TWI630672B - Substrate processing device, method of operating the same, and memory medium - Google Patents

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TWI630672B
TWI630672B TW104100939A TW104100939A TWI630672B TW I630672 B TWI630672 B TW I630672B TW 104100939 A TW104100939 A TW 104100939A TW 104100939 A TW104100939 A TW 104100939A TW I630672 B TWI630672 B TW I630672B
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Abstract

使基板處理裝置之生產率提升。
基板處理裝置，係具有：複數個處理單元，可對基板，以複數個種類之處理條件來執行複數個種類之處理；及基板搬送機構，將基板搬送至前述複數個處理單元。作為對於各處理單元的操作模式，可設定與所使用之處理液產生關聯的監視模式。在複數個處理單元之至少1個被設定成監視模式時，係對基板搬送機構，並非一律禁止製品基板搬入至被設定成該監視模式的處理單元，而是針對應進行與處理條件(該處理條件，係不同於與該監視模式產生關聯的處理條件)產生關聯之處理的製品基板，允許搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理單元之任一。

Description

基板處理裝置、其操作方法及記憶媒體
本發明，係關於操作基板處理裝置的技術，該基板處理裝置，係具備有複數個處理單元，可藉由自各個該些處理單元所準備之複數個種類之處理液所選擇的處理液，來處理半導體晶圓等的基板。
在基板處理裝置，係具備有載置被稱作卡匣、載體、FOUP等之複數個基板收納容器的載置部，且以複數個單片式處理單元並行處理從載置於載置部之基板收納容器中所取出的基板者。從基板收納容器搬送至處理單元，係藉由具備有一個或複數個搬送機構的搬送系統來予以進行。
在具有像這樣的複數個處理單元之基板處理裝置中，係在一般運轉時設定搬送排程，以便基板被依序搬入至空的(未裝載有基板)處理單元。
在上述形式的基板處理裝置中，係有可能產生各種狀況。例如為1個或複數個處理單元的故障。在該情況下，以儘可能抑制基板處理裝置之生產率下降的方 式，變更搬送排程。為其一例，在專利文獻1中，係記載有下述技術：在複數個處理單元並行同一處理而實施的基板處理裝置中，當任一處理單元故障時，將理應被搬送至已故障之處理單元的基板搬送至剩餘之健全的處理單元，從而進行處理。
又，存在有下述情形：在一般運轉時，在複 數個處理單元並行同一處理而實施的基板處理裝置中，進行製品基板之處理時，插入監測基板之處理。監測基板，係指例如用於試驗性地施行新製程條件的基板。在該情況下，為了處理監測基板，而分出從在一般運轉時進行製品基板之處理的複數個處理單元所選擇的1個或複數個處理單元。亦即，將所選擇的處理單元之操作模式設定成監視模式。非選擇之處理單元的操作模式，係被維持為進行製品基板之處理的正常模式。而且，對於被設定成監視模式的處理單元，係主要搬入監測基板，而禁止製品基板之搬入。製品基板之處理，係主要以維持為正常模式的處理單元來予以進行。但是，在像這樣的操作下，對於製品基板之基板處理裝置的生產率會下降。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開平11-16983號公報
本發明，係以下述情形為目的：即使處理單元被設定成監視模式時，亦使對於製品基板之基板處理裝置的生產率提升。
本發明，係提供一種基板處理裝置，其特徵係，在基板處理處置中，具備有：複數個處理單元，可對基板，以複數個種類之處理條件來執行複數個種類之處理；基板搬送機構，將基板搬送至前述複數個處理單元；控制裝置，控制前述基板搬送機構；及監視模式設定手段，作為前述各處理單元之操作模式，可進行與使用的處理條件產生關聯之監視模式的設定及解除，前述控制裝置，係根據由前述監視模式設定手段所設定的操作模式，使前述基板搬送機構搬送基板，而且，在前述複數個處理單元的至少1個被設定成監視模式時，對前述基板搬送機構，允許下述情形：將應進行與處理條件(該處理條件，係不同於與該監視模式產生關聯的處理條件)產生關聯之處理的製品基板，搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理單元之任一。
