JP2011181771A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】メンテナンス後のＱＣチェックが完了していない処理室内に、生産用のウエハが搬送されるのを回避し、ＱＣチェック用のウエハのみが搬送されるようにし、ＱＣチェック終了後から生産用のウエハが処理できるようにする。
【解決手段】指定された処理室内への生産用の基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の基板を搬送し、指定された処理室以外の処理室へ生産用の基板を搬送する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置に関する。
半導体装置の製造方法の一工程を実施する従来の基板処理装置は、基板を処理する複数の処理室と、複数の処理室にそれぞれ接続されて処理室内の基板処理を個別に制御する複数の処理制御部と、複数の処理制御部にそれぞれ接続され、前記処理室と搬送室との間で前記基板を搬送する搬送機構の動作を制御する統合制御部と、統合制御部および複数の処理制御部にそれぞれ接続され、複数の処理制御部に処理命令を送信すると共に、統合制御部を介して前記複数の処理制御部から動作報告を受信する操作部と、を備えていた。
また、上記統括制御部が管理する処理室の動作モードは、ウエハが搬送されないメンテナンスモードと、生産用のウエハが搬送されて処理を行う生産モード（通常状態）との二つであった。上記メンテナンスモードは、所定の生産が繰り返された後に処理室を構成する部品の保守点検を行うモードである。メンテナンスが終了した処理室内で処理された基板の膜厚を測定する膜厚チェック、および基板の表面に付着したパーティクル数のチェック（以後、ＱＣ（Ｑｕａｌｉｔｙ Ｃｏｎｔｒｏｌ）チェックとも呼ぶ）は、処理室の動作モードを生産モードにして実施していた。
従い、ＱＣチェック中に生産用のウエハが処理室内に搬入されるのを防止するため、ＱＣチェック中の処理室は切り離さなければならなかった。しかしながら、処理室の取り外し作業、及び取り付け作業が必要となるため、メンテナンス時間が長くなり、装置の生産性が低下してしまう。
本発明は、メンテナンス後のＱＣチェックが完了していない処理室内に、生産用のウエハが搬送されるのを回避し、ＱＣチェック用のウエハのみが搬送されるようにし、ＱＣチェック終了後から生産用のウエハが処理できるようにして、装置の生産性向上を図った基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、基板を処理する複数の処理室と、前記処理室に連通可能に接続された搬送室と、前記搬送室内に設けられ、前記搬送室と前記処理室との間で前記基板を搬送する搬送機構と、前記各処理室に接続されて前記各処理室内の基板処理を制御する処理制御部と、前記処理制御部に接続され、前記搬送機構の動作を制御する統合制御部と、前記統合制御部及び前記処理制御部に接続され、前記統合制御部及び前記処理制御部に処理命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記搬送機構から動作報告を受信し、前記処理制御部を介して前記処理室に設けられた処理機構から動作報告を受信する操作部と、を備えた基板処理装置であって、前記統合制御部は、指定された処理室内への生産用の前記基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の基板を搬送すると共に、前記指定された処理室以外の処理室へ生産用の基板を搬送するように前記搬送機構を制御する基板処理装置が提供される。
本発明の基板処理装置および半導体装置の製造方法によれば、ＱＣチェックが行われている処理室内に生産用の基板が搬送されるのを防ぎつつ、他の処理室で生産用の基板が処
理され、ＱＣチェックが終了した時点で、前記ＱＣチェックが行われた処理室でも生産用の基板が処理されるようになるため、装置の生産性が格段に向上する。
本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の設定画面で品質管理用の基板（モニタ基板）が選択された場合の一例を示した画面構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の設定画面で生産用の基板（製品基板）が選択された場合の一例を示した画面構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の設定画面ですべてのプロセスチャンバに対して生産用の基板が選択された場合の一例を示した画面構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程の流れ図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理工程における制御手段の動作を例示する概略図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される処理室の動作モードの移行過程を示した流れ図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される各動作モードでのフローである。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置と従来の基板処理装置の動作モードの流れを図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置を自動運転させた場合のプロセスチャンバの運用方法の一例を示した概要構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置を自動運転させた場合のプロセスチャンバの運用方法の一例を示した概要構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置を自動運転させた場合のプロセスチャンバの運用方法の一例を示した概要構成図である。 生産を継続しながら所定のプロセスチャンバでのメンテナンス作業から生産用のウエハ処理が可能になるまでの流れ図である。
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成および動作について説明する。
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図１、図２を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック構成図である。本実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。
（真空側の構成）
クラスタ型基板処理装置の真空側には、搬送室としての真空気密可能な真空搬送室（トランスファチャンバ）ＴＭと、予備室としてのバキュームロックチャンバ（ロードロック室）ＶＬ１，ＶＬ２と、基板としてのウエハＷを処理する処理室としてのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４と、が設けられている。バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４は、真空搬送室ＴＭの外周に星状（クラスタ状）に配置されている。
真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えることができるロードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空搬送室ＴＭの筐体は、平面視が例えば八角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されているが、本発明は必ずしも係る形態に限定されない。
真空搬送室ＴＭ内には、搬送機構としての真空搬送ロボットＶＲが設けられている。真空搬送ロボットＶＲは、アームに設けられた基板載置部にウエハＷを載せて、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４との間で、相互にウエハＷの搬送を行なう。なお、真空搬送ロボットＶＲは、エレベータＥＶによって、真空搬送室ＴＭの機密性を維持しつつ昇降できるようになっている。
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりウエハＷ上に薄膜を形成する工程、もしくはウエハＷ表面に酸化膜もしくは窒化膜を形成する工程、またはウエハＷ上に金属薄膜もしくは金属化合物薄膜を形成する工程を実施して、ウエハＷに付加価値を与えるように構成されている。各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４には、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４内に供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１、プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャーコントローラ（ＡＰＣ）１２、プロセスチャンバ内の圧力を制御する温度調整器１３、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御する入出力バルブＩ／Ｏ１４、などが設けられている（図２参照）。これらコントローラ１１，１２，１３，１４は、各処理室に設けられるプロセスモジュールコントローラ９１，９２，９３，９４により制御される。プロセスモジュールコントローラ９１，９２，９３，９４により、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４内を排気しつつ、プロセスチャンバＰＭ内に処理ガスを供給すると共に、所定の圧力及び所定の温度に維持されることで、ウエハＷの表面が処理されるように構成されている。
さらにプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４は、それぞれゲートバルブＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４を介して真空搬送室ＴＭと連通可能に構成されている。例えば、プロセスチャンバＰＭ１でウエハＷを処理する場合、プロセスチャンバＰＭ１内を真空搬送室ＴＭ内と同等の雰囲気にしてからゲートバルブＧ１を開けてプロセスチャンバＰＭ１内にウエハＷを搬送した後、ゲートバルブＧ１を閉じる。そしてプロセスチャンバＰＭ１内で所定の処理を行った後、プロセスチャンバＰＭ１内の雰囲気を真空搬送室ＴＭ内と同等の雰囲気に戻してから、ゲートバルブＧ１を開けて、プロセスチャンバＰＭ１内のウエハＷを搬出した後、ゲートバルブＧ１を閉じる。プロセスチャンバＰＭ２〜ＰＭ４についてもゲートバルブＧ１と同様にゲートバルブＧ２〜Ｇ４の開閉動作を行うことでウエハＷの処理雰囲気を形成することが可能になっている。
バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、真空搬送室ＴＭ内へウエハＷを搬入する予備室として、もしくは真空搬送室ＴＭ内からウエハＷを搬出する予備室として機能する。バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の内部には、基板の搬入搬出用にウエハＷを一時的に支持するバッファステージＳＴ１，ＳＴ２が、それぞれ設けられている。又、図示されていないが、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、ウエハＷを冷却する冷却機能が設けられている。なお、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とは別に、冷却用のチャンバを設けてもよい。
バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、それぞれゲートバルブＧ５，Ｇ６を介して真空搬送室ＴＭと連通可能に構成されており、また、それぞれゲートバルブＧ７，Ｇ８
を介して後述する大気搬送室ＬＭと連通可能に構成されている。真空搬送室ＴＭの真空状態および大気搬送室ＬＭの大気圧状態を保持するため、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に設けられているゲートバルブＧ５とＧ７のいずれか一方、ゲートバルブＧ６とＧ８のいずれか一方は必ず閉じられていて、同時に開けられることはない。例えば、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ５を開ける場合、必ず反対側のゲートバルブＧ７を閉じた状態にして、バキュームロックチャンバＶＬ１内の雰囲気を真空にする。なお、本明細書でいう「真空」とは工業的真空をいう。また大気搬送室ＬＭ側のゲートバルブＧ７を開ける場合、必ず反対側のゲートバルブＧ５を閉じた状態にして、バキュームロックチャンバＶＬ１内の雰囲気を大気雰囲気にする。したがって、ゲートバルブＧ５，Ｇ６を閉じたまま、ゲートバルブＧ７，Ｇ８を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と大気搬送室ＬＭとの間でウエハＷの搬送を行うことが可能になっている。
また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることができるロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能になっている。したがって、ゲートバルブＧ７，Ｇ８を閉じてバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の内部を真空排気した後で、ゲートバルブＧ７，Ｇ８を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と真空搬送室ＴＭとの間で、ウエハＷの搬送を行うことが可能になっている。
（大気側の構成）
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続された大気搬送室ＬＭと、この大気搬送室ＬＭに接続された基板収容部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上には、基板収納容器としてのポッドＰＤ１〜ＰＤ３が載置されるようになっている。ポッドＰＤ１〜ＰＤ３内には、ウエハＷをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。
大気搬送室ＬＭ内には、大気搬送機構としての１台の大気搬送ロボットＡＲが設けられている。大気搬送ロボットＡＲは、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に載置されたポッドＰＤ１〜ＰＤ３との間で、基板としてのウエハＷの搬送を相互に行なうようになっている。大気搬送ロボットＡＲも、真空搬送ロボットＶＲと同様に基板載置部であるアームを有する。
なお、大気搬送室ＬＭ内には、基板位置の補正装置として、ウエハＷの結晶方位の位置合わせ等を行うオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）合わせ装置ＯＦＡが設けられている。もしくは、オリフラ合わせ装置ＯＦＡの代わりにウエハＷの結晶方位の位置合わせ等をウエハＷに形成されたノッチで行う、図示はしないノッチ合わせ装置が設けられている。
（制御手段の構成）
クラスタ型の基板処理装置の各構成部は、制御手段ＣＮＴにより制御される。図２に、制御手段ＣＮＴの構成例を示す。制御手段ＣＮＴは、統合制御部としての統括制御コントローラ９０を備えている。また、処理制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１）９１、処理制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ２）９２、処理制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ３）９３、および処理制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ４）９４を備えている。さらに操作者による操作を受け付ける操作部１００を備えている。
プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４）９１，９２，９３，９４は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４にそれぞれ接続されて、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４内の基板処理を個別に制御するように構成されている。具体的には、プロセスモジュールコントローラ９１，９２，９３，９４は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４が備えるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１、オートプレッシャーコントローラ（ＡＰＣ）１２、温度調整器１３、入出力バルブＩ／Ｏ１４等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスモジュールコントローラ９１，９２，９３，９４は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４に設けられる処理機構（ガス導入・排気機構、温度制御・プラズマ放電機構等）の各動作をそれぞれ制御するように構成されている。
統括制御コントローラ９０は、ＬＡＮ回線８０を介してプロセスモジュールコントローラ９１，９２，９３，９４にそれぞれ接続可能に構成され、また、真空搬送ロボットＶＲ、大気搬送ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ８、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に、それぞれ接続されている。そして、統括制御コントローラ９０は、真空搬送ロボットＶＲおよび大気搬送ロボットＡＲの動作、ゲートバルブＧ１〜Ｇ８の開閉動作、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内部の排気動作を制御するように構成されている。具体的には、統括制御コントローラ９０は、ウエハＷをポッドＰＤ１〜ＰＤ３の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報、前記ウエハＷの現在の位置情報と、ウエハＷについてのプロセス処理状況、ウエハＷを識別するウエハＩＤ、各ウエハＷに対して実施されるレシピ等のデータに基づいて、搬送手段としての真空搬送ロボットＶＲと大気搬送ロボットＡＲ、およびゲートバルブＧ１〜Ｇ８等の動作を制御するように構成されている。
操作部１００は、ＬＡＮ回線８０を介して統括制御コントローラ９０およびプロセスモジュールコントローラ９１，９２，９３，９４にそれぞれ接続可能に構成されている。操作部１００は、ＣＰＵ（中央演算素子）、記憶素子としてのメモリ、インタフェース、記録装置としてのハードディスク等を備えた汎用のコンピュータとして構成されている。操作部１００のハードディスクには、システム全体総括制御用プログラム、ＰＭ１操作用プログラム、ＰＭ２操作用プログラム、ＰＭ３操作用プログラム、ＰＭ４操作用プログラム等が格納されている。システム全体総括制御用プログラムは、操作部１００のハードディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより実行されることにより、統括制御コントローラ９０に動作命令（メッセージ）を送信すると共に、統括制御コントローラ９０から動作報告（メッセージ）を受信する機能を操作部１００に実現するように構成されている。また、ＰＭ１操作用プログラム、ＰＭ２操作用プログラム、ＰＭ３操作用プログラム、ＰＭ４操作用プログラムは、操作部１００のハードディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより実行されることにより、プロセスモジュールコントローラ９１，９２，９３，９４に動作命令（メッセージ）を送信すると共に、プロセスモジュールコントローラ９１，９２，９３，９４から動作報告（メッセージ）を受信する機能を操作部１００に実現するように構成されている。その他、操作部１００は、動作モードの設定、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担うように構成されている。
操作部１００には、表示装置１１０が設けられている。表示装置１１０の表示部１１５には、動作モードとしてのＱＣモード、および生産モードを選択する構成を有する設定画面１２０が表示される（前記図３〜図５参照）。Ｍｏｎｉｔｏｒ（ＱＣモード）は、保守点検後のプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４で品質管理用の基板を処理する動作モードである。Ｐｒｏｄｕｃｔ（生産モード）は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４で生産用の基板を処理する動作モードである。設定画面１２０については以下に詳細に述べる。
（動作モード等の画面設定）
設定画面１２０には、例えば、プロセスジョブ情報を指定するシーケンスレシピ名称の入力欄、各動作モードで使用される基板の選択欄（「Ｐｒｏｄｕｃｔ」、「Ｍｏｎｉｔｏｒ」のいずれかを選択する欄）、プロセスチャンバの指定欄（ＰＭ１〜ＰＭ４を選択するチェック欄）、プロセスレシピ名称の入力欄が表示される。
プロセスチャンバＰＭ３でＱＣチェック用のウエハＷを処理する場合、設定画面１２０の各欄に対し、図３に示すように入力する。例えば、シーケンスレシピ名称の入力欄に、プロセスチャンバＰＭ３にてＱＣチェックを行うレシピの名称である「ＰＭ３−ＱＣチェック」を入力する。また、基板の選択欄では、「Ｍｏｎｉｔｏｒ」を選択する。また、プロセスチャンバの指定欄では、ＱＣチェックを行うプロセスチャンバである「ＰＭ３」を選択する。また、プロセスチャンバＰＭ３のプロセスレシピ名称の入力欄には、ＱＣチェックを行うプロセスレシピの名称である「ＱＣチェックＡ」を入力する。
また、プロセスチャンバＰＭ３で生産用のウエハＷを処理する場合、設定画面１２０の各欄に対し、図４に示すように入力する。例えば、シーケンスレシピ名称の入力欄には、プロセスチャンバＰＭ３にて生産を行うレシピの名称である「ＰＭ３−生産」を入力する。また、基板の選択欄では、「Ｐｒｏｄｕｃｔ」を選択する。また、プロセスチャンバの指定欄では、生産を行うプロセスチャンバである「ＰＭ３」を選択する。また、プロセスチャンバＰＭ３のプロセスレシピ名称の入力欄には、生産を行うプロセスレシピの名称である「ＰｒｏｄｕｃｔＡ」を入力する。
