JP6244131B2 - 基板処理装置及びその制御方法、並びにプログラム - Google Patents
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Description
本発明は、基板処理装置における基板処理の信頼性に関する。
基板処理装置として、基板を処理する処理室の真空状態が維持されるように、この処理室と大気圧状態にある室との間に、一時的に基板を保持する室（一時保持室）がゲートバルブを介して設けられているものがある。このような基板処理装置においては、処理室の真空状態を維持しながら、一時保持室を通過するようにして基板が搬送される。
特許文献１には、搬送室を中心として、２つのロードロック室及び２つの処理室が配置されており、ロードロック室の上流側にはフロントモジュールであるＥＦＥＭが配置されている基板処理装置が開示されている。
この基板処理装置において、基板を初めて処理する場合や前回の処理から比較的長い時間が経過した後に基板を処理する場合は、処理室と一時保持室との間のゲートバルブが長期間閉じたままとなっている。このため、処理室の雰囲気の影響と比較すると、この一時保持室の温度は低くなってしまう。一方、基板を連続して処理する場合は、処理室と一時保持室との間のゲートバルブが定期的に開閉される。このため、一時保持室は処理室の雰囲気の影響を受け、処理室の雰囲気とほとんど変わらない。
この基板処理装置において、基板を初めて処理する場合や前回の処理から比較的長い時間が経過した後に基板を処理する場合は、処理室と一時保持室との間のゲートバルブが長期間閉じたままとなっている。このため、処理室の雰囲気の影響と比較すると、この一時保持室の温度は低くなってしまう。一方、基板を連続して処理する場合は、処理室と一時保持室との間のゲートバルブが定期的に開閉される。このため、一時保持室は処理室の雰囲気の影響を受け、処理室の雰囲気とほとんど変わらない。
このように、基板を処理する時機（タイミング）によって、基板処理に与える影響が変動し、この基板処理が不安定、不均一となる場合があった。
本発明の目的は、基板を処理する時機が基板処理に与える影響を抑制することができる基板処理装置を提供することにある。
本発明の特徴とするところは、
基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部それぞれの開閉動作を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開にして前記処理室、前記搬送室及び前記予備室を連通させるよう制御する基板処理装置にある。
基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部それぞれの開閉動作を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開にして前記処理室、前記搬送室及び前記予備室を連通させるよう制御する基板処理装置にある。
本発明によれば、基板を処理する時機が基板処理に与える影響を抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０について説明する。
図１は、基板処理装置１０の上方からの概略図を示す。
図２は、図１のＡ−Ａ線を通る面の概略図を示す。
図３は、基板処理装置１０のコントローラ８０のブロック図を示す。
図１は、基板処理装置１０の上方からの概略図を示す。
図２は、図１のＡ−Ａ線を通る面の概略図を示す。
図３は、基板処理装置１０のコントローラ８０のブロック図を示す。
本実施形態に係る基板処理装置１０はクラスタ型であり、真空側と大気側とに分けられる。基板処理装置１０は、複数のモジュールによって構成される。基板処理装置１０はモジュールとして、処理室としてのプロセスチャンバ（ＰＣ）１２と、第一の搬送室としての真空搬送室（トランスファチャンバ：ＴＭ）１４と、予備室としてのバキュームロックチャンバ（ロードロック室：ＶＬ）１６と、第二の搬送室としての大気搬送室（ＬＭ）１８と、ロードポート（ＬＰ）２０とを備える。
（真空側）
基板処理装置１０の真空側には、基板としてのウエハ２を処理する二つのプロセスチャンバ１２（プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂ）と、真空気密自在な真空搬送室１４と、二つのバキュームロックチャンバ１６（バキュームロックチャンバ１６ａ及びバキュームロックチャンバ１６ｂ）とが設けられている。
プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂそれぞれに真空搬送室１４が接続され、この真空搬送室１４にバキュームロックチャンバ１６ａ、１６ｂそれぞれが接続されるようにして配置されている。プロセスチャンバ１２ａとプロセスチャンバ１２ｂとの間は、壁部２２によって遮られている。
プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂを「プロセスチャンバ１２」と総称し、バキュームロックチャンバ１６ａ及びバキュームロックチャンバ１６ｂを「バキュームロックチャンバ１６」と総称する場合がある。
基板処理装置１０の真空側には、基板としてのウエハ２を処理する二つのプロセスチャンバ１２（プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂ）と、真空気密自在な真空搬送室１４と、二つのバキュームロックチャンバ１６（バキュームロックチャンバ１６ａ及びバキュームロックチャンバ１６ｂ）とが設けられている。
プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂそれぞれに真空搬送室１４が接続され、この真空搬送室１４にバキュームロックチャンバ１６ａ、１６ｂそれぞれが接続されるようにして配置されている。プロセスチャンバ１２ａとプロセスチャンバ１２ｂとの間は、壁部２２によって遮られている。
プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂを「プロセスチャンバ１２」と総称し、バキュームロックチャンバ１６ａ及びバキュームロックチャンバ１６ｂを「バキュームロックチャンバ１６」と総称する場合がある。
プロセスチャンバ１２は、ウエハ２を処理する。プロセスチャンバ１２は例えば、ウエハ２上に薄膜を形成する工程や、ウエハ２表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、ウエハ２上に金属薄膜又は金属化合物薄膜を形成する工程等を行う。
各プロセスチャンバ１２には、プロセスチャンバ１２内に供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４と、プロセスチャンバ１２内の圧力を制御するオートプレッシャーコントローラ（ＡＰＣ）２６と、プロセスチャンバ１２内の温度を調整する温度調整器２８と、処理ガスの供給・排気用バルブのオン／オフを制御する入出力バルブＩ／Ｏ３０とが設けられている（図３参照）。
プロセスチャンバ１２ａはゲートバルブ（ＧＶ）３２ａを介して真空搬送室１４と連通しており、プロセスチャンバ１２ｂはゲートバルブ３２ｂを介して真空搬送室１４と連通している。
第一の開閉部としてのゲートバルブ３２ａ及びゲートバルブ３２ｂを介して、プロセスチャンバ１２と真空搬送室１４とは連通している。
第一の開閉部としてのゲートバルブ３２ａ及びゲートバルブ３２ｂを介して、プロセスチャンバ１２と真空搬送室１４とは連通している。
例えば、プロセスチャンバ１２ａにおいてウエハ２を処理する場合は、以下のように動作する。まず、プロセスチャンバ１２ａ内を、真空搬送室１４内と同様の雰囲気とする。ゲートバルブ３２ａを開き、プロセスチャンバ１２ａ内にウエハ２を搬送する。ゲートバルブ３２ａを閉じ、ウエハ２に所定の処理を施す。次いで、プロセスチャンバ１２ａ内の雰囲気を真空搬送室１４内と同様の雰囲気に戻した後、ゲートバルブ３２ａを開き、このプロセスチャンバ１２ａ内からウエハ２を搬出する。そして、ゲートバルブ３２ａを閉じる。
同様に、プロセスチャンバ１２ｂにおいてもゲートバルブ３２ｂの開閉動作を行うことで、室内の雰囲気を適宜維持しつつウエハ２が処理される。
同様に、プロセスチャンバ１２ｂにおいてもゲートバルブ３２ｂの開閉動作を行うことで、室内の雰囲気を適宜維持しつつウエハ２が処理される。
プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂにはそれぞれ、第一の処理部４２と、この第一の処理部４２よりも真空搬送室１４から遠い位置に配置された第二の処理部４４と、この第二の処理部４４と真空搬送室１４との間でウエハ２を搬送するウエハ搬送装置４６とが設けられている。
第一の処理部４２は、ウエハ２を載置する第一の載置台４８と、この第一の載置台４８に載置されたウエハ２を加熱する第一のヒータ５０とを備える。第二の処理部４４は、ウエハ２を載置する第二の載置台５２と、この第二の載置台５２に載置されたウエハ２を加熱する第二のヒータ５４とを備える。
第一の載置台４８及び第二の載置台５２は、例えばアルミニウムによって形成される。
第一の載置台４８及び第二の載置台５２は、例えばアルミニウムによって形成される。
ウエハ搬送装置４６は、ウエハ２を支持する基板支持部材５６と、この基板支持部材５６を回転・昇降する移動軸５８とを備える。移動軸５８は、壁部２２近傍に設けられている。
ウエハ搬送装置４６は、基板支持部材５６を第一の処理部４２側へ回転させることで、この第一の処理部４２側において真空搬送室１４の真空搬送ロボット６２との間でウエハ２を授受する。
ウエハ搬送装置４６は、基板支持部材５６を第一の処理部４２側へ回転させることで、この第一の処理部４２側において真空搬送室１４の真空搬送ロボット６２との間でウエハ２を授受する。
移動軸５８が壁部２２側に配置されているため、本構成を有さない場合と比較して省スペース化が図れる。具体的には、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂそれぞれの外側に要するスペースが省かれ、外部のスペース（例えば、保守者が立ち入るメンテナンススペース等）が大きく確保される。