又，本發明，係提供一種操作方法，在具備有複數個處理單元(可對基板，以複數個種類之處理條件來執行複數個種類之處理)與基板搬送機構(將基板搬送至前述複數個處理單元)之基板處理裝置的操作方法中， 其特徵係，根據對前述複數個處理單元之各個而設定的操作模式，使前述基板搬送機構搬送基板，而且，在前述複數個處理單元的至少1個操作模式被設定成監視模式時，對前述基板搬送機構，允許下述情形：將應進行與處理條件(該處理條件，係不同於與該監視模式產生關聯的處理條件)產生關聯之處理的製品基板，搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理單元之任一。
而且，本發明，係提供一種記憶媒體，在具 備有複數個處理單元(可對基板，以複數個種類之處理條件來執行複數個種類之處理)、基板搬送機構(將基板搬送至前述複數個處理單元)及控制裝置(由控制前述基板搬送機構的控制裝置與控制前述基板搬送機構的電腦所構成)的基板處理裝置中，記憶可藉由前述電腦執行的程式，該記憶媒體，其特徵係，當前述程式被前述電腦執行時，前述控制裝置，係使上述操作方法執行於前述基板處理裝置。
根據本發明，並非一律禁止對設定成監視模式的處理單元搬入製品基板，而是允許搬入應進行與處理條件(該處理條件，係不同於與監視模式產生關聯的處理條件)產生關聯之處理的製品基板。因此，該部分製品基板之處理能力將提升，而可使基板處理裝置之製品基板的生產率提升。
1‧‧‧基板處理裝置(基板處理系統)
4‧‧‧控制裝置
13，17‧‧‧基板搬送機構(基板搬送裝置)
16(16-1~16-12)‧‧‧處理單元
[圖1]表示發明之一實施形態之基板處理系統(基板處理裝置)之概略構成的平面圖。
[圖2]表示圖1所示之處理單元之概略構成的側剖面圖。
[圖3]表示一部分處理單元被設定成監視模式時之基板搬送步驟的圖。
[圖4]表示一部分處理單元被設定成監視模式時之基板搬送步驟的圖。
[圖5]表示一部分處理單元被設定成監視模式時之基板搬送步驟的圖。
圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。在下述中，係為了使位置關係明確，而加以規定互相正交的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示，基板處理系統1，係具備有搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係相鄰而設。
搬入搬出站2，係具備有載體載置部11與搬送部12。在載體載置部11，係載置有以水平狀態收容複 數片晶圓W的複數個載體C。
搬送部12，係相鄰於載體載置部11而設置， 在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的基板保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用基板保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W之搬送。
處理站3，係相鄰於搬送部12而設置。處理 站3，係具備有搬送部15與複數個處理單元16。複數個處理單元16，係排列設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置 17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的基板保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用基板保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W之搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬 送的晶圓W進行預定之基板處理。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。 控制裝置4，係例如為電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有控制在基板處理系統1所執行之各種處理的程式。控制部18，係藉由讀出而執行記憶於記憶部19的程式，來控制基板處理系統1的動作。
