JPWO2017175408A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Abstract
生産性を維持し、自動でレシピを実行制御できる構成を提供する。基板に処理を施す処理室と、真空状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記予備室における保守レシピ及び前記処理室における生産レシピをそれぞれ実行する制御部を備えた構成において、前記制御部は、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示を受付けると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる構成が提供される。
【選択図】図５
【選択図】図５
Description
本発明は基板を処理する基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関するものである。
一般的な基板処理装置においては、保守情報により設定された所定の保守タイミングに到達、例えば、所定の基板処理時間、所定の処理回数、所定の累積膜厚値等に到達すると、保守（メンテナンス）用のメンテレシピを、自動的に実行していた。一方、ハードインターロック、温度偏差エラー、流量偏差エラー等のアラームが発生すると、プロセスレシピ実行が終了したタイミングで、メンテレシピを自動実行していた（特許文献１）。
近年、ロードロック（ＬＣ）室内でのパーティクルについても規制が厳しくなっている。ＬＣ室に関しては、定期的なメンテナンスが手動で行われていた。そのメンテナンスでは自動生産処理を一度停止してオペレータが手動で実施しており、このため生産効率が低下するという問題点があった。
更に、装置の排気構成により、複数のロードロックチャンバ及び真空搬送室に接続されているポンプは１個であるため、例えば第1のロードロックチャンバでポンプを使用した排気処理を伴うメンテナンス用自動レシピが実行されている場合、第２のロードロックチャンバでは排気処理を含んだレシピが実行できない。つまり、空いている片方のロードロックチャンバが使えず稼働率の低下が懸念されていた。
本発明の目的は、斯かる実情に鑑み、半導体製造装置における生産性を維持し、自動でレシピを実行制御できる構成を提供することにある。
本発明の一態様によれば、基板に処理を施す処理室と、真空状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記予備室における保守レシピ及び前記処理室における生産レシピをそれぞれ実行する制御部を備えた構成において、前記制御部は、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示を受付けると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる構成が提供される。
本発明によれば、半導体製造装置の稼働効率の向上をはかることが可能となる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０について図１から図３を用いて説明する。
本実施形態に係る基板処理装置１０はクラスタ型であり、真空側と大気側とに分けられる。基板処理装置１０は、複数のモジュールによって構成される。基板処理装置１０はモジュールとして、基板に処理を施す処理室としてのプロセスチャンバ（ＰＣ）１２と、第一の搬送室としての真空搬送室（トランスファチャンバ：ＴＭ）１４と、予備室としてのロードロックチャンバ（ロードロック室：ＬＣ）１６と、第二の搬送室としての大気搬送室（ＬＭ）１８と、ロードポート（ＬＰ）２０とを備える。
（真空側）基板処理装置１０の真空側には、基板としてのウエハ２を処理する二つのＰＣ１２（プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂ）と、真空気密自在なＴＭ１４と、二つのＬＣ１６（ロードロックチャンバ１６ａ及びロードロックチャンバ１６ｂ）とが設けられている。ここで、プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂを「ＰＣ(プロセスチャンバ)１２」と総称し、ロードロックチャンバ１６ａ及びロードロックチャンバ１６ｂを「ＬＣ(ロードロックチャンバ)１６」と総称する場合がある。ＰＣ１２それぞれにＴＭ１４が接続され、このＴＭ１４にＬＣ１６それぞれが接続されるようにして配置されている。ＰＣ１２との間は、壁部２２によって遮られている。
