保温筒
４を相対的に動き易くすれば、気相成長膜に対する破壊
力が増大することとなり、ボート５と保温筒４を容易に
分離することができる。
【００２９】そこで、本発明は、クリーニングの際の治
工具の分離作業を容易にするため、ウェハー搭載用ボー
ト５と、それを支持する保温筒４との接触面積を可及的
に縮小している。
工具の分離作業を容易にするため、ウェハー搭載用ボー
ト５と、それを支持する保温筒４との接触面積を可及的
に縮小している。
【００３０】したがって、本発明によれば、ボート５と
保温筒４が相対的に動き易くなり、気相成長膜に対する
破壊力が増大することとなり、ボート５と保温筒４を容
易に分離することができる。
保温筒４が相対的に動き易くなり、気相成長膜に対する
破壊力が増大することとなり、ボート５と保温筒４を容
易に分離することができる。
【００３１】次に本発明の具体例を実施形態１として詳
細に説明する。
細に説明する。
【００３２】図２（ａ），（ｂ）に示すように、本発明
の実施形態１は、保温筒４に脚部８を突き出して設け、
保温筒４のボート５に対する接触面積を可及的に縮小し
たものである。
の実施形態１は、保温筒４に脚部８を突き出して設け、
保温筒４のボート５に対する接触面積を可及的に縮小し
たものである。
【００３３】図２（ａ），（ｂ）に示す実施形態１で
は、保温筒４に複数の脚部８を設け、保温筒４の脚部８
でボート５の下面を支えて、保温筒４とボート５との接
触面積を縮小させている。またボート５は、保温筒４の
脚部８に支えられて保温筒４上部に設置されるようにな
っている。保温筒４の各脚部８は、ボート５の下面に面
接触している。
は、保温筒４に複数の脚部８を設け、保温筒４の脚部８
でボート５の下面を支えて、保温筒４とボート５との接
触面積を縮小させている。またボート５は、保温筒４の
脚部８に支えられて保温筒４上部に設置されるようにな
っている。保温筒４の各脚部８は、ボート５の下面に面
接触している。
【００３４】ここで、ボート５は、保温筒４に支えられ
て反応室Ｓ内に設置されること、及び保温筒４からの熱
を受けて温度管理されることを考慮して、保温筒４とボ
ート５との接触面積を必要最小限に縮小させている。
て反応室Ｓ内に設置されること、及び保温筒４からの熱
を受けて温度管理されることを考慮して、保温筒４とボ
ート５との接触面積を必要最小限に縮小させている。
【００３５】図３は、従来例であり、ボート５と保温筒
４が密着している場合を示すものであり、その斜線部分
はボート５と保温筒４が密着して接触する面積を示すも
のである。
４が密着している場合を示すものであり、その斜線部分
はボート５と保温筒４が密着して接触する面積を示すも
のである。
【００３６】実施形態１では、上述したボート５と保温
筒４との関係を考慮して、保温筒４の複数の脚部８とボ
ート５の下面との総接触面積を図３に示した接触面積の
約１０分の１位になるように設計している。
筒４との関係を考慮して、保温筒４の複数の脚部８とボ
ート５の下面との総接触面積を図３に示した接触面積の
約１０分の１位になるように設計している。
【００３７】例えば、図３（ｂ）に示す従来のボート５
と保温筒４の接触部（斜線部分）での外径９が２０ｃ
ｍ、内径１０が１８ｃｍとした場合、その接触面積は５
９．６６ｃｍ2であるから、本発明の実施形態１におけ
るボート５と保温筒４の脚部８との総接触面積は約６ｃ
ｍ2に設計している。
と保温筒４の接触部（斜線部分）での外径９が２０ｃ
ｍ、内径１０が１８ｃｍとした場合、その接触面積は５
９．６６ｃｍ2であるから、本発明の実施形態１におけ
るボート５と保温筒４の脚部８との総接触面積は約６ｃ
ｍ2に設計している。
【００３８】図２（ｂ）のように８個の脚部８を設けた
場合は、１個当たりの接触面積は約０．７５ｃｍ2とな
る。
場合は、１個当たりの接触面積は約０．７５ｃｍ2とな
る。
【００３９】実験の結果、脚部８の１個当たりの面積を
例えば１ｃｍ2以上とした場合、気相成長膜の積算膜厚
が３０μｍ以上になると、ボート５と保温筒４との分離
が困難になった。
例えば１ｃｍ2以上とした場合、気相成長膜の積算膜厚
が３０μｍ以上になると、ボート５と保温筒４との分離
が困難になった。
【００４０】０．７５ｃｍ2とした場合は、気相成長膜
の積算膜厚が６０μｍ以上になっても、ボート５と保温
筒４は簡単に分離することができた。なお、脚部８の個
数は、保温筒４上部にボート５を安定に支持するために
最低６個とする。
の積算膜厚が６０μｍ以上になっても、ボート５と保温
筒４は簡単に分離することができた。なお、脚部８の個
数は、保温筒４上部にボート５を安定に支持するために
最低６個とする。