プロセスチャンバ１２ａとプロセスチャンバ１２ｂとは、壁部２２に対して対称に構成されている。プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂそれぞれのウエハ搬送装置４６は、壁部２２を挟んで近づくように配置されている。
真空搬送室１４は、真空状態など大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造となっている。本実施形態において真空搬送室１４の筐体は、平面視が六角形であり上下両端が閉塞した箱状に形成されている。真空搬送室１４の筐体は、この形態に限らず、他の形態としてもよい。
真空搬送室１４内には、第一の搬送機構としての真空搬送ロボット６２が設けられている。
真空搬送ロボット６２は、アーム６２ａに設けられた基板載置部６２ｂにウエハ２を載せて、プロセスチャンバ１２とバキュームロックチャンバ１６との間で相互にウエハ２を搬送する。真空搬送ロボット６２は、エレベータ６４によって、真空搬送室１４の気密性を維持しつつ昇降するようになっている。
真空搬送ロボット６２において、アーム６２ａ及び基板載置部６２ｂは、ウエハ２を搬送する搬送部として機能する。
真空搬送ロボット６２は、アーム６２ａに設けられた基板載置部６２ｂにウエハ２を載せて、プロセスチャンバ１２とバキュームロックチャンバ１６との間で相互にウエハ２を搬送する。真空搬送ロボット６２は、エレベータ６４によって、真空搬送室１４の気密性を維持しつつ昇降するようになっている。
真空搬送ロボット６２において、アーム６２ａ及び基板載置部６２ｂは、ウエハ２を搬送する搬送部として機能する。
真空搬送室１４は、ゲートバルブ３２ｃを介してバキュームロックチャンバ１６ａと連通しており、ゲートバルブ３２ｄを介してバキュームロックチャンバ１６ｂと連通している。
第二の開閉部としてのゲートバルブ３２ｃ及びゲートバルブ３２ｄを介して、真空搬送室１４とバキュームロックチャンバ１６とは連通している。
第二の開閉部としてのゲートバルブ３２ｃ及びゲートバルブ３２ｄを介して、真空搬送室１４とバキュームロックチャンバ１６とは連通している。
バキュームロックチャンバ１６は、真空搬送室１４の真空状態を維持しながら、この真空搬送室１４と大気側との間でウエハ２を搬送する予備室として機能する。
バキュームロックチャンバ１６は、負圧に耐えるロードロックチャンバ構造となっている。バキュームロックチャンバ１６は、その内部が真空排気されるように構成されている。
バキュームロックチャンバ１６は、負圧に耐えるロードロックチャンバ構造となっている。バキュームロックチャンバ１６は、その内部が真空排気されるように構成されている。
バキュームロックチャンバ１６ａ及びバキュームロックチャンバ１６ｂそれぞれの内部には、ウエハ２を支持する基板支持体としてのボート６６ａ及びボート６６ｂ（以下、「ボート６６」と総称する場合がある）が設けられている。ボート６６は、例えば２５枚のウエハ２を一定間隔で積層するようにして保持する。ボート６６は、例えば炭化ケイ素やアルミニウムで形成される。
バキュームロックチャンバ１６には、ウエハ２を冷却する冷却機構（非図示）が設けられている。冷却機構は、バキュームロックチャンバ１６と別個に設けるようにしてもよい。
バキュームロックチャンバ１６には、ウエハ２を冷却する冷却機構（非図示）が設けられている。冷却機構は、バキュームロックチャンバ１６と別個に設けるようにしてもよい。
バキュームロックチャンバ１６ａは、ゲートバルブ３２ｅを介して大気側の大気搬送室１８と連通している。バキュームロックチャンバ１６ｂは、ゲートバルブ３２ｆを介して大気側の大気搬送室１８と連通している。
真空状態にある真空搬送室１４と大気圧状態にある大気搬送室１８とは直接連通しないようになっている。具体的には、ゲートバルブ３２ｃ及びゲートバルブ３２ｅの少なくともいずれか一方は閉じられた状態となり、同様にゲートバルブ３２ｄ及びゲートバルブ３２ｆの少なくともいずれか一方は閉じられた状態となる。
例えば、真空搬送室１４側のゲートバルブ３２ｃを開ける際は、大気搬送室１８側のゲートバルブ３２ｅを閉じるとともに、バキュームロックチャンバ１６ａ内を真空状態とする。なお、「真空」とは、工業的真空を示す。
大気搬送室１８側のゲートバルブ３２ｅを開ける際は、真空搬送室１４側のゲートバルブ３２ｃを閉じるとともに、バキュームロックチャンバ１６ａ内を大気圧状態とする。
例えば、真空搬送室１４側のゲートバルブ３２ｃを開ける際は、大気搬送室１８側のゲートバルブ３２ｅを閉じるとともに、バキュームロックチャンバ１６ａ内を真空状態とする。なお、「真空」とは、工業的真空を示す。
大気搬送室１８側のゲートバルブ３２ｅを開ける際は、真空搬送室１４側のゲートバルブ３２ｃを閉じるとともに、バキュームロックチャンバ１６ａ内を大気圧状態とする。
ゲートバルブ３２ｃ、３２ｄを閉じた状態でゲートバルブ３２ｅ、３２ｆを開けるようにすることで、真空搬送室１４内を真空に維持しながら、バキュームロックチャンバ１６ａ、１６ｂと大気搬送室１８との間でウエハ２が搬送される。
ゲートバルブ３２ｃ〜３２ｆを閉じた状態でバキュームロックチャンバ１６ａ、１６ｂの内部を真空排気した後、ゲートバルブ３２ｃ、３２ｄを開けるようにすることで、真空搬送室１４の真空状態を維持しながら、バキュームロックチャンバ１６ａ、１６ｂと真空搬送室１４との間でウエハ２が搬送される。
ゲートバルブ３２ｃ〜３２ｆを閉じた状態でバキュームロックチャンバ１６ａ、１６ｂの内部を真空排気した後、ゲートバルブ３２ｃ、３２ｄを開けるようにすることで、真空搬送室１４の真空状態を維持しながら、バキュームロックチャンバ１６ａ、１６ｂと真空搬送室１４との間でウエハ２が搬送される。
真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６は、開閉部としてのゲートバルブ３２ａ〜３２ｄを介してプロセスチャンバ１２と連通している。真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６は、プロセスチャンバ１２の真空状態を維持しつつ、プロセスチャンバ１２と大気圧状態にある大気搬送室１８との間で搬送されるウエハ２が通過する通過室として機能する。
（大気側）
基板処理装置１０の大気側には、バキュームロックチャンバ１６に接続された大気搬送室１８と、この大気搬送室１８に接続された基板収容部としての三つのロードポート２０ａ、ロードポート２０ｂ及びロードポート２０ｃ（「ロードポート２０」と総称する場合がある）とが設けられている。
ロードポート２０ａ〜２０ｃにはそれぞれ、複数枚のウエハ２を収容する基板収容容器としてのポッド４が載置されるようになっている。ポッド４には、ウエハ２を収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。
基板処理装置１０の大気側には、バキュームロックチャンバ１６に接続された大気搬送室１８と、この大気搬送室１８に接続された基板収容部としての三つのロードポート２０ａ、ロードポート２０ｂ及びロードポート２０ｃ（「ロードポート２０」と総称する場合がある）とが設けられている。
ロードポート２０ａ〜２０ｃにはそれぞれ、複数枚のウエハ２を収容する基板収容容器としてのポッド４が載置されるようになっている。ポッド４には、ウエハ２を収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。
大気搬送室１８内には、第二の搬送機構としての大気搬送ロボット７２が設けられている。大気搬送ロボット７２はアームを有し、このアームにはウエハ２を載置する基板載置部が形成されている。大気搬送ロボット７２は、ロードポート２０に載置されたポッド４とバキュームロックチャンバ１６との間で、相互にウエハ２を搬送する。
大気搬送室１８内には、ウエハ２のオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）の位置を合わせる基板位置補正装置としての位置合わせ装置７４が設けられている。位置合わせ装置７４は、処理するウエハ２の種別に応じて、オリフラに替えてウエハ２のノッチの位置を合わせるようにしてもよい。
（制御部）
基板処理装置１０は制御部としてのコントローラ（ＣＮＴ）８０を備え、このコントローラ８０によって基板処理装置１０の各構成部が制御される。
コントローラ８０は、基板処理装置１０を総括して制御する統括制御部８２と、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂそれぞれを制御するプロセスチャンバコントローラ（ＰＭＣ）８４ａ、８４ｂ（以下、「ＰＭＣ８４」と総称する場合がある）と、操作者との間で情報を授受する操作装置８６とを備える。統括制御部８２、ＰＭＣ８４及び操作装置８６は、ＬＡＮ回線等のネットワーク８８を介してそれぞれ接続されている。
基板処理装置１０は制御部としてのコントローラ（ＣＮＴ）８０を備え、このコントローラ８０によって基板処理装置１０の各構成部が制御される。
コントローラ８０は、基板処理装置１０を総括して制御する統括制御部８２と、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂそれぞれを制御するプロセスチャンバコントローラ（ＰＭＣ）８４ａ、８４ｂ（以下、「ＰＭＣ８４」と総称する場合がある）と、操作者との間で情報を授受する操作装置８６とを備える。統括制御部８２、ＰＭＣ８４及び操作装置８６は、ＬＡＮ回線等のネットワーク８８を介してそれぞれ接続されている。
ＰＭＣ８４は、対応するプロセスチャンバ１２に設けられたＭＦＣ２４、ＡＰＣ２６、温度調整器２８及び入出力バルブＩ／Ｏ３０を制御する。ＰＭＣ８４によって、対応するプロセスチャンバ１２内の排気や、プロセスチャンバ１２内への処理ガスの供給、圧力・温度の制御等が行われることで、ウエハ２が処理される。
統括制御部８２はネットワーク８８を介して、ＰＭＣ８４や真空搬送ロボット６２、大気搬送ロボット７２、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｆ、バキュームロックチャンバ１６等に接続されている。
