KR101358090B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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마코토 노무라
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

메인테넌스 후의 QC체크가 완료되어 있지 않은 처리실 내에, 생산용 웨이퍼가 반송되는 것을 회피하고, QC체크용 웨이퍼만이 반송되도록 하고, QC체크 종료 후에 생산용 웨이퍼를 처리할 수 있도록 한다. 지정된 처리실 내로의 생산용 기판의 반송을 금지하면서 품질 관리용 기판을 반송하고, 복수의 처리실 중에서 지정된 처리실 이외의 처리실에 생산용 기판을 반송한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 실시하는 종래의 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 복수의 처리실과, 복수의 처리실에 각각 접속되어서 처리실 내의 기판 처리를 개별로 제어하는 복수의 처리 제어부와, 복수의 처리 제어부에 각각 접속되어, 상기 처리실과 반송실 사이에 상기 기판을 반송(搬送)하는 반송 기구의 동작을 제어하는 통합 제어부와, 통합 제어부 및 복수의 처리 제어부에 각각 접속되어, 복수의 처리 제어부에 처리 명령을 송신함과 동시에, 통합 제어부를 개재해서 상기 복수의 처리 제어부로부터 동작 보고를 수신하는 조작부를 구비하고 있었다.
또한, 상기 통합 제어부가 관리하는 처리실의 동작 모드는, 웨이퍼가 반송되지 않는 메인테넌스 모드와, 생산용 웨이퍼가 반송되어서 처리를 수행하는 생산 모드(통상 상태)의 두 가지였다. 상기 메인테넌스 모드는, 소정의 생산이 반복된 후에 처리실을 구성하는 부품의 보수 점검을 수행하는 모드이다. 메인테넌스가 종료한 처리실 내에서 처리된 기판의 막 두께를 측정하는 막 두께 체크 및 기판의 표면에 부착된 파티클 수의 체크[이후, QC(Quality Control)체크라고도 한다]는, 처리실의 동작 모드를 생산 모드로 하여 실시하고 있었다.
따라서, QC체크 중에 생산용 웨이퍼가 처리실 내에 반입되는 것을 방지하기 위해서, QC체크 중의 처리실은 분리되지 않으면 안되었다. 그러나, 처리실의 분리 작업 및 설치 작업이 필요하기 때문에, 메인테넌스 시간이 길어지고, 장치의 생산성이 저하해버린다.
본 발명은, 메인테넌스 후의 QC체크가 완료하지 않은 처리실 내에, 생산용 웨이퍼가 반송되는 것을 회피하고, QC체크용 웨이퍼만이 반송되도록 하고, QC체크 종료 후에서 생산용 웨이퍼를 처리할 수 있도록 하고, 장치의 생산성 향상을 도모한 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 각종 기판을 처리하는 복수의 처리실; 상기 처리실에 연통 가능하게 접속된 반송실; 상기 반송실 내에 설치되어 상기 반송실과 상기 복수의 처리실과의 사이에 상기 기판을 반송하는 반송 기구; 상기 복수의 처리실 각각에 접속되어 상기 복수의 처리실 내의 기판 처리를 제어하는 처리 제어부; 상기 처리 제어부에 접속되어 상기 반송 기구의 동작을 제어하는 통합 제어부; 및 상기 통합 제어부 및 상기 처리 제어부에 접속되어 상기 통합 제어부 및 상기 처리 제어부에 처리 명령을 송신함과 함께, 상기 통합 제어부를 개재하여 상기 반송 기구로부터 동작 보고를 수신하는 조작부;를 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 조작부는, 상기 처리실의 보수 점검을 수행하는 메인테넌스 모드, 보수 점검 후의 상기 처리실에서 품질 관리용 상기 기판을 처리하는 QC모드 및 생산용 상기 기판을 처리하는 생산 모드를 포함하는 동작 모드를 선택하여 각 처리실에 설정하는 설정 화면을 표시하는 표시부를 구비하고, 상기 통합 제어부는, 상기 설정 화면 상에서 상기 메인테넌스 모드로 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실이 설정되면, 상기 소정의 처리실로의 상기 각종 기판의 반송을 금지하고, 상기 설정 화면 상에서 상기 QC모드로 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실이 설정되면, 지정된 상기 소정의 처리실 내로의 생산용 상기 기판의 반송을 금지하면서 품질 관리용 기판을 반송함과 동시에, 상기 지정된 상기 소정의 처리실 이외의 처리실로 상기 품질 관리용 기판의 반송을 금지하고, 상기 설정 화면 상에서 상기 생산 모드로 설정된 상기 소정의 처리실에 생산용 기판을 반송하도록 상기 반송 기구를 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 기판을 처리하는 복수의 처리실; 상기 처리실에 연통 가능하게 접속된 반송실; 상기 반송실 내에 설치되어 상기 반송실과 상기 복수의 처리실 사이에 상기 기판을 반송하는 반송 기구; 상기 복수의 처리실 각각에 접속되어 상기 복수의 처리실 내의 기판 처리를 제어하는 처리 제어부; 상기 처리 제어부에 접속되어 상기 반송 기구의 동작을 제어하는 통합 제어부; 및 상기 처리실의 동작 모드로서, 상기 복수의 처리실 중 지정된 처리실의 보수 점검을 실시하는 메인테넌스 모드, 보수 점검 후의 상기 지정된 처리실에서 품질 관리용 기판을 처리하는 QC모드 및 생산용 기판을 처리하는 생산 모드를 선택하는 설정 화면을 표시하는 표시부;를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 생산용 기판을 복수의 처리실에 반송하는 기판 반송 방법으로서, 상기 생산용 기판을 반송 중에, 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실에서 에러가 발생하면, 상기 소정의 처리실을 메인테넌스 모드로 설정하고, 상기 소정의 처리실로의 상기 생산용 기판의 반송을 금지함과 동시에, 상기 소정의 처리실 이외에서 상기 생산용 기판을 반송하는 공정; 상기 소정의 처리실의 메인테넌스 작업이 완료된 후, 상기 메인테넌스 모드로부터 품질 관리용 기판을 처리하는 QC모드로 지정된 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 소정의 처리실로의 반송 기구에 의한 생산용 기판의 반송을 계속하여 금지하면서 상기 품질 관리용 기판을 상기 지정된 처리실로 반송하는 공정; 및 처리한 품질 관리용 기판의 품질을 검사하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족하는 경우에, 생산용 기판을 처리하는 생산 모드로 상기 소정의 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 생산용 상기 기판을 반송하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족하고 있지 않은 경우, 상기 소정의 처리실의 메인테넌스를 재차 실행하는 공정;을 포함하는 기판 반송 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 생산용 기판을 복수의 처리실에서 처리하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 생산용 기판을 처리 중에, 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실에서 에러가 발생하면, 상기 소정의 처리실을 메인테넌스 모드로 설정하고, 상기 소정의 처리실로의 상기 생산용 기판의 반송을 금지함과 동시에, 상기 소정의 처리실 이외에서 상기 생산용 기판을 처리하는 공정; 상기 소정의 처리실의 메인테넌스 작업이 완료된 후, 상기 메인테넌스 모드로부터 품질 관리용 기판을 처리하는 QC모드로 설정하고, 상기 소정의 처리실로의 상기 생산용 상기 기판의 반송을 계속하여 금지하면서 상기 품질 관리용 기판을 반송하고, 상기 소정의 처리실 내에서 상기 품질 관리용 기판을 처리함과 동시에, 상기 소정의 처리실 이외에서 상기 생산용 기판을 처리하는 공정; 및 품질 관리용 상기 기판의 품질을 검사하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족하고 있는 경우에, 생산용 기판을 처리하는 생산 모드로 상기 소정의 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 생산용 기판을 반송하고, 상기 복수의 처리실 내에서 상기 생산용 기판을 처리하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족하고 있지 않은 경우, 상기 소정의 처리실의 메인테넌스를 재차 실행하는 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, QC체크가 수행되고 있는 처리실 내에 생산용 기판이 반송되는 것을 막으면서, 다른 처리실에서 생산용 기판이 처리되어, QC체크가 종료한 시점에서, 상기 QC체크가 수행된 처리실에서도 생산용 기판이 처리되도록 되기 때문에, 장치의 생산성이 각별히 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 클러스터형 기판 처리 장치의 개요 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 제어 수단의 블록 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 설정 화면에서 품질 관리용 기판(모니터 기판)이 선택된 경우의 일 예를 도시한 화면 구성도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 설정 화면에서 생산용 기판(제품 기판)이 선택된 경우의 일 예를 도시한 화면 구성도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 설정 화면에서 모든 프로세스 챔버에 대하여 생산용 기판이 선택된 경우의 일 예를 도시한 화면 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 실시되는 기판 처리 공정의 플로우 차트이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 공정에 있어서의 제어 수단의 동작을 예시하는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 실시되는 처리실의 동작 모드의 이행 과정을 도시한 플로우 차트이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 실시되는 각 동작 모드에서의 플로우를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 종래의 기판 처리 장치의 동작 모드의 플로우를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 자동 운전시킨 경우의 프로세스 챔버의 운용 방법의 일 예를 도시한 개요 구성도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 자동 운전시킨 경우의 프로세스 챔버의 운용 방법의 일 예를 도시한 개요 구성도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 자동 운전시킨 경우의 프로세스 챔버의 운용 방법의 일 예를 도시한 개요 구성도이다.
도 14는 생산을 계속하면서 소정의 프로세스 챔버에서의 메인테넌스 작업으로부터 생산용 웨이퍼 처리가 가능해질 때까지의 플로우를 나타내는 도면이다.
<본 발명의 일 실시 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 동작에 대해서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
우선, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성에 대해서, 도1 및 도 2를 이용해서 설명한다. 도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 클러스터형 기판 처리 장치의 개요 구성도이다. 도 2는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 제어 수단의 블록 구성도이다. 본 실시 형태에 따른 클러스터형 기판 처리 장치는, 진공측과 대기측(大氣側)으로 나뉘어져 있다.
(진공측의 구성)
클러스터형 기판 처리 장치의 진공측에는, 반송실로서의 진공 기밀 가능한 진공 반송실(트랜스퍼 챔버, TM)과, 예비실로서의 배큠(vacuum) 록 챔버(로드 록 실, VL1, VL2)와, 기판으로서의 웨이퍼(W)를 처리하는 처리실로서의 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)가 설치되어 있다. 배큠 록 챔버(VL1, VL2), 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)는, 진공 반송실(TM)의 외주(外周)에 별모양(클러스터 형상)으로 배치되어 있다.
진공 반송실(TM)은, 진공 상태등의 대기압 미만의 압력(부압)을 견디어낼 수 있는 로드 록 챔버 구조로 구성되어 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서는, 진공 반송실(TM)의 광체(筐體)는, 평면시(平面視)가 예컨대 8각형으로, 상하 양단(兩端)이 폐색(閉塞)한 상자 형상으로 형성되어 있지만, 본 발명은 반드시 이와 같은 형태에 한정되지 않는다.
진공 반송실(TM) 내에는, 반송 기구로서의 진공 반송 로봇(VR)이 설치되어 있다. 진공 반송 로봇(VR)은, 암(arm)에 설치된 기판 재치부(載置部)에 웨이퍼(W)를 싣고, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)와, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)의 사이에 상호(相互) 웨이퍼(W)의 반송을 수행한다. 또한, 진공반송 로봇(VR)은, 엘리베이터(EV)에 의해, 진공 반송실(TM)의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 되어 있다.