また、全てのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４で生産用のウエハＷを処理する場合、設定画面１２０の各入力欄に対し、図５に示すように入力する。例えば、シーケンスレシピ名称の入力欄には、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４にて生産を行うレシピの名称である「ＡＬＬ」を入力する。また、基板の選択欄では、「Ｐｒｏｄｕｃｔ」を選択する。また、プロセスチャンバの指定欄では、生産を行うプロセスチャンバである「ＰＭ１」，「ＰＭ２」，「ＰＭ３」，「ＰＭ４」を全て選択する。また、プロセスチャンバＰＭ１〜４のプロセスレシピ名称の入力欄には、生産を行うレシピの名称である「ＰｒｏｄｕｃｔＡ」をそれぞれ入力する。このとき、プロセスチャンバ毎にプロセスレシピを変えて設定することもできる。図示はしないが、例えば、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のプロセスレシピ名称の入力欄に上述の「ＰｒｏｄｕｃｔＡ」をそれぞれ入力し、プロセスチャンバＰＭ３，ＰＭ４のプロセスレシピ名称の入力欄に「ＰｒｏｄｕｃｔＢ」をそれぞれ入力することもできる。また、図示はしないが、二つのプロセスチャンバもしくは三つのプロセスチャンバを生産モードで運用するように、「ＰＭ１」，「ＰＭ２」，「ＰＭ３」，「ＰＭ４」のうちの二つもしくは三つを選択して指定することも可能である。
（２）基板処理工程
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置により実施される基板処理工程の一例について、図６、図７を用いて説明する。
図６は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフローチャートである。図７は本発明の一実施形態にかかる基板処理工程における制御手段の動作を例示する概略図である。なお、図７に示す破線は、基板処理装置内におけるメッセージの送受信を示している。
図６および図７に示すように、まず、操作部１００から統括制御コントローラ９０へ、基板処理の開始を指示する動作命令Ｍ１を、ＬＡＮ８０を介して送信させる（Ｓ１）。
動作命令Ｍ１を受信した統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ５，Ｇ８を閉じ、ゲートバルブＧ６，Ｇ７を開き、真空搬送室ＴＭ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４内を真空排気する。次に、統括制御コントローラ９０は、大気搬送室ＬＭ内が略大気圧になるように大気搬送室ＬＭ内にクリーンエア（清浄な空気）を供給する。そして、図示しない搬送装置により、複数枚の未処理のウエハＷを収納したポッドＰＤ１が、ロードポートＬＰ１上に載置される（Ｓ２）。
続いて、統括制御コントローラ９０は、ロードポートＬＰ１に載置されたポッドＰＤ１内の基板位置Ｐ１に収納されているウエハＷを、大気搬送ロボットＡＲにより大気搬送室ＬＭ内に搬送させ、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上の基板位置Ｐ２に設置させ、結晶方位の位置合わせ等を実施させる（Ｓ３）。
続いて、統括制御コントローラ９０は、大気搬送ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２に設置されているウエハＷをピックアップさせ、バキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送させ、バッファステージＳＴ１上の基板位置Ｐ３に設置させる。そして、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ７を閉じて、バキュームロックチャンバＶＬ１内部を真空排気する（Ｓ４）。
バキュームロックチャンバＶＬ１が所定の圧力まで減圧したら、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ７を閉じたまま、ゲートバルブＧ５を開ける。そして、統括制御コントローラ９０は、真空搬送ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ３に設置されているウエハＷをピックアップさせ、プロセスチャンバＰＭ１内に搬送させ、基板位置Ｐ４に設置させる（Ｓ５）。
プロセスチャンバＰＭ１内にウエハＷが搬入されたら、統括制御コントローラ９０は、基板処理レシピの進行開始を指示する動作命令Ｍ２を、ＬＡＮ８０を介してプロセスモジュールコントローラ９１に送信する（Ｓ６）。
プロセスモジュールコントローラ９１は、プロセスチャンバＰＭ１内に処理ガスを供給させ、ウエハＷに対して所定の処理（成膜処理など）を実施する（Ｓ７）。
ウエハＷへの処理が完了したら、プロセスモジュールコントローラ９１は、ウエハＷへの処理が完了したことを示す動作報告Ｍ３を、ＬＡＮ８０を介して統括制御コントローラ９０に送信する（Ｓ８）。
動作報告Ｍ３を受信した統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ７を閉じたまま、ゲートバルブＧ５を開け、真空搬送ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ４に設置されている処理済のウエハＷをピックアップさせ、バキュームロックチャンバＶＬ２内に搬送させる。
バッファステージＳＴ２上の基板位置Ｐ１０へ処理済のウエハＷを配置させた後、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ６を閉め、バキュームロックチャンバＶＬ２内にクリーンガスを供給してバキュームロックチャンバＶＬ２内を略大気圧に戻し、ゲートバルブＧ８を開ける（Ｓ９）。また、このとき図示しない冷却機構によりウエハＷを冷却する。
続いて、統括制御コントローラ９０は、大気搬送ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ１０に設置されている処理済みのウエハＷをピックアップさせ、ロードポートＬＰ３に載置されたポッドＰＤ３に搬送して空きスロットに収納させる（Ｓ１０）。
以後、上記の工程を繰り返し、全ての未処理のウエハＷについて自動搬送処理を実施したら、統括制御コントローラ９０は、処理済みウエハＷを収納したポッドＰＤ３をロードポートＬＰ３から搬出する。そして、統括制御コントローラ９０は、操作者に指示された基板処理の実施が完了した旨を示す動作報告Ｍ４を、ＬＡＮ８０を介して操作部１００に送信し、基板処理を終了する（Ｓ１１）。
なお、上述の工程Ｓ１〜Ｓ１１において、プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４）９１，９２，９３，９４から発信されるモニタデータやアラーム（メッセージＭ５）は、統括制御コントローラ９０を経由することなく、操作部１００へと直接送信される。
また上記説明では、プロセスチャンバＰＭ１について説明したが、他のプロセスチャンバＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４についても、プロセスチャンバＰＭ１と同様にウエハＷの処理を行うことが可能になっている。
（３）メンテナンス工程から生産工程
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置により実施されるメンテナンス工程から生産工程までの一例について、図８、図９を用いて説明する。
図８は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施されるメンテナンス工程から生産工程におけるフローチャートである。図９は、本発明の一実施形態にかかるメンテナンス工程から生産工程における基板処理装置の動作を例示する概略図である。なお、図９に示す破線は、基板処理装置内におけるメッセージの送受信を示している。
生産用のウエハＷを所定回数処理したプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４では、内部の汚染具合などに応じて適宜メンテナンスが実施される。メンテナンスは、真空搬送室ＴＭからプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４を切り離さずに実施される。このメンテナンスの対象となるのは、例えば、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の壁面へのガス分子や反応生成物の付着等による真空到達度の軽度の劣化、センサ面の汚れの軽度の付着により感度の低下による異常発生を知らせるアラームの誤作動、等である。真空到達度の軽度の劣化や汚れの軽度の付着を解消するメンテナンス方法としては、プラズマクリーニング、エッチングによるクリーニング、等があげられる。ここでいう軽度とは、クリーニングによって解消できるレベルのことをいう。またメンテナンスには、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４を真空搬送室ＴＭから取り外して行うメンテナンスも含まれる。なお、プロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４を真空搬送室ＴＭから切り離さずにメンテナンスを行う利点としては、プロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４の取り外し作業および取り付け作業を行う必要がなく、メンテナンス時間を短縮できることがあげられる。仮にプロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４を取り外してメンテナンス作業を行うと、プロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４の取り外し作業および取り付け作業が必要になり、メンテナンス時間が長くかかることになる。
（メンテナンスモード移行命令の送信（Ｓ２１））
例えばプロセスチャンバＰＭ３のメンテナンスを実施するには、操作者は、表示装置１１０の表示部１１５に設定画面１２０を呼び出し、シーケンスレシピ名称の入力欄に「ＰＭ３−メンテナンス」を入力する。また、プロセスチャンバの指定欄では、メンテナンスを実行するプロセスチャンバである「ＰＭ３」を選択する。また、プロセスチャンバＰＭ３のプロセスレシピ名称の入力欄に、実行するメンテナンスのプロセスレシピ名称として「メンテナンスＡ」を入力する。
その結果、操作部１００から統括制御コントローラ９０へ、メンテナンスモードへの移行命令Ｍ１１が、ＬＡＮ８０を介して送信される。なお、移行命令Ｍ１１を受信した統合制御コントローラ９０は、メンテナンス処理が完了する迄（後述する動作報告Ｍ１３を受信する迄）、プロセスチャンバＰＭ３についてのＱＣモードや生産モードへの移行命令を操作部１００から受信した場合に、この命令を拒絶するように構成されている。
（メンテナンス処理の実施（Ｓ２２））
統括制御コントローラ９０は、プロセスモジュールコントローラ９３に対して指令を送信し、ゲートバルブＧ３を閉じさせる。また、統合制御コントローラ９０は、真空搬送ロボットＶＲに対して、「メンテナンスモード」が指定されたプロセスチャンバＰＭ３内へのウエハＷの搬送を禁止する真空搬送ロボット動作命令ＲＭ１を送信する。真空搬送ロボット動作命令ＲＭ１を受信した真空搬送ロボットＶＲは、プロセスチャンバＰＭ３内へのウエハＷ（生産用のウエハＷおよびＱＣチェック用のウエハＷ）の搬送ができなくなる。これによって、プロセスチャンバＰＭ３のメンテナンスが可能になる。なお、動作命令Ｍ１１を受信した時に、予めウエハ有無センサ（図示しない）によってプロセスチャンバＰＭ３内にウエハＷが入っていることが検知されている場合は、プロセスチャンバＰＭ３内の雰囲気を真空搬送室ＴＭと同等の真空雰囲気とした後、ゲートバルブＧ３を開放して、真空搬送ロボットＶＲによりウエハＷを取り出しておく。