統括制御部８２は、真空搬送ロボット６２及び大気搬送ロボット７２の搬送動作や、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｆの開閉動作、バキュームロックチャンバ１６内部の排気動作等を制御する。
具体的には、統括制御部８２は、ウエハ２をどのポッド４のどのスロットに収納するかに関するウエハ収納情報や、ウエハ２の現在の位置に関するウエハ位置情報、ウエハ２についてのプロセス処理の状況、複数のウエハ２それぞれを一意に識別するウエハＩＤ、ウエハ２の処理条件に関するレシピ等に基づいて、各構成部を制御する。
具体的には、統括制御部８２は、ウエハ２をどのポッド４のどのスロットに収納するかに関するウエハ収納情報や、ウエハ２の現在の位置に関するウエハ位置情報、ウエハ２についてのプロセス処理の状況、複数のウエハ２それぞれを一意に識別するウエハＩＤ、ウエハ２の処理条件に関するレシピ等に基づいて、各構成部を制御する。
次に、コントローラ８０のハードウエア構成について説明する。
図４は、コントローラ８０のハードウエア構成を示す。
図４は、コントローラ８０のハードウエア構成を示す。
コントローラ８０は、ＣＰＵ９２やメモリ９４等を含む制御装置９６と、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の記憶装置９８と、液晶ディスプレイ等の表示装置１００と、キーボードやマウス等の入力装置１０２と、ネットワーク８８を介して通信する通信装置１０４とを有する。
コントローラ８０としては、例えば汎用のコンピュータが用いられる。
コントローラ８０としては、例えば汎用のコンピュータが用いられる。
コントローラ８０において所定のプログラムは、通信装置１０４又は記録媒体１０６を介して記憶装置９８に格納され、メモリ９４にロードされて、制御装置９６で動作するＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）上で実行される。
本実施形態において、コントローラ８０の記憶装置７８には、基板処理装置１０の全体のシステムを制御する統括制御プログラムや、プロセスチャンバ１２を操作するプロセスチャンバ操作プログラム、通過室としての真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の雰囲気を調節する通過室調節プログラム等が格納されている。
統括制御プログラムが制御装置７６により実行されると、統括制御部８２に動作命令（メッセージ）を送信するともに、この統括制御部８２から動作報告（メッセージ）を受信する等の機能が実現する。
プロセスチャンバ操作プログラムが制御装置７６により実行されると、ＰＭＣ８４に動作命令（メッセージ）を送信するとともに、このＰＭＣ８４から動作報告（メッセージ）を受信する等の機能が実現する。
通過室調節プログラムが制御装置７６により実行されると、後述する通過室調節工程（Ｓ２００）を実行する通過室調節動作の機能が実現する。
プロセスチャンバ操作プログラムが制御装置７６により実行されると、ＰＭＣ８４に動作命令（メッセージ）を送信するとともに、このＰＭＣ８４から動作報告（メッセージ）を受信する等の機能が実現する。
通過室調節プログラムが制御装置７６により実行されると、後述する通過室調節工程（Ｓ２００）を実行する通過室調節動作の機能が実現する。
次に、基板処理装置１０のモジュールの装置状態（ステータス）の詳細について説明する。
図５は、基板処理装置１０の状態遷移（Ｓ１０）のフローチャートを示す。
本実施形態においては、基板処理装置１０を構成するモジュール（プロセスチャンバ１２ａやプロセスチャンバ１２ｂ、真空搬送室１４等）は、「未使用状態（Ｉｄｌｅ状態）」、「条件調整状態（Ｓｔａｎｄｂｙ状態）」、「待機状態（Ｒｅａｄｙ状態）」及び「処理状態（Ｒｕｎ状態）」これらの装置状態の間で遷移するようになっている。
図５は、基板処理装置１０の状態遷移（Ｓ１０）のフローチャートを示す。
本実施形態においては、基板処理装置１０を構成するモジュール（プロセスチャンバ１２ａやプロセスチャンバ１２ｂ、真空搬送室１４等）は、「未使用状態（Ｉｄｌｅ状態）」、「条件調整状態（Ｓｔａｎｄｂｙ状態）」、「待機状態（Ｒｅａｄｙ状態）」及び「処理状態（Ｒｕｎ状態）」これらの装置状態の間で遷移するようになっている。
装置状態は、基板処理装置１０を構成するモジュールごとに独立してそれぞれ遷移するようにしてもよいし、特定のモジュールを一まとまりとした（あるいは基板処理装置１０を一体とした）一群ごとにそれぞれ遷移するようにしてもよい。
以下、プロセスチャンバ１２ａの装置状態が独立して遷移する場合を例として説明する。
以下、プロセスチャンバ１２ａの装置状態が独立して遷移する場合を例として説明する。
ステップ１（Ｓ１）において、基板処理装置１０の電源が切れている（電源オフ）状態から、電源を入れる（電源オン）。
ステップ２（Ｓ２）において、基板処理装置１０のモジュールは、「未使用状態（Ｉｄｌｅ状態）」となる。「未使用状態」とは、装置の電源が入っている状態において、指示（例えば処理条件の調整等の指示）が入力されていない状態である。未使用状態において、ウエハ２を処理する処理条件とする指示（条件調整指示）がモジュールに対してなされると、ステップ３（Ｓ３）に進む。
例えば、プロセスチャンバ１２ａについて、処理条件として設定された温度や圧力とする条件調整指示が入力されるとステップ３（Ｓ３）に進む。
例えば、プロセスチャンバ１２ａについて、処理条件として設定された温度や圧力とする条件調整指示が入力されるとステップ３（Ｓ３）に進む。
ステップ３（Ｓ３）において、基板処理装置１０のモジュールは、「条件調整状態（Ｓｔａｎｄｂｙ状態）」となる。「条件調整状態」とは、モジュールが処理条件となるように調整する状態である。例えば、プロセスチャンバ１２ａについて、温度や圧力が処理条件として設定された値となるように調整している途中の状態である。より具体的には、常温にある室内を加熱したり、室内を排気して圧力を下げたりしている最中の状態である。
条件調整状態において、処理条件の調整が完了してモジュールが所定の条件になる（準備完了）とステップ４（Ｓ４）の工程に進む。例えば、プロセスチャンバ１２ａにおいて、温度や圧力が処理条件として設定された値になるとステップ４（Ｓ４）に進む。
条件調整状態において、中断の指示が入力されたり異常が発生したりすると、ステップ２（Ｓ２）に進む。
条件調整状態において、処理条件の調整が完了してモジュールが所定の条件になる（準備完了）とステップ４（Ｓ４）の工程に進む。例えば、プロセスチャンバ１２ａにおいて、温度や圧力が処理条件として設定された値になるとステップ４（Ｓ４）に進む。
条件調整状態において、中断の指示が入力されたり異常が発生したりすると、ステップ２（Ｓ２）に進む。
ステップ４（Ｓ４）において、基板処理装置１０のモジュールは、「待機状態（Ｒｅａｄｙ状態）」となる。「待機状態」とは、モジュールが処理条件に調整され基板処理工程を開始することができる状態である。例えば、プロセスチャンバ１２ａについて、温度や圧力が処理条件として設定された値となり、基板処理工程を開始する指示（処理開始指示）を待つ状態である。
待機状態において、処理開始指示がなされるとステップ５（Ｓ５）に進む。処理開始指示は、待機状態となった後コントローラ８０によって自動的に入力されたり、「待機状態」において操作者が操作装置８４を介して入力されたりする。
待機状態において、中断の指示が入力されたり異常が発生したりすると、ステップ２（Ｓ２）に進む。
待機状態において、処理開始指示がなされるとステップ５（Ｓ５）に進む。処理開始指示は、待機状態となった後コントローラ８０によって自動的に入力されたり、「待機状態」において操作者が操作装置８４を介して入力されたりする。
待機状態において、中断の指示が入力されたり異常が発生したりすると、ステップ２（Ｓ２）に進む。
ステップ５（Ｓ５）において、基板処理装置１０のモジュールは、「処理状態（Ｒｕｎ状態）」となる。「処理状態」とは、ウエハ２を処理する基板処理工程が実行されている状態である。例えば、プロセスチャンバ１２ａについて、ウエハ２を室内に搬送したり、このウエハ２に成膜処理をしたりしている状態である。
処理状態において、基板処理工程が完了するとステップ４（Ｓ４）の処理に進む。例えば、プロセスチャンバ１２ａにおいて、ウエハ２に所定の処理をしてこのウエハ２が室内から搬送されるとステップ４（Ｓ４）に進む。
処理状態において、中断の指示が入力されたり異常が発生したりすると、ステップ２（Ｓ２）に進む。
処理状態において、基板処理工程が完了するとステップ４（Ｓ４）の処理に進む。例えば、プロセスチャンバ１２ａにおいて、ウエハ２に所定の処理をしてこのウエハ２が室内から搬送されるとステップ４（Ｓ４）に進む。
処理状態において、中断の指示が入力されたり異常が発生したりすると、ステップ２（Ｓ２）に進む。
ステップ５（Ｓ５）において基板処理工程が完了すると、「待機状態」となり再度、処理開始指示が入力されるのを待つ。
本実施形態においては、ウエハ２を処理する基板処理工程が実行されている場合に「処理状態」となる。基板処理工程が実行されていない場合である未処理状態に、「待機状態」、「条件調整状態」及び「未使用状態」が含まれる。
調整状態（Ｓ３）、待機状態（Ｓ４）及び処理状態（Ｓ５）において、異常が発生した場合は異常検知工程を経て未使用状態（Ｓ２）に進むようにしてもよい。異常検知工程とは、安全性を確保するようにモジュールを安定化する工程である。例えば、異常が発生したモジュールについて、外部と連絡するバルブを閉じたり、温度を下げたり（加熱を停止したり）する。
これにより、異常が発生した場合に、他のモジュールや基板処理装置１０全体に影響がおよぶ（損傷等が拡大する）ことが抑制される。
これにより、異常が発生した場合に、他のモジュールや基板処理装置１０全体に影響がおよぶ（損傷等が拡大する）ことが抑制される。
あるモジュールで異常が発生した場合は、そのモジュールの使用を回避して他のモジュールで代用することにより基板処理工程を継続するようにしてもよい。
