JP2011243637A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】サブレシピやテーブルの内容を変えた場合にも、プロセスレシピが大幅に増加することを抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】プロセスレシピに基づき基板処理を行う基板処理装置を、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部と、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するレシピ実行部とから構成する。
【選択図】図3
【解決手段】プロセスレシピに基づき基板処理を行う基板処理装置を、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部と、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するレシピ実行部とから構成する。
【選択図】図3
Description
本発明は、処理レシピを用いて、半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置に関するものである。
図1に、基板処理装置としての、半導体装置の製造装置(半導体製造装置)の斜視図を示す。図1に示す基板処理装置は、複数のウエハ(基板)を収容する基板収容器であるフープ(以下、ポッドという)110を一時的に保管する回転棚105と、ポッド110を搬送するポッド搬送装置118と、ウエハを積層するように搭載するボート217と、回転棚105に搭載されたポッド110とボート217との間でウエハの移載を行うウエハ移載機125と、ボート217を熱処理炉202内に搬入、及び搬出するボートエレベータ115と、加熱手段(ヒータ)206を備えた熱処理炉202と、記憶部や操作部や表示部(不図示)等の基板処理装置の各構成部と、各構成部を制御する制御部(不図示)とを備えている。そして、制御部が、記憶部に記憶したプロセスレシピに基づき、熱処理等のウエハ処理を実行する。
プロセスレシピには、プロセス処理の制御を行うためのプロセスシーケンス及び制御パラメータ(温度,圧力,ガス流量等の制御目標値)が、複数のイベントとして実行順に記述されている。プロセスレシピ中において、汎用性の高い処理は、サブレシピとして実行される。サブレシピは、エラー発生時の処理シーケンス等を記述しており、プロセスレシピ実行中に呼び出され実行される。また、制御パラメータ(温度,圧力,ガス流量等の制御目標値)は、テーブルとして記憶され、プロセスレシピ実行中に参照されて実行される。
図6は、プロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの関係説明図である。図6において、プロセスレシピ61は、第1イベント、第2イベント、第3イベント、…、第nイベントから構成されおり、図中の矢印で示すように、第1イベントから順に実行される。第2イベントにおいて、サブレシピ62が呼び出され実行される。また、第4イベントにおいて、制御パラメータとして、テーブル63の内容(制御パラメータ)が参照され実行される。
基板処理する際は、顧客の求める最良のプロセス条件(ガス流量、圧力、温度、時間、電圧等の制御目標値)を探すため、プロセスレシピの内容を微調整し修正する作業(チューニング)が必要となる。チューニングにおいては、プロセス条件をマトリックスで振るため、一部分を修正しただけのプロセスレシピを大量に用意する必要がある。しかし、プロセスレシピが大量に作成されると、管理面や運用面に支障が出るため、従来、チューニングを行う際は、プロセスレシピ実行前にプロセスレシピの一部のみを変更して、その変更したプロセスレシピを実行するようにする都度チューニングが行われている。
例えば、特許文献1(特開平05-135064公報)には、基板処理装置のプロセスレシピに、そのプロセスレシピが必要とする制御目標値を記述したテーブルファイルの名称を書き込んだコンビネーションテーブルを設ける技術が開示されている。また、特許文献2(特開平09-082589公報)には、半導体製造装置の各制御処理に共通のイベントをサブレシピとして別個に作成するとともに、各制御処理についてそれぞれメインレシピを作成し、このメインレシピにサブレシピを読み出すイベントを設け、制御処理を行うようにする技術が開示されている。
上述したような従来の基板処理装置においては、プロセスに影響を及ぼす条件が全て、プロセスレシピの中に含まれていたため、プロセスレシピの一部のみを都度チューニングにより変更し、その変更したプロセスレシピで実験することで、プロセスレシピの大量作成をしなくても、プロセス条件を変更することができていた。そのため、プロセスレシピのみをチューニングの対象とし、サブレシピやテーブル(制御パラメータ)は、チューニングの対象としていなかった。
しかし、最近の新しい基板処理プロセスにおいては、プロセスに影響を及ぼすメインの処理を、従来のようにプロセスレシピではなく、サブレシピやテーブルで行う場合が出てきた。例えば、同じ内容の処理ステップを多数繰り返すことにより成膜するプロセスの場合、プロセスに影響を及ぼす条件をサブレシピに記述し、サブレシピによりプロセス処理を実行している。また、VFM(Variable Frequency Microwave)加熱技術の場合は、PM(Process Chamber Module:処理室)のほかに、プロセスに関わる制御コントローラが増えた構成となったため、チャンバテーブルのなかのVFMテーブルにプロセスに影響を及ぼす条件を記述し、VFMテーブルによりプロセス処理を実行している。
しかし、最近の新しい基板処理プロセスにおいては、プロセスに影響を及ぼすメインの処理を、従来のようにプロセスレシピではなく、サブレシピやテーブルで行う場合が出てきた。例えば、同じ内容の処理ステップを多数繰り返すことにより成膜するプロセスの場合、プロセスに影響を及ぼす条件をサブレシピに記述し、サブレシピによりプロセス処理を実行している。また、VFM(Variable Frequency Microwave)加熱技術の場合は、PM(Process Chamber Module:処理室)のほかに、プロセスに関わる制御コントローラが増えた構成となったため、チャンバテーブルのなかのVFMテーブルにプロセスに影響を及ぼす条件を記述し、VFMテーブルによりプロセス処理を実行している。
したがって、プロセスレシピにコンビネーション(結合)して使用するサブレシピやテーブルの内容を変えた場合、従来は、プロセスレシピのみをチューニングの対象とし、サブレシピやテーブルはチューニングの対象としていないため、プロセスレシピを別名として異なるプロセスレシピを保存しなければならず、プロセスレシピが大幅に増加することになる。プロセスレシピが増加すると、使用するプロセスレシピを指定しているシーケンスレシピも増加することになり、管理面や運用面に及ぼす影響が大きい。
本発明の目的は、サブレシピやテーブルの内容を変えた場合にも、プロセスレシピが大幅に増加することを抑制でき、管理面や運用面に及ぼす影響を抑制することが可能な基板処理装置あるいは半導体装置の製造方法を提供することにある。
前記課題を解決するための、本発明の基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
上記の構成によれば、テーブルの内容を変えた場合にも、プロセスレシピが大幅に増加することを抑制でき、管理面や運用面に及ぼす影響を抑制することができる。
(第1実施形態)
以下、図面を参照して、本発明の第1実施形態における基板処理装置を説明する。第1実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC:Integrated Circuit)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD(Chemical Vapor Deposition)処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図1は、本発明が適用される処理装置の平面透視図であり、斜視図として示されている。また、図2は図1に示す処理装置の側面透視図である。
以下、図面を参照して、本発明の第1実施形態における基板処理装置を説明する。第1実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC:Integrated Circuit)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD(Chemical Vapor Deposition)処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図1は、本発明が適用される処理装置の平面透視図であり、斜視図として示されている。また、図2は図1に示す処理装置の側面透視図である。