프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)는, 예컨대 CVD(Chemical Vapor Deposition)법, ALD(Atomic Layer Deposition)법 또는 PVD(Physical Vapor Deposition)법에 의해 웨이퍼(W) 상에 박막을 형성하는 공정 또는 웨이퍼(W) 표면에 산화막 또는 질화막을 형성하는 공정 또는 웨이퍼(W) 상에 금속 박막 또는 금속 화합물 박막을 형성하는 공정을 실시하여, 웨이퍼(W)에 부가 가치를 주도록 구성되어 있다. 각 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에는, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4) 내에 공급하는 처리 가스의 유량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(MFC, 11), 프로세스 챔버 내의 압력을 제어하는 오토 프레셔 컨트롤러(APC, 12), 프로세스 챔버 내의 온도를 제어하는 온도 조정기(13), 처리 가스의 공급이나 배기용 밸브의 온/오프를 제어하는 입출력 밸브(I/O, 14) 등이 설치되어 있다(도 2 참조). 이들 컨트롤러(11, 12, 13, 14)는, 각 처리실에 설치되는 프로세스 모듈 컨트롤러(91, 92, 93, 94)에 의해 제어된다. 프로세스 모듈 컨트롤러(91, 92, 93, 94)에 의해, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4) 내를 배기하면서, 프로세스 챔버(PM) 내에 처리 가스를 공급하는 동시에, 소정의 압력 및 소정의 온도로 유지되는 것으로, 웨이퍼(W)의 표면이 처리되도록 구성되어 있다.
또한, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)는, 각각 게이트 밸브(G1, G2, G3, G4)를 개재해서 진공 반송실(TM)과 연통 가능하게 구성되어 있다. 예컨대, 프로세스 챔버(PM1)로 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 프로세스 챔버(PM1) 내를 진공 반송실(TM) 내와 동등한 분위기로 하고 나서 게이트 밸브(G1)을 열어서 프로세스 챔버(PM1) 내에 웨이퍼(W)를 반송한 후, 게이트 밸브(G1)를 닫는다. 그리고 프로세스 챔버(PM1)에서 소정의 처리를 수행한 후, 프로세스 챔버(PM1) 내의 분위기를 진공 반송실(TM) 내와 동등한 분위기로 되돌리고 나서, 게이트 밸브(G1)를 열고, 프로세스 챔버(PM1) 내의 웨이퍼(W)를 반출한 후, 게이트 밸브(G1)를 닫는다. 프로세스 챔버(PM2∼PM4)에 대해서도 게이트 밸브(G1)와 동일한 식으로 게이트 밸브(G2∼G4)의 개폐 동작을 수행하는 것으로 웨이퍼(W)의 처리 분위기를 형성하는 것이 가능하게 되어 있다.
배큠 록 챔버(VL1, VL2)는, 진공 반송실(TM) 내에 웨이퍼(W)를 반입하는 예비실로서 또는 진공 반송실(TM) 내로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 예비실로서 기능한다. 배큠 록 챔버(VL1, VL2)의 내부에는, 기판의 반입 반출용으로 웨이퍼(W)를 일시적으로 지지하는 버퍼 스테이지(ST1, ST2)가 각각 설치되어 있다. 또한, 도시하고 있지 않지만, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)에는, 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 기능이 설치되어 있다. 또한, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)와는 별도로, 냉각용 챔버를 설치해도 좋다.
배큠 록 챔버(VL1, VL2)는, 각각 게이트 밸브(G5, G6)를 개재해서 진공 반송실(TM)과 연통 가능하게 구성되어 있고, 또한 각각 게이트 밸브(G7, G8)을 개재해서 후술하는 대기 반송실(LM)과 연통 가능하도록 구성되어 있다. 진공 반송실(TM)의 진공 상태 및 대기 반송실(LM)의 대기압 상태를 보지(保持)하기 위해서, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)에 설치되어 있는 게이트 밸브 G5와 G7의 어느 하나, 게이트 밸브 G6과 G8의 어느 하나는 반드시 닫혀 있고, 동시에 열리는 일은 없다. 예컨대, 진공 반송실(TM)측의 게이트 밸브(G5)를 여는 경우, 반드시 반대측의 게이트 밸브(G7)를 닫은 상태로 하여, 배큠 록 챔버(VL1) 내의 분위기를 진공으로 한다. 또한, 본 명세서에서 말하는「진공」은 공업적 진공을 말한다. 또, 대기 반송실(LM) 측의 게이트 밸브(G7)를 여는 경우, 반드시 반대측의 게이트 밸브(G5)를 닫은 상태로 하여, 배큠 록 챔버(VL1) 내의 분위기를 대기 분위기로 한다. 따라서, 게이트 밸브(G5, G6)를 닫은 채, 게이트 밸브(G7, G8)를 여는 것에 의해, 진공 반송실(TM) 내의 진공기밀을 보지한 상태로, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)와 대기 반송실(LM)과의 사이에 웨이퍼(W)의 반송을 수행하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)는, 진공 상태 등의 대기압 미만의 부압에 견딜 수 있는 로드 록 챔버 구조로서 구성되어 있고, 그 내부를 각각 진공 배기하는 것이 가능하게 되어 있다. 따라서, 게이트 밸브(G7, G8)을 닫아서 배큠 록 챔버(VL1, VL2)의 내부를 진공 배기한 후에, 게이트 밸브(G7, G8)을 여는 것에 의해, 진공 반송실(TM) 내의 진공 상태를 보지한 채, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)와 진공 반송실(TM) 사이에, 웨이퍼(W)의 반송을 수행하는 것이 가능하게 되어 있다.
(대기측의 구성)
또한, 클러스터형 기판 처리 장치의 대기측에는, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)에 접속된 대기 반송실(LM)과, 이 대기 반송실(LM)에 접속된 기판 수용부로서의 로드 포트(LP1∼LP3)가 설치된다. 로드 포트(LP1∼LP3) 상으로는, 기판 수납 용기로서의 포드(PD1∼PD3)가 재치되도록 되어 있다. 포드(PD1∼PD3) 내에는, 웨이퍼(W)를 각각 수납하는 수납부로서의 슬롯이 복수 설치되어 있다.
대기 반송실(LM) 내에는, 대기 반송 기구로서의 1대의 대기 반송 로봇(AR)이 설치되어 있다. 대기 반송 로봇(AR)은, 배큠 록 챔버(VL1, VL2)와 로드 포트(LP1∼LP3) 상에 재치된 포드(PD1∼PD3) 사이에, 기판으로서의 웨이퍼(W)의 반송을 상호수행하도록 되어 있다. 대기 반송 로봇(AR)도, 진공 반송 로봇(VR)과 동일한 식으로 기판 재치부인 암을 갖는다.
또한, 대기 반송실(LM) 내에는, 기판 위치의 보정 장치로서, 웨이퍼(W)의 결정 방향의 위치 맞춤 등을 수행하는 오리엔테이션 플랫(Orientation Flat) 맞춤 장치(OFA)가 설치되어 있다. 또는, 오리엔테이션 플랫 맞춤 장치(OFA) 대신 웨이퍼(W)의 결정 방향의 위치 맞춤 등을 웨이퍼(W)에 형성된 노치(notch)로 수행하는, 미도시의 노치 맞춤 장치가 설치되어 있다.
(제어 수단의 구성)
클러스터형 기판 처리 장치의 각 구성부는, 제어 수단(CNT)에 의해 제어된다. 도 2에, 제어 수단(CNT)의 구성예를 도시한다. 제어 수단(CNT)은, 통합 제어부로서의 통괄(統括) 제어 컨트롤러(90)를 구비하고 있다. 또한, 처리 제어부로서의 프로세스 모듈 컨트롤러(PMC1, 91), 처리 제어부로서의 프로세스 모듈 컨트롤러(PMC2, 92), 처리 제어부로서의 프로세스 모듈 컨트롤러(PMC3, 93) 및 처리 제어부로서의 프로세스 모듈 컨트롤러(PMC4, 94)를 구비하고 있다. 또한 조작자에 의한 조작을 접수하는 조작부(100)부를 구비하고 있다.
프로세스 모듈 컨트롤러[PMC1(91), PMC2(92), PMC3(93), PMC4(94)]는, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에 각각 접속되어서, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4) 내의 기판 처리를 개별적으로 제어하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 프로세스 모듈 컨트롤러(91, 92, 93, 94)는, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)가 구비하는 매스 플로우 컨트롤러(MFC, 11), 오토 프레셔 컨트롤러(APC, 12), 온도 조정기(13), 입출력 밸브(I/O, 14) 등에 각각 접속되어 있다. 그리고, 프로세스 모듈 컨트롤러(91, 92, 93, 94)는, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에 설치되는 처리 기구(가스 도입ㅇ배기 기구, 온도 제어ㅇ플라즈마 방전 기구 등)의 각 동작을 각각 제어하도록 구성되어 있다.
통괄 제어 컨트롤러(90)는, LAN회선(80)을 개재해서 프로세스 모듈 컨트롤러(91, 92, 93, 94)에 각각 접속 가능하도록 구성되고 또한, 진공 반송 로봇(VR), 대기 반송 로봇(AR), 게이트 밸브(G1∼G8), 배큠 록 챔버(VL1, VL2)에, 각각 접속되어 있다. 그리고, 통괄 제어 컨트롤러(90)는 진공 반송 로봇(VR) 및 대기 반송 로봇(AR)의 동작, 게이트 밸브(G1∼G8)의 개폐 동작, 배큠 록 챔버(VL1, VL2) 내부의 배기 동작을 제어하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 웨이퍼(W)를 포드(PD1∼PD3) 내의 어느 슬롯에 수납할지를 각각 지정하는 수납 정보, 상기 웨이퍼(W)의 현재의 위치 정보와, 웨이퍼(W)에 관한 프로세스 처리 상황, 웨이퍼(W)를 식별하는 웨이퍼(ID), 각 웨이퍼(W)에 대하여 실시되는 레시피 등의 데이터에 기초를 두고, 반송 수단으로서의 진공 반송 로봇(VR)과 대기 반송 로봇(AR) 및 게이트 밸브(G1∼G8) 등의 동작을 제어하도록 구성되어 있다.
조작부(100)는, LAN회선(80)을 개재해서 통괄 제어 컨트롤러(90) 및 프로세스 모듈 컨트롤러(91, 92, 93, 94)에 각각 접속 가능하도록 구성되어 있다. 조작부(100)는, CPU(중앙 연산 소자), 기억 소자로서의 메모리, 인터페이스, 기록 장치로서의 하드 디스크 등을 구비한 범용의 컴퓨터로서 구성되어 있다. 조작부(100)의 하드 디스크에는, 시스템 전체 총괄 제어용 프로그램, PM1조작용 프로그램, PM2조작용 프로그램, PM3조작용 프로그램, PM4조작용 프로그램 등이 격납(格納)되어 있다. 시스템 전체 총괄 제어용 프로그램은, 조작부(100)의 하드 디스크로부터 메모리에 독출(讀出)되어, CPU에 의해 실행되는 것에 의해, 통괄 제어 컨트롤러(90)에 동작 명령(메시지)을 송신하는 동시에, 통괄 제어 컨트롤러(90)로부터 동작 보고(메시지)를 수신하는 기능을 조작부(100)에 실현하도록 구성되어 있다. 또한, PM1조작용 프로그램, PM2조작용 프로그램, PM3조작용 프로그램, PM4조작용 프로그램은, 조작부(100)의 하드 디스크로부터 메모리에 독출되어, CPU에 의해 실행되는 것에 의해, 프로세스 모듈 컨트롤러(91, 92, 93, 94)에 동작 명령(메시지)을 송신하는 동시에, 프로세스 모듈 컨트롤러(91, 92, 93, 94)로부터 동작 보고(메시지)를 수신하는 기능을 조작부(100)에 실현하도록 구성되어 있다. 그 외, 조작부(100)는, 동작 모드의 설정, 모니터 표시, 로그인 데이터, 알람 해석, 파라미터 편집 등의 화면 표시ㅇ입력 접수 기능을 담당하도록 구성되어 있다.