例えば、プロセスチャンバ１２ａにおいて異常が発生した場合は、このプロセスチャンバ１２ａの使用を回避して、プロセスチャンバ１２ｂを用いることにより処理を継続するようにしてもよい。この場合、プロセスチャンバ１２ａは「未使用状態」となり、プロセスチャンバ１２ｂは「処理状態」となる。
例えば、プロセスチャンバ１２ａにおいて異常が発生した場合は、このプロセスチャンバ１２ａの使用を回避して、プロセスチャンバ１２ｂを用いることにより処理を継続するようにしてもよい。この場合、プロセスチャンバ１２ａは「未使用状態」となり、プロセスチャンバ１２ｂは「処理状態」となる。
次に、基板処理装置１０により実行される基板処理工程の一例について説明する。
図６は、基板処理工程（Ｓ１００）のフローチャートを示す。
基板処理装置１０の各構成部は、コントローラ８０によって制御される。
図６は、基板処理工程（Ｓ１００）のフローチャートを示す。
基板処理装置１０の各構成部は、コントローラ８０によって制御される。
ステップ１０２（Ｓ１０２）において、真空搬送室１４を真空排気して真空状態とする。この際、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｆは閉じた状態にある。
ステップ１０４（Ｓ１０４）において、ウエハ２をロードポート２０からバキュームロックチャンバ１６ａへ搬送する。
具体的には、ゲートバルブ３２ｃ、３２ｅが閉じられている状態において、バキュームロックチャンバ１６ａに清浄な空気（クリーンエア）を供給して、このバキュームロックチャンバ１６ａを大気圧状態とする。バキュームロックチャンバ１６ａが大気圧状態となった後、ゲートバルブ３２ｅを開く。これにより、大気圧状態にあるバキュームロックチャンバ１６ａと大気搬送室１８とが連通する。
複数枚のウエハ２を収納したポッド４をロードポート２０に載置する。ポッド４内に収納されているウエハ２を、大気搬送ロボット７２により位置合わせ装置７４に載置して結晶方位の位置合わせをする。位置合わせ装置７４により位置が合わされたウエハ２を、大気搬送ロボット７２により取り上げ、バキュームロックチャンバ１６ａ内のボート６６ａに載置する。ボート６６ａに２５枚のウエハ２を載置した後、ゲートバルブ３２ｅを閉じる。
具体的には、ゲートバルブ３２ｃ、３２ｅが閉じられている状態において、バキュームロックチャンバ１６ａに清浄な空気（クリーンエア）を供給して、このバキュームロックチャンバ１６ａを大気圧状態とする。バキュームロックチャンバ１６ａが大気圧状態となった後、ゲートバルブ３２ｅを開く。これにより、大気圧状態にあるバキュームロックチャンバ１６ａと大気搬送室１８とが連通する。
複数枚のウエハ２を収納したポッド４をロードポート２０に載置する。ポッド４内に収納されているウエハ２を、大気搬送ロボット７２により位置合わせ装置７４に載置して結晶方位の位置合わせをする。位置合わせ装置７４により位置が合わされたウエハ２を、大気搬送ロボット７２により取り上げ、バキュームロックチャンバ１６ａ内のボート６６ａに載置する。ボート６６ａに２５枚のウエハ２を載置した後、ゲートバルブ３２ｅを閉じる。
この際、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂにおいては、所定の前処理を行う。具体的には、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂが閉じられている状態において、窒素等の不活性なガスによって室内の清浄等を行う。室内の清浄等の完了後、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂを開く。
ステップ１０６（Ｓ１０６）において、ゲートバルブ３２ｃ、３２ｅが閉じられている状態でバキュームロックチャンバ１６ａを真空排気して真空状態とする。
ステップ１０８（Ｓ１０８）において、ウエハ２をバキュームロックチャンバ１６ａから真空搬送室１４を通過してプロセスチャンバ１２ａ、１２ｂへ搬送する。
具体的には、バキュームロックチャンバ１６ａが真空状態となった後、ゲートバルブ３２ｃを開く。バキュームロックチャンバ１６ａ内のボート６６ａに載置されたウエハ２を真空搬送ロボット６２により取り上げ、真空搬送室１４を経由してプロセスチャンバ１２ａ、１２ｂ内にウエハ２を搬送する。
具体的には、バキュームロックチャンバ１６ａが真空状態となった後、ゲートバルブ３２ｃを開く。バキュームロックチャンバ１６ａ内のボート６６ａに載置されたウエハ２を真空搬送ロボット６２により取り上げ、真空搬送室１４を経由してプロセスチャンバ１２ａ、１２ｂ内にウエハ２を搬送する。
ステップ１１０（Ｓ１１０）において、ウエハ２を処理する。
具体的には、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂを閉じ、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂ内に処理ガスを供給する等して、所定のレシピに従ってウエハ２を処理する。プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂは同時に処理を行うことに限らず、一方（例えばプロセスチャンバ１２ａ）でウエハ２を処理しながら、他方（例えばプロセスチャンバ１２ｂ）ではウエハ２の搬送を行う等、適宜並行して進行することができる。
具体的には、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂを閉じ、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂ内に処理ガスを供給する等して、所定のレシピに従ってウエハ２を処理する。プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂは同時に処理を行うことに限らず、一方（例えばプロセスチャンバ１２ａ）でウエハ２を処理しながら、他方（例えばプロセスチャンバ１２ｂ）ではウエハ２の搬送を行う等、適宜並行して進行することができる。
ステップ１１２（Ｓ１１２）において、ウエハ２をプロセスチャンバ１２ａ、１２ｂから真空搬送室１４を通過してバキュームロックチャンバ１６ｂへ搬送する。
具体的には、ウエハ２の処理の完了後、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂを開ける。プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂ内にあるウエハ２を真空搬送ロボット６２により取り上げ、真空搬送室１４を経由して真空状態にあるバキュームロックチャンバ１６ｂ内のボート６６ｂに載置する。
プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂからウエハ２を搬出した後、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂを閉じる。
バキュームロックチャンバ１６ａ内にあるウエハ２を全て処理するようにステップ１０８（Ｓ１０８）〜ステップ１１２（Ｓ１１２）の工程を繰り返す。全てのウエハ２について処理が完了した後、ステップ１１４（Ｓ１１４）の工程に進む。
具体的には、ウエハ２の処理の完了後、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂを開ける。プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂ内にあるウエハ２を真空搬送ロボット６２により取り上げ、真空搬送室１４を経由して真空状態にあるバキュームロックチャンバ１６ｂ内のボート６６ｂに載置する。
プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂからウエハ２を搬出した後、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂを閉じる。
バキュームロックチャンバ１６ａ内にあるウエハ２を全て処理するようにステップ１０８（Ｓ１０８）〜ステップ１１２（Ｓ１１２）の工程を繰り返す。全てのウエハ２について処理が完了した後、ステップ１１４（Ｓ１１４）の工程に進む。
ステップ１１４（Ｓ１１４）において、バキュームロックチャンバ１６ｂ内を大気圧状態とする。
具体的には、ゲートバルブ３２ｄ、３２ｆが閉じられている状態で、バキュームロックチャンバ１６ｂに清浄な空気（クリーンエア）を供給して、このバキュームロックチャンバ１６ｂを大気圧状態とする。プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂでの処理によって加熱されたウエハ２を冷却機構により冷却する。
具体的には、ゲートバルブ３２ｄ、３２ｆが閉じられている状態で、バキュームロックチャンバ１６ｂに清浄な空気（クリーンエア）を供給して、このバキュームロックチャンバ１６ｂを大気圧状態とする。プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂでの処理によって加熱されたウエハ２を冷却機構により冷却する。
この際、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂにおいては、所定の後処理を行う。具体的には、ゲートバルブ３２ａ、３２ｂが閉じられている状態において、窒素等の不活性なガスによって室内の清浄等を行う。
ステップ１１６（Ｓ１１６）において、ウエハ２をバキュームロックチャンバ１６ｂからロードポート２０へ搬送する。
具体的には、バキュームロックチャンバ１６ｂが大気圧状態となった後、ゲートバルブ３２ｆを開く。これにより、大気圧状態にあるバキュームロックチャンバ１６ｂと大気搬送室１８とが連通する。
バキュームロックチャンバ１６ｂ内のボート６６ｂに載置されたウエハ２を大気搬送ロボット７２により取り上げ、ロードポート２０に載置されたポッド４内に収納する。バキュームロックチャンバ１６ｂ内のウエハ２を全てポッド４内に収納した後、ゲートバルブ３２ｆを閉じる。