ＰＣ１２は、ウエハ２を処理する。ＰＣ１２は例えば、ウエハ２上に薄膜を形成する工程や、ウエハ２表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、ウエハ２上に金属薄膜又は金属化合物薄膜を形成する工程等を行う。
図３に示すように、各ＰＣ１２には、ＰＣ１２内に供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４と、ＰＣ１２内の圧力を制御するオートプレッシャーコントローラ（ＡＰＣ）２６と、ＰＣ１２内の温度を調整する温度調整器２８と、処理ガスの供給・排気用バルブのオン／オフを制御するバルブＩ／Ｏ３０とが設けられている。
ＰＣ１２ａはゲートバルブ（ＧＶ）３２ａを介してＴＭ１４と連通しており、ＰＣ１２ｂはＧＶ３２ｂを介してＴＭ１４と連通している。第一の開閉部としてのＧＶ３２ａ及びＧＶ３２ｂを介して、ＰＣ１２とＴＭ１４とは連通している。
例えば、ＰＣ１２ａにおいてウエハ２を処理する場合は、以下のように動作する。まず、ＰＣ１２ａ内を、ＴＭ１４内と同様の雰囲気とする。ＧＶ３２ａを開き、ＰＣ１２ａ内にウエハ２を搬送する。ＧＶ３２ａを閉じ、ウエハ２に所定の処理を施す。次いで、ＰＣ１２ａ内の雰囲気をＴＭ１４内と同様の雰囲気に戻した後、ＧＶ３２ａを開き、このＰＣ１２ａ内からウエハ２を搬出する。そして、ＧＶ３２ａを閉じる。同様に、ＰＣ１２ｂにおいてもＧＶ３２ｂの開閉動作を行うことで、室内の雰囲気を適宜維持しつつウエハ２が処理される。
ＰＣ１２ａ、１２ｂにはそれぞれ、第一の処理部４２と、この第一の処理部４２よりもＴＭ１４から遠い位置に配置された第二の処理部４４と、この第二の処理部４４とＴＭ１４との間でウエハ２を搬送するウエハ搬送装置４６とが設けられている。
第一の処理部４２は、ウエハ２を載置する第一の載置台４８と、この第一の載置台４８に載置されたウエハ２を加熱する第一のヒータ５０とを備える。第二の処理部４４は、ウエハ２を載置する第二の載置台５２と、この第二の載置台５２に載置されたウエハ２を加熱する第二のヒータ５４とを備える。尚、第一の載置台４８及び第二の載置台５２は、例えばアルミニウムによって形成される。
ウエハ搬送装置４６は、ウエハ２を支持する基板支持部材５６と、この基板支持部材５６を回転・昇降する移動軸５８とを備える。移動軸５８は、壁部２２近傍に設けられている。ウエハ搬送装置４６は、基板支持部材５６を第一の処理部４２側へ回転させることで、この第一の処理部４２側においてＴＭ１４の真空搬送ロボット６２との間でウエハ２を授受する。
移動軸５８が壁部２２側に配置されているため、本構成を有さない場合と比較して省スペース化が図れる。具体的には、ＰＣ１２ａ、１２ｂそれぞれの外側に要するスペースが省かれ、外部のスペース（例えば、保守者が立ち入るメンテナンススペース等）が大きく確保される。
ＰＣ１２ａとＰＣ１２ｂとは、壁部２２に対して対称に構成されている。ＰＣ１２ａ及びＰＣ１２ｂそれぞれのウエハ搬送装置４６は、壁部２２を挟んで近づくように配置されている。
ＴＭ１４は、真空状態など大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造となっている。本実施形態においてＴＭ１４の筐体は、平面視が六角形であり上下両端が閉塞した箱状に形成されている。ＴＭ１４の筐体は、この形態に限らず、他の形態としてもよい。
第一搬送室であるＴＭ１４内には、第一搬送部としての真空搬送ロボット６２が設けられている。真空搬送ロボット６２は、アーム６２ａに設けられた基板載置部６２ｂにウエハ２を載せて、ＰＣ１２とＬＣ１６との間で相互にウエハ２を搬送する。真空搬送ロボット６２は、エレベータ６４によって、ＴＭ１４の気密性を維持しつつ昇降するようになっている。真空搬送ロボット６２において、アーム６２ａ及び基板載置部６２ｂは、ウエハ２を搬送する第一搬送部として機能する。