図2に示されているように、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納したウエハキャリアとしてポッド(基板収容器)110が使用されている実施形態の処理装置100は、筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設され、この正面メンテナンス口103を開閉する正面メンテナンス扉104、104がそれぞれ建て付けられている。
筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が、筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、ロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されており、ロードポート114は、ポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド110は、ロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。
筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が、筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、ロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されており、ロードポート114は、ポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド110は、ロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。
筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転棚(基板収容器載置棚)105が設置されており、回転棚105は、複数個のポッド110を保管するように構成されている。図4に、回転棚105の概略図を示す。すなわち、回転棚105は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上下3段の各位置において放射状に支持された複数枚(この例では3枚)の棚板(基板収容器載置台)117とを備えており、複数枚の棚板117は、ポッド110を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
図2に示すように、筐体111内におけるロードポート114と回転棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、水平搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されており、ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。
図2に示すように、筐体111内におけるロードポート114と回転棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、水平搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されており、ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。
図2に示すように、筐体111内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体119が後端にわたって構築されている。サブ筐体119の正面壁119aには、ウエハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が1対、垂直方向に上下2段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口120、120には1対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123、123とを備えている。ポッドオープナ121は、載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。載置台122は、基板を移載する際に基板収容器が載置される移載棚である。
ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123、123とを備えている。ポッドオープナ121は、載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。載置台122は、基板を移載する際に基板収容器が載置される移載棚である。
図2に示すように、サブ筐体119は、ポッド搬送装置118や回転棚105の設置空間の雰囲気と隔絶された移載室124を構成している。移載室124の前側領域には、ウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されている。ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125a、およびウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ125bおよびウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのツイーザ(基板保持体)125cをウエハ200の載置部として、ボート(基板保持具)217に対して、ウエハ200を装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
図1に示されているように、移載室124のウエハ移載装置エレベータ125b側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう、供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されており、ウエハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置135(不図示)が設置されている。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135およびウエハ移載装置125aに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成されている。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135およびウエハ移載装置125aに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成されている。
移載室124の後側領域には、大気圧未満の圧力(以下、負圧という。)を維持可能な機密性能を有する筐体(以下、耐圧筐体という。)140(不図示)が設置されており、この耐圧筐体140により、ボート217を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室141(不図示)が形成されている。
耐圧筐体140の正面壁140a(不図示)には、ウエハ搬入搬出開口(基板搬入搬出開口)142(不図示)が開設されており、ウエハ搬入搬出開口142は、ゲートバルブ(基板搬入搬出口開閉機構)143(不図示)によって開閉されるようになっている。耐圧筐体140の1対の側壁には、ロードロック室141へ窒素ガスを給気するためのガス供給管144(不図示)と、ロードロック室141を負圧に排気するための排気管145(不図示)とが、それぞれ接続されている。
図2に示すように、ロードロック室141の上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口ゲートバルブ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。耐圧筐体140の正面壁140aの上端部には、炉口ゲートバルブ147を処理炉202の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー149(不図示)が取り付けられている。
耐圧筐体140の正面壁140a(不図示)には、ウエハ搬入搬出開口(基板搬入搬出開口)142(不図示)が開設されており、ウエハ搬入搬出開口142は、ゲートバルブ(基板搬入搬出口開閉機構)143(不図示)によって開閉されるようになっている。耐圧筐体140の1対の側壁には、ロードロック室141へ窒素ガスを給気するためのガス供給管144(不図示)と、ロードロック室141を負圧に排気するための排気管145(不図示)とが、それぞれ接続されている。