【００４１】以上のように、ボート５と接触する保温筒
４側の総接触面積を従来の約１０分の１位にすることに
より、ボート５と保温筒４の接触部全周面への気相成長
膜の付着は、従来よりかなり低減することができ、ボー
ト５と保温筒４の接触部全周面に隙間なく覆うことを避
けることができ、しかも、ボート５と保温筒４が相対的
に動き易くなり、気相成長膜に対する破壊力が増大する
こととなり、ボート５と保温筒４を容易に分離すること
ができる。
４側の総接触面積を従来の約１０分の１位にすることに
より、ボート５と保温筒４の接触部全周面への気相成長
膜の付着は、従来よりかなり低減することができ、ボー
ト５と保温筒４の接触部全周面に隙間なく覆うことを避
けることができ、しかも、ボート５と保温筒４が相対的
に動き易くなり、気相成長膜に対する破壊力が増大する
こととなり、ボート５と保温筒４を容易に分離すること
ができる。
【００４２】また図２では、短冊状の脚部８を放射状に
設けたが、これに限られるものではなく、図４（ｂ），
（ｃ）に示すように矩形或いは角状の脚部８としてもよ
く、その形状及び配置は図示のものに限定されるもので
はなく、ボート５と接触する保温筒４側の総接触面積が
従来の約１０分の１位にするように設定されていれば、
いずれのものでもよい。
設けたが、これに限られるものではなく、図４（ｂ），
（ｃ）に示すように矩形或いは角状の脚部８としてもよ
く、その形状及び配置は図示のものに限定されるもので
はなく、ボート５と接触する保温筒４側の総接触面積が
従来の約１０分の１位にするように設定されていれば、
いずれのものでもよい。
【００４３】（実施形態２）
【００４４】前実施形態では、保温筒４の脚部８はボー
ト５と面接触する場合について説明したが、図５
（ａ），（ｂ）に示す本発明の実施形態２のように、保
温筒４の脚部８は、ボート５と点接触してボートを支持
するようにした場合についても適応することができる。
ト５と面接触する場合について説明したが、図５
（ａ），（ｂ）に示す本発明の実施形態２のように、保
温筒４の脚部８は、ボート５と点接触してボートを支持
するようにした場合についても適応することができる。
【００４５】図５において、保温筒４にボート５を支持
する構造は、複数の脚部８による点接触支持となってお
り、上記実施形態１と同様の理由により最低６箇所の支
持があれば構わない。
する構造は、複数の脚部８による点接触支持となってお
り、上記実施形態１と同様の理由により最低６箇所の支
持があれば構わない。
【００４６】脚部８の形状は半球状であり、全ての脚部
８の半球は同一形状となっている。図３に示す従来の接
触部分の外径９が２０ｃｍ、内径１０が１８ｃｍの場
合、接触部の円環の幅は１ｃｍであるため、脚部８の半
球の径は０．５ｃｍ〜１ｃｍ未満であれば構わない。
８の半球は同一形状となっている。図３に示す従来の接
触部分の外径９が２０ｃｍ、内径１０が１８ｃｍの場
合、接触部の円環の幅は１ｃｍであるため、脚部８の半
球の径は０．５ｃｍ〜１ｃｍ未満であれば構わない。
【００４７】この点接触支持の場合、上記の面接触とは
異なり、ボート５との接触面積はかなり小さくなるた
め、ボート５と保温筒４の接触する部分への気相成長膜
の付着は、面接触よりかなり低減でき、また気相成長膜
が接合部外周に隙間なく覆うことを避けることができ、
しかも、ボート５と保温筒４の動きに対する規制が緩和
され相対的に動き易くなり、気相成長膜に対する破壊力
が増大することとなり、ボート５と保温筒４を容易に分
離することができる。
異なり、ボート５との接触面積はかなり小さくなるた
め、ボート５と保温筒４の接触する部分への気相成長膜
の付着は、面接触よりかなり低減でき、また気相成長膜
が接合部外周に隙間なく覆うことを避けることができ、
しかも、ボート５と保温筒４の動きに対する規制が緩和
され相対的に動き易くなり、気相成長膜に対する破壊力
が増大することとなり、ボート５と保温筒４を容易に分
離することができる。
【００４８】なお、上記実施形態１，２では、脚部８を
保温筒４側に設けたが、ボート５側に設けてもよいもの
である。
保温筒４側に設けたが、ボート５側に設けてもよいもの
である。
【００４９】（実施形態３）
【００５０】上記各実施形態においては、保温筒４上部
及びボート５下部のどちらか一方の形状を変化させた場
合について述べたが、本発明の実施形態３は、保温筒４
上部及びボート５下部の両方の形状を変化させた場合に
ついても適用することができる。
及びボート５下部のどちらか一方の形状を変化させた場
合について述べたが、本発明の実施形態３は、保温筒４
上部及びボート５下部の両方の形状を変化させた場合に