ＴＭ１４は、ＧＶ３２ｃを介してＬＣ１６ａと連通しており、ＧＶ３２ｄを介してバキュームロックチャンバ１６ｂと連通している。第二の開閉部としてのＧＶ３２ｃ及びＧＶ３２ｄを介して、ＴＭ１４とＬＣ１６とは連通している。
ＬＣ１６は、ＴＭ１４の真空状態を維持しながら、このＴＭ１４と大気側との間でウエハ２を搬送する予備室として機能する。ＬＣ１６は、負圧に耐える構造となっている。ＬＣ１６ａ及びＬＣ１６ｂは、その内部が真空ポンプ１６ｃによって真空排気されるように構成されている。
ＬＣ１６ａ及びＬＣ１６ｂそれぞれの内部には、ウエハ２を支持する基板支持体としてのボート６６ａ及びボート６６ｂ（以下、「ボート６６」と総称する場合がある）が設けられている。ボート６６は、例えば２５枚のウエハ２を一定間隔で積層するようにして保持する。ボート６６は、例えば炭化ケイ素やアルミニウムで形成される。ＬＣ１６には、ウエハ２を冷却する冷却機構（非図示）が設けられている。冷却機構は、ＬＣ１６と別個に設けるようにしてもよい。また、ＬＣ１６ａ及びＬＣ１６ｂには、共通して用いられる真空ポンプ１６ｃが設けられている。
ＬＣ１６ａは、ＧＶ３２ｅを介して大気側のＬＭ１８と連通している。ＬＣ１６ｂは、ＧＶ３２ｆを介して大気側のＬＭ１８と連通している。
真空状態にあるＴＭ１４と大気圧状態にあるＬＭ１８とは直接連通しないようになっている。具体的には、ＧＶ３２ｃ及びＧＶ３２ｅの少なくともいずれか一方は閉じられた状態となり、同様にＧＶ３２ｄ及びＧＶ３２ｆの少なくともいずれか一方は閉じられた状態となる。例えば、ＴＭ１４側のＧＶ３２ｃを開ける際は、ＬＭ１８側のＧＶ３２ｅを閉じるとともに、ポンプ１６ｃによって、ＬＣ１６ａ内を真空状態とする。なお、「真空」とは、工業的真空を示す。ＬＭ１８側のＧＶ３２ｅを開ける際は、ＴＭ１４側のＧＶ３２ｃを閉じるとともに、ＬＣ１６ａ内を大気圧状態とする。
ＧＶ３２ｃ、３２ｄを閉じた状態でＧＶ３２ｅ、３２ｆを開けるようにすることで、ＴＭ１４内を真空に維持しながら、ＬＣ１６ａ、１６ｂとＬＭ１８との間でウエハ２が搬送される。ＧＶ３２ｃ〜３２ｆを閉じた状態でＬＣ１６ａ、１６ｂの内部を真空排気した後、ＧＶ３２ｃ、３２ｄを開けるようにすることで、ＴＭ１４の真空状態を維持しながら、ＬＣ１６ａ、１６ｂとＴＭ１４との間でウエハ２が搬送される。
ＴＭ１４及びＬＣ１６は、開閉部としてのＧＶ３２ａ〜３２ｄを介してＰＣ１２と連通している。ＴＭ１４及びＬＣ１６は、ＰＣ１２の真空状態を維持しつつ、ＰＣ１２と大気圧状態にあるＬＭ１８との間で搬送されるウエハ２が通過する通過室として機能する。
（大気側）基板処理装置１０の大気側には、ＬＣ１６に接続された第二搬送室であるＬＭ１８と、このＬＭ１８に接続された基板収容部としての三つのＬＰ２０ａ、ＬＰ２０ｂ及びＬＰ２０ｃ（「ＬＰ(ロードポート)２０」と総称する場合がある）とが設けられている。ＬＰ２０ａ〜２０ｃにはそれぞれ、複数枚のウエハ２を収容する基板収容容器としてのポッド４が載置されるようになっている。ポッド４には、ウエハ２を複数収納する基板収納部としてのスロットが複数設けられている。
ＬＭ１８内には、第二搬送部としての大気搬送ロボット７２が設けられている。大気搬送ロボット７２はアームを有し、このアームにはウエハ２を複数載置する基板載置部が形成されている。大気搬送ロボット７２は、ＬＰ２０に載置されたポッド４とＬＣ１６との間で、相互にウエハ２を搬送する。
ＬＭ１８内には、ウエハ２のオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）の位置を合わせる基板位置補正装置としての位置合わせ装置７４が設けられている。位置合わせ装置７４は、処理するウエハ２の種別に応じて、オリフラに替えてウエハ２のノッチの位置を合わせるようにしてもよい。
（制御部）基板処理装置１０は制御部としてのコントローラ８０を備え、このコントローラ８０によって基板処理装置１０の各構成部が制御される。コントローラ８０は、基板処理装置１０を総括して制御する統括制御部８２と、ＰＣ１２ａ、１２ｂそれぞれを制御するプロセスチャンバコントローラ（ＰＭＣ）８４ａ、８４ｂ（以下、「ＰＭＣ８４」と総称する場合がある）と、操作者との間で情報を授受する操作装置８６とを備える。統括制御部８２、ＰＭＣ８４及び操作装置８６は、ＬＡＮ回線等のネットワーク８８を介してそれぞれ接続されている。