조작부(100)에는, 표시 장치(110)가 설치되아 있다. 표시 장치(110)의 표시부(115)에는, 동작 모드로서의 QC모드 및 생산 모드를 선택하는 구성을 가지는 설정 화면(120)이 표시된다(상기 도 3∼도 5 참조). 모니터(Monitor, QC모드)는, 보수 점검 후의 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에서 품질 관리용의 기판을 처리하는 동작 모드이다. 프로덕트(Product, 생산 모드)는, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에서 생산용 기판을 처리하는 동작 모드이다. 설정 화면(120)에 대해서는 이하 상세하게 설명한다.
(동작 모드 등의 화면 설정)
설정 화면(120)에는, 예컨대, 프로세스 잡 정보를 지정하는 시퀀스 레시피 명칭의 입력란, 각 동작 모드에서 사용되는 기판의 선택란(「Product」,「Monitor」의 어느 것을 선택하는 란), 프로세스 챔버의 지정란(PM1∼PM4를 선택하는 체크 란), 프로세스 레시피 명칭의 입력란이 표시된다.
프로세스 챔버(PM3)로 QC체크용 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 설정 화면(120)의 각 란에 대하여, 도 3에 도시되는 바와 같이 입력한다. 예컨대, 시퀀스 레시피 명칭의 입력란에, 프로세스 챔버(PM3)에서 QC체크를 수행하는 레시피의 명칭인 「PM3-QC체크」를 입력한다. 또한, 기판의 선택란에서는, 「Monitor」를 선택한다.
또한, 프로세스 챔버의 지정란에서는, QC체크를 수행하는 프로세스 챔버인「PM3」을 선택한다. 또한, 프로세스 챔버(PM3)의 프로세스 레시피 명칭의 입력란에는, QC체크를 수행하는 프로세스 레시피의 명칭인「QC체크A」를 입력한다.
또한, 프로세스 챔버(PM3)로 생산용 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 설정 화면(120)의 각 란에 대하여, 도 4에 도시되는 바와 같이 입력한다. 예컨대, 시퀀스 레시피 명칭의 입력란에는, 프로세스 챔버(PM3)에서 생산을 수행하는 레시피의 명칭인 「PM3-생산」을 입력한다. 또한, 기판의 선택란에서는,「Product」를 선택한다. 또한, 프로세스 챔버의 지정란에서는, 생산을 수행하는 프로세스 챔버인「PM3」을 선택한다. 또한, 프로세스 챔버(PM3)의 프로세스 레시피 명칭의 입력란에는, 생산을 수행하는 프로세스 레시피의 명칭인「ProductA」를 입력한다.
또한, 모든 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에서 생산용 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 설정 화면(120)의 각 입력란에 대하여, 도 5에 도시되는 바와 같이 입력한다. 예컨대, 시퀀스 레시피 명칭의 입력란에는, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에서 생산을 수행하는 레시피의 명칭인「ALL」을 입력한다. 또한, 기판의 선택 란에서는,「Product」를 선택한다. 또한, 프로세스 챔버의 지정란에서는, 생산을 수행하는 프로세스 챔버인 「PM1」, 「PM2」, 「PM3」, 「PM4」를 모두 선택한다. 또한, 프로세스 챔버(PM1∼PM4)의 프로세스 레시피 명칭의 입력란에는, 생산을 수행하는 레시피의 명칭인「ProductA」를 각각 입력한다. 이 때, 프로세스 챔버마다 프로세스 레시피를 바꾸어서 설정할 수도 있다. 도시하지는 않았으나, 예컨대, 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 프로세스 레시피 명칭의 입력란에 상술한「ProductA」를 각각 입력하고, 프로세스 챔버(PM3, PM4)의 프로세스 레시피 명칭의 입력란에 「ProductB」를 각각 입력할 수도 있다. 또한, 도시하지는 않았으나, 두 개의 프로세스 챔버 또는 세 개의 프로세스 챔버를 생산 모드로 운용하도록, 「PM1」, 「PM2」, 「PM3」, 「PM4」 중 두 개 또는 세 개를 선택해서 지정하는 것도 가능하다.
(2) 기판 처리 공정
계속해서, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의해 실시되는 기판 처리 공정의 하나의 예에 대해서, 도 6 및 도 7을 이용해서 설명한다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 실시되는 기판 처리 공정의 플로우 챠트이다. 도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 공정에 있어서의 제어 수단의 동작을 예시하는 개략도이다. 또한, 도 7에 도시되는 파선은, 기판 처리 장치 내에 있어서의 메시지의 송수신을 나타내고 있다.
도 6 및 도 7에 도시되는 바와 같이, 우선, 조작부(100)로부터 통괄 제어 컨트롤러(90)에, 기판 처리의 개시를 지시하는 동작 명령(M1)을, LAN(80)을 개재해서 송신시킨다(S1).
동작 명령(M1)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 게이트 밸브(G5, G8)를 닫고, 게이트 밸브(G6, G7)를 열어, 진공 반송실(TM), 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4) 내를 진공 배기한다. 그 다음에, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 대기 반송실(LM) 내가 거의 대기압이 되도록 대기 반송실(LM) 내에 클린 에어(청정한 공기)를 공급한다. 그리고, 미도시의 반송 장치에 의해, 복수 매의 미처리의 웨이퍼(W)를 수납한 포드(PD1)가, 로드 포트(LP1) 상에 재치된다(S2).
계속해서, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 로드 포트(LP1)에 재치된 포드(PD1) 내의 기판 위치(P1)에 수납되고 있는 웨이퍼(W)를, 대기 반송 로봇(AR)에 의해 대기 반송실(LM) 내에 반송시키고, 오리엔테이션 플랫 맞춤 장치(OFA) 상의 기판 위치(P2)에 설치시키고, 결정 방향의 위치 조정 등을 실시시킨다(S3).
계속해서, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 대기 반송 로봇(AR)에 의해, 기판 위치(P2)에 설치되어 있는 웨이퍼(W)를 픽업시켜, 배큠 록 챔버(VL1) 내에 반송시키고, 버퍼 스테이지(ST1) 상의 기판 위치(P3)에 설치시킨다. 그리고, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 게이트 밸브(G7)을 닫고, 배큠 록 챔버(VL1) 내부를 진공 배기한다 (S4).
배큠 록 챔버(VL1)가 소정의 압력까지 감압하면, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 게이트 밸브(G7)을 닫은 채, 게이트 밸브(G5)를 연다. 그리고, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P3)에 설치되어 있는 웨이퍼(W)를 픽업시켜, 프로세스 챔버(PM1) 내에 반송시키고, 기판 위치(P4)에 설치시킨다(S5).
프로세스 챔버(PM1) 내에 웨이퍼(W)가 반입되면, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 기판 처리 레시피의 진행 개시를 지시하는 동작 명령(M2)을, LAN(80)을 개재해서 프로세스 모듈 컨트롤러(91)에 송신한다(S6).
프로세스 모듈 컨트롤러(91)는, 프로세스 챔버(PM1) 내에 처리 가스를 공급시키고, 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리(성막 처리 등)를 실시한다(S7).
웨이퍼(W)로의 처리가 완료하면, 프로세스 모듈 컨트롤러(91)는, 웨이퍼(W)로의 처리가 완료한 것을 나타내는 동작 보고(M3)를, LAN(80)을 개재해서 통괄 제어 컨트롤러(90)에 송신한다(S8).
동작 보고(M3)를 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 게이트 밸브(G7)를 닫은 채, 게이트 밸브(G5)를 열고, 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P4)에 설치되어 있는 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업시켜, 배큠 록 챔버(VL2) 내에 반송시킨다.
버퍼 스테이지(ST2) 상의 기판 위치(P10)에 처리 완료된 웨이퍼(W)를 배치시킨 후, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 게이트 밸브(G6)을 닫고, 배큠 록 챔버(VL2) 내에 클린 가스를 공급해서 배큠 록 챔버(VL2) 내를 거의 대기압으로 되돌리고, 게이트 밸브(G8)를 연다(S9). 또한, 이 때 미도시의 냉각 기구에 의해 웨이퍼(W)를 냉각한다.
계속해서, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 대기 반송 로봇(AR)에 의해, 기판 위치(P10)에 설치되어 있는 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업시켜, 로드 포트(LP3)에 재치된 포드(PD3)에 반송해서 빈 슬롯에 수납시킨다(S10).
이후, 상기의 공정을 반복하여, 모든 미처리의 웨이퍼(W)에 대해서 자동 반송 처리를 실시하면, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 처리 완료 웨이퍼(W)를 수납한 포드(PD3)을 로드 포트(LP3)로부터 반출한다. 그리고, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 조작자에게 지시된 기판 처리의 실시가 완료된 취지를 나타내는 동작 보고(M4)를, LAN(80)을 개재해서 조작부(100)에 송신하고, 기판 처리를 종료한다(S11).
또한, 상술의 공정(S1∼S11)에 있어서, 프로세스 모듈 컨트롤러[PMC1(91), PMC2(92), PMC3(93), PMC4(94)]로부터 발신되는 모니터 데이터나 알람(메시지 M5)은, 통괄 제어 컨트롤러(90)를 경유하지 않고, 조작부(100)에 직접 송신된다.
또 상기 설명에서는, 프로세스 챔버(PM1)에 대해서 설명했지만, 다른 프로세스 챔버(PM2, PM3, PM4)에 대해서도, 프로세스 챔버(PM1)와 동일하게 웨이퍼(W)의 처리를 수행하는 것이 가능하게 되어 있다.
(3) 메인테넌스 공정으로부터의 생산 공정
계속해서, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의해 실시되는 메인테넌스 공정부터 생산 공정까지의 하나의 예에 대해서, 도 8 및 도 9를 이용해서 설명한다.
도 8은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 실시되는 메인테넌스 공정부터 생산 공정에 있어서의 플로우 챠트이다. 도 9는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 메인테넌스 공정부터 생산 공정에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 예시하는 개략도이다. 또한, 도 9에 나타내는 파선은, 기판 처리 장치 내에 있어서의 메시지의 송수신을 나타내고 있다.
생산용 웨이퍼(W)를 소정 횟수 처리한 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에서는, 내부의 오염 상태 등에 따라서 적당히 메인테넌스가 실시된다. 메인테넌스는, 진공 반송실(TM)로부터 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)를 분리하지 않고 실시된다. 이 메인테넌스의 대상이 되는 것은, 예컨대, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)의 벽면으로의 가스 분자나 반응 생성물의 부착 등에 의한 진공 도달도의 경도(輕度)의 열화, 센서면의 오염의 경도의 부착에 의한 감도의 저하에 따른 이상 발생을 알리는 알람의 오작동 등이다. 진공 도달도의 경도의 열화나 오염의 경도의 부착을 해소하는 메인테넌스 방법으로서는, 플라즈마 클리닝, 에칭에 의한 클리닝,등을 들 수 있다. 여기서 말하는 경도는, 클리닝에 의해 해소할 수 있는 수준을 말한다. 또 메인테넌스에는, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)를 진공 반송실(TM)로부터 분리해서 수행하는 메인테넌스도 포함된다. 또한, 프로세스 챔버(PM1∼PM4)를 진공 반송실(TM)로부터 분리하지 않고 메인테넌스를 수행하는 이점으로서는, 프로세스 챔버(PM1∼PM4)의 분리 작업 및 설치 작업을 수행할 필요가 없고, 메인테넌스 시간을 단축할 수 있는 것을 들 수 있다. 만일 프로세스 챔버(PM1∼PM4)를 분리하여 메인테넌스 작업을 수행하면, 프로세스 챔버(PM1∼PM4)의 분리 작업 및 설치 작업이 필요하게 되고, 메인테넌스 시간이 오래 걸리게 된다.