図2に示すように、ロードロック室141の上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口ゲートバルブ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。耐圧筐体140の正面壁140aの上端部には、炉口ゲートバルブ147を処理炉202の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー149(不図示)が取り付けられている。
図1に示されているように、耐圧筐体140内には、ボート217を昇降させるためのボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置されている。ボートエレベータ115に連結された連結具としてのアーム128には、蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート217は、複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
ボート217は、複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
次に、本実施形態の処理装置の動作について説明する。
図1、図2に示されているように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ロード、ポッド搬入搬出口112から搬入される。
搬入されたポッド110は、回転棚105の指定された棚板117へ、ポッド搬送装置118によって、自動的に搬送されて受け渡される。
図1、図2に示されているように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ロード、ポッド搬入搬出口112から搬入される。
搬入されたポッド110は、回転棚105の指定された棚板117へ、ポッド搬送装置118によって、自動的に搬送されて受け渡される。
ポッド110は回転棚105で一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは、ロードポート114から直接、ポッドオープナ121に搬送されて、載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120は、キャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124には、クリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が20ppm以下になるよう、筐体111の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
図2に示すように、載置台122に載置されたポッド110は、その開口側端面が、サブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップが、キャップ着脱機構123によって取り外され、ポッド110のウエハ出し入れ口が開放される。また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室141のウエハ搬入搬出開口142が、ゲートバルブ143の動作により開放されると、ウエハ200は、ポッド110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによって、ウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置135にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口142を通じてロードロック室141に搬入され、ボート217へ移載されて装填(ウエハチャージング)される。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aは、ポッド110に戻り、次のウエハ110をボート217に装填する。
この一方(上段または下段)のポッドオープナ121におけるウエハ移載装置125によるウエハ200のボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121には、回転棚105ないしロードポート114から別のポッド110がポッド搬送装置118によって搬送され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウエハ200がボート217に装填されると、ウエハ搬入搬出開口142がゲートバルブ143によって閉じられ、ロードロック室141は排気管145から真空引きされることにより、減圧される。
ロードロック室141が処理炉202内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉202の下端部が炉口ゲートバルブ147によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ147は炉口ゲートバルブカバー149の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されて、シールキャップ219に支持されたボート217が、処理炉202内へ搬入(ローディング)されて行く。
ロードロック室141が処理炉202内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉202の下端部が炉口ゲートバルブ147によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ147は炉口ゲートバルブカバー149の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されて、シールキャップ219に支持されたボート217が、処理炉202内へ搬入(ローディング)されて行く。
ローディング後は、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ115によりボート217が引き出され、更に、ロードロック室140内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ143が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置135でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ200およびポッド110は筐体111の外部へ払出される。
次に、図3を参照して、基板処理装置における制御部10を中心とした機能ブロック構成について説明する。
図3に示されるように、制御部10には、操作部31、表示部32、ウエハ移載機125、反応炉202のヒータ34、ポンプ・圧力バルブ35、ガス配管・MFC(マスフローコントローラ:流量制御装置)36、記憶部20等の各構成部が電気的に接続されており、制御部10は、これらの各構成部を制御する。
操作部31は、操作員が基板処理装置に対し行う各種操作を受け付ける。表示部32は、基板処理装置を操作するための操作画面などを表示する。ウエハ移載機125は、ボート217とポッド110との間で、ウエハを移載する。ヒータ34は、反応炉202を加熱する。ポンプ・圧力バルブ35は、反応炉202内の基板処理室内の雰囲気の圧力調整や排気を行う。ガス配管・MFC36は、基板処理室内へ処理用ガス等を供給し、また供給流量を調整する。
制御部10は、ウエハ移載機125の位置を制御する位置コントローラ(図示せず)、反応炉202を加熱するヒータの温度を制御する温度コントローラ(図示せず)、反応炉202内の基板処理室内の雰囲気を排気するための減圧排気装置としての真空ポンプ・圧力バルブを開閉、調整する圧力コントローラ(図示せず)、処理室に連通する原料ガス供給管等の開閉と、原料ガス供給管等に配置されたMFCの流量を制御する弁コントローラ(図示せず)等を含む。
図3に示されるように、制御部10には、操作部31、表示部32、ウエハ移載機125、反応炉202のヒータ34、ポンプ・圧力バルブ35、ガス配管・MFC(マスフローコントローラ:流量制御装置)36、記憶部20等の各構成部が電気的に接続されており、制御部10は、これらの各構成部を制御する。
操作部31は、操作員が基板処理装置に対し行う各種操作を受け付ける。表示部32は、基板処理装置を操作するための操作画面などを表示する。ウエハ移載機125は、ボート217とポッド110との間で、ウエハを移載する。ヒータ34は、反応炉202を加熱する。ポンプ・圧力バルブ35は、反応炉202内の基板処理室内の雰囲気の圧力調整や排気を行う。ガス配管・MFC36は、基板処理室内へ処理用ガス等を供給し、また供給流量を調整する。
制御部10は、ウエハ移載機125の位置を制御する位置コントローラ(図示せず)、反応炉202を加熱するヒータの温度を制御する温度コントローラ(図示せず)、反応炉202内の基板処理室内の雰囲気を排気するための減圧排気装置としての真空ポンプ・圧力バルブを開閉、調整する圧力コントローラ(図示せず)、処理室に連通する原料ガス供給管等の開閉と、原料ガス供給管等に配置されたMFCの流量を制御する弁コントローラ(図示せず)等を含む。