ＰＭＣ８４は、対応するＰＣ１２に設けられたＭＦＣ２４、ＡＰＣ２６、温度調整器２８及び入出力バルブＩ／Ｏ３０を制御する。ＰＭＣ８４によって、対応するＰＣ１２内の排気や、ＰＣ１２内への処理ガスの供給、圧力・温度の制御等が行われることで、ウエハ２が処理される。
統括制御部８２はネットワーク８８を介して、ＰＭＣ８４や真空搬送ロボット６２、大気搬送ロボット７２、ＧＶ３２ａ〜ＧＶ３２ｆ、ＬＣ１６等に接続されている。
統括制御部８２は、真空搬送ロボット６２及び大気搬送ロボット７２の搬送動作や、ＧＶ３２ａ〜３２ｆの開閉動作、ＬＣ１６内部の排気動作等を制御する。具体的には、統括制御部８２は、ウエハ２をどのポッド４のどのスロットに配置するかに関するウエハ収納情報や、ウエハ２の現在の位置に関するウエハ位置情報、ウエハ２についてのプロセス処理の状況、複数のウエハ２それぞれを一意に識別するウエハＩＤ、ウエハ２の処理条件に関するレシピ等に基づいて、各構成部を制御する。
次に、コントローラ８０のハードウエア構成について説明する。
コントローラ８０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit)９２やメモリ９４等を含む制御装置９６と、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の記憶装置９８と、液晶ディスプレイ等の表示装置１００と、キーボードやマウス等の入力装置１０２と、ネットワーク８８を介して通信する通信装置１０４とを有する。コントローラ８０としては、例えば汎用のコンピュータが用いられる。また、コントローラ８０は、表示装置１００、入力装置１０２等を具備し、レシピの作成、設定入力、或は予め作成されたレシピの入力を行う。尚、前記表示装置１００をタッチパネルとし、入力装置は省略されてもよい。
コントローラ８０において所定のプログラムは、通信装置１０４又は記録媒体１０６を介して記憶装置９８に格納され、メモリ９４にロードされて、制御装置９６で動作するＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）上で実行される。
メモリ９４は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵの動作プログラム等を記憶する記録媒体である。メモリ９４は、ＣＰＵのワークエリアなどとして機能する。
ＣＰＵ９２は、操作部の中枢を構成し、メモリ９４に記憶された制御プログラムを実行し、操作パネルからの指示に従って、レシピ記憶部に記憶されているレシピ（例えば、プロセス用レシピ）を実行する。
制御装置９６は、外部記憶媒体（例えば、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１０６に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置９８や記憶媒体１０６は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置９８単体のみを含む場合、外部記憶媒体１０６単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
本実施形態において、コントローラ８０の記憶装置９８には、基板処理装置１０の全体のシステムを制御する統括制御プログラムや、ＰＣ１２を操作するプロセスチャンバ操作プログラム、通過室としての真空搬送室１４及びＬＣ１６内の雰囲気を調節する通過室調節プログラム等が格納されている。
更に、コントローラ８０はプログラム格納部、データ格納部を具備する。プログラム格納部にはプロセスを実行する為のプロセスプログラム、プロセスに対応するレシピ(本実施の形態では生産レシピともいう)を実行する為のレシピプログラム、基板処理をする為に必要な基板処理プログラムが格納され、後述する室内の雰囲気を整えるためのメンテナンス用レシピ(本実施の形態では保守レシピともいう)や生産レシピ割り込みプログラムも格納されている。また、データ格納部にはレシピ処理中のＰＣ１２の温度、圧力、ガス流量等のデータが記録される。
