TWI471967B - 基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法及基板處理裝置的維修方法 - Google Patents

基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法及基板處理裝置的維修方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI471967B
TWI471967B TW100106796A TW100106796A TWI471967B TW I471967 B TWI471967 B TW I471967B TW 100106796 A TW100106796 A TW 100106796A TW 100106796 A TW100106796 A TW 100106796A TW I471967 B TWI471967 B TW I471967B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
substrate
mode
processing chamber
chamber
Prior art date
Application number
TW100106796A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201203433A (en
Inventor
野村誠
Original Assignee
日立國際電氣股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立國際電氣股份有限公司 filed Critical 日立國際電氣股份有限公司
Publication of TW201203433A publication Critical patent/TW201203433A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI471967B publication Critical patent/TWI471967B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B15/00—Systems controlled by a computer
    • G05B15/02—Systems controlled by a computer electric
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/80—Management or planning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法及基板處理裝置的維修方法
本發明係關於基板處理裝置。
實施半導體裝置製造方法的一步驟之習知基板處理裝置具備：複數個處理室，係用來處理基板；複數個處理控制部，係分別連接於複數個處理室以個別控制處理室內的基板處理；統合控制部，係分別連接於複數個處理控制部，而控制在上述處理室與搬送室之間搬送上述基板的搬送機構的動作；以及操作部，係分別連接於統合控制部及複數個處理控制部，而將處理命令傳送至複數個處理控制部，並且經由統合控制部從上述複數個處理控制部接收動作報告。
又，上述統合控制部所管理的處理室的動作模式有未搬送晶圓的維修模式、和搬送生產用晶圓以進行處理的生產模式(一般狀態)兩種。上述維修模式是在重複既定的生產後進行構成處理室之零件的保養檢查之模式。在結束維修的處理室內測定已處理之基板膜厚的膜厚檢查及附著於基板表面之微粒數的檢查(之後，亦稱為QC(Quality Control)檢查)，是在將處理室的動作模式設為生產模式的情況下實施。
因此，為防止QC檢查中生產用晶圓被搬入處理室內，QC檢查中的處理室必須分離。但因須進行處理室的拆除作業及安裝作業，故會導致維修時間變長，裝置的生產性降低。