具体的には、バキュームロックチャンバ１６ｂが大気圧状態となった後、ゲートバルブ３２ｆを開く。これにより、大気圧状態にあるバキュームロックチャンバ１６ｂと大気搬送室１８とが連通する。
バキュームロックチャンバ１６ｂ内のボート６６ｂに載置されたウエハ２を大気搬送ロボット７２により取り上げ、ロードポート２０に載置されたポッド４内に収納する。バキュームロックチャンバ１６ｂ内のウエハ２を全てポッド４内に収納した後、ゲートバルブ３２ｆを閉じる。
次に、通過室としての真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６の室内の雰囲気を調節する動作（通過室調節動作）について説明する。
まず、通過室調節動作の概要について説明する。
基板処理装置１０においてウエハ２の処理を実行していない場合（未処理状態）、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｆは閉じた状態となっている。未処理状態においては、各モジュールは閉じられて独立した状態となる。このため、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６は、プロセスチャンバ１２内の雰囲気の影響を受けにくい。
これに対して、ウエハ２の処理を実行している場合（処理状態）は、プロセスチャンバ１２、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６をつなぐゲートバルブ３２ａ〜３２ｄの開閉が定期的に行われる。このため、処理状態においては、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６は、未処理状態と比較してプロセスチャンバ１２内の雰囲気の影響を受けやすい。
基板処理装置１０においてウエハ２の処理を実行していない場合（未処理状態）、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｆは閉じた状態となっている。未処理状態においては、各モジュールは閉じられて独立した状態となる。このため、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６は、プロセスチャンバ１２内の雰囲気の影響を受けにくい。
これに対して、ウエハ２の処理を実行している場合（処理状態）は、プロセスチャンバ１２、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６をつなぐゲートバルブ３２ａ〜３２ｄの開閉が定期的に行われる。このため、処理状態においては、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６は、未処理状態と比較してプロセスチャンバ１２内の雰囲気の影響を受けやすい。
例えば、処理状態において、ウエハ２を処理するためにプロセスチャンバ１２内が加熱されている場合、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の温度は、未処理状態と比較して高くなりやすい。したがって、複数枚のウエハ２を連続して処理する場合、処理を再開し始めた初期の段階と、ある程度処理が継続された後の段階とでは、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の温度等の雰囲気に差が生じる。これは、ウエハ２の処理に影響して、複数枚のウエハ２に対する処理の均一性を低下させる。
そこで、基板処理装置１０は、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の雰囲気を調節するように、未処理状態においてゲートバルブ３２ａ〜３２ｄや真空搬送ロボット６２等を処理状態と同様に動作させる通過室調節動作を実行する。
本実施形態においては通過室調節動作として、基板処理装置１０は、基板処理工程（Ｓ１００）が実行されていない場合に、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の雰囲気（例えば温度や圧力等の条件）が、基板処理工程（Ｓ１００）が実行されている場合の雰囲気に近づくように、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｄを開閉する。これにより、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の雰囲気が調節される。
本実施形態においては通過室調節動作として、基板処理装置１０は、基板処理工程（Ｓ１００）が実行されていない場合に、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の雰囲気（例えば温度や圧力等の条件）が、基板処理工程（Ｓ１００）が実行されている場合の雰囲気に近づくように、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｄを開閉する。これにより、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の雰囲気が調節される。
次いで、基板処理装置１０により実行される通過室調節工程の一例について説明する。
図７は、通過室調節動作により行われる一例としての通過室調節工程（Ｓ２００）のフローチャートを示す。
基板処理装置１０の各構成部は、コントローラ８０によって制御される。
図７は、通過室調節動作により行われる一例としての通過室調節工程（Ｓ２００）のフローチャートを示す。
基板処理装置１０の各構成部は、コントローラ８０によって制御される。
ステップ２０２（Ｓ２０２）において、バキュームロックチャンバ１６ａを真空排気して真空状態とする。この際、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｆは閉じた状態にある。
ステップ２０４（Ｓ２０４）において、ゲートバルブ３２ｃを開き、真空搬送ロボット６２のアーム６２ａをプロセスチャンバ１２ａに向ける。具体的には、プロセスチャンバ１２ａにウエハ２を搬送する場合と同じように、真空搬送ロボット６２のアーム６２ａを回転させる。
ステップ２０６（Ｓ２０６）において、ゲートバルブ３２ａを開き、所定時間（Ｘ１）が経過するまで待機する。
ステップ２０８（Ｓ２０８）において、ゲートバルブ３２ａを閉じ、所定時間（Ｘ２）が経過するまで待機する。この際、真空搬送ロボット６２のアーム６２ａをプロセスチャンバ１２ｂに向ける。具体的には、プロセスチャンバ１２ｂにウエハ２を搬送する場合と同じように、真空搬送ロボット６２のアーム６２ａを回転させる。
ステップ２１０（Ｓ２１０）において、ゲートバルブ３２ｂを開き、所定時間（Ｙ１）が経過するまで待機する。
ステップ２１２（Ｓ２１２）において、ゲートバルブ３２ｂを閉じ、所定時間（Ｙ２）が経過するまで待機する。この際、真空搬送ロボット６２のアーム６２ａをプロセスチャンバ１２ａに向ける。
処理開始指示が入力されるまで、ステップ２０６（Ｓ２０６）からステップ２１２（Ｓ２１２）の工程を繰り返す。処理開始指示がなされると、ステップ２１４（Ｓ２１４）の処理に進む。
処理開始指示が入力されるまで、ステップ２０６（Ｓ２０６）からステップ２１２（Ｓ２１２）の工程を繰り返す。処理開始指示がなされると、ステップ２１４（Ｓ２１４）の処理に進む。
ステップ２１４（Ｓ２１４）において、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｃを閉じる。これにより、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂ、真空搬送室１４、バキュームロックチャンバ１６ａそれぞれの室内が閉じられる。その後、処理開始指示に従い、基板処理工程（Ｓ１００）のステップ１０４（Ｓ１０４）に進む。
なお、この場合において真空搬送室１４は真空状態にあるため、基板処理工程（Ｓ１００）のステップ１０２（Ｓ１０２）を省略するようにしたが、このステップ１０２（Ｓ１０２）を適宜行うようにしてもよい。
なお、この場合において真空搬送室１４は真空状態にあるため、基板処理工程（Ｓ１００）のステップ１０２（Ｓ１０２）を省略するようにしたが、このステップ１０２（Ｓ１０２）を適宜行うようにしてもよい。
上述のようにステップ２０６からステップ２１２の工程を繰り返して通過室調節動作を行うことにより、キャリアの投入時期に影響することなく、連続シーケンスと同様の条件を維持することで、ウエハ２の処理の均一性の低下が抑制される。さらに真空搬送ロボット６２の各アームを動作して各プロセスチャンバにアームを向けることで、この真空搬送ロボット６２の動作を最小限にしつつ、ウエハ２を処理する際にバキュームロックチャンバ１６及び真空搬送室１４内の雰囲気の影響が抑制される。
なお、通過室調節工程（Ｓ２００）においては、ウエハ２を搬送する場合（処理状態）と同様に真空搬送ロボット６２等を動作させるようにしてもよい。具体的には、真空搬送ロボット６２のアーム６２ａをプロセスチャンバ１２やバキュームロックチャンバ１６に向けるとともに、基板載置部６２ｂをそれぞれの室内に移動させるようにしてもよい。ウエハ２の処理を行わないことを除いて、ウエハ２を搬送する場合と同様に真空搬送ロボット６２を動作させるようにしてもよい。
また、ウエハ２をプロセスチャンバ１２から搬出する場合を考慮して、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｄ及び真空搬送ロボット６２を動作させるようにしてもよい。具体的には、ゲートバルブ３２ｄの開閉を行うようにしたり、真空搬送ロボット６２をバキュームチャンバ１６ｂへ向けたりするようにしてもよい。
ゲートバルブ３２ａ〜３２ｄや真空搬送ロボット６２等をどのように動作させるかは、適宜設定することができる。
また、ウエハ２をプロセスチャンバ１２から搬出する場合を考慮して、ゲートバルブ３２ａ〜３２ｄ及び真空搬送ロボット６２を動作させるようにしてもよい。具体的には、ゲートバルブ３２ｄの開閉を行うようにしたり、真空搬送ロボット６２をバキュームチャンバ１６ｂへ向けたりするようにしてもよい。
ゲートバルブ３２ａ〜３２ｄや真空搬送ロボット６２等をどのように動作させるかは、適宜設定することができる。
ステップ２０６（Ｓ２０６）〜２１２（Ｓ２１２）における所定時間（Ｘ１）、（Ｘ２）、（Ｙ１）、（Ｙ２）は、プロセスチャンバ１２、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６の室内の雰囲気への影響に合わせて適宜設定することができる。
次に、通過室調節動作について説明する。
本実施形態においては、基板処理装置１０（少なくとも、プロセスチャンバ１２、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６）の装置状態が「待機状態」に、通過室調節動作を行うようになっている。通過室調節動作の実行中に処理開始指示があった場合は、この通過室調節動作を中断して基板処理工程を実行する。
図８は、通過室調節動作（Ｓ２０）に関するフローチャートを示す。
本実施形態においては、基板処理装置１０（少なくとも、プロセスチャンバ１２、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６）の装置状態が「待機状態」に、通過室調節動作を行うようになっている。通過室調節動作の実行中に処理開始指示があった場合は、この通過室調節動作を中断して基板処理工程を実行する。
図８は、通過室調節動作（Ｓ２０）に関するフローチャートを示す。
ステップ２２（Ｓ２２）において、モジュール（各チャンバ）は待機状態にある。
例えば、バキュームロックチャンバ１６ａ、真空搬送室１４、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂがそれぞれ待機状態となっている。
例えば、バキュームロックチャンバ１６ａ、真空搬送室１４、プロセスチャンバ１２ａ、１２ｂがそれぞれ待機状態となっている。
ステップ２４（Ｓ２４）において、予め定められた時間が経過したか否かを判定する。
予め定められた時間が経過していない場合はステップ２６（Ｓ２６）に進み、予め定められた時間が経過している場合はステップ３０（Ｓ３０）に進む。
予め定められた時間が経過していない場合はステップ２６（Ｓ２６）に進み、予め定められた時間が経過している場合はステップ３０（Ｓ３０）に進む。
ステップ２６（Ｓ２６）において、処理開始指示がなされたか否かを判定する。
処理開始指示がなされていない場合はステップ２４（Ｓ２４）に進み、処理開始指示がなされた場合は基板処理工程（Ｓ１００）を実行する。
処理開始指示がなされていない場合はステップ２４（Ｓ２４）に進み、処理開始指示がなされた場合は基板処理工程（Ｓ１００）を実行する。
ステップ３０（Ｓ３０）において、通過室調節工程（Ｓ２００）を開始する。
ステップ３２（Ｓ３２）において、処理開始指示がなされたか否かを判定する。
処理開始指示がなされていない場合はステップ３４（Ｓ３４）に進み、処理開始指示がなされた場合はステップ３６（Ｓ３６）に進む。
通過室調節動作の実行中において、処理開始指示がなされたか否かを判定するようになっている。
処理開始指示がなされていない場合はステップ３４（Ｓ３４）に進み、処理開始指示がなされた場合はステップ３６（Ｓ３６）に進む。
通過室調節動作の実行中において、処理開始指示がなされたか否かを判定するようになっている。
ステップ３４（Ｓ３４）において、通過室調節工程（Ｓ２００）を継続する。
例えば、通過室調節工程（Ｓ２００）中のステップ２０６（Ｓ２０６）を行っている場合であれば、工程をそのまま続行してステップ２０８（Ｓ２０８）に進む。あるいは、ステップ２１２（Ｓ２１２）を行っている場合であれば、工程をそのまま続行してステップ２０６（Ｓ２０６）に進む。
例えば、通過室調節工程（Ｓ２００）中のステップ２０６（Ｓ２０６）を行っている場合であれば、工程をそのまま続行してステップ２０８（Ｓ２０８）に進む。あるいは、ステップ２１２（Ｓ２１２）を行っている場合であれば、工程をそのまま続行してステップ２０６（Ｓ２０６）に進む。
ステップ３６（Ｓ３６）において、通過室調節工程（Ｓ２００）を中断する。
例えば、通過室調節工程（Ｓ２００）中のステップ２０６（Ｓ２０６）を行っている場合であれば、所定時間（Ｘ１）が経過するのを待たずにステップ２１４（Ｓ２１４）に進む。あるいは、ステップ２１２（Ｓ２１２）を行っている場合であれば、所定時間（Ｙ２）が経過するのを待たずにステップ２１４（Ｓ２１４）に進む。
なお、この場合において通過室調節工程（Ｓ２００）の各ステップの終了を待ってからステップ２１２（Ｓ２１２）に進むようにしてもよい。例えば、ステップ２０６（Ｓ２０６）を行っている場合であれば、所定時間（Ｘ１）が経過するのを待ってステップ２１４（Ｓ２１４）に進むようにしてもよい。
例えば、通過室調節工程（Ｓ２００）中のステップ２０６（Ｓ２０６）を行っている場合であれば、所定時間（Ｘ１）が経過するのを待たずにステップ２１４（Ｓ２１４）に進む。あるいは、ステップ２１２（Ｓ２１２）を行っている場合であれば、所定時間（Ｙ２）が経過するのを待たずにステップ２１４（Ｓ２１４）に進む。
なお、この場合において通過室調節工程（Ｓ２００）の各ステップの終了を待ってからステップ２１２（Ｓ２１２）に進むようにしてもよい。例えば、ステップ２０６（Ｓ２０６）を行っている場合であれば、所定時間（Ｘ１）が経過するのを待ってステップ２１４（Ｓ２１４）に進むようにしてもよい。
このように、待機状態において通過室調整動作を実行することで、基板処理工程（Ｓ１００）を開始するよりも前の段階で、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６の室内の雰囲気が、基板処理工程（Ｓ１００）が実行されている場合の雰囲気に近くなる。このため、処理を開始し始めた段階と、ある程度処理が継続された後の段階とにおける、真空搬送室１４及びバキュームロックチャンバ１６内の雰囲気の差が小さくなる。
上記実施形態においては、コントローラ８０において行われる各種の処理が、例えばプロセッサやメモリ等を備えたハードウエア資源においてプロセッサがＲＯＭに格納されたプログラムを実行することにより制御される構成としたが、これに限らず、この処理を実行するための各機能手段を独立したハードウエハ回路として構成するようにしてもよい。
上述した通過室調節動作は、データファイルを更新する更新プログラムを格納したフロッピー（登録商標）ディスクやＣＤ−ＲＯＭ等、コンピュータにより読み取り自在な記録媒体、及びプログラム自体としても把握できる。通過室調節動作プログラムを記録媒体からコンピュータに入力してプロセッサに実行させることにより、通過室調節動作が遂行される。
上述した通過室調節動作は、データファイルを更新する更新プログラムを格納したフロッピー（登録商標）ディスクやＣＤ−ＲＯＭ等、コンピュータにより読み取り自在な記録媒体、及びプログラム自体としても把握できる。通過室調節動作プログラムを記録媒体からコンピュータに入力してプロセッサに実行させることにより、通過室調節動作が遂行される。
基板処理装置は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようにガラス基板を処理する装置であってもよい。成膜処理には、例えば、ＣＶＤやＰＶＤ、酸化膜及び／又は窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等が含まれる。成膜処理の他、アニールや酸化、拡散等の基板処理に適用するようにしてもよい。さらに、露光装置やリソグラフィ装置、塗布装置、乾燥装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置等に適用するようにしてもよい。
［本発明の好ましい態様］
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
（付記１）
本発明の一態様によれば、
基板に処理を施す処理室と、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を備えた第一搬送室と、大気圧状態から前記真空状態に減圧可能な予備室と、少なくとも前記第一搬送機構を制御して、前記予備室と前記処理室との間の前記基板の搬送を制御する搬送制御部と、前記予備室内の圧力及び前記処理室内の基板処理を制御する処理制御部とを備えた基板処理装置であって、
所定期間内に前記処理室内での基板処理が実行されない場合、
前記処理制御部は、前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整し、
前記搬送制御部は、予め指定されている時間、前記予備室の前記第一搬送室側の開閉部及び前記処理室の開閉部をそれぞれ開放する基板処理装置が提供される。
本発明の一態様によれば、
基板に処理を施す処理室と、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を備えた第一搬送室と、大気圧状態から前記真空状態に減圧可能な予備室と、少なくとも前記第一搬送機構を制御して、前記予備室と前記処理室との間の前記基板の搬送を制御する搬送制御部と、前記予備室内の圧力及び前記処理室内の基板処理を制御する処理制御部とを備えた基板処理装置であって、
所定期間内に前記処理室内での基板処理が実行されない場合、
前記処理制御部は、前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整し、
前記搬送制御部は、予め指定されている時間、前記予備室の前記第一搬送室側の開閉部及び前記処理室の開閉部をそれぞれ開放する基板処理装置が提供される。
（付記２）
好ましくは、前記第一搬送機構は、前記基板を載置する載置部（アーム）を備え、前記搬送制御部は、前記第一搬送機構を予め決められた位置に移動（若しくは回転）させてから前記載置部を前記処理室に向けるように構成されている付記１記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記第一搬送機構は、前記基板を載置する載置部（アーム）を備え、前記搬送制御部は、前記第一搬送機構を予め決められた位置に移動（若しくは回転）させてから前記載置部を前記処理室に向けるように構成されている付記１記載の基板処理装置が提供される。