統括制御プログラムが制御装置９６により実行されると、統括制御部８２に動作命令（メッセージ）を送信するともに、この統括制御部８２から動作報告（メッセージ）を受信する等の機能が実現する。プロセスチャンバ操作プログラムが制御装置９６により実行されると、ＰＭＣ８４に動作命令（メッセージ）を送信するとともに、このＰＭＣ８４から動作報告（メッセージ）を受信する等の機能が実現する。通過室調節プログラムが制御装置９６により実行されると、後述する通過室調節工程（Ｓ２００）を実行する通過室調節動作の機能が実現する。
次に、本発明の基板処理における実施例について、図５を参照して説明する。図５は、制御装置９６により実行される生産レシピ割り込みプログラムのフロー示す。
例えば、ＬＣ１６ａ（ＬＣ１）で保守レシピが実行されているときに生産ロットを処理するための生産レシピが実行された場合、ＬＣ１６ｂ（ＬＣ２）を使用して生産を開始することになる。図５に、処理の流れ概要を示す。ここで、保守レシピは、予備室としてのＬＣ１６内をサイクルパージするように構成されている。また、予備室としてのＬＣ１６内をリークチェックするように構成されている。ここで、サイクルパージとは、予備室(ＬＣ１６)のパージを繰返し、室内の雰囲気を整えることである。具体的には、予備室を所定の圧力までの減圧、予備室への不活性ガス(例えば、Ｎ２ガス)の供給(大気圧化)を繰返し行う。尚、真空ポンプ１６ｃを予備室の減圧時に少量の不活性ガスは供給されていても構わない。
制御装置９６は、ＬＣ１で処理基板枚数が予め定めた閾値をオーバーしたため保守レシピを実行する（Ｓ１０１）。この保守レシピは、例えば全２０Ｓｔｅｐから構成されているとする。
一方で、制御装置９６は、ＬＰ２０から、指定の基板としてのウエハ２を、大気搬送ロボット７２を経由してＬＣ２へ搬送する。搬送が終了すると、ＬＣ２を大気雰囲気から真空雰囲気に変えてウエハ２を処理するための生産レシピを実行する。制御装置９６は、例えば、ＬＣ１側の保守レシピの１０Ｓｔｅｐ目の３秒経過後に、ＬＣ２側が生産用レシピの実行を確認する（Ｓ１０２）。制御装置９６は、生産レシピの実行を確認していない間は、ＬＣ１側の保守レシピを継続する（Ｓ１０３）。
制御装置９６は、ＬＣ２側の生産用レシピの実行を確認すると、ＬＣ１とＬＣ２とのレシピ実行の優先度をチェックする（Ｓ１０４）。ＬＣ１の優先度が高い場合であれば、ＬＣ１で実行されている保守レシピを継続する（Ｓ１０３）。ここで、単に、制御装置９６は、予め設定されたＬＣ１とＬＣ２の優先度をチェックし、ＬＣ１の優先度が低い場合、ＬＣ１の保守レシピがＬＣ２の生産レシピより優先度が低いと判断するようにしてもよい。また、制御装置９６は、ＬＣ１とＬＣ２のそれぞれで実行しようとしているレシピの種別、例えば、プロセスレシピを保守レシピより優先度が高いと判断してもよい（Ｓ１０４）。
Ｓ１０４において、制御装置９６が、ＬＣ１側の保守レシピ実行状況を優先度の判定に取り入れるようにしてもよい。例えば、保守レシピの所定のステップまで実行していれば、ＬＣ１を優先度が高いと判定してもよく、また、保守レシピがサイクルパージであれば、所定回数実行していれば、ＬＣ１を優先度が高いと判定してもよい。好ましくは、制御装置９６が、ＬＣ１の保守レシピを終了するまでの時間とＬＣ１、ＬＣ２の両方を用いてプロセスレシピを実行させた場合の時間を加えた時間と、ＬＣ１の保守レシピを一時停止させてＬＣ２でプロセスレシピを実行させた場合の時間とを比較して、プロセスレシピが早く終わる方(少ない時間)を選択するよう優先度を判定するようにするのが好ましい。つまり、このようにすれば、生産効率の低下を抑制しつつ、保守レシピを実行することができる。
制御装置９６は、Ｓ１０４工程において、ＬＣ１側の保守レシピの優先度が低いと判断すると、ＬＣ１の全バルブをＣｌｏｓｅとして、ＬＣ１を封じ込め状態とする（Ｓ１０５）。Ｓｔｅｐの内容によっては、ＬＣ１側の保守レシピの１０Ｓｔｅｐ目を終了させて(実行中のステップを終了させて)、ＬＣ１内の封じ込め動作に移行してもよい。また、すぐに途中のＳｔｅｐを強制的に終了させて、ＬＣ１内の封じ込め動作に移行してもよい。この場合、ＭＦＣが接続されている場合は、流量を０ＳＬＭに設定する。
このような状態でＬＣ１の保守レシピを一時停止状態にする（Ｓ１０６）。
制御装置９６は、ＬＣ２の生産レシピの実行を継続する。この間、制御装置９６は、一定周期でＬＣ２の生産レシピの進捗状態（レシピが終了したか否か）を監視する（Ｓ１０７）。