ついても適用することができる。
【００５１】図７に示す本発明の実施形態３では、保温
筒４上部及びボート５下部の両方に脚部８を設けて互い
に面接触させている。
筒４上部及びボート５下部の両方に脚部８を設けて互い
に面接触させている。
【００５２】図７に示す本発明の実施形態３に係る保温
筒４上部及びボート５下部の脚部８による総接触面積
は、図３に示す従来の接触部全体の面積に対して約１０
分の１位になるように設計されている。
筒４上部及びボート５下部の脚部８による総接触面積
は、図３に示す従来の接触部全体の面積に対して約１０
分の１位になるように設計されている。
【００５３】例えば図３に示す従来の接触部（斜線部
分）の外径９が２０ｃｍ、内径１０が１８ｃｍの場合、
その接触面積は５９．６６ｃｍ2であるが、本発明の実
施形態３では、保温筒４とボート５との脚部８による総
接触面積は、約６ｃｍ2位に設計している。
分）の外径９が２０ｃｍ、内径１０が１８ｃｍの場合、
その接触面積は５９．６６ｃｍ2であるが、本発明の実
施形態３では、保温筒４とボート５との脚部８による総
接触面積は、約６ｃｍ2位に設計している。
【００５４】図７（ｂ），（ｃ）のように、保温筒４上
部及びボート５下部の両方に４個の脚部８を設けて互い
に面接触させている場合、脚部８の１個当たりの接触面
積は約０．７５ｃｍ2となり、脚部８による総接触面積
は、約６ｃｍ2位となる。
部及びボート５下部の両方に４個の脚部８を設けて互い
に面接触させている場合、脚部８の１個当たりの接触面
積は約０．７５ｃｍ2となり、脚部８による総接触面積
は、約６ｃｍ2位となる。
【００５５】以上のように、ボート５と接触する保温筒
４側の総接触面積を従来の約１０分の１位にすることに
より、ボート５と保温筒４の接触部全周面への気相成長
膜の付着は、従来よりかなり低減することができ、ボー
ト５と保温筒４の接触部全周面に隙間なく覆うことを避
けることができ、しかも、ボート５と保温筒４が相対的
に動き易くなり、気相成長膜に対する破壊力が増大する
こととなり、ボート５と保温筒４を容易に分離すること
ができる。
４側の総接触面積を従来の約１０分の１位にすることに
より、ボート５と保温筒４の接触部全周面への気相成長
膜の付着は、従来よりかなり低減することができ、ボー
ト５と保温筒４の接触部全周面に隙間なく覆うことを避
けることができ、しかも、ボート５と保温筒４が相対的
に動き易くなり、気相成長膜に対する破壊力が増大する
こととなり、ボート５と保温筒４を容易に分離すること
ができる。
【００５６】さらに、本実施例３では、保温筒４上部及
びボート５下部の両方に脚部８を設けて互いに点接触さ
せても構わない。その構成を図８（ａ）に、保温筒４上
部及びボート５下部に設けた脚部８をそれぞれ図８
（ｂ），（ｃ）に示す。
びボート５下部の両方に脚部８を設けて互いに点接触さ
せても構わない。その構成を図８（ａ）に、保温筒４上
部及びボート５下部に設けた脚部８をそれぞれ図８
（ｂ），（ｃ）に示す。
【００５７】この場合も上記実施形態と同様に、保温筒
４上部及びボート５下部に合計最低６個の脚部８を設け
るものとする。脚部８の形状は半球状であり、全ての脚
部８の半球は同一形状となっている。
４上部及びボート５下部に合計最低６個の脚部８を設け
るものとする。脚部８の形状は半球状であり、全ての脚
部８の半球は同一形状となっている。
【００５８】従来の接触部の外径９が２０ｃｍ、内径１
０が１８ｃｍの場合、接触部の円環の幅は１ｃｍである
ため、脚部８の半球の径は０．５ｃｍ〜１ｃｍ未満であ
ればよい。
０が１８ｃｍの場合、接触部の円環の幅は１ｃｍである
ため、脚部８の半球の径は０．５ｃｍ〜１ｃｍ未満であ
ればよい。
【００５９】また、点接触させると、面接触とは異な
り、保温筒４とボート５との接触面積は可及的に小さく
なるため、ボート５と保温筒４の接触する部分への気相
成長膜の付着量は、面接触よりかなり低減でき、また気
相成長膜が接合部７外周に隙間なく覆うことを避けるこ
とができ、しかも、ボート５と保温筒４の動きに対する
規制が緩和され相対的に動き易くなり、気相成長膜に対
する破壊力が増大することとなり、ボート５と保温筒４
を容易に分離することができる。
り、保温筒４とボート５との接触面積は可及的に小さく
なるため、ボート５と保温筒４の接触する部分への気相
成長膜の付着量は、面接触よりかなり低減でき、また気
相成長膜が接合部７外周に隙間なく覆うことを避けるこ
とができ、しかも、ボート５と保温筒４の動きに対する
規制が緩和され相対的に動き易くなり、気相成長膜に対
する破壊力が増大することとなり、ボート５と保温筒４