記憶部20は、標準レシピ記憶部21と、修正プロセスレシピ記憶部22と、修正サブレシピ記憶部23と、修正テーブル記憶部24と、コンビネーションテーブル25とを備える。記憶部20は、ハードディスクや半導体メモリ等から構成することができる。
標準レシピ記憶部21は、基板処理を行うための標準プロセスレシピ(基板処理のシーケンス)や、標準サブレシピや、標準テーブルを記憶する。標準プロセスレシピには、プロセス処理の制御を行うための標準的なプロセスシーケンス及び制御パラメータ(温度,圧力,ガス流量等の制御目標値)が、複数のイベントとして実行順に記述されている。標準プロセスレシピ中において、汎用性の高い処理は、標準サブレシピとして実行される。標準サブレシピは、例えば、エラー発生時の処理シーケンス等を記述しており、標準プロセスレシピ実行中に呼び出され実行される。また、制御パラメータ(温度,圧力,ガス流量等の制御目標値)は、標準テーブルとして記憶され、標準プロセスレシピ実行中に参照され実行される。
なお、次回の運用時においても都度チューニングを可能にするため、標準レシピ(標準プロセスレシピ、標準サブレシピ、標準テーブル)の内容は、変更しないようにしている。
標準レシピ記憶部21は、基板処理を行うための標準プロセスレシピ(基板処理のシーケンス)や、標準サブレシピや、標準テーブルを記憶する。標準プロセスレシピには、プロセス処理の制御を行うための標準的なプロセスシーケンス及び制御パラメータ(温度,圧力,ガス流量等の制御目標値)が、複数のイベントとして実行順に記述されている。標準プロセスレシピ中において、汎用性の高い処理は、標準サブレシピとして実行される。標準サブレシピは、例えば、エラー発生時の処理シーケンス等を記述しており、標準プロセスレシピ実行中に呼び出され実行される。また、制御パラメータ(温度,圧力,ガス流量等の制御目標値)は、標準テーブルとして記憶され、標準プロセスレシピ実行中に参照され実行される。
なお、次回の運用時においても都度チューニングを可能にするため、標準レシピ(標準プロセスレシピ、標準サブレシピ、標準テーブル)の内容は、変更しないようにしている。
修正プロセスレシピ記憶部22は、都度チューニング等により、標準プロセスレシピが変更された場合の、該変更されたプロセスレシピを記憶する。操作員は、標準レシピ記憶部21に記憶された標準プロセスレシピを前記表示部32に表示し、該標準プロセスレシピを表示した状態で、前記操作部31から、標準プロセスレシピを変更し、修正プロセスレシピとして、修正プロセスレシピ記憶部22に記憶することができる。
修正サブレシピ記憶部23は、都度チューニング等により、標準サブレシピが変更された場合の、該変更されたサブレシピを記憶する。操作員は、標準レシピ記憶部21に記憶された標準サブレシピを前記表示部32に表示し、該標準サブレシピを表示した状態で、前記操作部31から、標準サブレシピを変更し、修正サブレシピとして、修正サブレシピ記憶部23に記憶することができる。
修正テーブル記憶部24は、都度チューニング等により、標準テーブルが変更された場合の、該変更されたテーブルを記憶する。操作員は、標準レシピ記憶部21に記憶された標準テーブルを前記表示部32に表示し、該標準テーブルを表示した状態で、前記操作部31から、標準テーブルを変更し、修正テーブルとして、修正テーブル記憶部24に記憶することができる。
なお、修正プロセスレシピや修正サブレシピや修正テーブルを、その都度チューニングでしか用いないような場合は、修正プロセスレシピ記憶部22、修正サブレシピ記憶部23、修正テーブル記憶部24は、テンポラリファイル(一時ファイル)として構成してもよい。
修正サブレシピ記憶部23は、都度チューニング等により、標準サブレシピが変更された場合の、該変更されたサブレシピを記憶する。操作員は、標準レシピ記憶部21に記憶された標準サブレシピを前記表示部32に表示し、該標準サブレシピを表示した状態で、前記操作部31から、標準サブレシピを変更し、修正サブレシピとして、修正サブレシピ記憶部23に記憶することができる。
修正テーブル記憶部24は、都度チューニング等により、標準テーブルが変更された場合の、該変更されたテーブルを記憶する。操作員は、標準レシピ記憶部21に記憶された標準テーブルを前記表示部32に表示し、該標準テーブルを表示した状態で、前記操作部31から、標準テーブルを変更し、修正テーブルとして、修正テーブル記憶部24に記憶することができる。
なお、修正プロセスレシピや修正サブレシピや修正テーブルを、その都度チューニングでしか用いないような場合は、修正プロセスレシピ記憶部22、修正サブレシピ記憶部23、修正テーブル記憶部24は、テンポラリファイル(一時ファイル)として構成してもよい。
コンビネーションテーブル25は、都度チューニング等により、標準プロセスレシピや標準サブレシピや標準テーブルが変更された場合に、該変更された修正プロセスレシピや修正サブレシピや修正テーブルのコンビネーション(組合せ)を記憶する。操作員は、記憶部20に記憶されたコンビネーションテーブル25を前記表示部32に表示し、該コンビネーションテーブル25を表示した状態で、前記操作部31から、コンビネーションテーブル25を変更し、設定することができる。
コンビネーションテーブル25の構成例を、図4に示す。図4は、本発明の実施形態に係るコンビネーションテーブルの構成例を示す図である。図4において、1行目のNo.1は、標準プロセスレシピが、標準サブレシピAや標準サブレシピB、標準テーブルCや標準テーブルDを含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部31から、標準プロセスレシピを指定して実行すると、標準プロセスレシピが実行され、標準プロセスレシピを実行中に、標準サブレシピAや標準サブレシピBが呼び出されて実行される。また、標準テーブルCや標準テーブルDの制御パラメータが参照されて、標準プロセスレシピが実行される。
図4において、2行目のNo.2は、標準プロセスレシピが、修正サブレシピ(a1)や標準サブレシピB、標準テーブルCや標準テーブルDを含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部31から、標準プロセスレシピを指定して実行すると、標準プロセスレシピが実行され、標準プロセスレシピを実行中に、修正サブレシピ(a1)や標準サブレシピBが呼び出されて実行される。また、標準テーブルCや標準テーブルDの制御パラメータが参照されて、標準プロセスレシピが実行される。なお、修正サブレシピ(a1)は、テンポラリファイルであってもよい。
図4において、3行目のNo.3は、標準プロセスレシピが、標準サブレシピAや標準サブレシピB、修正テーブル(c1)や標準テーブルDを含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部31から、標準プロセスレシピを指定して実行すると、標準プロセスレシピが実行され、標準プロセスレシピを実行中に、標準サブレシピAや標準サブレシピBが呼び出されて実行される。また、修正テーブル(c1)や標準テーブルDの制御パラメータが参照されて、標準プロセスレシピが実行される。なお、修正テーブル(c1)は、テンポラリファイルであってもよい。
図4において、6行目のNo.6は、修正プロセスレシピ(1)が、修正サブレシピ(a1)や修正サブレシピ(b2)、修正テーブル(c1)や修正テーブル(d2)を含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部31から、修正プロセスレシピ(1)を指定して実行すると、修正プロセスレシピ(1)が実行され、修正プロセスレシピ(1)を実行中に、修正サブレシピ(a1)や修正サブレシピ(b2)が呼び出されて実行される。また、修正テーブル(c1)や修正テーブル(d2)の制御パラメータが参照されて、修正プロセスレシピ(1)が実行される。なお、修正サブレシピ(a1)や修正サブレシピ(b2)、修正テーブル(c1)や修正テーブル(d2)は、テンポラリファイルであってもよいが、テンポラリファイルとせず一定期間記憶する場合は、後でプロセス履歴を参照することができる。
図4において、7行目のNo.7は、修正プロセスレシピ(2)が、修正サブレシピ(a3)や修正サブレシピ(b1)、修正テーブル(c4)や修正テーブル(d3)を含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部31から、修正プロセスレシピ(2)を指定して実行すると、修正プロセスレシピ(2)が実行され、修正プロセスレシピ(2)を実行中に、修正サブレシピ(a3)や修正サブレシピ(b1)が呼び出されて実行される。また、修正テーブル(c4)や修正テーブル(d3)の制御パラメータが参照されて、標準プロセスレシピが実行される。なお、修正サブレシピ(a3)や修正サブレシピ(b1)、修正テーブル(c4)や修正テーブル(d3)は、テンポラリファイルであってもよいが、テンポラリファイルとせず一定期間記憶する場合は、後でプロセス履歴を参照することができる。