另外，該程式，係記錄於可藉由電腦進行讀 取的記憶媒體者，且亦可為由該記憶媒體安裝於控制裝置 4之記憶部19者。作為可藉由電腦進行讀取的記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述所構成的基板處理系統1中，首 先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13，係從載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，而將取出的晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14的晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出，而搬入至處理單元16。
被搬入至處理單元16的晶圓W，係在藉由處 理單元16予以處理後，被基板搬送裝置17從處理單元16搬出，載置於收授部14。而且，被載置於收授部14之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13返回到載體載置部11的載體C。
接下來，參閱圖2說明處理單元16之概略構 成。圖2，係表示處理單元16之概略構成的圖。
如圖2所示，處理單元16，係具備有腔室 20、基板保持機構30、處理流體供給部40及回收杯體50。
腔室20，係收容有基板保持機構30、處理流 體供給部40及回收杯體50。在腔室20之頂部，係設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21，係在腔室20內形成降流。
基板保持機構30，係具備有保持部31、支柱 部32及驅動部33。保持部31，係水平地保持晶圓W。支柱部32，係延伸於垂直方向的構件，基端部係藉由驅動部33可旋轉地支撐，而在前端部水平地支撐保持部31。 驅動部33，係使支柱部32繞著垂直軸旋轉。該基板保持機構30，係使用驅動部33來使支柱部32旋轉，藉由此，使支撐於支柱部32的保持部31旋轉，藉此，使保持於保持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40，係對晶圓W供給處理流 體。處理流體供給部40，係被連接於處理流體供給源70。
回收杯體50，係被配置為包圍保持部31，加 以捕捉因保持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收杯體50的底部，係形成有排液口51，由回收杯體50所捕捉的處理液，係從該排液口51被排出至處理單元16的外部。又，在回收杯體50的底部，係形成有排氣口52，該排氣口52，係將從FFU21所供給的氣體朝處理單元16的外部排出。
在本實施形態中，係對1個處理單元16分別 設置有複數組處理流體供給部40及處理流體供給源70之組。各組，係可對晶圓W供給不同的藥液，例如低濃度的DHF(稀氫氟酸)、超低濃度的DHF、SC-1、SC-2。
上述的控制裝置4，係控制藉由基板搬送裝置 13及基板搬送裝置17所進行之載體C及處理單元16間的搬送。
可對控制裝置4，設定各處理單元16之操作 模式。能夠從控制設置於半導體裝置製造工廠之複數個基板處理系統之控制裝置(在此，係相當於該基板處理系統1的控制裝置4)之未圖示的上位控制裝置(主電腦)，經由有線或無線的通信線路來進行操作模式之設定。取而代之，亦可經由附設於基板處理系統1之未圖示的使用者介面(顯示器、鍵盤、觸控面板等)，來進行操作模式之設定。所設定之各處理單元16的操作模式，係被記憶於控制裝置4的記憶部19。
處理單元16之操作模式，係有正常模式、監 視模式及維修模式。
正常模式，係用於隨著所指定之處理配方而 對製品晶圓PW施予預定處理的操作模式。
監視模式，係用於隨著所指定之處理配方而 對監測晶圓MW(非製品晶圓W的試驗用晶圓)施予預定處理的操作模式。監測晶圓MW，係指用於進行適用於製品晶圓PW前之新處理配方的試運行，或者任意處理配方對該處理單元16之適切性確認(例如，確認該處理單元16是否可適切地執行在其他處理單元16或其他基板處理系統1中有實際成效的處理配方)等的晶圓。
維修模式，係指為了進行定期或預定的維 修，或者為了故障排除，而停止該處理單元16，並且禁止搬入新晶圓的操作模式。另外，在某處理單元16被設定成維修模式起至解除維修模式的期間，係設成為不存在 該處理單元16，而進行晶圓之搬送排程之決定。在下述的說明中，係為了簡略說明，而設成為不存在處理單元16者(該處理單元16，係被設定成維修模式)。