[메인테넌스 모드 이행 명령의 송신(S21)]
예컨대 프로세스 챔버(PM3)의 메인테넌스를 실시하기 위해서는, 조작자는, 표시장치(110)의 표시부(115)에 설정 화면(120)을 불러내고, 시퀀스 레시피 명칭의 입력란에「PM3-메인테넌스」를 입력한다. 또한, 프로세스 챔버의 지정란에서는, 메인테넌스를 실행하는 프로세스 챔버인「PM3」을 선택한다. 또한, 프로세스 챔버(PM3)의 프로세스 레시피 명칭의 입력란에, 실행하는 메인테넌스의 프로세스 레시피 명칭으로서「메인테넌스A」를 입력한다.
그 결과, 조작부(100)로부터 통괄 제어 컨트롤러(90)에, 메인테넌스 모드에의 이행 명령(M11)이, LAN(80)을 개재해서 송신된다. 또한, 이행 명령(M11)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 메인테넌스 처리가 완료할 때까지[후술하는 동작 보고(M13)을 수신할 때까지], 프로세스 챔버(PM3)에 관한 QC모드나 생산 모드로의 이행 명령을 조작부(100)로부터 수신한 경우에, 이 명령을 거절하도록 구성되어 있다.
[메인테넌스 처리의 실시(S22)]
통괄 제어 컨트롤러(90)는, 프로세스 모듈 컨트롤러(93)에 대하여 지령을 송신하고, 게이트 밸브(G3)를 닫게 한다. 또한, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 진공 반송 로봇(VR)에 대하여,「메인테넌스 모드」가 지정된 프로세스 챔버(PM3) 내로의 웨이퍼(W)의 반송을 금지하는 진공 반송 로봇 동작 명령(RM1)을 송신한다. 진공 반송 로봇 동작 명령(RM1)을 수신한 진공 반송 로봇(VR)은, 프로세스 챔버(PM3) 내로의 웨이퍼[W, 생산용 웨이퍼(W) 및 QC체크용 웨이퍼(W)]의 반송을 할 수 없게 된다. 이에 의해, 프로세스 챔버(PM3)의 메인테넌스가 가능하게 된다. 또한, 동작 명령(M11)을 수신했을 때, 미리 웨이퍼 유무 센서(미도시)에 의해 프로세스 챔버(PM3) 내에 웨이퍼(W)가 들어 있는 것이 검지되어 있는 경우는, 프로세스 챔버(PM3) 내의 분위기를 진공 반송실(TM)과 동등한 진공 분위기로 한 후, 게이트 밸브(G3)를 개방하여, 진공 반송 로봇(VR)에 의해 웨이퍼(W)를 취출(取出)해 둔다.
그리고, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 메인테넌스의 프로세스 레시피인「메인테넌스A」의 진행 개시를 지시하는 동작 명령(M12)을, LAN(80)을 개재해서 프로세스 모듈 컨트롤러(93)에 송신한다. 동작 명령(M12)을 수신한 프로세스 모듈 컨트롤러(93)는, 프로세스 챔버(PM3)에 소정의 메인테넌스 처리(예컨대 플라즈마 클리닝 처리 처리, 에칭에 의한 클리닝 처리 등)을 실시시킨다.
메인테넌스 처리가 완료하면, 프로세스 모듈 컨트롤러(93)는, 메인테넌스 처리가 완료한 것을 나타내는 동작 보고(M13)를, LAN(80)을 개재해서 통괄 제어 컨트롤러(90)에 송신한다. 동작 보고(M13)를 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 메인테넌스가 종료한 것을 나타내는 동작 보고(M14)를, LAN(80)을 개재해서 조작부(100)에 송신하여, 표시부(115)에 그 취지를 표시시킨다. 또한, 표시와 함께 소리로 메인테넌스가 종료한 것을 알리도록 해도 좋다.
[메인테넌스 해제 및 시퀀스 레시피 실행의 동작 명령의 송신(S23, S24)]
조작자는, 메인테넌스의 종료를 확인한 후, 표시 장치(110)의 표시부(115)에 설정 화면(120, 상기 도 3 참조)을 불러내어, 설정 화면(120)의 각 란에 대하여, 도 3에 도시되는 바와 같이 입력한다. 즉, 시퀀스 레시피 명칭의 입력란에, 프로세스 챔버(PM3)에서 QC체크를 수행하는 레시피의 명칭인「PM3-QC체크」를 입력한다. 또한, 기판의 선택란에서는,「Monitor」를 선택한다. 또한, 프로세스 챔버의 지정란에서는, QC체크를 수행하는 프로세스 챔버인「PM3」을 선택한다. 또한, 프로세스 챔버(PM3)의 프로세스 레시피 명칭의 입력란에는, QC체크를 수행하는 프로세스 레시피의 명칭인「QC체크A」를 입력한다.
그 결과, 조작부(100)로부터 통괄 제어 컨트롤러(90)에, 메인테넌스 모드의 해제(즉 QC모드의 개시)를 지시하는 동작 명령 및 설정 화면(120)에 입력된 시퀀스 레시피「PM3-QC체크」 실행의 동작 명령(M15)이, LAN(80)을 개재해서 송신된다. 이에 의해, 프로세스 챔버(PM3)의 동작 모드가「메인테넌스 모드」로부터「QC모드」로 이행되어, 시퀀스 레시피「PM3-QC체크」의 실행이 개시된다. 또한, 동작 명령(M15)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 시퀀스 레시피「PM3-QC체크」의 실행이 완료할 때까지[후술하는 동작 보고(M17)를 수신할 때까지], 프로세스 챔버(PM3)에 관한 QC모드나 생산 모드로의 이행 명령을 조작부(100)로부터 수신한 경우에, 이 요구를 거절하도록 구성되어 있다.
[진공 반송 로봇 동작 명령의 송신(S25)]
동작 명령(M15)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 진공 반송 로봇(VR)에 대하여,「QC모드」가 지정된 프로세스 챔버(PM3) 내로의 생산용 웨이퍼(W)의 반송을 금지하면서, QC체크용 웨이퍼(W)의 반송을 허가하는 진공 반송 로봇 동작 명령(RM2)을 송신한다.
진공 반송 로봇 동작 명령(RM2)을 수신한 진공 반송 로봇(VR)은, 프로세스 챔버(PM3) 내로의 생산용 웨이퍼(W)의 반송을 할 수 없게 되고, QC체크용의 웨퍼(W)의 반송이 가능하게 된다. 그리고, 진공반송 로봇(VR)은, QC체크용 웨이퍼(W)를 프로세스 챔버(PM3)에 반송하도록, 상기 도 6을 참조해서 설명한 웨이퍼 반송의 순서로 QC체크용 웨이퍼(W)를 반송한다. 즉, 상술한 로드 포트에의 포드의 재치(S2), 대기 반송실로의 반송(S3), 배큠 록 챔버로의 반송(S4), 프로세스 챔버로의 반송(S5)을 순서대로 실시한다.
[QC모드의 프로세스 레시피 동작 명령의 송신(S26)]
프로세스 챔버(PM3) 내에 QC체크용 웨이퍼(W)가 반입되면, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 프로세스 레시피「QC체크A」의 진행 개시를 지시하는 동작 명령(M16)을, LAN(80)을 개재해서 프로세스 모듈 컨트롤러(93)에 송신한다.
[QC체크용 웨이퍼의 처리(S27)]
동작 명령(M16)을 수신한 프로세스 모듈 컨트롤러(93)는, 프로세스 챔버(PM3)에 프로세스 레시피「QC체크A」를 실시시켜, QC체크용 웨이퍼(W)를 처리(예컨대, 성막 등)시킨다.
[동작 보고의 송신(S28)]
QC체크용 웨이퍼(W)로의 처리가 완료하면, 프로세스 모듈 컨트롤러(93)는, QC체크용 웨이퍼(W)로의 처리가 완료한 것을 나타내는 동작 보고(M17)를, LAN(80)을 개재해서 통괄 제어 컨트롤러(90)에 송신한다. 동작 보고(M17)를 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, QC체크용 웨이퍼(W)로의 처리가 종료한 것을 나타내는 동작 보고(M18)를, LAN(80)을 개재해서 조작부(100)에 송신하고, 표시부(115)에 그 취지를 표시시킨다. 또한, 표시와 함께 소리로 처리가 종료한 것을 알리도록 해도 좋다.
[진공 반송 로봇 동작 명령의 송신(S29)]
동작 명령(M17)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 진공 반송 로봇(VR)에 대하여, 처리가 완료한 QC체크용 웨이퍼(W)를 반출하는 진공 반송 로봇 동작 명령(RM3)을 송신한다. QC체크용 웨이퍼(W)를 반출하기 위해서는, 상기 도 6을 참조해서 설명한 웨이퍼 반송의 순서로 수행한다. 즉, 상술한 배큠 록 챔버로의 반송(S9), 로드 포트에 재치된 포드로의 격납(S10)을 순서대로 실시한다.
[웨이퍼의 스펙 체크(S30)]
처리 후의 QC체크용 웨이퍼(W)의 품질을 검사한다. 품질 검사는, 하나의 예로서, QC체크용 웨이퍼(W) 상에 성막된 막의 막 두께측정이나, QC체크용 웨이퍼(W)에 부착된 파티클 수의 측정 등을 실시한다. 품질 검사는, QC체크용 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치의 외부로 취출하여 실시해도 좋고, 프로세스 챔버 내에서 실시해도 좋다.
[QC모드 해제 및 시퀀스 레시피 실행의 동작 명령의 송신(S31, S32)]
검사 결과, QC체크용 웨이퍼(W) 상에 성막된 막의 막 두께나, 그 막의 표면에 존재하는 파티클 수 등이, 소정의 스펙 내에 들어 있지 않은 경우(S30에서「No」)의 경우, 조작자는, 상술의 메인테넌스 모드 이행 명령의 송신(S21)에서부터 다시 실시한다.
또한, 검사 결과, 소정의 스펙 내에 들어 있는 경우(S30에서「Yes」의 경우), 조작자는, 표시 장치(110)의 표시부(115)에 설정 화면(120, 상기 도 3 참조)을 불러내고, 설정 화면(120)의 각 란에 대하여, 도 4에 도시되는 바와 같이 입력한다. 즉, 시퀀스 레시피 명칭의 입력란에, 프로세스 챔버(PM3)에서 생산을 수행하는 레시피의 명칭인「PM3-생산」을 입력한다. 또한, 기판의 선택란에서는, 「Product」를 선택한다. 또한, 프로세스 챔버의 지정란에서는, 생산을 수행하는 프로세스 챔버인「PM3」을 선택한다. 또한, 프로세스 챔버(PM3)의 프로세스 레시피 명칭의 입력란에, 생산을 수행하는 프로세스 레시피의 명칭인「ProductA」를 입력한다.