そして、統括制御コントローラ９０は、メンテナンスのプロセスレシピである「メンテナンスＡ」の進行開始を指示する動作命令Ｍ１２を、ＬＡＮ８０を介してプロセスモジュールコントローラ９３に送信する。動作命令Ｍ１２を受信したプロセスモジュールコントローラ９３は、プロセスチャンバＰＭ３に所定のメンテナンス処理（例えばプラズマクリーニング処理、エッチングによるクリーニング処理など）を実施させる。
メンテナンス処理が完了したら、プロセスモジュールコントローラ９３は、メンテナンス処理が完了したことを示す動作報告Ｍ１３を、ＬＡＮ８０を介して統括制御コントローラ９０に送信する。動作報告Ｍ１３を受信した統括制御コントローラ９０は、メンテナンスが終了したことを示す動作報告Ｍ１４を、ＬＡＮ８０を介して操作部１００に送信して、表示部１１５にその旨を表示させる。なお、表示とともに音でメンテナンスが終了したことを知らせるようにしてもよい。
（メンテナンス解除及びシーケンスレシピ実行の動作命令の送信（Ｓ２３，Ｓ２４））
操作者は、メンテナンスの終了を確認した後、表示装置１１０の表示部１１５に設定画面１２０（前記図３参照）を呼び出し、設定画面１２０の各欄に対し、図３に示すように入力する。すなわち、シーケンスレシピ名称の入力欄に、プロセスチャンバＰＭ３にてＱＣチェックを行うレシピの名称である「ＰＭ３−ＱＣチェック」を入力する。また、基板の選択欄では、「Ｍｏｎｉｔｏｒ」を選択する。また、プロセスチャンバの指定欄では、ＱＣチェックを行うプロセスチャンバである「ＰＭ３」を選択する。また、プロセスチャンバＰＭ３のプロセスレシピ名称の入力欄には、ＱＣチェックを行うプロセスレシピの名称である「ＱＣチェックＡ」を入力する。
その結果、操作部１００から統括制御コントローラ９０へ、メンテナンスモードの解除（すなわちＱＣモードの開始）を指示する動作命令、及び設定画面１２０で入力されたシーケンスレシピ「ＰＭ３−ＱＣチェック」実行の動作命令Ｍ１５が、ＬＡＮ８０を介して送信される。これにより、プロセスチャンバＰＭ３の動作モードが「メンテナンスモード」から「ＱＣモード」へ移行され、シーケンスレシピ「ＰＭ３−ＱＣチェック」の実行が開始される。なお、動作命令Ｍ１５を受信した統括制御コントローラ９０は、シーケンスレシピ「ＰＭ３−ＱＣチェック」の実行が完了する迄（後述する動作報告Ｍ１７を受信する迄）、プロセスチャンバＰＭ３についてのＱＣモードや生産モードへの移行命令を操作
部１００から受信した場合に、この要求を拒絶するように構成されている。
（真空搬送ロボット動作命令の送信（Ｓ２５））
動作命令Ｍ１５を受信した統括制御コントローラ９０は、真空搬送ロボットＶＲに対して、「ＱＣモード」が指定されたプロセスチャンバＰＭ３内への生産用のウエハＷの搬送を禁止しつつ、ＱＣチェック用のウエハＷの搬送を許可する真空搬送ロボット動作命令ＲＭ２を送信する。
真空搬送ロボット動作命令ＲＭ２を受信した真空搬送ロボットＶＲは、プロセスチャンバＰＭ３内への生産用のウエハＷの搬送ができなくなり、ＱＣチェック用のウエハＷの搬送が可能になる。そして、真空搬送ロボットＶＲは、ＱＣチェック用のウエハＷをプロセスチャンバＰＭ３に搬送するよう、前記図６を参照して説明したウエハ搬送の手順でＱＣチェック用のウエハＷを搬送する。すなわち、上述したロードポートへのポッドの載置（Ｓ２）、大気搬送室への搬送（Ｓ３）、バキュームロックチャンバへの搬送（Ｓ４）、プロセスチャンバへの搬送（Ｓ５）を順に実施する。
（ＱＣモードのプロセスレシピ動作命令の送信（Ｓ２６））
プロセスチャンバＰＭ３内にＱＣチェック用のウエハＷが搬入されたら、統括制御コントローラ９０は、プロセスレシピ「ＱＣチェックＡ」の進行開始を指示する動作命令Ｍ１６を、ＬＡＮ８０を介してプロセスモジュールコントローラ９３に送信する。
（ＱＣチェック用のウエハの処理（Ｓ２７））
動作命令Ｍ１６を受信したプロセスモジュールコントローラ９３は、プロセスチャンバＰＭ３にプロセスレシピ「ＱＣチェックＡ」を実施させ、ＱＣチェック用のウエハＷを処理（例えば、成膜等）させる。
（動作報告の送信（Ｓ２８））
ＱＣチェック用のウエハＷへの処理が完了したら、プロセスモジュールコントローラ９３は、ＱＣチェック用のウエハＷへの処理が完了したことを示す動作報告Ｍ１７を、ＬＡＮ８０を介して統括制御コントローラ９０に送信する。動作報告Ｍ１７を受信した統括制御コントローラ９０は、ＱＣチェック用のウエハＷへの処理が終了したことを示す動作報告Ｍ１８を、ＬＡＮ８０を介して操作部１００に送信して、表示部１１５にその旨を表示させる。なお、表示とともに音で処理が終了したことを知らせるようにしてもよい。
（真空搬送ロボット動作命令の送信（Ｓ２９））
動作命令Ｍ１７を受信した統括制御コントローラ９０は、真空搬送ロボットＶＲに対して、処理が完了したＱＣチェック用のウエハＷを搬出する真空搬送ロボット動作命令ＲＭ３を送信する。ＱＣチェック用のウエハＷを搬出するには、前記図６を参照して説明したウエハ搬送の手順で行う。すなわち、上述したバキュームロックチャンバへの搬送（Ｓ９）、ロードポートに載置されたポッドへの格納（Ｓ１０）を順に実施する。
（ウエハのスペックチェック（Ｓ３０））
処理後のＱＣチェック用のウエハＷの品質を検査する。品質検査は、一例として、ＱＣチェック用のウエハＷ上に成膜された膜の膜厚測定や、ＱＣチェック用のウエハＷに付着したパーティクル数の測定等を実施する。品質検査は、ＱＣチェック用のウエハＷを基板処理装置の外部に取り出して実施してもよく、プロセスチャンバ内で実施してもよい。
（ＱＣモード解除及びシーケンスレシピ実行の動作命令の送信（Ｓ３１，Ｓ３２））
検査の結果、ＱＣチェック用のウエハＷ上に成膜された膜の膜厚や、その膜の表面に存在するパーティクル数等が、所定のスペック内に入っていなかった場合（Ｓ３０で「Ｎｏ
」の場合、操作者は、上述のメンテナンスモード移行命令の送信（Ｓ２１）から再度実施する。
また、検査の結果、所定のスペック内に入っていた場合（Ｓ３０で「Ｙｅｓ」の場合）、操作者は、表示装置１１０の表示部１１５に設定画面１２０（前記図３参照）を呼び出し、設定画面１２０の各欄に対し、図４に示すように入力する。すなわち、シーケンスレシピ名称の入力欄に、プロセスチャンバＰＭ３にて生産を行うレシピの名称である「ＰＭ３−生産」を入力する。また、基板の選択欄では、「Ｐｒｏｄｕｃｔ」を選択する。また、プロセスチャンバの指定欄では、生産を行うプロセスチャンバである「ＰＭ３」を選択する。また、プロセスチャンバＰＭ３のプロセスレシピ名称の入力欄に、生産を行うプロセスレシピの名称である「ＰｒｏｄｕｃｔＡ」を入力する。
その結果、操作部１００から統括制御コントローラ９０へ、ＱＣモードの解除（すなわち生産モードの開始）を指示する動作命令、及び設定画面１２０で入力されたシーケンスレシピ「ＰＭ３−ＱＣチェック」実行の動作命令Ｍ１９が、ＬＡＮ８０を介して送信される。これにより、プロセスチャンバＰＭ３の動作モードが「ＱＣモード」から「生産モード」へ移行され、シーケンスレシピ「ＰＭ３−生産」の実行が開始される。なお、動作命令Ｍ１９を受信した統括制御コントローラ９０は、生産モードの実行が完了する迄（後述する動作報告Ｍ２０を受信する迄）、プロセスチャンバＰＭ３についてのメンテナンスモードやＱＣモードへの移行命令を操作部１００から受信した場合に、この命令を拒絶するように構成されている。このように「ＱＣモード」から「生産モード」への切り替えは、設定画面１２０上での画面操作からのみ可能とする。したがって、操作者の介在なしに「生産モード」に移行することはない。
（真空搬送ロボット動作命令の送信（Ｓ３３））
動作命令Ｍ１９を受信した統括制御コントローラ９０は、真空搬送ロボットＶＲに対して、「生産モード」が指定されたプロセスチャンバＰＭ３内への生産用のウエハＷの搬送を許可する真空搬送ロボット動作命令ＲＭ４を送信する。
真空搬送ロボット動作命令ＲＭ４を受信した真空搬送ロボットＶＲは、プロセスチャンバＰＭ３内へ生産用のウエハＷの搬送が可能になる。そして、統括制御コントローラ９０は、生産用のウエハＷをプロセスチャンバＰＭ３にも搬送するよう、前記図６を参照して説明したウエハＷの搬送手順で生産用のウエハＷを搬送する。すなわち、上述したロードポートへのポッドの載置（Ｓ２）からプロセスチャンバへの搬送（Ｓ５）を実行する。
（生産モードのプロセスレシピ動作命令の送信（Ｓ３４））
プロセスチャンバＰＭ３内に生産用のウエハＷが搬入されたら、統括制御コントローラ９０は、生産レシピの進行開始を指示する動作命令Ｍ２０を、ＬＡＮ８０を介してプロセスモジュールコントローラ９３に送信する。
（生産用のウエハの処理（Ｓ３５））
動作命令Ｍ２０を受信したプロセスモジュールコントローラ９３は、プロセスチャンバＰＭ３にプロセスレシピ「ＰｒｏｄｕｃｔＡ」を実行させ、生産用ウエハＷを処理（例えば、成膜等）させる。
（動作報告の送信（Ｓ３６））
生産用のウエハＷへの処理が完了したら、プロセスモジュールコントローラ９３は、生産用のウエハＷへの処理が完了したことを示す動作報告Ｍ２０を、ＬＡＮ８０を介して統括制御コントローラ９０に送信する。動作報告Ｍ２０を受信した統括制御コントローラ９０は、生産用のウエハＷへの処理が終了したことを示す動作報告Ｍ２１を、ＬＡＮ８０を
介して操作部１００に送信して、表示部１１５にその旨を表示させる。なお、表示とともに音で処理が終了したことを知らせるようにしてもよい。
（真空搬送ロボット動作命令の送信（Ｓ３７））
動作命令Ｍ２２を受信した統括制御コントローラ９０は、真空搬送ロボットＶＲに対して、処理が完了した生産用のウエハＷを搬出する真空搬送ロボット動作命令ＲＭ５を送信する。そして、生産用のウエハＷを搬出するには、前記図６を参照して説明したウエハ搬送の手順で行う。すなわち、生産用のウエハＷに対して、「バキュームロックチャンバへの搬送」Ｓ９、「ロードポートに載置されたポッドへの格納」Ｓ１０を順に実施する。
以上説明したように、本発明の基板処理装置では、図１０に示すように、動作モードとして、「メンテナンスモード」および「生産モード」の他に「ＱＣモード」を有する。そして、「メンテナンスモード」が指定されたプロセスチャンバに対しては、ウエハＷの搬送が禁止される。また「ＱＣモード」が指定されたプロセスチャンバに対しては、生産用のウエハＷの搬送が禁止され、ＱＣチェック用のウエハＷの搬送が許可される。さらに、「生産モード」が指定されたプロセスチャンバに対しては、ＱＣチェック用のウエハＷの搬送が禁止され、生産用のウエハＷの搬送が許可される。したがって、ＱＣチェック中のプロセスチャンバに生産用のウエハＷが搬送されることはない。また生産工程を実施中のプロセスチャンバにＱＣチェック用のウエハＷが搬送されることはない。なお、従来の基板処理装置では、「メンテナンスモード」および「生産モード」のみで、メンテナンス、ＱＣチェックおよび生産を運用していた。
（４）自動運転中のプロセスチャンバの運用方法
次に、自動運転中のプロセスチャンバの運用方法の一例を図１１ないし図１３を参照して以下に説明する。
（全プロセスチャンバを運用する場合）
図１１に示すように、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の全てを運用するシーケンスレシピの指示を受けた場合には、例えば、プロセスチャンバＰＭ１→プロセスチャンバＰＭ２→プロセスチャンバＰＭ３→プロセスチャンバＰＭ４→プロセスチャンバＰＭ１→プロセスチャンバＰＭ２→プロセスチャンバＰＭ３→プロセスチャンバＰＭ４の順にプロセスチャンバを使用してウエハ処理を実行する。上記各ウエハ処理の実行は、前記図６を参照して説明した基板処理工程に基づく。なお、ゲートバルブＧ１〜Ｇ８の開閉動作は、前記説明した基板処理工程と同様であるので以下の説明では省略する。