を容易に分離することができる。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、保
温筒とボートとの接触面積を可及的に小さくするため、
ボートと保温筒の接触する部分への気相成長膜の付着量
を低減でき、また気相成長膜が接合部外周に隙間なく覆
うことを避けることができ、しかも、ボートと保温筒の
動きに対する規制が緩和され相対的に動き易くなり、気
相成長膜に対する破壊力が増大することとなり、ボート
と保温筒を容易に分離することができる。
温筒とボートとの接触面積を可及的に小さくするため、
ボートと保温筒の接触する部分への気相成長膜の付着量
を低減でき、また気相成長膜が接合部外周に隙間なく覆
うことを避けることができ、しかも、ボートと保温筒の
動きに対する規制が緩和され相対的に動き易くなり、気
相成長膜に対する破壊力が増大することとなり、ボート
と保温筒を容易に分離することができる。
【図１】本発明の実施形態１に係る縦型気相成長装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】（ａ）は、図１のＡ部拡大図、（ｂ）は、本発
明の実施形態１に係る縦型気相成長装置におけるボート
と保温筒との接合部分を示す平面図である。
明の実施形態１に係る縦型気相成長装置におけるボート
と保温筒との接合部分を示す平面図である。
【図３】（ａ）は、従来例の接合部を示す拡大図、
（ｂ）は、従来例に係る縦型気相成長装置におけるボー
トと保温筒との接合部分を示す平面図である。
（ｂ）は、従来例に係る縦型気相成長装置におけるボー
トと保温筒との接合部分を示す平面図である。
【図４】（ａ）は、図１のＡ部拡大図、（ｂ）は、本発
明の実施形態１に係る縦型気相成長装置におけるボート
と保温筒との接合部分を示す平面図である。
明の実施形態１に係る縦型気相成長装置におけるボート
と保温筒との接合部分を示す平面図である。
【図５】（ａ）は、図１のＡ部拡大図、（ｂ）は、本発
明の実施形態２に係る縦型気相成長装置におけるボート
と保温筒との接合部分を示す平面図である。
明の実施形態２に係る縦型気相成長装置におけるボート
と保温筒との接合部分を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態２に係る縦型気相成長装置に
おけるボートと保温筒との接合部分を示す平面図であ
る。
おけるボートと保温筒との接合部分を示す平面図であ
る。
【図７】（ａ）は、図１のＡ部拡大図、（ｂ），（ｃ）
は、本発明の実施形態３に係る縦型気相成長装置におけ
るボートと保温筒との接合部分を示す平面図である。
は、本発明の実施形態３に係る縦型気相成長装置におけ
るボートと保温筒との接合部分を示す平面図である。
【図８】（ａ）は、図１のＡ部拡大図、（ｂ），（ｃ）
は、本発明の実施形態３に係る縦型気相成長装置におけ
るボートと保温筒との接合部分を示す平面図である。
は、本発明の実施形態３に係る縦型気相成長装置におけ
るボートと保温筒との接合部分を示す平面図である。
【図９】従来例に係る縦型気相成長装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図１０】従来例に係る縦型気相成長装置を示す断面図
である。
である。
【図１１】従来例に係る縦型気相成長装置を示す断面図
である。
である。
１ ベース ２ 内管 ３ 外管 ４ 保温筒 ５ ウェハー搭載用ボート ６ ウェハー ８ 脚部
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板搭載用ボートの下部を保温筒
の上部に分離可能に接触支持して反応室内に縦置きに配
置し、前記ボートに支持された半導体基板に気相成長膜
を成膜する縦型気相成長装置であって、 前記ボートの下部または前記保温筒の上部に円環状の端
面を有し、該円環状の端面上に複数の脚部を突き出して
設け、前記脚部を介して前記ボートの下部を前記保温筒
の上部に接触支持することにより、接触面を縮小し接触
面に橋架成膜する気相成長膜を減じたことを特徴とする
縦型気相成長装置。 - 【請求項２】 半導体基板搭載用ボートの下部を保温筒
の上部に分離可能に接触支持して反応室内に縦置きに配
置し、前記ボートに支持された半導体基板に気相成長膜
を成膜する縦型気相成長装置であって、 前記ボートの下部および前記保温筒の上部に円環状の端
面を有し、それぞれの円環状の端面上に複数の脚部を突
き出して設け、前記脚部を介して前記ボートの下部を前
記保温筒の上部に接触支持することにより、接触面を縮
小し接触面に橋架成膜する気相成長膜を減じたことを特
徴とする縦型気相成長装置。 - 【請求項３】 前記複数の脚部は、短冊状、島状に形成