在本案申請人之習知技術中，被設定成監視 模式的處理單元16，係僅允許監測晶圓MW之搬入(註：晶圓，雖係在被搬入至處理單元16之後，以該處理單元16予以處理，但為了簡略記載，有時亦僅記為「搬入」)，而禁止製品晶圓PW之搬入。亦即，在該處理單元16中，係僅允許監測晶圓MW之搬入，而禁止製品晶圓PW之搬入。亦即，當一次對1個以上之處理單元16設定監測模式時，則僅利用未設定成監測模式之剩餘的處理單元16來進行製品晶圓PW之處理。在該操作法則下，依情況不同，對於製品晶圓PW之基板處理系統1的生產率將大幅下降。
因此，在本實施形態中，監測模式之設定， 係設定與以對監測晶圓MW施予之處理為特徵的處理條件，具體而言，例如被使用於處理的處理液(特別是主要的藥液)產生關聯的監測模式。例如，對搬入至處理單元16的監測晶圓MW，依序施予DHF藥液洗淨、DIW沖洗、IPA(異丙醇)置換、氮氣環境中的旋轉乾燥。在該情況下，由於DIW沖洗、IPA(異丙醇)置換及氮氣環境中的旋轉乾燥，係在藥液洗淨之後所進行的一般處理(其中，有可能進行部分變更)，因此，以對於監測晶圓MW之處理為特徵的處理液，係DHF。因此，在預定像這樣之 處理的監測晶圓MW被搬入至基板處理系統1時，係以「監視模式(DHF)」之形式，來設定監視模式。
另外，在本實施形態中，濃度不同之同種類 的藥液，係作為不同藥液來處理，又，即使為同一組成，溫度不同之藥液亦作為不同藥液來處理。若可利用濃度不同的DHF，則能夠像「監視模式(超低濃度DHF)」或「監視模式(低濃度DHF)」般地來設定監視模式。又，若可利用溫度不同的DHF，則能夠像「監視模式(60℃ DHF)」或「監視模式(80℃ DHF)」般地來設定監視模式。而且，綜合考慮溫度與濃度，能夠像「監視模式(60℃低濃度DHF)」般地來設定監視模式。
而且，在本實施形態中，並非一律禁止對被 設定成監視模式的處理單元16搬入製品晶圓PW。亦即，在以對製品晶圓PW施予之處理為特徵而與該處理產生關聯的處理液，和監視模式之設定時與該監視模式產生關聯的處理液不一致時，允許製品晶圓PW搬入至該處理單元16。另外，可根據與以對上述監測晶圓MW施予之處理為特徵而與該處理產生關聯之處理液相同的想法，來決定「以對製品晶圓PW施予之處理為特徵而與該處理產生關聯的處理液」。
亦包含該觀點，在複數個處理單元16中之至 少1個被設定成監視模式時，控制裝置4，係隨著以下的操作法則，來決定晶圓(製品晶圓PW、監測晶圓MW)的搬送排程。
(1)允許下述情形：將應進行與處理條件(該處理條件，係不同於與該監視模式產生關聯的處理液)產生關聯之處理的製品晶圓PW，搬入至被設定成該監視模式之處理單元16之任一。
(2)禁止下述情形：將應進行與處理液(該處理液，係相同於與該監視模式產生關聯的處理液)產生關聯之處理的製品晶圓PW，搬入至被設定成該監視模式之處理單元16之任一。
(3)將應使用與該監視模式產生關聯的處理液進行處理的監測晶圓MW搬入至被設定成該監視模式之處理單元16之任一。
(4)將應使用與該監視模式產生關聯的處理液進行處理的監測晶圓MW，比製品晶圓PW更優先地搬入至被設定成該監視模式的處理單元16。
上述(1)，係在本實施形態中，必需遵守的操作法則。上述(2)(3)，係雖在本實施形態中，為任意選定的操作法則，遵循該操作法則為較佳，但不一定要遵循。 上述(4)雖亦為任意選定的操作法則，遵循該操作法則為較佳，但不一定要遵循。作為任意選定之操作法則的(2)~(4)的選定優先度，係(2)>(3)>(4)。
控制裝置，係根據基於上述所決定的搬送排 程，使該基板處理系統中構成基板搬送機構的基板搬送裝置13、17動作，將監測晶圓MW及製品晶圓PW搬入至處理單元16。
在下述中，說明關於根據上述操作法則所執 行之晶圓搬送的具體例。
為了方便說明，而對各處理單元16賦予ID 編號。具體而言，如圖3所示，從圖中下段的左邊起依予賦予16-1，16-2，16-3，16-4，16-5，16-6之ID編號，從圖中上段的左邊起依予賦予16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12之ID編號。
首先，簡單地說明關於所有處理單元16被設 定成正常模式的情形。在該情況下，從載體C(該載體C，係將製品晶圓PW收容於載體載置部11)所取出的製品晶圓PW，係被依序地搬送至空的處理單元16。例如，一開始的12片製品晶圓PW，係被搬送至處理單元16-1，16-2，16-3，16-4，16-5，16-6，16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12。由於只要處理單元16中沒有發生故障，處理單元16之處理就會結束而處理單元16逐漸變空，故第13片以後的製品晶圓PW亦會被搬入至空的處理單元16。