制御部10は、図3に示すように、レシピ実行部11と、プロセスレシピ修正部12と、サブレシピ修正部13と、テーブル修正部14と、コンビネーション登録部15と、表示部32の表示内容を制御する表示制御部16とを備える。制御部10は、ハードウエア構成としては、CPU(Central Processing Unit)と制御部10の動作プログラム等を格納するメモリを備えており、CPUは、この動作プログラムに従って動作する。
レシピ実行部11は、例えば操作部31からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示等に基づき、前記標準レシピ記憶部21に記憶した標準プロセスレシピ、標準サブレシピ、標準テーブルを読み出して、標準プロセスレシピ等に記述されたプロセスステップ等のステップを、順次実行する。
また、レシピ実行部11は、前記コンビネーションテーブル25に設定されたプロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの組合せに基づき、前記標準レシピ記憶部21に記憶された標準プロセスレシピ、標準サブレシピ、標準テーブルや、前記修正プロセスレシピ記憶部22に記憶された修正プロセスレシピや、前記修正サブレシピ記憶部23に記憶された修正サブレシピや、前記修正テーブル記憶部24に記憶された修正テーブルを読み出して、標準プロセスレシピや修正プロセスレシピ等に記述されたプロセスステップ等のステップを、順次実行する。
また、レシピ実行部11は、前記コンビネーションテーブル25に設定されたプロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの組合せに基づき、前記標準レシピ記憶部21に記憶された標準プロセスレシピ、標準サブレシピ、標準テーブルや、前記修正プロセスレシピ記憶部22に記憶された修正プロセスレシピや、前記修正サブレシピ記憶部23に記憶された修正サブレシピや、前記修正テーブル記憶部24に記憶された修正テーブルを読み出して、標準プロセスレシピや修正プロセスレシピ等に記述されたプロセスステップ等のステップを、順次実行する。
プロセスレシピ修正部12は、例えば操作部31からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示に基づき、標準レシピ記憶部21に記憶された標準プロセスレシピの内容を修正して修正プロセスレシピ記憶部22に記憶させ、また、修正プロセスレシピ記憶部22に記憶された修正プロセスレシピの内容をさらに修正して修正プロセスレシピ記憶部22に記憶させる。
サブレシピ修正部13は、例えば操作部31からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示に基づき、標準レシピ記憶部21に記憶された標準サブレシピの内容を修正して修正サブレシピ記憶部23に記憶させ、また、修正サブレシピ記憶部23に記憶された修正サブレシピの内容をさらに修正して修正サブレシピ記憶部23に記憶させる。
テーブル修正部14は、例えば操作部31からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示に基づき、標準レシピ記憶部21に記憶された標準テーブルの内容を修正して修正テーブル記憶部24に記憶させ、また、修正テーブル記憶部24に記憶された修正テーブルの内容をさらに修正して修正テーブル記憶部24に記憶させる。
コンビネーション登録部15は、例えば操作部31からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示に基づき、特定のプロセスレシピ中で動作するサブレシピとテーブルとを、該特定のプロセスレシピと対応付けて、コンビネーションテーブル25に登録し記憶させる。
(第1実施例)
次に、第1実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第1実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピAに、次の(1)から(5)の処理ステップが登録されているとする。
(1)標準サブレシピ(A)の内容を実行。ここで、標準サブレシピ(A)の内容は、基板200を積載したボート217を処理炉202内へ、30分間でロード(挿入)することである。
(2)標準テーブル(C)の内容を実行。ここで、標準テーブル(C)の内容は、処理炉202内の温度が700℃になるよう、20分間、加熱することである。
(3)標準テーブル(D)の内容を実行。ここで、標準テーブル(D)の内容は、処理用ガスを処理炉202内へ20分間、供給することである。
(4)標準テーブル(E)の内容を実行。ここで、標準テーブル(E)の内容は、処理用ガスを処理炉202内から、5分間、排気することである。
(5)標準サブレシピ(B)の内容を実行。ここで、標準サブレシピ(B)の内容は、基板200を積載したボート217を処理炉202内から、100分間でアンロード(取り出し)することである。
次に、第1実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第1実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピAに、次の(1)から(5)の処理ステップが登録されているとする。
(1)標準サブレシピ(A)の内容を実行。ここで、標準サブレシピ(A)の内容は、基板200を積載したボート217を処理炉202内へ、30分間でロード(挿入)することである。
(2)標準テーブル(C)の内容を実行。ここで、標準テーブル(C)の内容は、処理炉202内の温度が700℃になるよう、20分間、加熱することである。
(3)標準テーブル(D)の内容を実行。ここで、標準テーブル(D)の内容は、処理用ガスを処理炉202内へ20分間、供給することである。
(4)標準テーブル(E)の内容を実行。ここで、標準テーブル(E)の内容は、処理用ガスを処理炉202内から、5分間、排気することである。
(5)標準サブレシピ(B)の内容を実行。ここで、標準サブレシピ(B)の内容は、基板200を積載したボート217を処理炉202内から、100分間でアンロード(取り出し)することである。
この標準プロセスレシピAに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ(A)の内容を変更、具体的には、ロード時間の30分間を40分間に変更する。また、テーブル(C)の内容を変更、具体的には、加熱時間の20分間を30分間に変更する。
その後、例えば操作部31から操作員が、標準プロセスレシピAを指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された内容のサブレシピ(A)やテーブル(C)の基づき、標準プロセスレシピAを実行する。
このようにすると、プロセスレシピを増やすことなく、サブレシピやテーブルの内容を変更、修正できる。
その後、例えば操作部31から操作員が、標準プロセスレシピAを指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された内容のサブレシピ(A)やテーブル(C)の基づき、標準プロセスレシピAを実行する。
このようにすると、プロセスレシピを増やすことなく、サブレシピやテーブルの内容を変更、修正できる。
(第2実施例)
次に、第1実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第2実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピAに、上記第1実施例と同様の、(1)から(5)の処理ステップが登録されているとする。
この標準プロセスレシピAに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ(A)の内容を変更、具体的には、ロード時間の30分間を40分間に変更して、サブレシピ(a1)を作成し、これを修正サブレシピ記憶部23に記憶させる。また、テーブル(C)の内容を変更、具体的には、加熱時間の20分間を30分間に変更して、テーブル(c1)を作成し、これを修正テーブル記憶部24に記憶させる。また、操作員は、コンビネーションテーブル25に、標準プロセスレシピAに代えて修正プロセスレシピ(1)とし、修正プロセスレシピ(1)の内容として、次の(1)から(5)の処理ステップを登録し記憶させる。
(1)修正サブレシピ(a1)の内容を実行。
(2)修正テーブル(c1)の内容を実行。
(3)標準テーブル(D)の内容を実行。
(4)標準テーブル(E)の内容を実行。
(5)標準サブレシピ(B)の内容を実行。
その後、例えば操作部31から操作員が、修正プロセスレシピ(1)を指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された修正プロセスレシピ(1)を実行する。
このようにすると、サブレシピやテーブルの内容を変更してプロセスの実験等を行うことや、実験等を行ったプロセスの履歴を残すことが容易となる。