制御装置９６は、インターロック等の信号も同時に監視し、必要であれば、一時停止状態を解除し、Ｒｅｓｅｔ状態に移行し、レシピを強制終了する場合もある。ＬＣ２側の生産レシピが終了すると、制御装置９６は、ＬＣ２のレシピ終了確認後、Ｓｔｅｐ１０の最初からＬＣ１のレシピを再開する（Ｓ１０８）。（例えば、制御装置９６は、Ｓｔｅｐ１０が３０秒のステップであった場合、３秒経過後に一時停止し、再開時もう一度Ｓｔｅｐ１０を０秒から開始して３０秒間実施する）
Ｓ１０８において、制御装置９６は、ＬＣ２側の生産レシピが終わるまでの時間を計測しておき、所定時間以上経過する場合、一時停止しておいた保守レシピを最初から実行するようにしてもよい。また、保守レシピの一時停止までに行った回数に応じて保守レシピを最初から実行してもよい。例えば、保守レシピがサイクルパージであれば、保守レシピの一時停止までに行った回数をクリアして、1回目からサイクルパージを繰返すようにしてもよい。また、制御装置９６は、所定ステップまで実行していなければ、保守レシピを最初から実行するようにしてもよい。
本実施形態によれば、例えば、ＬＣ１のパーティクルを抑制しつつ、ＬＣ２を用いてウエハ２を処理することができるので、装置稼働率の低下を抑制できる。また、保守レシピの途中で、ウエハ２を処理する生産レシピを優先的に実行させることができるので、装置生産性の低下を抑制できる。
本実施形態によれば、ＬＣ１の保守レシピの進捗状況を考慮しつつ、ＬＣ２を用いてウエハ２を処理する生産レシピを優先的に実行することができる。これにより、ウエハ２を処理することができるので装置稼働率の低下を抑制でき、保守レシピを実行することができるのでパーティクルの抑制も可能である。
本実施形態によれば、ＬＣ１の保守レシピの終了後、ＬＣ１及びＬＣ２を用いてウエハ２を処理する生産レシピを実行する場合と、ＬＣ１の保守レシピを一時停止し、ＬＣ２を用いてウエハ２を処理する生産レシピを実行する場合を比較して、ＬＣ１側の保守レシピとＬＣ２側の生産レシピの優先度を決定しているので、装置稼働率の低下を抑制でき、生産効率を低下させることなく保守レシピを実行することができる。
尚、本発明は半導体装置の基板処理装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。成膜処理は、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。また、他の基板処理装置（露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置等）にも適用できることは言う迄もない。
この出願は、２０１６年４月８日に出願された日本出願特願２０１６−０７７９９７を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
処理室以外の室にも定期的にメンテナンス用のレシピを実行するように構成されている処理装置に適用可能である。
２ ウエハ １０ 基板処理装置 １２ プロセスチャンバ（ＰＣ） １６ ロードロックチャンバ（ＬＣ） ８０ コントローラ
Claims (12)
- 基板に処理を施す処理室と、減圧状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記予備室を制御して前記予備室における保守レシピを実行させ、前記処理室を制御して前記処理室における生産レシピを実行させる制御部を備えた基板処理装置において、前記制御部は、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示を受付けると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる基板処理装置。
- 生産レシピを実行して基板を処理する工程と保守レシピを実行して各室内の雰囲気を整える工程とを有する半導体装置の製造方法であって、 保守レシピを実行中に前記生産レシピを実行する指示があると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる半導体装置の製造方法。
- 前記制御部は、前記予備室内に搬送された前記基板の枚数に基づいて前記保守レシピを実行するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