まず、大気搬送ロボットＡＲにより、ポッドＰＤ１に格納されている生産用の基板としてのウエハＷを大気搬送室ＬＭ内に取り出し（矢印Ｕ１）、オリフラ合わせ装置ＯＦＡの基板位置Ｐ２に移行して載置し（矢印Ｕ１Ａ）、ウエハＷの位置決めをする。続いて大気搬送ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２のウエハＷをピックアップし、大気搬送室ＬＭ（矢印Ｕ１Ｂ）からほぼ大気圧状態としてあるバキュームロックチャンバＶＬ１の基板位置Ｐ３に移行して載置する（矢印Ｕ２）。そしてバキュームロックチャンバＶＬ１をほぼ真空状態として、真空搬送ロボットＶＲによって、基板位置Ｐ３からウエハＷをピックアップし、ほぼ真空状態にした真空搬送室ＴＭを通して（矢印Ｕ３）、ほぼ真空状態にしたプロセスチャンバＰＭ１の基板位置Ｐ４に搬送して載置する（矢印Ｕ４）。そしてプロセスチャンバＰＭ１でウエハ処理を実行する。プロセスチャンバＰＭ１でウエハ処理が実行されている間に、上述したのと同様にして、ポッドＰＤ１からプロセスチャンバＰＭ２の基板位置Ｐ５に別のウエハＷを搬送して載置し（矢印Ｕ５）、ウエハ処理を実行する。続いてプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２でのウエハ処理が実行されている間に、上述したのと同様にして、ポッドＰＤ１からさらに別のウエハＷをプロセスチャンバＰＭ３の基板位置Ｐ６にウエハを搬送して載置し（矢印Ｕ６）、ウエハ処理を実行する。さらに続いてプロ
セスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３でのウエハ処理が実行されている間に、上述したのと同様にして、ポッドＰＤ１からさらに別のウエハＷをプロセスチャンバＰＭ４の基板位置Ｐ７にウエハＷを搬送して載置し（矢印Ｕ７）、ウエハ処理を実行する。上述の説明では、バキュームロックチャンバＶＬ１を用いたが、バキュームロックチャンバＶＬ２を用いてもよい。すなわち、ウエハＷを搬送する時点で使用可能なバキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２を選択して用いることが可能になっている。
所定のウエハ処理が終了したら、終了したプロセスチャンバからウエハＷを搬出する。通常、各プロセスチャンバＰＭ１ないしＰＭ４が同一のシーケンスレシピが実行されている場合には、ウエハ処理時間はほぼ同一となる。したがって、最初にウエハＷが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１で最初にウエハ処理が終了するので、まず真空搬送ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ４に載置されている処理済みのウエハＷをピックアップし、真空搬送室ＴＭに通して（矢印Ｄ１）、ほぼ真空状態にしたバキュームロックチャンバＶＬ２の基板位置Ｐ１０に搬送し載置する（矢印Ｄ５）。そしてバキュームロックチャンバＶＬ２をほぼ大気圧状態として、大気搬送ロボットＶＲによって、基板位置Ｐ１０からウエハＷをピックアップし、大気搬送室ＬＭを通して（矢印Ｄ６）、ポッドＰＤ１の空いている所定のスロットに格納する（矢印Ｄ７）。続いて、真空搬送ロボットＶＲにより、上述したのと同様にして、処理が終了するプロセスチャンバＰＭ２の基板位置Ｐ５から処理済みのウエハＷをピックアップし、真空搬送室ＴＭに（矢印Ｄ２）搬出する。その後は、上述したのと同様にして、バキュームロックチャンバＶＬ２を通してポッドＰＤ１に格納する（矢印Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７）。続いて真空搬送ロボットＶＲにより、上述したのと同様にして、処理が終了するプロセスチャンバＰＭ３の基板位置Ｐ６から処理済みのウエハＷをピックアップし、真空搬送室ＴＭに（矢印Ｄ３）搬出し、バキュームロックチャンバＶＬ１を通してポッドＰＤ１の空いているスロットに格納する。続いて真空搬送ロボットＶＲにより、上述したのと同様にして、処理が終了するプロセスチャンバＰＭ４の基板位置Ｐ７から処理済みのウエハＷをピックアップし、真空搬送室ＴＭに（矢印Ｄ４）搬出し、バキュームロックチャンバＶＬ１を通してポッドＰＤ１の空いているスロットに格納する。なお、処理済みのウエハは、最初に取り出したポッドＰＤ１に戻さず、別のポッドＰＤ２もしくはポッドＰＤ３に搬送して格納してもよい。
（４台中３台を運用する場合）
図１２に示すように、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４のうち、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ４の３台を運用するシーケンスレシピの指示を受けた場合には、例えば、プロセスチャンバＰＭ１→プロセスチャンバＰＭ２→プロセスチャンバＰＭ４→プロセスチャンバＰＭ１→プロセスチャンバＰＭ２→プロセスチャンバＰＭ４→の順にプロセスチャンバを使用してウエハ処理を実行する。各ウエハ処理は、前記図６を参照して説明した基板処理工程に基づく。また、プロセスチャンバを運用するシーケンスレシピの指示を受けていないプロセスチャンバＰＭ３は、例えば、休止されているか、メンテナンスが実行される。なお、ゲートバルブＧ１〜Ｇ８の開閉動作は、前記説明した基板処理工程と同様であるので以下の説明では省略する。
まず、大気搬送ロボットＡＲにより、ポッドＰＤ１に格納されている生産用の基板としてのウエハＷを大気搬送室ＬＭ内に取り出し（矢印Ｕ１）、オリフラ合わせ装置ＯＦＡの基板位置Ｐ２に移行して載置し（矢印Ｕ１Ａ）、ウエハＷの位置決めをする。続いて大気搬送ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２のウエハＷをピックアップし、大気搬送室ＬＭ（矢印Ｕ１Ｂ）からほぼ大気圧状態としてあるバキュームロックチャンバＶＬ１の基板位置Ｐ３に移行して載置する（矢印Ｕ２）。そしてバキュームロックチャンバＶＬ１をほぼ真空状態として、真空搬送ロボットＶＲによって、基板位置Ｐ３からウエハＷをピックアップし、ほぼ真空状態にした真空搬送室ＴＭを通して（矢印Ｕ３）、ほぼ真空状態にしたプロセスチャンバＰＭ１の基板位置Ｐ４に搬送して載置する（矢印Ｕ４）。そしてプロセス
チャンバＰＭ１でウエハ処理を実行する。プロセスチャンバＰＭ１でウエハ処理が実行されている間に、上述したのと同様にして、ポッドＰＤ１からプロセスチャンバＰＭ２の基板位置Ｐ５に別のウエハを搬送して載置し（矢印Ｕ５）、ウエハ処理を実行する。続いてプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２でのウエハ処理が実行されている間に、上述したのと同様にして、ポッドＰＤ１からさらに別のウエハＷをプロセスチャンバＰＭ４の基板位置Ｐ７にウエハＷを搬送して載置し（矢印Ｕ７）、ウエハ処理を実行する。上述の説明では、バキュームロックチャンバＶＬ１を用いたが、バキュームロックチャンバＶＬ２を用いてもよい。すなわち、ウエハＷを搬送する時点で使用可能なバキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２を選択して用いることが可能になっている。
所定のウエハ処理が終了したら、終了したプロセスチャンバからウエハＷを搬出する。通常、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ４が同一のシーケンスレシピが実行されている場合には、ウエハ処理時間はほぼ同一となる。したがって、最初にウエハＷが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１で最初にウエハ処理が終了するので、まず真空搬送ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ４に載置されている処理済みのウエハＷをピックアップし、真空搬送室ＴＭに通して（矢印Ｄ１）、ほぼ真空状態にしたバキュームロックチャンバＶＬ２の基板位置Ｐ１０に搬送し載置する（矢印Ｄ５）。そしてバキュームロックチャンバＶＬ２をほぼ大気圧状態として、大気搬送ロボットＶＲによって、基板位置Ｐ１０からウエハＷをピックアップし、大気搬送室ＬＭを通して（矢印Ｄ６）、ポッドＰＤ１の空いている所定のスロットに格納する（矢印Ｄ７）。続いて、真空搬送ロボットＶＲにより、上述したのと同様にして、処理が終了するプロセスチャンバＰＭ２の基板位置Ｐ５から処理済みのウエハＷをピックアップし、真空搬送室ＴＭに（矢印Ｄ２）搬出する。その後は、上述したのと同様にして、バキュームロックチャンバＶＬ２を通してポッドＰＤ１に格納する（矢印Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７）。続いて真空搬送ロボットＶＲにより、上述したのと同様にして、処理が終了するプロセスチャンバＰＭ４の基板位置Ｐ７から処理済みのウエハＷをピックアップし、真空搬送室ＴＭに（矢印Ｄ４）搬出し、バキュームロックチャンバＶＬ１を通してポッドＰＤ１の空いているスロットに格納する。なお、処理済みのウエハＷを、最初に取り出したポッドＰＤ１に戻さず、別のポッドＰＤ２もしくはポッドＰＤ３に搬送して格納してもよい。
（４台中１台を運用する場合）
図１３に示すように、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４のうち、プロセスチャンバＰＭ２の１台のみを運用するシーケンスレシピの指示を受けた場合には、例えば、プロセスチャンバＰＭ２のみを用いてウエハ処理を実行する。ウエハ処理は、前記図６を参照して説明した基板処理工程に基づく。また、プロセスチャンバを運用するシーケンスレシピの指示を受けていないプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ３，ＰＭ４は、例えば、休止されているか、メンテナンスが実行される。なお、ゲートバルブＧ１〜Ｇ８の開閉動作は、前記説明した基板処理工程と同様であるので以下の説明では省略する。
まず、大気搬送ロボットＡＲにより、ポッドＰＤ１に格納されている生産用の基板としてのウエハＷを大気搬送室ＬＭ内に取り出し（矢印Ｕ１）、オリフラ合わせ装置ＯＦＡの基板位置Ｐ２に移行して載置し（矢印Ｕ１Ａ）、ウエハＷの位置決めをする。続いて大気搬送ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２のウエハＷをピックアップし、大気搬送室ＬＭ（矢印Ｕ１Ｂ）からほぼ大気圧状態としてあるバキュームロックチャンバＶＬ１の基板位置Ｐ３に移行して載置する（矢印Ｕ２）。続いてバキュームロックチャンバＶＬ１をほぼ真空状態として、真空搬送ロボットＶＲによって、基板位置Ｐ３からウエハＷをピックアップし、ほぼ真空状態にした真空搬送室ＴＭを通して（矢印Ｕ３）、ほぼ真空状態にしたプロセスチャンバＰＭ２の基板位置Ｐ５に搬送して載置する（矢印Ｕ５）。そしてプロセスチャンバＰＭ２でウエハ処理を実行する。上述の説明では、バキュームロックチャンバＶＬ１を用いたが、バキュームロックチャンバＶＬ２を用いてもよい。すなわち、ウエハＷ
を搬送する時点で使用可能なバキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２を選択して用いることが可能になっている。