次に、第1実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第2実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピAに、上記第1実施例と同様の、(1)から(5)の処理ステップが登録されているとする。
この標準プロセスレシピAに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ(A)の内容を変更、具体的には、ロード時間の30分間を40分間に変更して、サブレシピ(a1)を作成し、これを修正サブレシピ記憶部23に記憶させる。また、テーブル(C)の内容を変更、具体的には、加熱時間の20分間を30分間に変更して、テーブル(c1)を作成し、これを修正テーブル記憶部24に記憶させる。また、操作員は、コンビネーションテーブル25に、標準プロセスレシピAに代えて修正プロセスレシピ(1)とし、修正プロセスレシピ(1)の内容として、次の(1)から(5)の処理ステップを登録し記憶させる。
(1)修正サブレシピ(a1)の内容を実行。
(2)修正テーブル(c1)の内容を実行。
(3)標準テーブル(D)の内容を実行。
(4)標準テーブル(E)の内容を実行。
(5)標準サブレシピ(B)の内容を実行。
その後、例えば操作部31から操作員が、修正プロセスレシピ(1)を指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された修正プロセスレシピ(1)を実行する。
このようにすると、サブレシピやテーブルの内容を変更してプロセスの実験等を行うことや、実験等を行ったプロセスの履歴を残すことが容易となる。
(第2実施形態)
次に、図5を参照して、本発明の第2実施形態における基板処理装置を説明する。第2実施形態の基板処理装置も、半導体装置(IC:Integrated Circuit)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。図5は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置を上面から見た図である。
図5において、51は、シリコン等からなるウエハ(基板)を収納したウエハキャリアとしてのポッド(基板収容器)を受渡すための、ロードポート(基板収容器受渡し台)である。図5の例では、ロードポート51は3箇所あり、3つのポッドを載置することができる。53ないし55は、ウエハ(基板)を処理するためのプロセスチャンバ(処理室)である。図5の例では、プロセスチャンバは3つ存在する。プロセスチャンバ53ないし55は、それぞれ同時に1枚のウエハを処理するようになっている。つまり、この基板処理装置は枚葉装置である。52は、ロードポート51に載置されたポッドと、プロセスチャンバ53ないし55との間で、ウエハを搬送するためのハンドラ(基板搬送装置)である。
次に、図5を参照して、本発明の第2実施形態における基板処理装置を説明する。第2実施形態の基板処理装置も、半導体装置(IC:Integrated Circuit)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。図5は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置を上面から見た図である。
図5において、51は、シリコン等からなるウエハ(基板)を収納したウエハキャリアとしてのポッド(基板収容器)を受渡すための、ロードポート(基板収容器受渡し台)である。図5の例では、ロードポート51は3箇所あり、3つのポッドを載置することができる。53ないし55は、ウエハ(基板)を処理するためのプロセスチャンバ(処理室)である。図5の例では、プロセスチャンバは3つ存在する。プロセスチャンバ53ないし55は、それぞれ同時に1枚のウエハを処理するようになっている。つまり、この基板処理装置は枚葉装置である。52は、ロードポート51に載置されたポッドと、プロセスチャンバ53ないし55との間で、ウエハを搬送するためのハンドラ(基板搬送装置)である。
図5の基板処理装置においては、例えば、ロードポート51に載置されたポッドから、1枚のウエハがハンドラ52により取り出され、プロセスチャンバ53内へ搬送される。その後、プロセスチャンバ53内が所定の温度や圧力に設定されると、処理ガスがプロセスチャンバ53内へ供給され、所定時間、ウエハの処理が行われる。ウエハの処理が終了すると、ウエハは、プロセスチャンバ53内からハンドラ52により取り出され、ロードポート51に載置されたポッド内へ収容される。
第2実施形態における基板処理装置の制御部及び記憶部は、第1実施形態における基板処理装置の制御部及び記憶部と同様の機能を備えているので、説明を省略する。
(第1実施例)
次に、第2実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第1実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピAに、次の(1)から(5)の処理ステップが登録されているとする。
(1)標準サブレシピ(A)の内容を実行。ここで、標準サブレシピ(A)の内容は、ロードポート51に載置されたポッド内のウエハを、ハンドラ52により、プロセスチャンバ53内へ、30秒間で搬送することである。
(2)標準テーブル(C)の内容を実行。ここで、標準テーブル(C)の内容は、プロセスチャンバ53内の温度が300℃になるよう、5秒間、加熱することである。
(3)標準テーブル(D)の内容を実行。ここで、標準テーブル(D)の内容は、処理用ガスをプロセスチャンバ53内へ20秒間、供給することである。
(4)標準テーブル(E)の内容を実行。ここで、標準テーブル(E)の内容は、処理用ガスをプロセスチャンバ53内から、1分間、排気することである。
(5)標準サブレシピ(B)の内容を実行。ここで、標準サブレシピ(B)の内容は、プロセスチャンバ53内のウエハを、ハンドラ52により、ロードポート51に載置されたポッド内へ、30秒間で搬送することである。
次に、第2実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第1実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピAに、次の(1)から(5)の処理ステップが登録されているとする。
(1)標準サブレシピ(A)の内容を実行。ここで、標準サブレシピ(A)の内容は、ロードポート51に載置されたポッド内のウエハを、ハンドラ52により、プロセスチャンバ53内へ、30秒間で搬送することである。
(2)標準テーブル(C)の内容を実行。ここで、標準テーブル(C)の内容は、プロセスチャンバ53内の温度が300℃になるよう、5秒間、加熱することである。
(3)標準テーブル(D)の内容を実行。ここで、標準テーブル(D)の内容は、処理用ガスをプロセスチャンバ53内へ20秒間、供給することである。
(4)標準テーブル(E)の内容を実行。ここで、標準テーブル(E)の内容は、処理用ガスをプロセスチャンバ53内から、1分間、排気することである。
(5)標準サブレシピ(B)の内容を実行。ここで、標準サブレシピ(B)の内容は、プロセスチャンバ53内のウエハを、ハンドラ52により、ロードポート51に載置されたポッド内へ、30秒間で搬送することである。
この標準プロセスレシピAに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ(B)の内容を変更、具体的には、搬送時間の30秒間を20秒間に変更する。また、テーブル(D)の内容を変更、具体的には、処理用ガス供給時間の20秒間を30秒間に変更する。
その後、例えば操作部31から操作員が、標準プロセスレシピAを指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された内容のサブレシピ(B)やテーブル(D)の基づき、標準プロセスレシピAを実行する。
このようにすると、プロセスレシピを増やすことなく、サブレシピやテーブルの内容を変更、修正できる。
その後、例えば操作部31から操作員が、標準プロセスレシピAを指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された内容のサブレシピ(B)やテーブル(D)の基づき、標準プロセスレシピAを実行する。
このようにすると、プロセスレシピを増やすことなく、サブレシピやテーブルの内容を変更、修正できる。
(第2実施例)
次に、第2実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第2実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピAに、上記第1実施例と同様の、(1)から(5)の処理ステップが登録されているとする。