- 前記保守レシピは、前記予備室内をサイクルパージするように構成されている請求項３記載の基板処理装置。
- 前記保守レシピは、前記予備室内をリークチェックするように構成されている請求項３記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記保守レシピの優先度が前記生産レシピよりも低い場合に前記保守レシピを一時停止するよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記保守レシピを一時停止する際、前記予備室を封じ込め状態にするように構成されている請求項６記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記保守レシピが一時停止した場合、所定ステップの途中であっても、前記所定ステップの初めから再実行するように構成されている請求項７記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記生産レシピを受付けると、前記保守レシピの所定ステップが実行されているかによって、前記保守レシピを継続して実行するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記生産レシピを受付けると、前記保守レシピとして実行されているサイクルパージの回数に応じて、前記保守レシピを継続して実行するか、前記生産レシピを実行するか決定するように構成されている請求項４記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記生産レシピを受付けると、前記保守レシピを終了するまでの時間と前記予備室を用いて前記生産レシピを実行させた場合の時間を加えた時間と、前記保守レシピを一時停止させて、前記保守レシピを実行していない予備室のみを用いて前記生産レシピを実行させた場合の時間とを比較するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
- 基板に処理を施す処理室と、減圧状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する予備室と、前記予備室における保守レシピ及び前記処理室における生産レシピをそれぞれ実行する制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示があると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させる手順と、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる手順と、を制御部に実行させるプログラム。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195805A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイス製造装置、及びそのメンテナンス制御方法 |
| JP2002043290A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置のメンテナンス方法 |
| JP2004281832A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195805A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイス製造装置、及びそのメンテナンス制御方法 |
| JP2002043290A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置のメンテナンス方法 |
| JP2004281832A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置 |
| JP2011181771A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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