所定のウエハ処理が終了したら、まず真空搬送ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ５に載置されている処理済みのウエハＷをピックアップし、真空搬送室ＴＭに通して（矢印Ｄ２）、ほぼ真空状態にしたバキュームロックチャンバＶＬ２の基板位置Ｐ１０に搬送し載置する（矢印Ｄ５）。そしてバキュームロックチャンバＶＬ２をほぼ大気圧状態として、大気搬送ロボットＶＲによって、基板位置Ｐ１０からウエハＷをピックアップし、大気搬送室ＬＭを通して（矢印Ｄ６）、ポッドＰＤ１の空いている所定のスロットに格納する（矢印Ｄ７）。なお、処理済みのウエハＷは、最初に取り出したポッドＰＤ１に戻さず、別のポッドＰＤ２もしくはポッドＰＤ３に搬送して格納してもよい。
（５）複数の異なる動作モードのプロセスチャンバの同時運転
図１４は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４で自動運転中、プロセスチャンバＰＭ３でエラーが発生したときに、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ４で生産を継続しながらプロセスチャンバＰＭ３でメンテナンス作業を実施して、再度このプロセスチャンバＰＭ３で生産用のウエハＷへの処理が可能になるまでの流れを示した図面である。
予め図５に示すように全てのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４にプロセスレシピがそれぞれ設定されると、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４を使用する自動運転が実行される。そのとき、プロセスチャンバＰＭ３でメンテナンスを実行する場合について、図１４を用いて以下に説明する。
（Ａ）ＰＭ３のメンテナンス作業実施中
このとき、操作部１００又は統括制御コントローラ９０からメンテナンス移行命令があり、プロセスチャンバＰＭ３の動作モードは「メンテナンスモード」に指定されている。したがって、生産用のウエハＷは、矢印Ａ１，Ａ２，Ａ４に示すように、真空搬送ロボットＶＲを用いてプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ４に搬入され、所定の生産の処理が行われる。そして、所定の生産の処理が終了したウエハＷは、矢印Ｂ１，Ｂ２，Ｂ４に示すように、真空搬送ロボットＶＲによって真空搬送室ＴＭ内に搬出される。また「メンテナンスモード」が指定されているプロセスチャンバＰＭ３に対しては、生産用のウエハおよびＱＣチェック用のウエハの搬送が禁止されている。したがって、運用ミスによりメンテナンス中のプロセスチャンバＰＭ３に生産用のウエハＷよびＱＣチェック用のウエハが運ばれることはない。
（Ｂ）ＰＭ３のメンテナンス作業完了
プロセスチャンバＰＭ３のメンテナンス作業が完了した後、メンテナンスモードが解除されると、プロセスチャンバＰＭ３は「ＱＣモード」に移行し、ＱＣチェックが実行される。このとき、生産用のウエハＷの搬送が禁止され、ＱＣチェック用のウエハＷのみが搬送許可されている。したがって、運用ミスによりＱＣチェック未完了のプロセスチャンバＰＭ３に生産用のウエハＷが搬送されることない。
（Ｃ）ＱＣチェック用のウエハ処理の自動運転
続いて、表示部１１５に呼び出した設定画面１２０に、プロセスチャンバＰＭ３にＱＣチェック用のウエハＷを処理するシーケンスレシピ等を入力する。これにより、ＱＣチェック用のウエハの処理の実行命令が統括制御コントローラ９０をからプロセスモジュールコントローラ９３に送信される。そしてプロセスモジュールコントローラ９３によって指示されたＱＣチェック用のウエハＷの処理（例えば成膜）がプロセスチャンバＰＭ３で実行される。したがって、ＱＣチェック用のウエハＷは、矢印Ａ３に示すように、真空搬送
ロボットＶＲを用いてプロセスチャンバＰＭ３に搬入され、所定の処理が行われる。そして、所定の処理が終了したウエハＷは、矢印Ｂ３に示すように、真空搬送ロボットＶＲによって真空搬送室ＴＭ内に搬出される。また生産用のウエハＷは、矢印Ａ１，Ａ２，Ａ４に示すように、真空搬送ロボットＶＲを用いてプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ４に搬入され、所定の処理が行われる。そして、処理が終了したウエハＷは、矢印Ｂ１，Ｂ２，Ｂ４に示すように、真空搬送ロボットＶＲによって真空搬送室ＴＭ内に搬出される。このように、生産用のウエハＷの処理とＱＣチェック用のウエハの処理を同時に並行して、自動運転で処理することが可能となっている。このときも、「ＱＣモード」が指定されているプロセスチャンバＰＭ３に対しては、生産用のウエハＷの搬送が禁止され、ＱＣチェック用のウエハのみが搬送許可されている。したがって、運用ミスによりＱＣチェック未完了のプロセスチャンバＰＭ３に生産用のウエハＷが搬送されることはない。
（Ｄ）ＱＣチェック
ＱＣチェック用のウエハ処理が終了した後、ＱＣチェック用のウエハＷに成膜した膜の品質検査を行う。検査項目としては、膜厚測定とパーティクル数測定があげられる。品質検査中のプロセスチャンバＰＭ３の動作モードは「ＱＣモード」のままであるが、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ４では「生産モード」で自動運転が継続的に実行されている。したがって、前述したのと同様に、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ４には生産用のウエハＷが搬送され処理される。また「ＱＣモード」が指定されているプロセスチャンバＰＭ３に対しては、生産用のウエハＷの搬送が禁止され、ＱＣチェック用のウエハのみが搬送許可されている。したがって、運用ミスによりＱＣチェック未完了のプロセスチャンバＰＭ３に生産用のウエハＷは搬送されない。
（Ｅ）生産モードに移行
品質検査の測定の結果が所定のスペックに入っていることを確認した後、ＱＣモードが解除されると、プロセスチャンバＰＭ３の動作モードが再度「生産モード」に移行し、プロセスチャンバＰＭ１ないしＰＭ４の全ての動作モードが「生産モード」になる。したがって、プロセスチャンバＰＭ１ないしＰＭ４には生産用のウエハＷが搬送される。このときプロセスチャンバＰＭ１ないしＰＭ４に対しては、ＱＣチェック用のウエハＷの搬送が禁止され、生産用のウエハＷのみが搬送許可されている。このため、運用ミスによりプロセスチャンバＰＭ１ないしＰＭ４に生産用以外のウエハＷが搬送されることはない。なお、膜厚およびパーティクル数のいずれかでも所定のスペックに入っていない場合には、図示はしていないが、例えば、再度、プロセスチャンバのメンテナンスを実行する。
（６）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
（Ａ）本実施形態にかかる動作モードは、処理室としてのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の保守点検を行う「メンテナンスモード」、保守点検後のプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４で品質管理用の基板としてのＱＣチェック用のウエハＷを処理する「ＱＣモード」、および生産用の基板としての生産用のウエハを処理する「生産モード」を有する。したがって、ＱＣチェックを実行するときに「ＱＣモード」を選択してＱＣチェック用のウエハＷを処理することが可能になる。また生産を実行するときに「生産モード」を選択して生産用のウエハＷを処理することが可能になる。
（Ｂ）本実施形態にかかる統合制御部としての統括制御コントローラ９０は、「ＱＣモード」が指定されたプロセスチャンバＰＭ内への生産用のウエハＷの搬送を禁止しつつ品質管理用の基板としてのＱＣチェック用のウエハＷを搬送し、「生産モード」が指示されたプロセスチャンバＰＭ内へのＱＣチェック用のウエハＷの搬送を禁止しつつ生産用のウエハＷを搬送するように、搬送機構としての真空搬送ロボットＶＲを制御する。したがって
「ＱＣモード」が設定されているプロセスチャンバには、ＱＣチェック用のウエハＷのみが搬送されるようになり、「ＱＣモード」が指定されているプロセスチャンバＰＭに対して生産用のウエハＷが搬送されるのを防ぐことが可能になる。よって、自動運転中に生産用のウエハＷがＱＣチェック中のプロセスチャンバＰＭ内に搬入され処理されることがなくなるので、プロセスチャンバＰＭのロックアウト（使用不能状態になること）を回避することが可能になる。
（Ｃ）本実施形態にかかる操作部１００は、表示装置１１０を有する。そして表示装置１１０の表示部１１５には、動作命令としての「ＱＣモード」、および「生産モード」で使用する基板を選択する設定画面１２０を表示させることができる。これによって、操作者は、ＱＣチェック用のウエハＷの搬送指定が可能となる。
また、設定画面１２０は、生産モードを実行するプロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４のいずれかを指定する構成と、生産モードで実行するプロセスレシピを設定する構成と、を有する。これによって、操作者は、設定画面１２０から、プロセスチャンバＰＭの指定およびプロセスレシピの指定を行うことができる。
操作部１００は、選択された動作モードを含む所定の動作命令を統括制御コントローラ９０に送信することができる。そして統括制御コントローラ９０は、受信した動作命令をプロセスモジュールコントローラ９１〜９４に指示し、その動作命令に基づいてプロセスモジュールコントローラ９１〜９４は、それぞれの対応するプロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４にウエハ処理を実行させることができる。
（Ｄ）本実施形態にかかる動作モードの選択では、一つのプロセスチャンバＰＭに一つの動作モードが選択され、かつ複数のプロセスチャンバＰＭに一つまたは複数の動作モードが同時に選択されるので、同時に異なる動作モードの指示を別々のプロセスチャンバで行うことが可能になる。すなわち、一部のプロセスチャンバＰＭにおいて「メンテナンスモード」や「ＱＣモード」が選択されていても、他のプロセスチャンバＰＭにおいては生産を継続させることができる。これにより、基板処理装置の稼働率を向上させることができる。
＜本発明の他の実施形態＞
基板処理装置は、上記の実施形態に示すような半導体基板を処理する半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、熱処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、露光処理、不純物ドーピング等の処理であってもよい。また、処理室は、その内部に導入されたプラズマ、もしくはその内部で発生させたプラズマを利用して、処理室ＰＭ内に搬送された基板としてのウエハＷに対して所定のプラズマ処理（例えばプラズマＣＶＤ処理、プラズマエッチング処理、プラズマアッシング処理、プラズマドーピング処理、等）を施すプラズマ処理室であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ等の処理、酸化膜、窒化膜、炭化膜、酸窒化膜等を形成する処理、有機膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の第１の態様は、
基板を処理する複数の処理室と、
前記処理室に連通可能に接続された搬送室と、
前記搬送室内に設けられ、前記搬送室と前記処理室との間で前記基板を搬送する搬送機