그 결과, 조작부(100)로부터 통괄 제어 컨트롤러(90)에, QC모드의 해제(즉 생산 모드의 개시)를 지시하는 동작 명령 및 설정 화면(120)에서 입력된 시퀀스 레시피「PM3-QC체크」실행의 동작 명령(M19)이, LAN(80)을 개재해서 송신된다. 이에 의해, 프로세스 챔버(PM3)의 동작 모드가「QC모드」로부터 「생산 모드」로 이행되어, 시퀀스 레시피「PM3-생산」의 실행이 개시된다. 또한, 동작 명령(M19)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 생산 모드의 실행이 완료할 때까지[후술하는 동작 보고(M20)를 수신할 때까지], 프로세스 챔버(PM3)에 관한 메인테넌스 모드나 QC모드로의 이행 명령을 조작부(100)로부터 수신한 경우에, 이 명령을 거절하도록 구성되어 있다. 이와 같이「QC모드」로부터 「생산 모드」로의 변경은, 설정 화면(120)상에서의 화면 조작으로부터만 가능하게 한다. 따라서, 조작자의 개재없이「생산 모드」로 이행하는 일은 없다.
[진공 반송 로봇 동작 명령의 송신(S33)]
동작 명령(M19)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 진공 반송 로봇(VR)에 대하여,「생산 모드」가 지정된 프로세스 챔버(PM3) 내로의 생산용 웨이퍼(W)의 반송을 허가하는 진공 반송 로봇 동작 명령(RM4)을 송신한다.
진공 반송 로봇 동작 명령(RM4)을 수신한 진공반송 로봇(VR)은, 프로세스 챔버(PM3) 내에 생산용 웨이퍼(W)의 반송이 가능하게 된다. 그리고, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 생산용 웨이퍼(W)를 프로세스 챔버(PM3)에도 반송하도록, 상기 도 6을 참조해서 설명한 웨이퍼(W)의 반송 순서로 생산용 웨이퍼(W)를 반송한다. 즉, 상술한 로드 포트로의 포드의 재치(S2)로부터 프로세스 챔버로의 반송(S5)을 실행한다.
[생산 모드의 프로세스 레시피 동작 명령의 송신(S34)]
프로세스 챔버(PM3) 내에 생산용 웨이퍼(W)가 반입되면, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 생산 레시피의 진행 개시를 지시하는 동작 명령(M20)을, LAN(80)을 개재해서 프로세스 모듈 컨트롤러(93)에 송신한다.
[생산용 웨이퍼의 처리(S35)]
동작 명령(M20)을 수신한 프로세스 모듈 컨트롤러(93)는, 프로세스 챔버(PM3)에 프로세스 레시피「ProductA」를 실행시켜, 생산용 웨이퍼(W)를 처리(예컨대, 성막 등)시킨다.
[동작 보고의 송신(S36)]
생산용 웨이퍼(W)로의 처리가 완료하면, 프로세스 모듈 컨트롤러(93)는, 생산용 웨이퍼(W)로의 처리가 완료한 것을 나타내는 동작 보고(M20)를, LAN(80)을 개재해서 통괄 제어 컨트롤러(90)에 송신한다. 동작 보고(M20)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 생산용 웨이퍼(W)로의 처리가 종료한 것을 나타내는 동작 보고(M21)를, LAN(80)을 개재해서 조작부(100)에 송신하고, 표시부(115)에 그 취지를 표시시킨다. 또한, 표시와 함께 소리로 처리가 종료한 것을 알리도록 해도 좋다.
[진공 반송 로봇 동작 명령의 송신(S37)]
동작 명령(M22)을 수신한 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 진공 반송 로봇(VR)에 대하여, 처리가 완료한 생산용 웨이퍼(W)를 반출하는 진공 반송 로봇 동작 명령(RM5)을 송신한다. 그리고, 생산용 웨이퍼(W)를 반출하기 위해서는, 상기 도 6을 참조해서 설명한 웨이퍼 반송의 순서로 수행한다. 즉, 생산용 웨이퍼(W)에 대하여, 「배큠 록 챔버로의 반송」S9, 「로드 포트에 재치된 포드에의 격납」S10을 순서대로 실시한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장에서는, 도 10에 도시되는 바와 같이, 동작 모드로서,「메인테넌스 모드」 및 「생산 모드」의 이외에「QC모드」를 포함한다. 그리고,「메인테넌스 모드」가 지정된 프로세스 챔버에 대해서는, 웨이퍼(W)의 반송이 금지된다. 또,「QC모드」가 지정된 프로세스 챔버에 대해서는, 생산용 웨이퍼(W)의 반송이 금지되고, QC체크용 웨이퍼(W)의 반송이 허가된다. 또한,「생산 모드」가 지정된 프로세스 챔버에 대해서는, QC체크용 웨이퍼(W)의 반송이 금지되고, 생산용 웨이퍼(W)의 반송이 허가된다. 따라서, QC체크 중의 프로세스 챔버에 생산용 웨이퍼(W)가 반송되는 일은 없다. 또 생산 공정을 실시 중의 프로세스 챔버에 QC체크용 웨이퍼(W)가 반송되는 일은 없다. 또한, 종래의 기판 처리 장치에서는,「메인테넌스 모드」 및 「생산 모드」만으로, 메인테넌스, QC체크 및 생산을 운용하고 있었다.
(4) 자동 운전 중의 프로세스 챔버의 운용 방법
다음으로, 자동 운전 중의 프로세스 챔버의 운용 방법의 하나의 예를 도 11 내지 도 13을 참조해서 이하에 설명한다.
[전(全) 프로세스 챔버를 운용하는 경우]
도 11에 도시되는 바와 같이, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)의 전부를 운용하는 시퀀스 레시피의 지시를 받은 경우에는, 예컨대, 프로세스 챔버(PM1)→프로세스 챔버(PM2)→프로세스 챔버(PM3)→프로세스 챔버(PM4)→프로세스 챔버(PM1)→프로세스 챔버(PM2)→프로세스 챔버(PM3)→프로세스 챔버(PM4)의 순서대로 프로세스 챔버를 사용해서 웨이퍼 처리를 실행한다. 상기 각 웨이퍼 처리의 실행은, 상기 도 6을 참조해서 설명한 기판 처리 공정에 기초한다. 또한, 게이트 밸브(G1∼G8)의 개폐 동작은, 상기 설명한 기판 처리 공정과 같으므로 이하의 설명에서는 생략한다.
우선, 대기 반송 로봇(AR)에 의해, 포드(PD1)에 격납되어 있는 생산용 기판으로서의 웨이퍼(W)를 대기 반송실(LM) 내에 취출하고(화살표 U1), 오리엔테이션 플랫 맞춤 장치(OFA)의 기판 위치(P2)로 이행해서 재치하고(화살표 U1A), 웨이퍼(W)의 위치 결정을 한다. 계속해서 대기 반송 로봇(AR)에 의해, 기판 위치(P2)의 웨이퍼(W)를 픽업하고, 대기 반송실(LM, 화살표 U1B)로부터 거의 대기압 상태로 되어 있는 배큠 록 챔버(VL1)의 기판 위치(P3)로 이행해서 재치한다(화살표 U2). 그리고 배큠 록 챔버(VL1)를 거의 진공 상태로 하여, 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 기판위치(P3)로부터 웨이퍼(W)를 픽업하고, 거의 진공 상태로 한 진공 반송실(TM)을 통해서(화살표 U3), 거의 진공 상태로 한 프로세스 챔버(PM1)의 기판 위치(P4)에 반송해서 재치한다(화살표 U4). 그리고 프로세스 챔버(PM1)에서 웨이퍼 처리를 실행한다. 프로세스 챔버(PM1)에서 웨이퍼 처리가 실행되고 있는 사이에, 상술한 바와 같이 하여, 포드(PD1)로부터 프로세스 챔버(PM2)의 기판 위치(P5)에 다른 웨이퍼(W)를 반송해서 재치하여(화살표 U5), 웨이퍼 처리를 실행한다. 이어서, 프로세스 챔버(PM1, PM2)에서의 웨이퍼 처리가 실행되고 있는 사이에, 상술한 바와 같이 하여, 포드(PD1)로부터 별도의 웨이퍼(W)를 프로세스 챔버(PM3)의 기판 위치(P6)에 웨이퍼를 반송해서 재치하여(화살표 U6), 웨이퍼 처리를 실행한다. 계속하여, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3)에서의 웨이퍼 처리가 실행되고 있는 사이에, 상술한 바와 같이 하여, 포드(PD1)로부터 별도의 웨이퍼(W)를 프로세스 챔버(PM4)의 기판 위치(P7)에 웨이퍼(W)를 반송해서 재치하여(화살표 U7), 웨이퍼 처리를 실행한다. 상술한 설명에서는, 배큠 록 챔버(VL1)를 이용했지만, 배큠 록 챔버(VL2)를 이용해도 좋다. 즉, 웨이퍼(W)를 반송하는 시점에서 사용 가능한 배큠 록 챔버(VL1, VL2)를 선택해서 이용하는 것이 가능하게 되어 있다.
소정의 웨이퍼 처리가 종료하면, 종료한 프로세스 챔버로부터 웨이퍼(W)를 반출한다. 통상, 각 프로세스 챔버(PM1 내지 PM4)에서 동일한 시퀀스 레시피가 실행되고 있는 경우에는, 웨이퍼 처리 시간은 거의 동일하게 된다. 따라서, 최초에 웨이퍼(W)가 반송된 프로세스 챔버(PM1)에서 최초에 웨이퍼 처리가 종료하므로, 우선 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P4)에 재치되어 있는 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업하고, 진공 반송실(TM)에 통과시켜서(화살표 D1), 거의 진공 상태로 한 배큠 록 챔버(VL2)의 기판 위치(P10)에 반송하여 재치한다(화살표 D5). 그리고 배큠 록 챔버(VL2)를 거의 대기압 상태로 하고, 대기 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P10)로부터 웨이퍼(W)를 픽업하고, 대기 반송실(LM)을 통해서(화살표 D6), 포드(PD1)의 비어 있는 소정의 슬롯에 격납한다(화살표 D7). 계속해서, 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 상술한 바와 같이 해서, 처리가 종료하는 프로세스 챔버(PM2)의 기판위치(P5)로부터 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업하고, 진공 반송실(TM)로(화살표 D2) 반출한다. 그 후는, 상술한 바와 같이 해서, 배큠 록 챔버(VL2)를 통해서 포드(PD1)에 격납한다(화살표 D5, 화살표 D6, 화살표 D7). 이어서, 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 상술한 바와 같이 해서, 처리가 종료하는 프로세스 챔버(PM3)의 기판 위치(P6)로부터 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업하고, 진공 반송실(TM)로(화살표 D3) 반출하여, 배큠 록 챔버(VL1)를 통해서 포드(PD1)의 비어 있는 슬롯에 격납한다. 계속해서 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 상술한 바와 같이 해서, 처리가 종료하는 프로세스 챔버(PM4)의 기판 위치(P7)로부터 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업하고, 진공 반송실(TM)에(화살표 D4) 반출하여, 배큠 록 챔버(VL1)를 통해서 포드(PD1)의 비어 있는 슬롯에 격납한다. 또한, 처리 완료된 웨이퍼는, 최초로 취출한 포드(PD1)로 되돌리지 않고, 별도의 포드(PD2) 또는 포드(PD3)에 반송해서 격납하여도 좋다.
(4대 중 3대를 운용하는 경우)
도 12에 도시되는 바와 같이, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4) 중, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM4)의 3대를 운용하는 시퀀스 레시피의 지시를 받은 경우에는, 예컨대, 프로세스 챔버(PM1)→프로세스 챔버(PM2)→프로세스 챔버(PM4)→프로세스 챔버(PM1)→프로세스 챔버(PM2)→프로세스 챔버(PM4)→의 순서대로 프로세스 챔버를 사용해서 웨이퍼 처리를 실행한다. 각 웨이퍼 처리는, 상기 도 6을 참조해서 설명한 기판 처리 공정에 기초한다. 또한, 프로세스 챔버를 운용하는 시퀀스 레시피의 지시를 받지 않고 있는 프로세스 챔버(PM3)는, 예컨대, 휴지(休止)되어 있던지, 메인테넌스가 실행된다. 또한, 게이트 밸브(G1∼G8)의 개폐 동작은, 상기 설명한 기판 처리 공정과 동일하므로 이하의 설명에서는 생략한다.