この標準プロセスレシピAに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ(B)の内容を変更、具体的には、搬送時間の30秒間を20秒間に変更して、サブレシピ(b1)を作成し、これを修正サブレシピ記憶部23に記憶させる。また、テーブル(D)の内容を変更、具体的には、処理用ガス供給時間の20秒間を30秒間に変更して、テーブル(d1)を作成し、これを修正テーブル記憶部24に記憶させる。また、操作員は、コンビネーションテーブル25に、標準プロセスレシピAに代えて修正プロセスレシピ(2)とし、修正プロセスレシピ(2)の内容として、次の(1)から(5)の処理ステップを登録し記憶させる。
(1)標準サブレシピ(A)の内容を実行。
(2)標準テーブル(C)の内容を実行。
(3)修正テーブル(d1)の内容を実行。
(4)標準テーブル(E)の内容を実行。
(5)修正サブレシピ(b1)の内容を実行。
その後、例えば操作部31から操作員が、修正プロセスレシピ(2)を指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された修正プロセスレシピ(2)を実行する。
このようにすると、サブレシピやテーブルの内容を変更してプロセスの実験等を行うことや、実験等を行ったプロセスの履歴を残すことが容易となる。
次に、第2実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第2実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピAに、上記第1実施例と同様の、(1)から(5)の処理ステップが登録されているとする。
この標準プロセスレシピAに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ(B)の内容を変更、具体的には、搬送時間の30秒間を20秒間に変更して、サブレシピ(b1)を作成し、これを修正サブレシピ記憶部23に記憶させる。また、テーブル(D)の内容を変更、具体的には、処理用ガス供給時間の20秒間を30秒間に変更して、テーブル(d1)を作成し、これを修正テーブル記憶部24に記憶させる。また、操作員は、コンビネーションテーブル25に、標準プロセスレシピAに代えて修正プロセスレシピ(2)とし、修正プロセスレシピ(2)の内容として、次の(1)から(5)の処理ステップを登録し記憶させる。
(1)標準サブレシピ(A)の内容を実行。
(2)標準テーブル(C)の内容を実行。
(3)修正テーブル(d1)の内容を実行。
(4)標準テーブル(E)の内容を実行。
(5)修正サブレシピ(b1)の内容を実行。
その後、例えば操作部31から操作員が、修正プロセスレシピ(2)を指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された修正プロセスレシピ(2)を実行する。
このようにすると、サブレシピやテーブルの内容を変更してプロセスの実験等を行うことや、実験等を行ったプロセスの履歴を残すことが容易となる。
なお、上記の例では、チューニングにおいて、操作員が、標準サブレシピや標準テーブル等の内容を変更するようにしたが、基板処理装置の上位に接続されたホストコンピュータから、標準サブレシピや標準テーブル等の内容を変更する指示を受けるようにしてもよい。この場合、プロセスレシピとコンビネーションしているテーブルもチューニングできるように、例えば、VP(Variable Parameter)として、PM番号と、コンビネーション毎に予め設定していたIDを用いて、テーブルを設定する。以下に例を示す。
(1)指定箇所[PM1―STEPXXX―TEMP] 指定設定値[100]。
(2)指定箇所[PM2―VFMTABLEXX―TEMP] 指定設定値[50]
上記(1)は、PM1のプロセスレシピのXXXステップの温度を100度指定に変更する場合の指定である。また、上記(2)は、PM2のVFMテーブルのテーブル番号XXの温度を50度指定に変更する場合の指定である。この例では、「VFMTABLE」をVFMテーブルのIDとし、「XX」をVFMテーブル中の複数のテーブルの1つを指定する番号としている。
(1)指定箇所[PM1―STEPXXX―TEMP] 指定設定値[100]。
(2)指定箇所[PM2―VFMTABLEXX―TEMP] 指定設定値[50]
上記(1)は、PM1のプロセスレシピのXXXステップの温度を100度指定に変更する場合の指定である。また、上記(2)は、PM2のVFMテーブルのテーブル番号XXの温度を50度指定に変更する場合の指定である。この例では、「VFMTABLE」をVFMテーブルのIDとし、「XX」をVFMテーブル中の複数のテーブルの1つを指定する番号としている。
上記の説明では、IDを文字列により指定したが、数字により指定してもよいし、TEMPのような指定対象も含めたID(文字列もしくは数字)としてもよい。また、PM番号の指定も、指定なしやワイルドカード指定として*などの特定の記号を使用して、全PMを一斉に設定するようにしてもよい。また、テーブル毎の設定としたが、テーブル中のステップ毎に設定可能とするために、VFMTABLEXX―XXXのように、IDを割り振ってもよい。
また、上記の例では、標準プロセスレシピや修正プロセスレシピ中のサブレシピにプロセスチャンバ指定が含まれるようにしたが、シーケンスレシピの中でプロセスチャンバ指定とプロセスレシピ指定とが行われるように構成し、操作員が、シーケンスレシピを指定して実行指示を行うようにしてもよい。この場合のシーケンスレシピは、複数のプロセスチャンバが接続されている形態である場合に、どのプロセスチャンバを使用するかを定めるためのレシピのことであり、また、使用するプロセスチャンバにおいてどのプロセスレシピを使用するかも合わせて定めるものである。
なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。本発明は、半導体製造装置だけでなく、LCD製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、CVD、PVD、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。
なお、本明細書には、基板処理装置、又は半導体装置の製造方法に関する次の発明が含まれる。すなわち、第1の発明は、
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
第2の発明は、第1の発明の基板処理装置において、
前記制御部が、さらに、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを修正するプロセスレシピ修正部を備え、
前記記憶部が、さらに、前記修正プロセスレシピを記憶する修正プロセスレシピ記憶部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピ、又は前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
前記制御部が、さらに、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを修正するプロセスレシピ修正部を備え、
前記記憶部が、さらに、前記修正プロセスレシピを記憶する修正プロセスレシピ記憶部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピ、又は前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
第3の発明は、第1の発明又は第2の発明の基板処理装置において、
前記標準レシピ記憶部がさらに標準サブレシピを記憶するものであり、
前記制御部が、さらに、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準サブレシピを修正するサブレシピ修正部を備え、
前記記憶部が、さらに、前記修正サブレシピを記憶する修正サブレシピ記憶部を備え、
前記レシピ実行部が、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピ又は前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピと、前記修正サブレシピ記憶部に記憶された修正サブレシピとを実行するものである基板処理装置。
前記標準レシピ記憶部がさらに標準サブレシピを記憶するものであり、
前記制御部が、さらに、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準サブレシピを修正するサブレシピ修正部を備え、
前記記憶部が、さらに、前記修正サブレシピを記憶する修正サブレシピ記憶部を備え、
前記レシピ実行部が、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピ又は前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピと、前記修正サブレシピ記憶部に記憶された修正サブレシピとを実行するものである基板処理装置。
第4の発明は、第3の発明の基板処理装置において、