（付記３）
好ましくは、前記処理制御部による前記予備室の圧力調整と、前記搬送制御部による前記予備室の前記第一搬送室側の開閉部及び前記処理室の開閉部を開放させる制御と、を所定時間まで繰り返す付記１記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記処理制御部による前記予備室の圧力調整と、前記搬送制御部による前記予備室の前記第一搬送室側の開閉部及び前記処理室の開閉部を開放させる制御と、を所定時間まで繰り返す付記１記載の基板処理装置が提供される。
（付記４）
好ましくは、前記処理制御部及び前記搬送制御部による制御は、前記処理室内での基板処理を開始するまで実行される付記３記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記処理制御部及び前記搬送制御部による制御は、前記処理室内での基板処理を開始するまで実行される付記３記載の基板処理装置が提供される。
（付記５）
好ましくは、前記搬送制御部における前記載置部を前記処理室に向ける制御は、前記処理室の数だけ実行される付記２記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記搬送制御部における前記載置部を前記処理室に向ける制御は、前記処理室の数だけ実行される付記２記載の基板処理装置が提供される。
（付記６）
好ましくは、更に、Ｉｄｌｅ状態、Ｓｔａｎｄｂｙ状態、Ｒｅａｄｙ状態、Ｒｕｎ状態を含む各状態（ステータス）の遷移を制御する状態遷移部を少なくとも備え、
前記処理制御部は、前記Ｒｅａｄｙ状態が所定期間継続すると、前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整し、
前記搬送制御部は、予め指定されている時間、前記予備室の開閉部及び前記処理室の開閉部を開放する付記１記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、更に、Ｉｄｌｅ状態、Ｓｔａｎｄｂｙ状態、Ｒｅａｄｙ状態、Ｒｕｎ状態を含む各状態（ステータス）の遷移を制御する状態遷移部を少なくとも備え、
前記処理制御部は、前記Ｒｅａｄｙ状態が所定期間継続すると、前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整し、
前記搬送制御部は、予め指定されている時間、前記予備室の開閉部及び前記処理室の開閉部を開放する付記１記載の基板処理装置が提供される。
（付記７）
好ましくは、前記状態遷移部により前記Ｒｅａｄｙ状態から前記Ｒｕｎ状態へ移行されると、
前記搬送制御部は、前記予備室の開閉部及び前記処理室の開閉部をそれぞれ閉じ、
前記処理制御部は、前記予備室内の圧力を大気圧へ戻す付記６記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記状態遷移部により前記Ｒｅａｄｙ状態から前記Ｒｕｎ状態へ移行されると、
前記搬送制御部は、前記予備室の開閉部及び前記処理室の開閉部をそれぞれ閉じ、
前記処理制御部は、前記予備室内の圧力を大気圧へ戻す付記６記載の基板処理装置が提供される。
（付記８）
本発明の他の態様によれば、
基板に処理を施す処理室と、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を備えた第一搬送室と、大気圧状態から前記真空状態に減圧可能な予備室と、Ｉｄｌｅ状態、Ｓｔａｎｄｂｙ状態、Ｒｅａｄｙ状態、Ｒｕｎ状態を含む各状態の遷移を制御する状態遷移部を少なくとも備えた主制御部（コントローラ）を有し、
前記主制御部は、前記Ｒｅａｄｙ状態が所定期間継続すると、前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整した後、予め指定されている時間、前記予備室の開閉部としてのゲートバルブ及び前記処理室の開閉部としてのゲートバルブを開放する基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板に処理を施す処理室と、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を備えた第一搬送室と、大気圧状態から前記真空状態に減圧可能な予備室と、Ｉｄｌｅ状態、Ｓｔａｎｄｂｙ状態、Ｒｅａｄｙ状態、Ｒｕｎ状態を含む各状態の遷移を制御する状態遷移部を少なくとも備えた主制御部（コントローラ）を有し、
前記主制御部は、前記Ｒｅａｄｙ状態が所定期間継続すると、前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整した後、予め指定されている時間、前記予備室の開閉部としてのゲートバルブ及び前記処理室の開閉部としてのゲートバルブを開放する基板処理装置が提供される。
（付記９）
本発明の他の態様によれば、
基板に処理を施す処理室と、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を備えた第一搬送室と、大気圧状態から前記真空状態に減圧可能な予備室と、Ｉｄｌｅ状態、Ｓｔａｎｄｂｙ状態、Ｒｅａｄｙ状態、Ｒｕｎ状態を含む各状態の遷移を制御する状態遷移部を少なくとも備えた主制御部（コントローラ）を有する基板処理装置の制御方法であって、
前記Ｒｅａｄｙ状態が所定期間継続すると、前記主制御部は、
前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整する圧力調整工程と、
前記予備室の開閉部としてのゲートバルブ及び前記処理室の開閉部としてのゲートバルブを予め指定されている時間開放する開放工程と、
を少なくとも実行する基板処理装置の制御方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板に処理を施す処理室と、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を備えた第一搬送室と、大気圧状態から前記真空状態に減圧可能な予備室と、Ｉｄｌｅ状態、Ｓｔａｎｄｂｙ状態、Ｒｅａｄｙ状態、Ｒｕｎ状態を含む各状態の遷移を制御する状態遷移部を少なくとも備えた主制御部（コントローラ）を有する基板処理装置の制御方法であって、
前記Ｒｅａｄｙ状態が所定期間継続すると、前記主制御部は、
前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整する圧力調整工程と、
前記予備室の開閉部としてのゲートバルブ及び前記処理室の開閉部としてのゲートバルブを予め指定されている時間開放する開放工程と、
を少なくとも実行する基板処理装置の制御方法が提供される。
（付記１０）
基板に処理を施す処理室と、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を備えた第一搬送室と、大気圧状態から前記真空状態に減圧可能な予備室と、Ｉｄｌｅ状態、Ｓｔａｎｄｂｙ状態、Ｒｅａｄｙ状態、Ｒｕｎ状態を含む各状態の遷移を制御する状態遷移部を少なくとも備えた主制御部（コントローラ）を有する基板処理装置を制御するコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記Ｒｅａｄｙ状態が所定期間継続すると、
前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整する圧力調整ステップと、
前記予備室の開閉部としてのゲートバルブ及び前記処理室の開閉部としてのゲートバルブを予め指定されている時間開放する開放ステップと、
をコンピュータに実行させるためのプログラム、及びコンピュータに読取自在でありこのプログラムを記録した記録媒体が提供される。
基板に処理を施す処理室と、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を備えた第一搬送室と、大気圧状態から前記真空状態に減圧可能な予備室と、Ｉｄｌｅ状態、Ｓｔａｎｄｂｙ状態、Ｒｅａｄｙ状態、Ｒｕｎ状態を含む各状態の遷移を制御する状態遷移部を少なくとも備えた主制御部（コントローラ）を有する基板処理装置を制御するコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記Ｒｅａｄｙ状態が所定期間継続すると、
前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整する圧力調整ステップと、
前記予備室の開閉部としてのゲートバルブ及び前記処理室の開閉部としてのゲートバルブを予め指定されている時間開放する開放ステップと、
をコンピュータに実行させるためのプログラム、及びコンピュータに読取自在でありこのプログラムを記録した記録媒体が提供される。
（付記１１）
好ましくは、前記状態遷移部により前記Ｒｅａｄｙ状態から前記Ｒｕｎ状態へ移行されると、
前記予備室の開閉部及び前記処理室の開閉部をそれぞれ閉じるステップと、
前記予備室内の圧力を大気圧へ戻すステップと、
をさらに有する付記１０記載のプログラム及び付記１０記載の記録媒体が提供される。
好ましくは、前記状態遷移部により前記Ｒｅａｄｙ状態から前記Ｒｕｎ状態へ移行されると、
前記予備室の開閉部及び前記処理室の開閉部をそれぞれ閉じるステップと、
前記予備室内の圧力を大気圧へ戻すステップと、
をさらに有する付記１０記載のプログラム及び付記１０記載の記録媒体が提供される。
（付記１２）
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部それぞれの開閉動作を制御する制御部と、
を有し、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開閉する基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部それぞれの開閉動作を制御する制御部と、
を有し、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開閉する基板処理装置が提供される。