本發明的目的在於提供一種可避免生產用晶圓被搬送至未完成維修後的QC檢查的處理室內，而僅搬送QC檢查用晶圓，俾可在QC檢查結束後處理生產用晶圓，並謀劃裝置的生產性提升之基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
根據本發明之一態樣，可提供一種基板處理裝置，其具備：複數個處理室，係用來處理基板；搬送室，係以可連通的方式與上述處理室連接；搬送機構，係設置於上述搬送室內，在上述搬送室與上述處理室之間搬送上述基板；處理控制部，係與上述各處理室連接而控制上述各處理室內的基板處理；及統合控制部，係與上述處理控制部連接而控制上述搬送機構的動作；操作部，係與上述統合控制部及上述處理控制部連接，將處理命令傳送至上述統合控制部及上述處理控制部，並且經由上述統合控制部從上述搬送機構接收動作報告，經由上述處理控制部從設置於上述處理室的處理機構接收動作報告；在該基板處理裝置中，上述統合控制部係以一邊禁止朝指定的處理室內搬送生產用的上述基板，一邊朝指定的處理室內搬送品質管理用的基板，並且對上述指定的處理室以外的處理室搬送生產用的基板之方式來控制上述搬送機構。
根據本發明之基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，可一邊防止生產用基板被搬送至進行QC檢查的處理室內，一邊在其他處理室處理生產用基板，在QC檢查結束的時點，即便是進行上述QC檢查的處理室也可處理生產用基板，所以裝置的生產性得以進一步提升。
 ＜本發明的一實施形態＞
以下，說明本發明之一實施形態的基板處理裝置的構成及動作。
(1)基板處理裝置的構成
首先，參照圖1、圖2，說明本發明之一實施形態的基板處理裝置之構成。圖1係本發明之一實施形態的群集型基板處理裝置的示意構成圖。圖2係本發明之一實施形態的基板處理裝置的控制手段之方塊構成圖。本實施形態的群集型基板處理裝置分成真空側和大氣側。
(真空側的構成)
於群集型基板處理裝置的真空側設有：作為搬送室之可真空氣密的真空搬送室(transfer chamber：傳遞室)TM；作為預備室的真空鎖定室(裝載鎖定室)VL1、VL2；及處理作為基板的晶圓W之作為處理室的處理室PM1、PM2、PM3、PM4。真空鎖定室VL1、VL2、處理室PM1、PM2、PM3、PM4係於真空搬送室TM的外周配置成星形(群集狀)。
真空搬送室TM係構成為可耐真空狀態等未達大氣壓之壓力(負壓)的裝載鎖定室構造。另外，本發明的一實施形態中，真空搬送室TM的框體俯視看起來呈例如八角形，形成為上下兩端閉塞的箱形，但本發明未必限於此形態。
於真空搬送室TM內設有作為搬送機構的真空搬送機器人VR。真空搬送機器人VR係使晶圓W載置於設置於機械臂的基板載置部，在真空鎖定室VL1、VL2與處理室PM1、PM2、PM3、PM4之間，相互地進行晶圓W的搬送。另外，真空搬送機器人VR可藉升降器EV一邊維持真空搬送室TM的機密性一邊進行升降。
處理室PM1、PM2、PM3、PM4係以實施以下步驟而對晶圓W賦予附加價值的方式構成，該等步驟包含：藉由例如CVD(Chemical Vapor Deposition)法、ALD(Atomic Layer Deposition)法或PVD(Physical Vapor Deposition)法在晶圓W上形成薄膜的步驟、或在晶圓W表面形成氧化膜或氮化膜的步驟、或在晶圓W上形成金屬薄膜或金屬化合物薄膜的步驟。於各處理室PM1、PM2、PM3、PM4設有：控制供給至處理室PM1、PM2、PM3、PM4內之處理氣體的流量之質流控制器(MFC)11；控制處理室內的壓力之自動壓力控制器(APC)12；控制處理室內的壓力之溫度調整器13；及控制處理氣體的供給或排氣用閥的開/關之輸入輸出閥I/O14等(參照圖2)。此等質流控制器11、自動壓力控制器(APC)12、溫度調整器13、輸入輸出閥I/O 14係由設置於各處理室的製程模組控制器91、92、93、94控制。構成藉製程模組控制器91、92、93、94一邊將處理室PM1、PM2、PM3、PM4內予以排氣一邊將處理氣體供給至處理室PM內，並且藉由維持在既定壓力及既定溫度，來處理晶圓W的表面。