前記標準サブレシピ及び修正サブレシピは、同じ内容の処理ステップの繰り返しにより膜を形成するものである基板処理装置。
前記標準サブレシピ及び修正サブレシピは、同じ内容の処理ステップの繰り返しにより膜を形成するものである基板処理装置。
第5の発明は、第1の発明ないし第4の発明の基板処理装置において、
該基板処理装置が、さらに、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを表示するための表示部と、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを修正操作するための操作部とを備え、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを前記表示部に表示した状態で、前記操作部からの修正操作を受け付けるものである基板処理装置。
該基板処理装置が、さらに、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを表示するための表示部と、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを修正操作するための操作部とを備え、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを前記表示部に表示した状態で、前記操作部からの修正操作を受け付けるものである基板処理装置。
第6の発明は、
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準サブレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準プロセスレシピが修正された修正プロセスレシピを記憶する修正プロセスレシピ記憶部と、標準サブレシピが修正された修正サブレシピを記憶する修正サブレシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを修正するプロセスレシピ修正部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準サブレシピを修正するサブレシピ修正部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準テーブルを修正するテーブル修正部とを備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピと、前記修正サブレシピ記憶部に記憶された修正サブレシピを実行するものである基板処理装置。
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準サブレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準プロセスレシピが修正された修正プロセスレシピを記憶する修正プロセスレシピ記憶部と、標準サブレシピが修正された修正サブレシピを記憶する修正サブレシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを修正するプロセスレシピ修正部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準サブレシピを修正するサブレシピ修正部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準テーブルを修正するテーブル修正部とを備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピと、前記修正サブレシピ記憶部に記憶された修正サブレシピを実行するものである基板処理装置。
第7の発明は、第6の発明の基板処理装置において、
前記記憶部が、さらに、前記標準プロセスレシピ又は修正プロセスレシピ、前記標準サブレシピ又は修正サブレシピ、前記標準テーブル又は修正テーブルの組合せを記憶するコンビネーションテーブルを備え、
前記制御部が、さらに、操作員の指示に基づき前記コンビネーションテーブルを作成し前記記憶部に登録するコンビネーション登録部を備え、
前記レシピ実行部が、前記コンビネーションテーブルに設定されたプロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの組合せに基づき、該コンビネーションテーブルに設定されたテーブルを参照して、該コンビネーションテーブルに設定されたプロセスレシピ、及びサブレシピを実行するものである基板処理装置。
前記記憶部が、さらに、前記標準プロセスレシピ又は修正プロセスレシピ、前記標準サブレシピ又は修正サブレシピ、前記標準テーブル又は修正テーブルの組合せを記憶するコンビネーションテーブルを備え、
前記制御部が、さらに、操作員の指示に基づき前記コンビネーションテーブルを作成し前記記憶部に登録するコンビネーション登録部を備え、
前記レシピ実行部が、前記コンビネーションテーブルに設定されたプロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの組合せに基づき、該コンビネーションテーブルに設定されたテーブルを参照して、該コンビネーションテーブルに設定されたプロセスレシピ、及びサブレシピを実行するものである基板処理装置。
第8の発明は、
プロセスレシピ実行中に実行されるサブレシピを修正、又はプロセスレシピ実行中に参照される制御パラメータが記述されたテーブルを修正する工程と、
修正されたサブレシピ、又はテーブルをプロセスレシピと対応付けて記憶する工程と、
基板を基板処理室へ搬入する工程と、
基板処理のためのプロセスレシピを実行する工程と、
前記記憶した修正されたサブレシピ、又はテーブルとプロセスレシピとの対応付けに基づき、プロセスレシピ実行中に、前記修正されたサブレシピを実行、又は前記修正されたテーブルを参照する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
プロセスレシピ実行中に実行されるサブレシピを修正、又はプロセスレシピ実行中に参照される制御パラメータが記述されたテーブルを修正する工程と、
修正されたサブレシピ、又はテーブルをプロセスレシピと対応付けて記憶する工程と、
基板を基板処理室へ搬入する工程と、
基板処理のためのプロセスレシピを実行する工程と、
前記記憶した修正されたサブレシピ、又はテーブルとプロセスレシピとの対応付けに基づき、プロセスレシピ実行中に、前記修正されたサブレシピを実行、又は前記修正されたテーブルを参照する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
10…制御部、11…レシピ実行部、12…プロセスレシピ修正部、13…サブレシピ修正部、14…テーブル修正部、15…コンビネーション登録部、16…表示制御部、20…記憶部、21…標準レシピ記憶部、22…修正プロセスレシピ記憶部、23…修正サブレシピ記憶部、24…修正テーブル記憶部、25…コンビネーションテーブル、31…操作部、32…表示部、34…ヒータ、35…ポンプ・圧力バルブ、36…ガス配管・MFC圧力、51…ロードポート、52…ハンドラ、53…プロセスチャンバ、54…プロセスチャンバ、55…プロセスチャンバ、61…プロセスレシピ、62…サブレシピ、63…テーブル、125…ウエハ移載機。
Claims (1)
- 基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010112165A JP2011243637A (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010112165A JP2011243637A (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 基板処理装置 |
Publications (1)
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JP2011243637A true JP2011243637A (ja) | 2011-12-01 |
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JP2010112165A Pending JP2011243637A (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 基板処理装置 |
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Country | Link |
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2010
- 2010-05-14 JP JP2010112165A patent/JP2011243637A/ja active Pending
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