우선, 대기 반송 로봇(AR)에 의해, 포드(PD1)에 격납되어 있는 생산용 기판으로서의 웨이퍼(W)를 대기 반송실(LM)내에 취출하여(화살표 U1), 오리엔테이션 플랫 맞춤 장치(OFA)의 기판 위치(P2)에 이행하여 재치하고(화살표 U1A), 웨이퍼(W)의 위치 결정을 한다. 계속해서 대기 반송 로봇(AR)에 의해, 기판 위치(P2)의 웨이퍼(W)를 픽업하여, 대기 반송실(LM, 화살표 U1B)로부터 거의 대기압 상태로 되어 있는 배큠 록 챔버(VL1)의 기판 위치(P3)에 이행해서 재치한다(화살표 U2). 그리고 배큠 록 챔버(VL1)를 거의 진공 상태로 하여, 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P3)로부터 웨이퍼(W)를 픽업하고, 거의 진공 상태로 한 진공 반송실(TM)을 통해서(화살표 U3), 거의 진공 상태로 한 프로세스 챔버(PM1)의 기판 위치(P4)에 반송해서 재치한다(화살표 U4). 그리고 프로세스 챔버(PM1)에서 웨이퍼 처리를 실행한다. 프로세스 챔버(PM1)에서 웨이퍼 처리가 실행되고 있는 사이에, 상술한 바와 같이 해서, 포드(PD1)로부터 프로세스 챔버(PM2)의 기판 위치(P5)에 다른 웨이퍼를 반송해서 재치하여(화살표 U5), 웨이퍼 처리를 실행한다. 계속해서, 프로세스 챔버(PM1, PM2)에서의 웨이퍼 처리가 실행되고 있는 사이에, 상술한 바와 같이 해서, 포드(PD1)로부터 별도의 웨이퍼(W)를 프로세스 챔버(PM4)의 기판 위치(P7)에 웨이퍼(W)를 반송해서 재치하여(화살표 U7), 웨이퍼 처리를 실행한다. 상술한 설명에서는, 배큠 록 챔버(VL1)를 이용했으나, 배큠 록 챔버(VL2)를 이용해도 좋다. 즉, 웨이퍼(W)를 반송하는 시점에서 사용 가능한 배큠 록 챔버(VL1, VL2)를 선택해서 이용하는 것이 가능하게 되어 있다.
소정의 웨이퍼 처리가 종료하면, 종료한 프로세스 챔버로부터 웨이퍼(W)를 반출한다. 통상, 각 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM4)가 동일한 시퀀스 레시피가 실행되고 있는 경우에는, 웨이퍼 처리 시간은 거의 동일하게 된다. 따라서, 최초에 웨이퍼(W)가 반송된 프로세스 챔버(PM1)에서 최초에 웨이퍼 처리가 종료하므로, 우선 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P4)에 재치되어 있는 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업하고, 진공 반송실(TM)에 통과시켜서(화살표 D1), 거의 진공 상태로 한 배큠 록 챔버(VL2)의 기판 위치(P10)에 반송하여 재치한다(화살표 D5). 그리고 배큠 록 챔버(VL2)를 거의 대기압 상태로 하여, 대기반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P10)로부터 웨이퍼(W)를 픽업하여, 대기 반송실(LM)을 통해서(화살표 D6), 포드(PD1)의 비어 있는 소정의 슬롯에 격납한다(화살표 D7). 계속해서, 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 상술한 바와 같이 해서, 처리가 종료하는 프로세스 챔버(PM2)의 기판위치(P5)로부터 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업하여, 진공 반송실(TM)에(화살표 D2) 반출한다. 그 후는, 상술한 바와 같이 해서, 배큠 록 챔버(VL2)를 통해서 포드(PD1)에 격납한다(화살표 D5, 화살표 D6, 화살표 D7). 계속해서 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 상술한 바와 같이 해서, 처리가 종료하는 프로세스 챔버(PM4)의 기판위치(P7)로부터 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업하고, 진공 반송실(TM)에(화살표 D4) 반출하고, 배큠 록 챔버(VL1)를 통해서 포드(PD1)의 비어 있는 슬롯에 격납한다. 또한, 처리 완료된 웨이퍼(W)를, 최초에 취출한 포드(PD1)로 되돌리지 않고, 별도의 포드(PD2) 또는 포드(PD3)에 반송해서 격납하여도 좋다.
(4대 중 1대를 운용하는 경우)
도 13에 도시되는 바와 같이, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4) 가운데, 프로세스 챔버(PM2)의 1대만을 운용하는 시퀀스 레시피의 지시를 받은 경우에는, 예컨대, 프로세스 챔버(PM2)만을 이용해서 웨이퍼 처리를 실행한다. 웨이퍼 처리는, 상기 도 6을 참조해서 설명한 기판 처리 공정에 기초한다. 또한, 프로세스 챔버를 운용하는 시퀀스 레시피의 지시를 받고 있지 않은 프로세스 챔버(PM1, PM3, PM4)는, 예컨대, 휴지되고 있거나, 메인테넌스가 실행된다. 또한, 게이트 밸브(G1∼G8)의 개폐 동작은, 상기 설명한 기판 처리 공정과 동일하므로 이하의 설명에서는 생략한다.
우선, 대기 반송 로봇(AR)에 의해, 포드(PD1)에 격납되어 있는 생산용 기판으로서의 웨이퍼(W)를 대기 반송실(LM) 내에 취출하고(화살표 U1), 오리엔테이션 플랫 맞춤 장치(OFA)의 기판 위치(P2)에 이행해서 재치하고(화살표 U1A), 웨이퍼(W)의 위치 결정을 한다. 계속해서 대기 반송 로봇(AR)에 의해, 기판 위치(P2)의 웨이퍼(W)를 픽업하여, 대기 반송실(LM, 화살표 U1B)로부터 거의 대기압 상태로 되어 있는 배큠 록 챔버(VL1)의 기판 위치(P3)에 이행해서 재치한다(화살표 U2). 계속해서 배큠 록 챔버(VL1)를 거의 진공 상태로 하여, 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P3)로부터 웨이퍼(W)를 픽업하여, 거의 진공 상태로 한 진공 반송실(TM)을 통해서(화살표 U3), 거의 진공 상태로 한 프로세스 챔버(PM2)의 기판 위치(P5)에 반송해서 재치한다(화살표 U5). 그리고 프로세스 챔버(PM2)로 웨이퍼 처리를 실행한다. 상술한 설명에서는, 배큠 록 챔버(VL1)를 이용했지만, 배큠 록 챔버(VL2)를 이용해도 좋다. 즉, 웨이퍼(W)를 반송하는 시점에서 사용 가능한 배큠 록 챔버(VL1, VL2)를 선택해서 이용하는 것이 가능하게 되어 있다.
소정의 웨이퍼 처리가 종료하면, 우선 진공 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P5)에 재치되어 있는 처리 완료된 웨이퍼(W)를 픽업하여, 진공 반송실(TM)에 통과시켜서(화살표 D2), 거의 진공 상태로 한 배큠 록 챔버(VL2)의 기판 위치(P10)에 반송하여 재치한다(화살표 D5). 그리고 배큠 록 챔버(VL2)를 거의 대기압 상태로 하여, 대기 반송 로봇(VR)에 의해, 기판 위치(P10)로부터 웨이퍼(W)를 픽업하고, 대기 반송실(LM)을 통해서(화살표 D6), 포드(PD1)가 비어 있는 소정의 슬롯에 격납한다(화살표 D7). 또한, 처리 완료의 웨이퍼(W)는, 최초에 취출한 포드(PD1)에 되돌리지 않고, 별도의 포드(PD2) 또는 포드(PD3)에 반송해서 격납하여도 좋다.
(5) 복수의 다른 동작 모드의 프로세스 챔버의 동시 운전
도 14는, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에서 자동 운전 중, 프로세스 챔버(PM3)에서 에러가 발생했을 때에, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM4)에서 생산을 계속하면서 프로세스 챔버(PM3)에서 메인테넌스 작업을 실시하고, 다시 이 프로세스 챔버(PM3)로 생산용 웨이퍼(W)로의 처리가 가능하게 될 때까지의 흐름을 나타낸 도면이다.
미리 도 5에 나타낸 바와 같이 모든 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)에 프로세스 레시피가 각각 설정되면, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)를 사용하는 자동 운전이 실행된다. 그 때, 프로세스 챔버(PM3)에서 메인테넌스를 실행하는 경우에 대해서, 도 14를 이용해서 이하에 설명한다.
(A) PM3의 메인테넌스 작업 실시 중
이 때, 조작부(100) 또는 통괄 제어 컨트롤러(90)로부터 메인테넌스 이행 명령이 있어, 프로세스 챔버(PM3)의 동작 모드는「메인테넌스 모드」로 지정되어 있다. 따라서, 생산용 웨이퍼(W)는, 화살표(A1, A2, A4)에 도시되는 바와 같이, 진공반송 로봇(VR)을 이용해서 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM4)에 반입되어, 소정의 생산 처리가 수행된다. 그리고, 소정의 생산의 처리가 종료한 웨이퍼(W)는, 화살표(B1, B2, B4)에 도시되는 바와 같이, 진공 반송 로봇(VR)에 의해 진공 반송실(TM)내에 반출된다. 또한,「메인테넌스 모드」가 지정되어 있는 프로세스 챔버(PM3)에 대해서는, 생산용 웨이퍼 및 QC체크용 웨이퍼의 반송이 금지되어 있다. 따라서, 운용 미스에 의해 메인테넌스 중의 프로세스 챔버(PM3)에 생산용 웨이퍼(W) 및 QC체크용 웨이퍼가 운반되는 일은 없다.
(B) PM3의 메인테넌스 작업 완료
프로세스 챔버(PM3)의 메인테넌스 작업이 완료한 후, 메인테넌스 모드가 해제되면, 프로세스 챔버(PM3)는「QC모드」로 이행하고, QC체크가 실행된다. 이 때, 생산용 웨이퍼(W)의 반송이 금지되고, QC체크용 웨이퍼(W)만이 반송 허가되어 있다. 따라서, 운용 미스에 의해 QC체크 미완료된 프로세스 챔버(PM3)에 생산용 웨이퍼(W)가 반송되는 일은 없다.