構と、
前記各処理室に接続されて前記各処理室内の基板処理を制御する処理制御部と、
前記処理制御部に接続され、前記搬送機構の動作を制御する統合制御部と、
前記統合制御部及び前記処理制御部に接続され、前記統合制御部及び前記処理制御部に処理命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記搬送機構から動作報告を受信し、前記処理制御部を介して前記処理室に設けられた処理機構から動作報告を受信する操作部と、
を備えた基板処理装置であって、
前記統合制御部は、指定された処理室内への生産用の前記基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の基板を搬送すると共に、前記指定された処理室以外の処理室へ生産用の基板を搬送するように前記搬送機構を制御する基板処理装置である。
本発明の第２の態様は、
前記操作部は、表示装置を有し、
前記表示装置には、前記処理室ごとに、前記メンテナンスモード、前記ＱＣモード、および前記生産モードを選択する設定画面が表示される
第１の態様に記載した基板処理装置である。
本発明の第３の態様は、
前記設定画面は、前記動作モードを実行する前記処理室を指定する構成と、
前記動作モードで実行されるプロセスレシピを設定する構成と、
を有する第２の態様に記載した基板処理装置である。
本発明の第４の態様は、
一つの前記処理室に一つの前記動作モードが選択され、かつ複数の前記処理室に一つまたは複数の前記動作モードが同時に選択される
第１の態様ないし第３の態様のいずれか１つの態様に記載した基板処理装置である。
本発明の第５の態様は、
前記統括制御部は、前記処理制御部を介して、複数の前記処理室のうちの少なくとも一つ以上に前記動作モードのうちの一つを指定し、かつその他の前記処理室は前記指定された動作モード以外の前記動作モードを指定し、
前記動作モードのうちの一つが指定された前記処理室で当該動作モードでの処理と、前記指定された動作モード以外の前記動作モードが指定された処理室で当該動作モードでの処理と、が実行される
第４の態様に記載した基板処理装置である。
本発明の第６の態様は、
基板を処理する複数の処理室と、
前記処理室に連通可能に接続された真空搬送室と、
前記真空搬送室に連通可能に接続され減圧可能な予備室と、
前記予備室に連通可能に接続され、大気圧状態で前記基板が搬送される大気搬送室と、
前記大気搬送室に連通可能に接続され、前記基板を収納する基板収納容器を保持する基板収納部と、
前記真空搬送室内に設けられ、前記予備室との間で前記基板を搬送する真空搬送機構と、
前記大気搬送室内に設けられ、前記予備室と前記基板収納部との間で前記基板を搬送する大気搬送機構と、
前記処理室に接続され、記処理室の動作を制御する処理制御部と、
前記処理制御部に接続され、前記処理制御部を介して前記処理室の動作を制御すると共
に、前記真空搬送機構および前記大気搬送機構に接続されてそれぞれの搬送動作を制御する統合制御部と、
前記統合制御部に接続可能に構成され、前記統合制御部を介して前記処理制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記処理制御部から動作報告を受信する操作部と、
を備えた基板処理装置であって、
前記処理室の動作モードは、前記処理室の保守点検を行うメンテナンスモード、保守点検後の前記処理室で品質管理用の前記基板を処理するＱＣモード、および生産用の前記基板を処理する生産モードを有し、
前記操作部には前記動作命令として選択された前記動作モードが入力され、
前記統合制御部を介して前記処理制御部に前記選択された動作モードが指示され、
前記統合制御部は、前記メンテナンスモードが指定された前記処理室内への前記基板の搬送を禁止し、前記ＱＣモードが指定された前記処理室内への生産用の前記基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の前記基板を搬送し、前記生産モードが指示された前記処理室内への品質管理用の前記基板の搬送を禁止しつつ生産用の前記基板を搬送するように前記真空搬送機構および前記大気搬送機構を制御する
基板処理装置である。
本発明の第７の態様は、
搬送機構により処理室内に基板を搬送して処理する半導体装置の製造方法において、
保守点検を行うメンテナンスモードに前記処理室の動作モードを設定し、前記搬送機構による前記基板の前記処理室への搬送を禁止し、前記処理室のメンテナンスを可能にする工程と、
品質管理用の前記基板を処理するＱＣモードに前記処理室の動作モードを設定し、前記搬送機構による生産用の前記基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の前記基板の搬送し、前記処理室内で品質管理用の前記基板を処理する工程と、
処理した品質管理用の前記基板の品質を検査し、前記品質が所定の品質を満たしていた場合に、生産用の前記基板を処理する生産モードに前記処理室の動作モードを設定し、前記搬送機構による品質管理用の前記基板の搬送を禁止しつつ生産用の前記基板を搬送し、前記処理室内で生産用の前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法である。
本発明の第８の態様は、
処理した品質管理用の前記基板の品質の検査は、前記基板上に成膜された膜の膜厚測定と、前記基板に付着したパーティクル数の測定とを有する
第７の態様に記載した半導体装置の製造方法である。
Ｗ ウエハ（基板）
ＰＭ１ プロセスチャンバ（処理室）
ＰＭ２ プロセスチャンバ（処理室）
ＰＭ３ プロセスチャンバ（処理室）
ＰＭ４ プロセスチャンバ（処理室）
ＰＭＣ１ プロセスモジュールコントローラ（処理制御部）
ＰＭＣ２ プロセスモジュールコントローラ（処理制御部）
ＰＭＣ３ プロセスモジュールコントローラ（処理制御部）
ＰＭＣ４ プロセスモジュールコントローラ（処理制御部）
９０ 統括制御コントローラ（統合制御部）
１００ 操作部
１１０ 表示装置
１１５ 表示部
１２０ 設定画面
ＲＭ１ 真空搬送ロボット動作命令
ＲＭ２ 真空搬送ロボット動作命令
ＲＭ３ 真空搬送ロボット動作命令
ＲＭ４ 真空搬送ロボット動作命令

Claims (1)

  1. 基板を処理する複数の処理室と、
    前記処理室に連通可能に接続された搬送室と、
    前記搬送室内に設けられ、前記搬送室と前記処理室との間で前記基板を搬送する搬送機構と、
    前記各処理室に接続されて前記各処理室内の基板処理を制御する処理制御部と、
    前記処理制御部に接続され、前記搬送機構の動作を制御する統合制御部と、
    前記統合制御部及び前記処理制御部に接続され、前記統合制御部及び前記処理制御部に処理命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記搬送機構から動作報告を受信し、前記処理制御部を介して前記処理室に設けられた処理機構から動作報告を受信する操作部と、
    を備えた基板処理装置であって、
    前記統合制御部は、指定された処理室内への生産用の前記基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の基板を搬送すると共に、前記指定された処理室以外の処理室へ生産用の基板を搬送するように前記搬送機構を制御する
    ことを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014129421A1 (ja) * 2013-02-20 2014-08-28 独立行政法人産業技術総合研究所 小型製造装置及びこれを用いた製造システム
JP2015138811A (ja) * 2014-01-20 2015-07-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、その運用方法及び記憶媒体
JP2015201598A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置
WO2017175408A1 (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US9875920B1 (en) 2016-07-21 2018-01-23 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Substrate processing apparatus
KR20180133356A (ko) 2016-03-02 2018-12-14 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치
WO2021054260A1 (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 東京エレクトロン株式会社 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5821689B2 (ja) * 2011-04-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102128722B1 (ko) * 2012-08-21 2020-07-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 검사 방법
US9146551B2 (en) * 2012-11-29 2015-09-29 Asm Ip Holding B.V. Scheduler for processing system
CN104752128A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 硅片加工处理的系统及方法
JP6123740B2 (ja) * 2014-06-17 2017-05-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造ライン及び半導体装置の製造方法
US10062599B2 (en) 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US20170115657A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ
JP6896682B2 (ja) * 2018-09-04 2021-06-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP7122236B2 (ja) * 2018-11-28 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 検査装置、メンテナンス方法、及びプログラム
JP2022076547A (ja) * 2020-11-10 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、および制御プログラム

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1167869A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及び真空処理装置
JP2002246377A (ja) * 2001-10-29 2002-08-30 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法
JP2004152961A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 搬送制御システム及び搬送制御方法並びに搬送制御プログラム