された矩形或いは角状であり、前記円環状の横断面に対
して放射状に形成されているものであることを特徴とす
る請求項１または２に記載の縦型気相成長装置。 - 【請求項４】 前記複数の脚部の対向する前記ボートの
下部または前記保温筒の上部との総接触面積は、前記円
環状の横断面積の約１０分の１であることを特徴とする
請求項１、２または３に記載の縦型気相成長装置。 - 【請求項５】 半導体基板搭載用ボートの下部を保温筒
の上部に分離可能に接触支持して反応室内に縦置きに配
置し、前記ボートに支持された半導体基板に気相成長膜
を成膜する縦型気相成長装置であって、 前記ボートの下部または前記保温筒の上部に円環状の端
面を有し、該円環状の端面上に半球状の複数の脚部を有
し、前記脚部を介して前記ボートの下部を前記保温筒の
上部に接触支持することにより、接触面を縮小し接触面
に橋架成膜する気相成長膜を減じたことを特徴とする縦
型気相成長装置。 - 【請求項６】 半導体基板搭載用ボートの下部を保温筒
の上部に分離可能に 接触支持して反応室内に縦置きに配
置し、前記ボートに支持された半導体基板に気相成長膜
を成膜する縦型気相成長装置であって、 前記ボートの下部および前記保温筒の上部に円環状の端
面を有し、それぞれの円環状の端面上に半球状の複数の
脚部を有し、前記脚部を介して前記ボートの下部を前記
保温筒の上部に接触支持することにより、接触面を縮小
し接触面に橋架成膜する気相成長膜を減じたことを特徴
とする縦型気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04112299A JP3335936B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 縦型気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04112299A JP3335936B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 縦型気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243701A JP2000243701A (ja) | 2000-09-08 |
| JP3335936B2 true JP3335936B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=12599657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04112299A Expired - Fee Related JP3335936B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 縦型気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3335936B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6605398B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2019-11-13 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体の製造方法およびプログラム |
| TWI611043B (zh) | 2015-08-04 | 2018-01-11 | Hitachi Int Electric Inc | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 |
| DE102022002761A1 (de) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | centrotherm international AG | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Substraten, insbesondere Halbleiter-Wafern |
-
1999
- 1999-02-19 JP JP04112299A patent/JP3335936B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000243701A (ja) | 2000-09-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |