JP2014038895A - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来に比べて処理開始までの時間を短縮することができ、効率的に良好な処理を行うことのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】制御部は、処理チャンバーの待機時間と、待機状態から製品用の基板の処理を開始するまでに処理が必要なダミー基板の枚数との関係を示すダミーレシピを記憶する記憶手段を有し、処理を開始する際に、処理チャンバー毎の待機時間と、ダミーレシピとから、製品用の基板の処理が可能な処理チャンバーには製品用の基板を搬送し、ダミー基板の処理が必要な処理チャンバーにはダミー基板を搬送する。
【選択図】図２

Description

本発明は、真空処理装置及び真空処理方法に関する。

半導体装置の製造工程では、真空雰囲気下で半導体ウエハ等の基板に処理を施す真空処理、例えば、成膜処理やエッチング処理が実施されている。また、このような真空処理では、複数の処理チャンバーを具備したマルチチャンバー型の真空処理装置が使用されている。

マルチチャンバー型の真空処理装置では、例えば、内部に搬送機構が配設され真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送室が中央部に配設され、その周囲に、ゲートバルブ等からなる開閉機構を介して複数の処理チャンバー及びロードロック室が配設された構成等となっている。また、ロードロック室の外の大気雰囲気中には、複数の基板を収容可能とされた基板収容具（例えば、カセット又はフープ等）を複数載置可能とされた基板収容具載置部、及び、基板収容具載置部に載置された基板収容具と、ロードロック室との間で基板を常圧雰囲気下で搬送する搬送機構が配設された構成等となっている（例えば、特許文献１参照。）。

上記のような枚葉式の処理チャンバー内で成膜やエッチング等の処理を行う場合、処理結果（例えば、成膜処理における膜質等）は処理開始時の処理チャンバーの状態に依存し、処理開始前に長時間アイドル状態（待機状態）であった処理チャンバー等では、処理開始後数枚の基板については目標の処理結果を得られない場合がある。

このため、製品用基板（製品用ウエハ等）の処理に先立って、非製品用基板（ダミーウエハ等）を処理チャンバー内に搬入して処理を行い、処理チャンバー内を安定させた後、製品用基板の処理を開始することが行われている。この時、何枚の非製品用基板の処理を実施するかは、処理チャンバーがアイドル状態（待機状態）とされていた時間等に依存する。

上記構成のマルチチャンバー型の真空処理装置では、複数の処理チャンバーに順次基板を搬送し、これらの処理チャンバーで同一の処理を行い、１つのロットの製品用基板の処理を行う場合がある。この場合、処理開始時に、非製品用基板による処理を行う必要がある処理チャンバーがある場合は、この処理チャンバーに対して必要な枚数の非製品用基板を順次搬送して処理を行い、この非製品用基板の処理が終了した後に、製品用基板の搬送及び処理を開始している。

特開２０１２−１１９６２６号公報

上述したように、従来のマルチチャンバー型の真空処理装置では、処理開始時に、使用する処理チャンバーの中に使用開始前に非製品用基板による処理を行う必要があるものが含まれている場合、その処理チャンバーによる非製品用基板による処理を行った後、製品用基板の処理を開始するため、処理開始までに時間がかかり、処理の効率が低下するという問題があった。また、非製品用基板による処理を行っている間、他の処理チャンバーはアイドル状態となっているため、このアイドル状態の期間が長くなると例えば成膜処理における膜質の低下等を招くという問題があった。

本発明は、上記従来の事情に対処してなされたものであり、従来に比べて処理開始までの時間を短縮することができ、効率的に良好な処理を行うことのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供することを目的とする。

本発明の真空処理装置の一態様は、真空雰囲気下で基板に処理を施す真空処理装置であって、内部に真空搬送機構が配設され、真空雰囲気下で前記基板を搬送する真空搬送室と、前記真空搬送室に開閉機構を介して接続され、内部で基板を処理する複数の処理チャンバーと、前記真空搬送室と開閉機構を介して接続されたロードロックチャンバーと、複数の前記基板を収容可能な基板収容具を複数載置可能とされた基板収容具載置部と、前記基板収容具載置部に載置された前記基板収容具と前記ロードロックチャンバーとの間で前記基板を搬送する搬送機構と、装置全体の動作を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記処理チャンバーの待機時間と、待機状態から製品用の前記基板の処理を開始するまでに処理が必要なダミー基板の枚数との関係を示すダミーレシピを記憶する記憶手段を有し、処理を開始する際に、前記処理チャンバー毎の待機時間と、前記ダミーレシピとから、製品用の前記基板の処理が可能な前記処理チャンバーには製品用の前記基板を搬送し、前記ダミー基板の処理が必要な前記処理チャンバーには前記ダミー基板を搬送することを特徴とする。

本発明の真空処理方法の一態様は、真空雰囲気下で基板に処理を施す真空処理方法であって、内部に真空搬送機構が配設され、真空雰囲気下で前記基板を搬送する真空搬送室と、前記真空搬送室に開閉機構を介して接続され、内部で基板を処理する複数の処理チャンバーと、前記真空搬送室と開閉機構を介して接続されたロードロックチャンバーと、複数の前記基板を収容可能な基板収容具を複数載置可能とされた基板収容具載置部と、前記基板収容具載置部に載置された前記基板収容具と前記ロードロックチャンバーとの間で前記基板を搬送する搬送機構と、記憶手段を有し、装置全体の動作を制御する制御部とを具備した真空処理装置を用い、前記記憶手段に、前記処理チャンバーの待機時間と、待機状態から製品用の前記基板の処理を開始するまでに処理が必要なダミー基板の枚数との関係を示すダミーレシピを記憶させ、前記制御部は、処理を開始する際に、前記処理チャンバー毎の待機時間と、前記ダミーレシピとから、製品用の前記基板の処理が可能な前記処理チャンバーには製品用の前記基板を搬送し、前記ダミー基板の処理が必要な前記処理チャンバーには前記ダミー基板を搬送することを特徴とする。

本発明によれば、従来に比べて処理開始までの時間を短縮することができ、効率的に良好な処理を行うことのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る真空処理装置の平面構成を模式的に示す図。 図１の真空処理装置の動作を説明するための図。 図１の真空処理装置の動作を説明するためのフローチャート。 従来の真空処理装置の動作を説明するための図。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るマルチチャンバー型の真空処理装置の概略構成を模式的に示す図である。

真空処理装置１００は、真空雰囲気下で半導体ウエハＷを搬送するための真空搬送室１０１を備えており、この真空搬送室１０１内には、搬送ロボット１０２が配設されている。真空搬送室１０１は、その平面形状が略六角形とされており、真空搬送室の周囲には、真空雰囲気下で製品用ウエハＷに所定の真空処理、例えば、成膜処理又はエッチング処理等を施す複数（本実施形態では４つ）のプロセスモジュール（処理チャンバー）ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４が配設されている。

すなわち、これらの４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４は、平面形状が略六角形の真空搬送室１０１の４つの辺に沿って夫々配設されている。また、４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４と真空搬送室１０１との間には、これらの間を気密に閉塞する開閉機構、例えばゲートバルブ１１０が夫々配設されている。これらのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４は、その内部で製品用ウエハＷに所定の真空処理、例えば、ＣＶＤ等による成膜処理又はプラズマエッチング処理等を実施できるように構成されている。そして、各プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４は、ゲートバルブ１１０を開くことによって真空搬送室１０１と連通され、ゲートバルブ１１０を閉めることによって、真空搬送室１０１と気密に隔離された状態となる。

平面形状が略六角形の真空搬送室１０１の残りの２つの辺の部分には、夫々ロードロック室１２１，１２２が配設されている。これらのロードロック室１２１，１２２と真空搬送室１０１との間の開口部（図１中上側）、及びロードロック室１２１，１２２の大気側の開口部（図１中下側）には、夫々これらの間を気密に閉塞する開閉機構、例えばゲートバルブ１１０が夫々配設されている。ロードロック室１２１，１２２は、真空搬送室１０１側のゲートバルブ１１０を開閉することによって真空搬送室１０１と連通及び隔離され、大気側（図１中下側）のゲートバルブ１１０を開閉することによって大気雰囲気と連通及び隔離されるようになっている。

ロードロック室１２１，１２２の、真空搬送室１０１とは反対側（図１中下側）には、搬入搬出室１３０が設けられており、搬入搬出室１３０内には、大気雰囲気下で製品用ウエハＷを搬送するための搬送ロボット１３１が配設されている。

搬入搬出室１３０の手前側（図１中下側）には、製品用ウエハＷを収容する基板収容具としてのフープＦ（又はカセット）を載置するための基板収容具載置部としてのポート１３２，１３３，１３４が複数、本実施形態では３つ配設されている。また、搬入搬出室１３０の側方（図１中左側）には、製品用ウエハＷ等のノッチ等を検出して位置決めを行うための位置決め機構１３５が配設されている。

上記の３つのポート１３２，１３３，１３４のうちのいずれか、例えば、ポート１３４には、通常の製品用ウエハＷではなく、ダミーウエハＤＷを収容したフープＦが載置されている。ポート１３２，１３３，１３４の搬入搬出室１３０側には、夫々が図示しないシャッターが設けられており、ポート１３２，１３３，１３４にフープＦが載置されると、フープＦの蓋が外されるとともに、シャッターが開き、外気の侵入を防止しつつ搬入搬出室１３０内とフープＦ内とが連通されるようになっている。

搬入搬出室１３０内に配設された搬送ロボット１３１は、３つのポート１３２，１３３，１３４と、位置決め機構１３５と、ロードロック室１２１，１２２との間で製品用ウエハＷ及びダミーウエハＤＷを搬送する。なお、この搬送ロボット１３１及び真空搬送室１０１内の搬送ロボット１０２は、製品用ウエハＷ、ダミーウエハＤＷを２枚同時に支持できるようになっている。

また、真空処理装置１００には、制御部６０が配設されており、この制御部６０によってその動作が統括的に制御される。制御部６０には、ＣＰＵを備え、真空処理装置１００の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース部６２と、記憶部６３とが設けられている。

ユーザインターフェース部６２は、真空処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。

記憶部６３には、真空処理装置１００で実行される製品用ウエハＷ及びダミーウエハＤＷの搬送及び各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、真空処理装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。

次に、以上のように構成された真空処理装置１００における処理の流れについて説明する。ポート１３２，１３３，１３４にフープＦが載置されると、載置されたフープＦから、搬送ロボット１３１によって製品用ウエハＷ等を取り出し、位置決め機構１３５に搬入する。そして、位置決め機構１３５により製品用ウエハＷ等のノッチの位置を検出してその位置合わせを行った後、搬送ロボット１３１によって製品用ウエハＷ等を取り出し、ロードロック室１２１又はロードロック室１２２内に搬入する。

ロードロック室１２１又はロードロック室１２２では、搬送ロボット１３１が退避した後、製品用ウエハＷ等を搬入するために開いていた大気側（搬入搬出室１３０側）のゲートバルブ１１０を閉じ、室内を所定の真空度となるまで真空排気する。そして、室内が所定の真空度となった後、真空搬送室１０１側のゲートバルブ１１０を開き、真空搬送室１０１内の搬送ロボット１０２によって、製品用ウエハ等を、ロードロック室１２１又はロードロック室１２２内から搬出する。

次に、搬送ロボット１０２によって、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４のうちの所定のプロセスモジュールのゲートバルブ１１０を開き、ここに製品用ウエハＷ等を搬入し、ここで所定の処理、例えば、成膜処理、エッチング処理等を施す。

そして、処理が終了すると、プロセスモジュールのゲートバルブ１１０を開き、搬送ロボット１０２によって、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４から製品用ウエハＷ等を搬出し、この後、ロードロック室１２１又はロードロック室１２２のゲートバルブ１１０を開き、ここに搬入する。

次に、ロードロック室１２１又はロードロック室１２２のゲートバルブ１１０を閉じ、内部の圧力を大気圧とし、この後、大気側（搬入搬出室１３０側）のゲートバルブ１１０を開き、搬送ロボット１３１によって製品用ウエハＷ等を搬出して、ポート１３２，１３３，１３４の何れかに載置されているフープＦに収容する。

上記のような真空処理装置１００による処理において、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４で所定の処理を開始する際に、それ以前に一定時間以上待機状態（アイドル状態）であった場合、製品用ウエハＷの処理を開始する前に、ダミーウエハＤＷを搬入して処理を行い、その状態を安定化する処理（ダミーレシピ）が行われる。この場合、待機状態であった時間の長さやプロセスモジュール毎に処理を行うダミーウエハＤＷの枚数が異なる場合がある。

ダミーレシピの例を以下に示す。
ダミーレシピ１：ＰＭ１ アイドル時間が規定値以上であれば、３枚搬送
ダミーレシピ２：ＰＭ２ アイドル時間が規定値以上であれば、３枚搬送
ダミーレシピ３：ＰＭ３ アイドル時間が規定値以上であれば、１枚搬送
ダミーレシピ４：ＰＭ４ アイドル時間が規定値以上であれば、１枚搬送

上記のようなダミーレシピは、図１に示した制御部６０の記憶部６３に記憶されている。ここで、例えば４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４を用い、同一ロットの複数の製品用ウエハＷを、これらに順次搬入して処理を行う場合、何れかのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４について、ダミーレシピを実行する必要が有る場合、そのプロセスモジュールにダミーウエハＤＷを搬送して処理するダミーウエハ処理ブロックを実施し、その後、製品用ウエハを搬送して処理する製品用ウエハ処理ブロックを実施する必要がある。

以下、次のような製品レシピ
製品レシピ：ＰＭ１orＰＭ２orＰＭ３orＰＭ４ 製品用ウエハを１０枚処理
を実施する場合、すなわち、４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４を用い、１０枚の半導体ウエハＷを、これらに順次搬入して処理を行う場合、かつ、前記したダミーレシピ２とダミーレシピ３の実行が必要な場合について、従来の真空処理装置における処理手順について説明する。なお、４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４のうち、一部のプロセスモジュールのみダミーレシピを実行しなければならない場合としては、その前に実施した処理ではそのプロセスモジュールを使用していなかったため、アイドル時間が規定値以上となった場合や、そのプロセスモジュールをメンテナンスしていた場合等がある。

この場合、図４に示すように、まずダミーウエハ処理ブロックを実施する。なお、図４において上部に記載されたＰＭ１〜ＰＭ４は、夫々プロセスモジュールＰＭ１〜プロセスモジュールＰＭ４を示しており、その下部に記載されたダミーウエハＤＷ１〜ダミーウエハＤＷ４、及び、製品用ウエハＷ１〜製品用ウエハＷ１０は、そのプロセスモジュールに搬送されるウエハを示している。ダミーウエハ処理ブロックでは、
まず、プロセスモジュールＰＭ２に１枚目のダミーウエハＤＷ１を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ３に２枚目のダミーウエハＤＷ２を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ２に３枚目のダミーウエハＤＷ３を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ２に４枚目のダミーウエハＤＷ４を搬送する。

上記の工程により、プロセスモジュールＰＭ２に合計３枚のダミーウエハＤＷ１，３，４が搬送され、プロセスモジュールＰＭ２に１枚のダミーウエハＤＷ２が搬送され、ダミーウエハ処理ブロックが終了する。そして、次に製品用ウエハ処理ブロックを実施する。

図４に示すように、製品用ウエハ処理ブロックでは、
まず、プロセスモジュールＰＭ１に１枚目の製品用ウエハＷ１を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ３に２枚目の製品用ウエハＷ２を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ４に３枚目の製品用ウエハＷ３を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ１に４枚目の製品用ウエハＷ４を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ２に５枚目の製品用ウエハＷ５を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ３に６枚目の製品用ウエハＷ６を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ４に７枚目の製品用ウエハＷ７を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ１に８枚目の製品用ウエハＷ８を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ２に９枚目の製品用ウエハＷ９を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ３に１０枚目の製品用ウエハＷ１０を搬送する。

上記の製品用ウエハ処理ブロックの工程により、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４に合計１０枚の製品用ウエハＷが搬入され、処理される。この場合、製品用ウエハＷの搬送を開始する前に、プロセスモジュールＰＭ２に３枚のダミーウエハＤＷ、プロセスモジュールＰＭ３に１枚のダミーウエハＤＷを搬送するため、プロセスモジュールＰＭ１、プロセスモジュールＰＭ４及び先にダミーウエハＤＷの処理が終了したプロセスモジュールＰＭ３において待ち時間が発生する。これによって、処理効率の低下を招くとともに、待ち時間の発生によって処理品質の低下（例えば、成膜処理では膜質の低下）等を招く要因となっていた。

次に、本実施形態の真空処理装置１００において、上記と同一の製品レシピ及び前記したダミーレシピ２とダミーレシピ３を実行する場合の工程について、図２、図３を参照して説明する。上述したとおり、従来の真空処理装置では、装置全体でダミーウエハ処理ブロックと、製品用ウエハ処理ブロックとを切り換えていた。このため、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ３、ＰＭ４によって待ち時間が発生する場合が生じていた。これに対して真空処理装置１００では、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４毎に、処理するウエハの種別を管理し、ダミーウエハ処理ブロックと、製品用ウエハ処理ブロックとを切り換える。

以下、次のような製品レシピ
製品レシピ：ＰＭ１orＰＭ２orＰＭ３orＰＭ４ 製品用ウエハを１０枚処理
を実施する場合、すなわち、４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４を用い、１０枚の製品用ウエハＷを、これらに順次搬入して処理を行う場合、かつ、前記したダミーレシピ２とダミーレシピ３の実行が必要な場合について、真空処理装置１００における処理手順について説明する。なお、ダミーレシピの実施が必要であるか否かは、図１に示した制御部６０において、記憶部６３に記憶されたダミーレシピと、実際にプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４がアイドル状態であった時間とによって判定される。

図２に示すように、真空処理装置１００は、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ４に対しては直ちに製品用ウエハ処理ブロックを実施し、プロセスモジュールＰＭ２、ＰＭ３に対してはダミーウエハ処理ブロックを実施した後、製品用ウエハ処理ブロックを実施する。なお、図２において上部に記載されたＰＭ１〜ＰＭ４は、夫々プロセスモジュールＰＭ１〜プロセスモジュールＰＭ４を示しており、その下部に記載されたダミーウエハＤＷ１〜ダミーウエハＤＷ４、及び、製品用ウエハＷ１〜製品用ウエハＷ１０は、そのプロセスモジュールに搬送されるウエハを示している。真空処理装置１００では、
まず、プロセスモジュールＰＭ１に１枚目の製品用ウエハＷ１を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ２に１枚目のダミーウエハＤＷ１を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ３に２枚目のダミーウエハＤＷ２を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ４に２枚目の製品用ウエハＷ２を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ１に３枚目の製品用ウエハＷ３を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ２に３枚目のダミーウエハＤＷ３を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ３については、製品用ウエハ処理ブロックを実施し、４枚目の製品用ウエハＷ４を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ４に５枚目の製品用ウエハＷ５を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ１に６枚目の製品用ウエハＷ６を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ２に４枚目のダミーウエハＤＷ４を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ３に７枚目の製品用ウエハＷ７を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ４に８枚目の製品用ウエハＷ８を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ１に９枚目の製品用ウエハＷ９を搬送する。
次に、プロセスモジュールＰＭ２については、製品用ウエハ処理ブロックを実施し、１０枚目の製品用ウエハＷ１０を搬送する。

上記のように、本実施形態の真空処理装置１００では、例えば４つのプロセスモジュールＰＭ１、プロセスモジュールＰＭ２、プロセスモジュールＰＭ３、プロセスモジュールＰＭ４を用い、複数の製品用ウエハＷを、これらに順次搬入して同一の処理を行う場合、処理を開始する際に、直ちに処理を開始することのできるプロセスモジュールＰＭ１、プロセスモジュールＰＭ４には、製品用ウエハＷを搬送し、ダミーウエハＤＷの処理が必要なプロセスモジュールＰＭ２、プロセスモジュールＰＭ３にはダミーウエハＤＷを搬入する。そして、所定枚数のダミーウエハＤＷの処理が終了し、製品用ウエハＷの処理が可能となった時点でプロセスモジュールＰＭ２、プロセスモジュールＰＭ３には、製品用ウエハＷの搬送を開始して処理を行う。

したがって、ダミーウエハＤＷの処理が必要の無いプロセスモジュールＰＭ１、プロセスモジュールＰＭ４、及びダミーレシピが終了したプロセスモジュールＰＭ３に、処理開始までの待ち時間が生じることを抑制することができ、従来に比べて処理効率の向上を図ることができる。また、このような待ち時間が生じることを抑制することにより、成膜処理における膜質等の処理品質の悪化も抑制することができ、良好な処理を行うことができる。

図３は、真空処理装置１００の制御部６０（図１参照。）による処理手順を示すフローチャートである。図３に示すように、制御部６０では、処理を開始する際に、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４の内、前述したダミーレシピを実施する必要があるプロセスモジュールがあるか否かを判断する（ステップ３０１）。この判断は、記憶部６３（図１参照。）に記憶された前述したダミーレシピと、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４が実際に待機していた時間（アイドル時間）とから判断する。すなわち、そのプロセスモジュールのアイドル時間がダミーレシピに規定された規定値以上であれば、ダミーレシピを実施すると判断する。

上記判断の結果、ダミーレシピを実施する必要があるプロセスモジュールが無い場合は、全てのプロセスモジュールにおいて製品用ウエハ処理ブロックを実施し、所定の順で次に搬送を行うプロセスモジュール（搬送ＰＭ）に製品用ウエハを搬送し（ステップ３０２）、所定枚数の製品用ウエハを搬送し終えるまで繰り返し（ステップ３０３）、処理を終了する（ステップ３０４）。