再者，處理室PM1、PM2、PM3、PM4係構成可分別經由閘閥G1、G2、G3、G4與真空搬送室TM連通。例如，在處理室PM1處理晶圓W時，是將處理室PM1內設成與真空搬送室TM內相同的環境氣體後，打開閘閥G1，將晶圓W搬送到處理室PM1內後，關閉閘閥G1。接著，在處理室PM1內進行既定的處理後，使處理室PM1內的環境氣體恢復成與真空搬送室TM內相同的環境氣體後，打開閘閥G1，搬出處理室PM1內的晶圓W後，關閉閘閥G1。關於處理室PM2~PM4而言，亦與閘閥G1同樣，可藉由進行閘閥G2~G4的開閉動作來形成晶圓W的處理環境氣體。
真空鎖定室VL1、VL2具有作為將晶圓W搬入真空搬送室TM內的預備室，或作為將晶圓W從真空搬送室TM內搬出的預備室之功能。於真空鎖定室VL1、VL2的內部分別設有基板搬入搬出用之暫時支持晶圓W的緩衝台ST1、ST2。又，雖未圖示，但於真空鎖定室VL1、VL2設有冷卻晶圓W的冷卻功能。另外，除了真空鎖定室VL1、VL2外，亦可另設置冷卻用腔室。
真空鎖定室VL1、VL2係構成可分別經由閘閥G5、G6而與真空搬送室TM連通，又構成可分別經由閘閥G7、G8而與後述之大氣搬送室LM連通。為了保持真空搬送室TM的真空狀態及大氣搬送室LM的大氣壓狀態，設置於真空鎖定室VL1、VL2的閘閥G5與G7之任一者、閘閥G6與G8之任一者必須關閉著，不會同時打開。例如，在打開真空搬送室TM側的閘閥G5時，一定要將相反側的閘閥G7設成關閉狀態，以將真空鎖定室VL1內的環境氣體設成真空。此外，本說明書中所謂「真空」是指工業上的真空。又，打開大氣搬送室LM側的閘閥G7時，一定要將相反側的閘閥G5設成關閉狀態，以將真空鎖定室VL1內的環境氣體設成大氣環境氣體。因此，藉由在保持關閉閘閥G5、G6的狀態下打開閘閥G7、G8，可在保持真空搬送室TM內的真空氣密的狀態下在真空鎖定室VL1、VL2與大氣搬送室LM之間進行晶圓W的搬送。
又，真空鎖定室VL1、VL2係構成為可耐真空狀態等未達大氣壓的負壓之裝載鎖定室構造，可分別將其內部進行真空排氣。因此，藉由在關閉閘閥G7、G8並將真空鎖定室VL1、VL2的內部進行真空排氣後再打開閘閥G7、G8，可在保持真空搬送室TM內的真空狀態下，在真空鎖定室VL1、VL2與真空搬送室TM之間進行晶圓W的搬送。
(大氣側的構成)
另一方面，在群集型基板處理裝置的大氣側設有：與真空鎖定室VL1、VL2連接的大氣搬送室LM；以及與該大氣搬送室LM連接之作為基板收容部的裝載埠LP1～LP3。於裝載埠LP1～LP3上載置作為基板收納容器的匣盒(pod)PD1～PD3。在匣盒PD1～PD3內，設有複數個槽，該等槽係作為分別收納晶圓W的收納部。
於大氣搬送室LM內設有作為大氣搬送機構的1台大氣搬送機器人AR。大氣搬送機器人AR係在真空鎖定室VL1、VL2與載置於裝載埠LP1～LP3上的匣盒PD1～PD3之間，相互進行作為基板之晶圓W的搬送。大氣搬送機器人AR亦與真空搬送機器人VR同樣具有作為基板載置部的機械臂。
此外，在大氣搬送室LM內設有進行晶圓W之結晶方位的對位等的定向平面(Orientation Flat)對準裝置OFA，作為基板位置的修正裝置。亦或，設有未圖示之缺口對準裝置來取代定向平面對準裝置OFA，而該缺口對準裝置是藉由形成晶圓W的缺口來進行晶圓W之結晶方位的對位等。
(控制手段的構成)
群集型基板處理裝置的各構成部係由控制手段CNT所控制。圖2係表示控制手段CNT的構成例。控制手段CNT具備作為統合控制部的統合控制器90。又，具備作為處理控制部的製程模組控制器(PMC1)91，作為處理控制部的製程模組控制器(PMC2)92，作為處理控制部的製程模組控制器(PMC3)93，及作為處理控制部的製程模組控制器(PMC4)94。再者，具備受理操作者所進行的操作之操作部100。