(C) QC체크용 웨이퍼 처리의 자동 운전
계속해서, 표시부(115)에 불러낸 설정 화면(120)에, 프로세스 챔버(PM3)에 QC체크용 웨이퍼(W)를 처리하는 시퀀스 레시피 등을 입력한다. 이에 의해, QC체크용 웨이퍼의 처리의 실행 명령이 통괄 제어 컨트롤러(90)로부터 프로세스 모듈 컨트롤러(93)에 송신된다. 그리고 프로세스 모듈 컨트롤러(93)에 의해 지시된 QC체크용 웨이퍼(W)의 처리(예컨대 성막)가 프로세스 챔버(PM3)로 실행된다. 따라서, QC체크용 웨이퍼(W)는, 화살표(A3)에 도시되는 바와 같이, 진공 반송 로봇(VR)을 이용해서 프로세스 챔버(PM3)에 반입되어, 소정의 처리가 수행된다. 그리고, 소정의 처리가 종료한 웨이퍼(W)는, 화살표(B3)에 도시되는 바와 같이, 진공 반송 로봇(VR)에 의해 진공 반송실(TM) 내에 반출된다. 또 생산용 웨이퍼(W)는, 화살표(A1, A2, A4)에 도시되는 바와 같이, 진공 반송 로봇(VR)을 이용해서 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM4)에 반입되어, 소정의 처리가 수행된다. 그리고, 처리가 종료한 웨이퍼(W)는, 화살표(B1, B2, B4)에 도시되는 바와 같이, 진공 반송 로봇(VR)에 의해 진공 반송실(TM) 내에 반출된다. 이와 같이, 생산용 웨이퍼(W)의 처리와 QC체크용 웨이퍼의 처리를 동시에 병행하고, 자동 운전으로 처리하는 것이 가능해지고 있다. 이 때도, 「QC모드」가 지정되어 있는 프로세스 챔버(PM3)에 대해서는, 생산용 웨이퍼(W)의 반송이 금지되고, QC체크용 웨이퍼만이 반송 허가되어 있다. 따라서, 운용 미스에 의해 QC체크 미완료의 프로세스 챔버(PM3)에 생산용 웨이퍼(W)가 반송되는 일은 없다.
(D) QC체크
QC체크용 웨이퍼 처리가 종료한 후, QC체크용 웨이퍼(W)에 성막한 막의 품질검사를 수행한다. 검사 항목으로서는, 막 두께 측정과 파티클 수 측정을 들 수 있다. 품질 검사 중의 프로세스 챔버(PM3)의 동작 모드는「QC모드」인 상태이지만, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM4)에서는「생산 모드」에서 자동 운전이 계속적으로 실행되고 있다. 따라서, 전술한 바와 동일하게, 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM4)에는 생산용 웨이퍼(W)가 반송되어 처리된다. 또한,「QC모드」가 지정되어 있는 프로세스 챔버(PM3)에 대해서는, 생산용 웨이퍼(W)의 반송이 금지되고, QC체크용 웨이퍼만이 반송 허가되어 있다. 따라서, 운용 미스에 의해 QC체크 미완료의 프로세스 챔버(PM3)에 생산용 웨이퍼(W)는 반송되지 않는다.
(E) 생산 모드로 이행
품질 검사의 측정의 결과가 소정의 스펙에 들어 있는 것을 확인한 후, QC모드가 해제되면, 프로세스 챔버(PM3)의 동작 모드가 다시「생산 모드」로 이행하고, 프로세스 챔버(PM1 내지 PM4)의 모든 동작 모드가「생산 모드」가 된다. 따라서, 프로세스 챔버(PM1 내지 PM4)에는 생산용 웨이퍼(W)가 반송된다. 이 때, 프로세스 챔버(PM1 내지 PM4)에 대하여는, QC체크용 웨이퍼(W)의 반송이 금지되고, 생산용 웨이퍼(W) 만이 반송 허가되어 있다. 이 때문에, 운용 미스에 의해 프로세스 챔버(PM1 내지 PM4)에 생산용 이외의 웨이퍼(W)가 반송되는 일은 없다. 또한, 막 두께 및 파티클 수의 어느 것도 소정의 스펙에 들어 있지 않은 경우에는, 도시하고 있지 않으나, 예컨대, 다시 프로세스 챔버의 메인테넌스를 실행한다.
(6) 본 실시 형태에 따른 효과
본 실시 형태에 의하면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과를 갖는다.
(A) 본 실시 형태에 따른 동작 모드는, 처리실로서의 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)의 보수 점검을 수행하는「메인테넌스 모드」, 보수 점검 후의 프로세스 챔버(PM1, PM2, PM3, PM4)로 품질 관리용 기판으로서의 QC체크용 웨이퍼(W)를 처리하는「QC모드」 및 생산용 기판으로서의 생산용 웨이퍼를 처리하는「생산 모드」를 포함한다. 따라서, QC체크를 실행할 때에 「QC모드」를 선택해서 QC체크용 웨이퍼(W)를 처리하는 것이 가능하게 된다. 또 생산을 실행할 때에「생산 모드」를 선택해서 생산용 웨이퍼(W)를 처리하는 것이 가능하게 된다.
(B) 본 실시 형태에 따른 통합 제어부로서의 통괄 제어 컨트롤러(90)는,「QC모드」가 지정된 프로세스 챔버(PM) 내로의 생산용 웨이퍼(W)의 반송을 금지하면서 품질 관리용 기판으로서의 QC체크용 웨이퍼(W)를 반송하고,「생산 모드」가 지시된 프로세스 챔버(PM) 내로의 QC체크용 웨이퍼(W)의 반송을 금지하면서 생산용 웨이퍼(W)를 반송하도록, 반송 기구로서의 진공 반송 로봇(VR)을 제어한다. 따라서, 「QC모드」가 설정되어 있는 프로세스 챔버에는, QC체크용 웨이퍼(W)만이 반송되도록 되고,「QC모드」가 지정되어 있는 프로세스 챔버(PM)에 대하여 생산용 웨이퍼(W)가 반송되는 것을 막는 것이 가능하게 된다. 따라서, 자동 운전 중에 생산용 웨이퍼(W)가 QC체크 중의 프로세스 챔버(PM) 내에 반입되어 처리되는 일이 없어지므로, 프로세스 챔버(PM)의 록아웃(lockout, 사용 불능상태가 되는 것)을 회피하는 것이 가능하게 된다.
(C) 본 실시 형태에 따른 조작부(100)는, 표시 장치(110)를 포함한다. 그리고 표시 장치(110)의 표시부(115)에는, 동작 명령으로서의「QC모드」 및 「생산 모드」에서 사용하는 기판을 선택하는 설정 화면(120)을 표시시킬 수 있다. 이에 의해, 조작자는, QC체크용 웨이퍼(W)의 반송 지정이 가능해진다.
또한, 설정 화면(120)은, 생산 모드를 실행하는 프로세스 챔버(PM1∼PM4)의 어느 것을 지정하는 구성과, 생산 모드에서 실행하는 프로세스 레시피를 설정하는 구성를 포함한다. 이에 의해, 조작자는, 설정 화면(120)으로부터, 프로세스 챔버(PM)의 지정 및 프로세스 레시피의 지정을 수행할 수 있다.
조작부(100)는, 선택된 동작 모드를 포함하는 소정의 동작 명령을 통괄 제어 컨트롤러(90)에 송신할 수 있다. 그리고, 통괄 제어 컨트롤러(90)는, 수신한 동작 명령을 프로세스 모듈 컨트롤러(91∼94)에 지시하고, 그 동작 명령에 기초하여 프로세스 모듈 컨트롤러(91∼94)는, 각각의 대응하는 프로세스 챔버(PM1∼PM4)에 웨이퍼 처리를 실행시킬 수 있다.
(D) 본 실시 형태에 따른 동작 모드의 선택에서는, 하나의 프로세스 챔버(PM)에 하나의 동작 모드가 선택되면서, 복수의 프로세스 챔버(PM)에 하나 또는 복수의 동작 모드가 동시에 선택되므로, 동시에 다른 동작 모드의 지시를 각각의 프로세스 챔버에서 수행하는 것이 가능하게 된다. 즉, 일부의 프로세스 챔버(PM)에 있어서 「메인테넌스 모드」나 「QC모드」가 선택되어 있어도, 다른 프로세스 챔버(PM)에 있어서는 생산을 계속시킬 수 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
기판 처리 장치는, 상기의 실시 형태에 나타낸 바와 같은 반도체 기판을 처리하는 반도체 제조 장치에 한하지 않고, LCD 장치와 같은 유리 기판을 처리하는 장치이여도 좋다. 또한, 기판 처리의 구체적 내용은 불문하고, 성막 처리 뿐만 아니라, 열처리, 산화 처리, 질화 처리, 확산 처리, 노광 처리, 불순물 도핑 등의 처리여도 좋다. 또한, 처리실은, 그 내부에 도입된 플라즈마 또는 그 내부에서 발생시킨 플라즈마를 이용하여, 처리실(PM) 내에 반송된 기판으로서의 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 플라즈마 처리(예컨대 플라즈마 CVD 처리, 플라즈마 에칭 처리, 플라즈마 애싱 처리, 플라즈마 도핑 처리 등)를 실시하는 플라즈마 처리실이여도 좋다. 또한, 성막 처리는, 예컨대 CVD, PVD, ALD등의 처리, 산화막, 질화막, 탄화막, 산질화막 등을 형성하는 처리, 유기막을 형성하는 처리, 금속을 포함하는 막을 형성하는 처리여도 좋다.
<본 발명이 바람직한 형태>
이하에 본 발명이 바람직한 형태에 대해서 부기(付記)한다.
본 발명의 제1 형태는,
기판을 처리하는 복수의 처리실과,
상기 처리실에 연통 가능하게 접속된 반송실과,
상기 반송실 내에 설치되어 상기 반송실과 상기 복수의 처리실 사이에 상기 기판을 반송하는 반송 기구와,
상기 복수의 처리실 각각에 접속되어서 상기 복수의 처리실 내의 기판 처리를 제어하는 처리 제어부와,
상기 처리 제어부에 접속되어, 상기 반송 기구의 동작을 제어하는 통합 제어부와,
상기 통합 제어부 및 상기 처리 제어부에 접속되어, 상기 통합 제어부 및 상기 처리 제어부에 처리 명령을 송신하는 동시에, 상기 통합 제어부를 개재해서 상기 반송 기구에서 동작 보고를 수신하고, 상기 처리 제어부를 개재해서 상기 복수의 처리실에 설치된 처리 기구에서 동작 보고를 수신하는 조작부
를 구비하는 기판 처리 장치이며,
상기 통합 제어부는, 상기 복수의 처리실 중 지정된 처리실 내로의 생산용 기판의 반송을 금지하면서 품질 관리용 기판을 반송하는 동시에, 상기 복수의 처리실 중 상기 지정된 처리실 이외의 처리실에 생산용 기판을 반송하도록 상기 반송 기구를 제어하는 기판 처리 장치이다.
본 발명의 제2의 형태는,
상기 조작부는, 표시 장치를 포함하고,
상기 표시 장치에는, 상기 복수의 처리실마다, 상기 메인테넌스 모드, 상기 QC모드 및 상기 생산 모드를 선택하는 설정 화면이 표시되는 제1 형태에 기재된 기판 처리 장치이다.
본 발명의 제3 형태는,
상기 설정 화면은, 상기 동작 모드를 실행하는 상기 복수의 처리실을 지정하는 구성과, 상기 동작 모드에서 실행되는 프로세스 레시피를 설정하는 구성을 포함하는 제2 형태에 기재된 기판 처리 장치이다.
본 발명의 제4 형태는,
하나의 상기 복수의 처리실에 하나의 상기 동작 모드가 선택되면서, 상기 복수의 처리실에 하나 또는 복수의 상기 동작 모드가 동시에 선택되는 제1 형태 내지 제3 형태의 어느 하나의 형태에 기재된 기판 처리 장치이다.
본 발명의 제5 형태는,
상기 통괄 제어부는, 상기 처리 제어부를 개재하여, 상기 복수의 처리실 중 적어도 하나 이상으로 상기 동작 모드 중의 하나를 지정하면서, 상기 복수의 처리실 중 그 외의 처리실은 상기 지정된 동작 모드 이외의 상기 동작 모드를 지정하고,
상기 동작 모드 중의 하나가 지정된 상기 처리실에서 해당 동작 모드에서의 처리와, 상기 지정된 동작 모드 이외의 동작 모드가 지정된 처리실에서 해당 동작 모드에서의 처리가 실행되는 제4 형태에 기재된 기판 처리 장치이다.