接下來，說明關於至少1個處理單元16被設 定成監視模式，而剩餘的處理單元16被設定成正常模式的情形。在此，處理單元16-1，16-2，16-3，係被設定成「監視模式(藥液A)」(在圖中處理單元16之框內，標記為M)，剩餘的處理單元16-4，16-5，16-6，16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12，係被設定成正常模式(在圖中處理單元16之框內，標記為N)。作為一例， 藥液A，係指HF：DIW為1：1000的DHF。
[情形1]
如上述，在進行操作模式之設定後，收容製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定施予與藥液A產生關聯的處理)的載體C，係被搬入至載體載置部11。在該情況下，根據本實施形態之前述的操作法測，在被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中，係禁止製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定施予與藥液A產生關聯的處理)之搬入。
因此，如圖3所示，預定施予與藥液A產生 關聯之處理的製品晶圓PW，係被搬入至處理單元16-4，16-5，16-6，16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12中之空的處理單元，而在所搬入之處理單元內施予與藥液A產生關聯的處理。
[情形2]
如上述，在進行操作模式之設定後，收容製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定施予與不同於藥液A之藥液B產生關聯的處理)的載體C，係被搬入至載體載置部11。在該情況下，根據本實施形態之前述的操作法則，在被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中，允許製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定施予與藥液B產生關聯的處理)之搬入。
因此，如圖4所示，預定進行與藥液B產生 關聯之處理的製品晶圓PW，係被搬入至處理單元16-1，16-2，16-3，16-4，16-5，16-6，16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12中之空的處理單元，而在所搬入的處理單元內施予使用了藥液B的液處理。
[情形3]
如上述，在進行操作模式之設定後，收容製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定施予與不同於藥液A之藥液B產生關聯的處理)的載體C1，係被搬入至載體載置部11，而且，收容監測晶圓MW(該監測晶圓MW，係預定施予與藥液A產生關聯的處理)的其他載體C2，係被搬入至載體載置部11。
在該情況下，根據本實施形態之前述的搬入 基準，在被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中，允許製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入。 又，在被設定成正常模式的處理單元16-4，16-5，16-6，16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12中，亦允許製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入。
又，允許對被設定成「監視模式(藥液 A)」的處理單元16-1，16-2，16-3，搬入預定施予與藥液A產生關聯之處理的監測晶圓MW。
另外，如上述，在被設定成「監視模式(藥 液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中，雖允許製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入，但在被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中，係按照上述之操作法則(4)，優先進行監測晶圓MW(該監測晶圓MW，係預定施予與藥液A產生關聯的處理)之搬入。因此，只要存在有未搬入(未處理)的監測晶圓MW(該監測晶圓MW，係預定施予與藥液A產生關聯的處理)，則在被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16中，就不會進行製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入。