JP2006179528A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム
JP2009026916A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
JP2009076503A (ja) * 2007-09-18 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714832B1 (en) * 1996-09-11 2004-03-30 Hitachi, Ltd. Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
TW466622B (en) * 1996-09-11 2001-12-01 Hitachi Ltd Operating method of vacuum processing device and vacuum processing device
KR100793453B1 (ko) * 2000-07-07 2008-01-14 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치의 유지 보수 방법, 처리 장치의 자동 검사방법, 처리 장치의 자동 복귀 방법 및 처리 장치를구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법
JP4884594B2 (ja) 2001-03-22 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び制御方法
US6733621B2 (en) * 2002-05-08 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Venting apparatus and method for vacuum system
US7335277B2 (en) * 2003-09-08 2008-02-26 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
JP4673548B2 (ja) * 2003-11-12 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその制御方法
JP4524132B2 (ja) * 2004-03-30 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP4522783B2 (ja) * 2004-08-03 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7169626B2 (en) * 2004-09-21 2007-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for detecting alignment mark shielding
US9305814B2 (en) * 2004-12-20 2016-04-05 Tokyo Electron Limited Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method
US20060176928A1 (en) * 2005-02-08 2006-08-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, control method adopted in substrate processing apparatus and program
US20060215347A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and recording medium
CN101300486B (zh) * 2005-09-02 2013-07-24 Abb公司 模块化气相色谱仪
JP2007081302A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Toshiba Corp 管理システム、管理方法及び電子装置の製造方法
JP5312019B2 (ja) * 2006-03-22 2013-10-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の表示方法および半導体装置の製造方法
JP5215852B2 (ja) * 2006-07-31 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびコンディショニング要否決定方法
JP4697896B2 (ja) * 2007-03-24 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、装置動作パラメータの管理方法、およびプログラム
FR2920065A1 (fr) * 2007-08-16 2009-02-20 Commissariat Energie Atomique Procede de codage/decodage spatio-temporel pour systeme de communication multi-antenne de type impulsionnel
JP5089306B2 (ja) 2007-09-18 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
US20090112520A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Applied Materials, Inc. Self-aware semiconductor equipment
US20090114346A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP5294681B2 (ja) * 2008-04-28 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその基板搬送方法
US20100076729A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Applied Materials, Inc. Self-diagnostic semiconductor equipment

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1167869A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及び真空処理装置
JP2002246377A (ja) * 2001-10-29 2002-08-30 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法
JP2004152961A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 搬送制御システム及び搬送制御方法並びに搬送制御プログラム
JP2006179528A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム
JP2009026916A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
JP2009076503A (ja) * 2007-09-18 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9478452B2 (en) 2013-02-20 2016-10-25 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Small production device and production system using the same
JPWO2014129421A1 (ja) * 2013-02-20 2017-02-02 国立研究開発法人産業技術総合研究所 小型製造装置及びこれを用いた製造システム
WO2014129421A1 (ja) * 2013-02-20 2014-08-28 独立行政法人産業技術総合研究所 小型製造装置及びこれを用いた製造システム
TWI630672B (zh) * 2014-01-20 2018-07-21 東京威力科創股份有限公司 Substrate processing device, method of operating the same, and memory medium
JP2015138811A (ja) * 2014-01-20 2015-07-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、その運用方法及び記憶媒体
JP2015201598A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US10184177B2 (en) 2016-03-02 2019-01-22 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus capable of adjusting flow rate of inert gas supplied to substrate
KR20180133356A (ko) 2016-03-02 2018-12-14 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치
US10914005B2 (en) 2016-03-02 2021-02-09 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus having gas guide capable of suppressing gas diffusion
WO2017175408A1 (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JPWO2017175408A1 (ja) * 2016-04-08 2019-01-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US10998210B2 (en) 2016-04-08 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus
US9875920B1 (en) 2016-07-21 2018-01-23 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Substrate processing apparatus
WO2021054260A1 (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 東京エレクトロン株式会社 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法
JP7379042B2 (ja) 2019-09-20 2023-11-14 東京エレクトロン株式会社 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法

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