본 발명의 제6 형태는,
기판을 처리하는 복수의 처리실과,
상기 처리실에 연통 가능하게 접속된 진공 반송실과,
상기 진공 반송실에 연통 가능하게 접속되어 감압 가능한 예비실과,
상기 예비실에 연통 가능하게 접속되어, 대기압 상태에서 상기 기판이 반송되는 대기 반송실과,
상기 대기 반송실에 연통 가능하게 접속되어, 상기 기판을 수납하는 기판 수납 용기를 포함하는 기판 수납부와,
상기 진공 반송실 내에 설치되어, 상기 예비실과의 사이에 상기 기판을 반송하는 진공 반송 기구와,
상기 대기 반송실 내에 설치되어, 상기 예비실과 상기 기판 수납부 사이에 상기 기판을 반송하는 대기 반송 기구와,
상기 처리실에 접속되어, 상기 처리실의 동작을 제어하는 처리 제어부와,
상기 처리 제어부에 접속되어, 상기 처리 제어부를 개재해서 상기 처리실의 동작을 제어하는 동시에, 상기 진공 반송 기구 및 상기 대기 반송 기구에 접속되어서 각각의 반송 동작을 제어하는 통합 제어부와,
상기 통합 제어부에 접속 가능하도록 구성되어, 상기 통합 제어부를 개재해서 상기 처리 제어부에 동작 명령을 송신하는 동시에, 상기 통합 제어부를 개재해서 상기 처리 제어부로부터 동작 보고를 수신하는 조작부
를 구비하는 기판 처리 장치로서,
상기 처리실의 동작 모드는, 상기 처리실의 보수 점검을 수행하는 메인테넌스 모드, 보수 점검 후의 상기 처리실에서 품질 관리용 상기 기판을 처리하는 QC모드 및 생산용 상기 기판을 처리하는 생산 모드를 포함하고,
상기 조작부에는 상기 동작 명령으로서 선택된 상기 동작 모드가 입력되고,
상기 통합 제어부를 개재해서 상기 처리 제어부에 상기 선택된 동작 모드가 지시되고,
상기 통합 제어부는, 상기 메인테넌스 모드가 지정된 상기 처리실 내로의 상기 기판의 반송을 금지하고, 상기 QC모드가 지정된 상기 처리실 내로의 생산용 상기 기판의 반송을 금지하면서 품질 관리용 상기 기판을 반송하고, 상기 생산 모드가 지시된 상기 처리실 내로의 품질 관리용 상기 기판의 반송을 금지하면서 생산용 상기 기판을 반송하도록 상기 진공 반송 기구 및 상기 대기 반송 기구를 제어하는 기판 처리 장치이다.
본 발명의 제7 형태는,
반송 기구에 의해 처리실 내에 기판을 반송해서 처리하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
보수 점검을 수행하는 메인테넌스 모드로 상기 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 반송 기구에 의한 상기 기판의 상기 처리실로의 반송을 금지하고, 상기 처리실의 메인테넌스를 가능하게 하는 공정과,
품질 관리용 상기 기판을 처리하는 QC모드로 상기 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 반송 기구에 의한 생산용 기판의 반송을 금지하면서 품질 관리용 기판을 반송하고, 상기 처리실 내에서 상기 품질 관리용 기판을 처리하는 공정과,
처리한 상기 품질 관리용 기판의 품질을 검사하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족시킨 경우에, 상기 생산용 기판을 처리하는 생산 모드로 상기 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 반송 기구에 의한 상기 품질 관리용 기판의 반송을 금지하면서 상기 생산용 기판을 반송하고, 상기 처리실 내에서 상기 생산용 기판을 처리하는 공정
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
본 발명의 제8 형태는,
처리한 품질 관리용 상기 기판의 품질의 검사는, 상기 기판 상에 성막된 막의 막 두께 측정과, 상기 기판에 부착된 파티클 수의 측정을 포함하는 제7 형태에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이다.
W…웨이퍼(기판) PM1…프로세스 챔버(처리실)
PM2…프로세스 챔버(처리실) PM3…프로세스 챔버(처리실)
PM4…프로세스 챔버(처리실)
PMC1…프로세스 모듈 컨트롤러(처리 제어부)
PMC2…프로세스 모듈 컨트롤러(처리 제어부)
PMC3…프로세스 모듈 컨트롤러(처리 제어부)
PMC4…프로세스 모듈 컨트롤러(처리 제어부)
90…통괄 제어 컨트롤러(통합 제어부)
100…조작부 110…표시 장치
115…표시부 120…설정 화면
RM1…진공 반송 로봇 동작 명령 RM2…진공 반송 로봇 동작 명령
RM3…진공 반송 로봇 동작 명령 RM4…진공 반송 로봇 동작 명령

Claims (7)

  1. 각종 기판을 처리하는 복수의 처리실;
    상기 처리실에 연통 가능하게 접속된 반송실;
    상기 반송실 내에 설치되어 상기 반송실과 상기 복수의 처리실과의 사이에 상기 기판을 반송하는 반송 기구;
    상기 복수의 처리실 각각에 접속되어 상기 복수의 처리실 내의 기판 처리를 제어하는 처리 제어부;
    상기 처리 제어부에 접속되어 상기 반송 기구의 동작을 제어하는 통합 제어부; 및
    상기 통합 제어부 및 상기 처리 제어부에 접속되어 상기 통합 제어부 및 상기 처리 제어부에 처리 명령을 송신함과 함께, 상기 통합 제어부를 개재하여 상기 반송 기구로부터 동작 보고를 수신하는 조작부;
    를 구비하는 기판 처리 장치로서,
    상기 조작부는, 상기 처리실의 보수 점검을 수행하는 메인테넌스 모드, 보수 점검 후의 상기 처리실에서 품질 관리용 상기 기판을 처리하는 QC모드 및 생산용 상기 기판을 처리하는 생산 모드를 포함하는 동작 모드를 선택하여 각 처리실에 설정하는 설정 화면을 표시하는 표시부를 구비하고,
    상기 통합 제어부는, 상기 설정 화면 상에서 상기 메인테넌스 모드로 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실이 설정되면, 상기 소정의 처리실로의 상기 각종 기판의 반송을 금지하고, 상기 설정 화면 상에서 상기 QC모드로 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실이 설정되면, 지정된 상기 소정의 처리실 내로의 생산용 상기 기판의 반송을 금지하면서 품질 관리용 기판을 반송함과 동시에, 상기 지정된 상기 소정의 처리실 이외의 처리실로 상기 품질 관리용 기판의 반송을 금지하고, 상기 설정 화면 상에서 상기 생산 모드로 설정된 상기 소정의 처리실에 생산용 기판을 반송하도록 상기 반송 기구를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 통합 제어부는, 상기 설정 화면 상에서 상기 메인테넌스 모드로 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실이 설정되면, 상기 소정의 처리실과 상기 반송실과의 게이트 밸브를 닫는 지령을 상기 처리 제어부에 송신하고, 상기 게이트 밸브가 닫히고, 상기 소정의 처리실로의 상기 각종 기판의 반송을 금지한 후, 상기 처리 제어부에 메인테넌스용의 레시피를 개시시키는 지시를 상기 처리 제어부에 송신하고,
    상기 처리 제어부는, 메인테넌스 모드로 설정된 상기 소정의 처리실에 상기 메인테넌스용의 레시피를 실행하는 것에 의해 소정의 메인테넌스 처리를 실시하는 기판 처리 장치.
  3. 생산용 기판을 복수의 처리실에 반송하는 기판 반송 방법으로서,
    상기 생산용 기판을 반송 중에, 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실에서 에러가 발생하면, 상기 소정의 처리실을 메인테넌스 모드로 설정하고, 상기 소정의 처리실로의 상기 생산용 기판의 반송을 금지함과 동시에, 상기 소정의 처리실 이외에서 상기 생산용 기판을 반송하는 공정;
    상기 소정의 처리실의 메인테넌스 작업이 완료된 후, 상기 메인테넌스 모드로부터 품질 관리용 기판을 처리하는 QC모드로 지정된 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 소정의 처리실로의 반송 기구에 의한 생산용 기판의 반송을 계속하여 금지하면서 상기 품질 관리용 기판을 상기 지정된 처리실로 반송하는 공정; 및
    처리한 품질 관리용 기판의 품질을 검사하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족하는 경우에, 생산용 기판을 처리하는 생산 모드로 상기 소정의 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 생산용 상기 기판을 반송하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족하고 있지 않은 경우, 상기 소정의 처리실의 메인테넌스를 재차 실행하는 공정;
    을 포함하는 기판 반송 방법.
  4. 생산용 기판을 복수의 처리실에서 처리하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 생산용 기판을 처리 중에, 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실에서 에러가 발생하면, 상기 소정의 처리실을 메인테넌스 모드로 설정하고, 상기 소정의 처리실로의 상기 생산용 기판의 반송을 금지함과 동시에, 상기 소정의 처리실 이외에서 상기 생산용 기판을 처리하는 공정;
    상기 소정의 처리실의 메인테넌스 작업이 완료된 후, 상기 메인테넌스 모드로부터 품질 관리용 기판을 처리하는 QC모드로 설정하고, 상기 소정의 처리실로의 상기 생산용 상기 기판의 반송을 계속하여 금지하면서 상기 품질 관리용 기판을 반송하고, 상기 소정의 처리실 내에서 상기 품질 관리용 기판을 처리함과 동시에, 상기 소정의 처리실 이외에서 상기 생산용 기판을 처리하는 공정; 및
    품질 관리용 상기 기판의 품질을 검사하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족하고 있는 경우에, 생산용 기판을 처리하는 생산 모드로 상기 소정의 처리실의 동작 모드를 설정하고, 상기 생산용 기판을 반송하고, 상기 복수의 처리실 내에서 상기 생산용 기판을 처리하고, 상기 품질이 소정의 품질을 만족하고 있지 않은 경우, 상기 소정의 처리실의 메인테넌스를 재차 실행하는 공정;
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 설정 화면 상에서 상기 QC모드로 상기 복수의 처리실 중 소정의 처리실이 설정되면,
    상기 통합 제어부는,
    상기 소정의 처리실의 동작 모드를 상기 메인테넌스 모드로부터 상기 QC모드로 이행하고,
    상기 소정의 처리실 내로의 생산용 기판의 반송을 금지하면서 품질 관리용 기판을 반송하도록 상기 반송 기구를 제어하고,
    상기 소정의 처리실 내에 상기 품질 관리용 기판을 반입 후, 상기 처리 제어부에 상기 품질 관리용 기판을 처리하는 레시피의 개시를 지시하고,
    상기 처리 제어부는, 상기 품질 관리용 기판을 처리하는 레시피를 실행하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 품질 관리용 기판을 처리하는 레시피가 종료하면, 상기 품질 관리용 기판의 품질 검사로서 상기 기판 상에 성막된 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 및 상기 기판 상에 존재하는 파티클 수의 체크가 수행되고,
    상기 통합 제어부는, 상기 설정 화면 상에서 상기 소정의 처리실에 있어서의 상기 체크 결과에 따른 상기 동작 모드의 재설정을 접수하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 통합 제어부는,
    상기 체크 결과가 소정의 스펙 내에 들어 있지 않은 경우,
    상기 설정 화면 상에서 상기 소정의 처리실의 동작 모드가 상기 QC모드로부터 상기 메인테넌스 모드로의 재설정을 접수하고,
    상기 체크 결과가 소정의 스펙 내에 들어 있는 경우,
    상기 설정 화면 상에서 상기 소정의 처리실의 동작 모드가 상기 QC모드로부터 상기 생산 모드로의 재설정을 접수하는 기판 처리 장치.
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