因此，預定進行與藥液B產生關聯之處理的 製品晶圓PW，係如圖5所示，依序被搬入至處理單元16-4，16-5，16-6，16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12中之空的處理單元，而在所搬入的處理單元內施予與藥液B產生關聯的處理。又，預定施予與藥液A產生關聯之處理的監測晶圓MW，係依序被搬入至處理單元16-1，16-2，16-3中之空的處理單元，而在所搬入的處理單元內施予與藥液A產生關聯的處理。
然而，在上述的情形3中，例如在搬入至載 體載置部11之監測晶圓MW的最後二片被搬入到被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中之處理單元16-1，16-2時，亦即總之在產生未預定搬 入新監測晶圓MW的處理單元(該情形，為處理單元16-3)時，係可在該處理單元(處理單元16-3)進行製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入。
[情形4]
如上述，在進行操作模式之設定後，收容製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定施予與不同於藥液A之藥液B產生關聯的處理)的載體C1，係被搬入至載體載置部11，而且，收容監測晶圓MW(該監測晶圓MW，係預定施予與藥液A產生關聯的處理)的其他載體C2，係被搬入至載體載置部11。亦即，形成與上述情形3相同的狀況。另外，在該情形4中，係對上述之情形1~3變更操作法則的一部分。
在該情況下，與情形3相同，根據本實施形 態之前述的搬入基準，在被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中，允許製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入。又，在被設定成正常模式的處理單元16-4，16-5，16-6，16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12中，亦允許製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入。
又，與情形3相同，允許對被設定成「監視 模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3，搬入預 定施予與藥液A產生關聯之處理的監測晶圓MW。
另外，如上述，在被設定成「監視模式(藥 液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中，雖允許製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入，但當監測晶圓MW已在設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中處理時，製品晶圓PW，係被排除於搬送至被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3，而不進行搬送至該些處理單元。亦即，與情形3相同地形成為圖5所示的搬送狀態。
因此，預定進行與藥液B產生關聯之處理的 製品晶圓PW，係被搬入至處理單元16-4，16-5，16-6，16-7，16-8，16-9，16-10，16-11，16-12中之空的處理單元，在所搬入的處理單元中旋予與藥液B產生關聯的處理。
然而，在上述的情形3中，例如在搬入至載 體載置部11之監測晶圓MW的最後二片被搬入到被設定成「監視模式(藥液A)」的處理單元16-1，16-2，16-3中之處理單元16-1，16-2時，亦即總之在產生未預定搬入新監測晶圓MW的處理單元(該情形，為處理單元16-3)時，係可在該處理單元(處理單元16-3)進行製品晶圓PW(該製品晶圓PW，係預定進行與藥液B產生關聯的處理)之搬入。
說明關於各處理單元16之正常模式及監視模 式間之轉換時序的一例。在對控制裝置4輸入針對某處理單元16之從正常模式轉換至監視模式的指示時，若該處理單元16中沒有處理中的晶圓，則立即進行從正常模式轉換至監視模式。若該處理單元16中有處理中的晶圓，則在從該處理單元16搬出其處理中的晶圓之後，進行從正常模式轉換至監視模式。