（付記１３）
好適には、
前記搬送室に設けられ、基板を搬送する搬送部を備える搬送機構、
をさらに有し、
前記制御部は、前記搬送機構の動作を制御し、
基板を処理する処理工程が実行されていない場合に、前記搬送部の少なくとも一部を前記処理室へ向ける。
好適には、
前記搬送室に設けられ、基板を搬送する搬送部を備える搬送機構、
をさらに有し、
前記制御部は、前記搬送機構の動作を制御し、
基板を処理する処理工程が実行されていない場合に、前記搬送部の少なくとも一部を前記処理室へ向ける。
（付記１４）
好適には、
基板処理工程が開始されるまで、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が基板処理工程の実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部の開閉を繰り返す。
好適には、
基板処理工程が開始されるまで、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が基板処理工程の実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部の開閉を繰り返す。
（付記１５）
好適には、
複数の前記処理室、
を有し、
前記搬送部の少なくとも一部を複数の前記処理室それぞれへ向ける。
好適には、
複数の前記処理室、
を有し、
前記搬送部の少なくとも一部を複数の前記処理室それぞれへ向ける。
（付記１６）
好適には、
基板処理工程が実行されていない未処理状態は、指示が入力されていない未使用状態と、基板を処理する処理条件を調整する調整状態と、処理条件が調整された状態で処理開始の指示を待つ待機状態と、を含み、
待機状態において、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が処理工程の実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開閉する。
好適には、
基板処理工程が実行されていない未処理状態は、指示が入力されていない未使用状態と、基板を処理する処理条件を調整する調整状態と、処理条件が調整された状態で処理開始の指示を待つ待機状態と、を含み、
待機状態において、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が処理工程の実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開閉する。
（付記１７）
好適には、
処理開始の指示を受けて待機状態から処理状態となった場合、
前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を閉じ、前記予備室を大気圧状態とする。
好適には、
処理開始の指示を受けて待機状態から処理状態となった場合、
前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を閉じ、前記予備室を大気圧状態とする。
（付記１８）
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
を有する基板処理装置の制御方法であって、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開閉する基板処理装置の制御方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
を有する基板処理装置の制御方法であって、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開閉する基板処理装置の制御方法が提供される。
（付記１９）
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
を有する基板処理装置を制御するコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開閉するステップ、をコンピュータに実行させるためのプログラムが提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
を有する基板処理装置を制御するコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開閉するステップ、をコンピュータに実行させるためのプログラムが提供される。
（付記２０）
好適には、
処理工程が実行されていない未処理状態から、処理工程が実行される処理状態となった場合に、前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を閉じ、前記予備室を大気圧状態とするステップ、
をさらに有する。
好適には、
処理工程が実行されていない未処理状態から、処理工程が実行される処理状態となった場合に、前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を閉じ、前記予備室を大気圧状態とするステップ、
をさらに有する。
（請求項１よりも上位。搬送室と予備室とを区別せず、また、室内の条件を「温度・圧力」に限定せず「雰囲気」としたもの）
（付記２１）
基板を処理する処理室と、
開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室の真空状態を維持するように大気圧状態にある室から該処理室に搬送される基板が通過する通過室と、
前記開閉部の開閉動作を制御する制御部と、
を有し、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記通過室内の雰囲気が、基板処理工程が実行されている場合の雰囲気に近づくように前記開閉部を開閉する基板処理装置。
（付記２１）
基板を処理する処理室と、
開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室の真空状態を維持するように大気圧状態にある室から該処理室に搬送される基板が通過する通過室と、
前記開閉部の開閉動作を制御する制御部と、
を有し、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記通過室内の雰囲気が、基板処理工程が実行されている場合の雰囲気に近づくように前記開閉部を開閉する基板処理装置。
２ ウエハ
４ ポッド
１０ 基板処理装置
１２ プロセスチャンバ
１４ 真空搬送室
１６ バキュームロックチャンバ
１８ 大気搬送室
２０ ロードポート
６２ 真空搬送ロボット
６２ａ アーム
６２ｂ 基板載置部
７２ 大気搬送ロボット
７６ 制御装置
７８ 記憶装置
８０ コントローラ
８２ 統括制御部
８６ 操作装置
８８ ネットワーク
４ ポッド
１０ 基板処理装置
１２ プロセスチャンバ
１４ 真空搬送室
１６ バキュームロックチャンバ
１８ 大気搬送室
２０ ロードポート
６２ 真空搬送ロボット
６２ａ アーム
６２ｂ 基板載置部
７２ 大気搬送ロボット
７６ 制御装置
７８ 記憶装置
８０ コントローラ
８２ 統括制御部
８６ 操作装置
８８ ネットワーク
Claims (8)
- 基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部それぞれの開閉動作を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開にして前記処理室、前記搬送室及び前記予備室を連通させるよう制御する基板処理装置。 - 前記搬送室は、前記処理室へ真空状態で前記基板を搬送する第一搬送機構を有し、
前記第一搬送機構は、前記基板を載置する載置部を備え、
前記制御部は、前記第一搬送機構を予め決められた位置に移動させてから前記載置部を前記処理室に向けるように構成されている請求項１記載の基板処理装置。 - 前記制御部による前記予備室の前記搬送室側の開閉部及び前記処理室の前記搬送室側の開閉部を開放させる制御は、所定時間まで繰り返されるよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。
- 前記制御部による前記予備室の前記搬送室側の開閉部及び前記処理室の前記搬送室側の開閉部を開放させる制御は、前記処理室内での基板処理を開始するまで実行される請求項１記載の基板処理装置。
- 前記制御部における前記載置部を前記処理室に向ける制御は、前記処理室の数だけ実行される請求項２記載の基板処理装置。
- 更に、前記予備室の圧力を調整する処理制御部を有し、
前記処理制御部は、前記制御部による前記予備室の前記搬送室側の開閉部及び前記処理室の前記搬送室側の開閉部を開放させる制御と並行して、前記予備室の圧力を制御して前記処理室の圧力と一致するように調整する請求項３又は請求項４記載の基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
を有する基板処理装置の制御方法であって、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開にして前記処理室、前記搬送室及び前記予備室を連通させるよう制御する基板処理装置の制御方法。 - 基板を処理する処理室と、
真空状態を保持自在であり、第一の開閉部を介して前記処理室と連通し、該処理室に基板を搬送する搬送室と、
第二の開閉部を介して前記搬送室と連通し、該搬送室の真空状態を維持しながら大気圧状態にある室から該搬送室に基板を搬送する予備室と、
を有する基板処理装置を制御するコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
基板を処理する基板処理工程が実行されていない場合に、前記搬送室及び前記予備室の室内の圧力及び温度いずれかの条件が、基板処理工程が実行されている場合の条件に近づくように前記第一の開閉部及び前記第二の開閉部を開にして前記処理室、前記搬送室及び前記予備室を連通させるよう制御するステップ、をコンピュータに実行させるためのプログラム。
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