一方、ダミーレシピを実施する必要があるプロセスモジュールが有る場合は、このプロセスモジュールについてはダミーウエハ処理ブロックを開始し、その他のプロセスモジュールについては製品用ウエハ処理ブロックを開始する。そして、次に搬送を行うプロセスモジュール（搬送ＰＭ）がダミーレシピを実施中か否かを判断し（ステップ３０５）、ダミーレシピを実施中の場合は、プロセスモジュール（搬送ＰＭ）にダミーウエハを搬送する（ステップ３０６）。一方、ダミーレシピを実施中でない場合は、プロセスモジュール（搬送ＰＭ）に製品用ウエハを搬送する（ステップ３０７）。

次に、ステップ３０１からの処理を繰り返し、全てのダミーレシピが終了し、ダミーレシピを実施しているプロセスモジュールが無くなった場合は、ステップ３０２からの処理を、所定枚数の製品用ウエハを搬送し終えるまで繰り返し（ステップ３０３）、処理を終了する（ステップ３０４）。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１００……真空処理装置、１０１……真空搬送室、１０２……搬送ロボット、１１０……ゲートバルブ、１２１，１２２……ロードロック室、１３０……搬入搬出室、１３１……搬送ロボット、１３２，１３３，１３４……ポート、１３５……位置決め機構、ＰＭ１〜ＰＭ４……プロセスモジュール、Ｗ……製品用ウエハ、ＤＷ……ダミーウエハ、Ｆ……フープ。

Claims (4)

1. 真空雰囲気下で基板に処理を施す真空処理装置であって、
   内部に真空搬送機構が配設され、真空雰囲気下で前記基板を搬送する真空搬送室と、
   前記真空搬送室に開閉機構を介して接続され、内部で基板を処理する複数の処理チャンバーと、
   前記真空搬送室と開閉機構を介して接続されたロードロックチャンバーと、
   複数の前記基板を収容可能な基板収容具を複数載置可能とされた基板収容具載置部と、
   前記基板収容具載置部に載置された前記基板収容具と前記ロードロックチャンバーとの間で前記基板を搬送する搬送機構と、
   装置全体の動作を制御する制御部と
   を具備し、
   前記制御部は、
   前記処理チャンバーの待機時間と、待機状態から製品用の前記基板の処理を開始するまでに処理が必要なダミー基板の枚数との関係を示すダミーレシピを記憶する記憶手段を有し、
   処理を開始する際に、前記処理チャンバー毎の待機時間と、前記ダミーレシピとから、製品用の前記基板の処理が可能な前記処理チャンバーには製品用の前記基板を搬送し、前記ダミー基板の処理が必要な前記処理チャンバーには前記ダミー基板を搬送する
   ことを特徴とする真空処理装置。
2. 請求項１記載の真空処理装置であって、
   前記処理チャンバー内で製品用の前記基板に成膜処理またはエッチング処理を行うことを特徴とする真空処理装置。
3. 請求項１又は２記載の真空処理装置であって、
   前記制御部は、前記処理チャンバーの待機時間が、前記ダミーレシピに規定された規定値以上であれば、前記ダミー基板を搬送する
   ことを特徴とする真空処理装置。
4. 真空雰囲気下で基板に処理を施す真空処理方法であって、
   内部に真空搬送機構が配設され、真空雰囲気下で前記基板を搬送する真空搬送室と、
   前記真空搬送室に開閉機構を介して接続され、内部で基板を処理する複数の処理チャンバーと、
   前記真空搬送室と開閉機構を介して接続されたロードロックチャンバーと、
   複数の前記基板を収容可能な基板収容具を複数載置可能とされた基板収容具載置部と、
   前記基板収容具載置部に載置された前記基板収容具と前記ロードロックチャンバーとの間で前記基板を搬送する搬送機構と、
   記憶手段を有し、装置全体の動作を制御する制御部と
   を具備した真空処理装置を用い、
   前記記憶手段に、前記処理チャンバーの待機時間と、待機状態から製品用の前記基板の処理を開始するまでに処理が必要なダミー基板の枚数との関係を示すダミーレシピを記憶させ、
   前記制御部は、処理を開始する際に、前記処理チャンバー毎の待機時間と、前記ダミーレシピとから、製品用の前記基板の処理が可能な前記処理チャンバーには製品用の前記基板を搬送し、前記ダミー基板の処理が必要な前記処理チャンバーには前記ダミー基板を搬送する
   ことを特徴とする真空処理方法。

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