在對控制裝置4輸入針對某處理單元16之從 監視模式轉換至正常模式的指示(監視模式解除的指示)時，在成為目前處理對象之批次的所有製品晶圓之處理結束，而返回原來的載體C後，進行從監視模式轉換至正常模式。
上述係一例，正常模式及監視模式間的轉換 時序，係不限定於上述者。無論在任意時序進行正常模式及監視模式間的轉換，為了基板處理系統1之順利的操作，若對複數個處理單元16設定監視模式，則同時對該些複數個處理單元16進行該監視模式的設定為較佳。 又，為了提高搬送排程的設定自由度，而對於應設定監視模式的各處理單元16，確保用於處理預定片數的監測晶圓MW所需之最低限度的監視模式設定時間為較佳。
在對被設定成監視模式的處理單元16，僅容 許監測晶圓MW之搬入，而禁止所有製品晶圓PW之搬入的習知技術中，當如上述以充裕的時序來進行轉換及解除至監視模式時，則有可能發生如下述之問題。例如，當處理單元16在以必要以上之較早的時序轉換至監視模式時 (例如在收容有監測晶圓MW的載體C被搬入至載體載 置部11之前，1個或複數個處理單元16轉換至監視模式時)，即使轉換至監視模式的處理單元16變空，製品晶圓PW亦不會被搬入至該處理單元16。又，在某一個處理單元16中處理應進行處理之複數個監測晶圓MW中之最後的監測晶圓MW時，即使形成為監視模式之其他的一個或複數個處理單元16變空，製品晶圓PW亦不會被搬入至該空的處理單元16。該些是與單位時間內之製品晶圓PW之處理片數的減少，亦即生產率之下降有關。
對此，在本實施形態中，並非一律禁止對轉 換成監視模式的處理單元16搬入製品晶圓PW，而是允許製品晶圓PW搬入至該處理單元16，該製品晶圓PW，係(a)與所使用的藥液產生關聯地設定監視模式，(b)針對被設定成監視模式的處理單元16，施予與藥液(該藥液，係不同於在監視模式之設定時所產生關聯的藥液(處理液))產生關聯的處理。不允許搬入至該處理單元16的僅是被施予與藥液(該藥液，係相同於與在監視模式之設定時產生關聯的藥液)產生關聯之處理的製品晶圓PW。因此，由於可防止具有足以處理製品晶圓PW之餘裕之處理單元16白白成為休眠狀態的情形，故可將基板處理系統1之生產率的下降抑制至最低限度。
另外，在上述實施形態中，雖然在監視模式 之設定時所產生關聯的藥液，係在被設定成監視模式之所有的處理單元16中為相同(上述的例中，係全為藥液 A)，但並非限定於此。例如亦可對處理單元16-1設定「監視模式(藥液A)」，且對處理單元16-2設定「監視模式(藥液B)」。
又，在上述實施形態中，雖然在監視模式之 設定時所產生關聯的藥液為一種，但亦可與二種以上的藥液產生關聯(例如「監視模式(藥液A/藥液B)」)。對於被設定成「監視模式(藥液A/藥液B)」的處理單元16，係亦可禁止成為被施予與藥液A及藥液B兩者產生關聯之處理的製品晶圓PW之搬入。又，取而代之，亦可禁止成為被施予與藥液A及藥液B中之至少任一方產生關聯之處理的製品晶圓PW之搬入。
又，在上述的實施形態中，雖係使用了被使 用於處理之處理液的種類來作為處理條件(該處理條件，係以對監測晶圓MW施予的處理為特徵)，但並不限定於此。亦可選擇下述者作為像這樣的處理條件，其包括：在用於處理之處理流體為包含有液體或氣體時之該液體或氣體的種類、溫度、壓力及濃度；在用於處理之處理流體為液體及氣體之混合流體時之該些液體及氣體的混合比；及處理為洗淨處理時之用於該洗淨處理的物理性洗淨構件(例如刷子等)。
在上述實施形態中，基板雖為半導體晶圓， 但並不限定於此，亦可為能被用於半導體製造之領域的任意種類基板，例如玻璃基板、陶瓷基板等。

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係，在基板處理處置中，具備有：複數個處理單元，可對基板，以複數個種類之處理條件來執行複數個種類之處理；基板搬送機構，將基板搬送至前述複數個處理單元；控制裝置，控制前述基板搬送機構；及監視模式設定手段，作為前述各處理單元之操作模式，可進行與使用的處理條件產生關聯之監視模式的設定及解除，前述控制裝置，係根據由前述監視模式設定手段所設定的操作模式，使前述基板搬送機構搬送基板，而且，在前述複數個處理單元的至少1個被設定成監視模式時，對前述基板搬送機構，允許下述情形：將應進行與處理條件(該處理條件，係不同於與該監視模式產生關聯的處理條件)產生關聯之處理的製品基板，搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理單元之任一。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制裝置，係在前述複數個處理單元的至少1個被設定成監視模式時，對前述基板搬送機構，使應使用與該監視模式產生關聯的處理條件進行處理的監測基板搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理單元的任一，且禁止將應進行與處理條件(該處理條件，係相同於 與該監視模式產生關聯的處理條件)產生關聯之處理的製品基板，搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理單元之任一。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述控制裝置，係在前述至少1個處理單元被設定成監視模式時，對前述基板搬送機構，使應使用與該監視模式產生關聯的處理條件進行處理的監測基板比製品基板更優先地搬入至被設定成該監視模式的處理單元。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述控制裝置，係在前述至少1個處理單元被設定成監視模式時，使用在被設定成該監視模式的處理單元中與該監視模式產生關聯的處理條件，予以處理監測晶圓後，禁止製品基板搬入至被設定成該監視模式的處理單元。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之基板處理裝置，其中，前述監視模式設定手段，係指可將指令傳送至前述控制裝置的上位控制裝置，或者可將指令輸入至前述控制裝置的使用者介面。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之基板處理裝置，其中，前述處理條件，係從下述者所構成之群組中所選擇的至少一個條件，其包括：在用於處理之處理流體為包含有液體或氣體時之該液體或氣體的種類、溫度、壓力及濃度； 在用於處理之處理流體為液體及氣體之混合流體時之該些液體及氣體的混合比；及處理為洗淨處理時之用於該洗淨處理的物理性洗淨構件。
  7. 一種操作方法，在具備有複數個處理單元(可對基板，以複數個種類之處理條件來執行複數個種類之處理)與基板搬送機構(將基板搬送至前述複數個處理單元)之基板處理裝置的操作方法中，其特徵係，根據對前述複數個處理單元之各個而設定的操作模式，使前述基板搬送機構搬送基板，而且，在前述複數個處理單元的至少1個操作模式被設定成監視模式時，對前述基板搬送機構，允許下述情形：將應進行與處理條件(該處理條件，係不同於與該監視模式產生關聯的處理條件)產生關聯之處理的製品基板，搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理單元之任一。
  8. 如申請專利範圍第7項之操作方法，其中，在前述複數個處理單元之至少1個被設定成監視模式時，對前述基板搬送機構，使應使用與該監視模式產生關聯的處理條件進行處理的監測基板搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理單元的任一，且禁止將應進行與處理條件(該處理條件，係相同於與該監視模式產生關聯的處理條件)產生關聯之處理的製品基板，搬入至被設定成該監視模式之前述至少1個處理 單元之任一。
  9. 如申請專利範圍第8項之操作方法，其中，在前述至少1個處理單元被設定成監視模式時，對前述基板搬送機構，使應使用與該監視模式產生關聯的處理條件進行處理的監測基板比製品晶圓更優先地搬入至被設定成該監視模式的處理單元。
  10. 如申請專利範圍第8項之操作方法，其中，在前述至少1個處理單元被設定成監視模式時，使用在被設定成該監視模式的處理單元中與該監視模式產生關聯的處理條件，而予以處理監測晶圓後，禁止製品基板搬入至被設定成該監視模式的處理單元。
  11. 如申請專利範圍第7~10項中任一項之操作方法，其中，前述處理條件，係從下述者所構成之群組中所選擇的至少一個條件，其包括：在用於處理之處理流體為包含有液體或氣體時之該液體或氣體的種類、溫度、壓力及濃度；在用於處理之處理流體為液體及氣體之混合流體時之前述液體及氣體的混合比；及處理為洗淨處理時之用於該洗淨處理的物理性洗淨構件。
  12. 一種記憶媒體，在具備有複數個處理單元(可對基板，以複數個種類之處理條件來執行複數個種類之處理)、基板搬送機構(將基板搬送至前述複數個處理單 元)及控制裝置(由控制前述基板搬送機構的控制裝置與控制前述基板搬送機構的電腦所構成)的基板處理裝置中，記憶可藉由前述電腦執行的程式，該記憶媒體，其特徵係，當前述程式被前述電腦執行時，前述控制裝置，係使申請專利範圍第7~11項中任一項的操作方法執行於前述基板處理裝置。
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