製程模組控制器(PMC1、PMC2、PMC3、PMC4)91、92、93、94係以分別與處理室PM1、PM2、PM3、PM4連接，以個別控制處理室PM1、PM2、PM3、PM4內的基板處理的方式構成。具體而言，製程模組控制器91、92、93、94係分別連接於處理室PM1、PM2、PM3、PM4所具備的質流控制器(MFC)11、自動壓力控制器(APC)12、溫度調整器13、輸入輸出閥I/O14等。而且，製程模組控制器91、92、93、94係以分別控制設置於處理室PM1、PM2、PM3、PM4的處理機構(氣體導入-排氣機構、溫度控制-電漿放電機構等)的各動作之方式構成。
統合控制器90係以經由LAN線路80可分別連接於製程模組控制器91、92、93、94的方式構成，且分別連接於真空搬送機器人VR、大氣搬送機器人AR、閘閥G1～G8、真空鎖定室VL1、VL2。統合控制器90係以控制真空搬送機器人VR及大氣搬送機器人AR的動作、閘閥G1～G8的開閉動作、真空鎖定室VL1、VL2內部的排氣動作之方式構成。具體而言，統合控制器90係以依據分別指定將晶圓W收納於匣盒PD1～PD3內的哪個槽之收納資訊、上述晶圓W之目前的位置資訊、晶圓W相關的製程處理狀況、識別晶圓W的晶圓ID、針對各晶圓W實施之處理方法等的資料，來控制作為搬送手段的真空搬送機器人VR與大氣搬送機器人AR、及門閥G1～G8等的動作之方式構成。
操作部100係以可經由LAN線路80分別連接於統合控制器90及製程模組控制器91、92、93、94的方式構成。操作部100係構成為具備CPU(中央運算元件)、作為記憶元件的記憶體、介面、作為記録裝置的硬碟等的通用電腦。於操作部100的硬碟儲存有系統整體總括控制用程式、PM1操作用程式、PM2操作用程式、PM3操作用程式、PM4操作用程式等。以使操作部100實現下述功能的方式構成，即，系統整體總括控制用程式從操作部100的硬碟被讀取至記憶體並藉CPU執行，藉此將動作命令(訊息)傳送至統合控制器90，並且從統合控制器90接收動作報告(訊息)之功能。又以使操作部100實現下述功能的方式構成：即，PM1操作用程式、PM2操作用程式、PM3操作用程式、PM4操作用程式從操作部100的硬碟被讀取至記憶體並藉CPU執行，藉此將動作命令(訊息)傳送到製程模組控制器91、92、93、94，並且從製程模組控制器91、92、93、94接收動作報告(訊息)之功能。此外，操作部100係以擔負動作模式的設定、螢幕顯示、登入資料、警告解析、參數編集等的畫面表示-輸入受理功能的方式構成。
於操作部100設有顯示裝置110。於顯示裝置110的顯示部115，顯示具有作為動作模式的QC模式、及選擇生產模式之構成的設定畫面120(參照上述圖3～圖5)。Monitor(QC模式)是在保養檢查後的處理室PM1、PM2、PM3、PM4處理品質管理用的基板的動作模式。Product(生產模式)是在處理室PM1、PM2、PM3、PM4處理生產用基板的動作模式。以下，針對設定畫面120進行詳細描述。
(動作模式等的畫面設定)
於設定畫面120顯示例如指定製程工作(process job)資訊之序列處理方法名稱的輸入欄，在各動作模式所使用之基板的選擇欄(選擇「Product」、「Monitor」之任一者的欄)，處理室的指定欄(選擇PM1～PM4的檢查欄)、處理方法名稱的輸入欄。
在處理室PM3處理QC檢查用晶圓W時，對設定畫面120的各欄，如圖3所示般地進行輸入。例如，於序列處理方法名稱的輸入欄，輸入在處理室PM3進行QC檢查之處理方法名稱之「PM3-QC檢查」。又，於基板的選擇欄，選擇「Monitor」。於處理室的指定欄，選擇進行QC檢查的處理室之「PM3」。於處理室PM3的處理方法名稱的輸入欄，輸入進行QC檢查之處理方法名稱之「QC檢查A」。
在處理室PM3處理生產用晶圓W時，對設定畫面120的各欄，如圖4所示般地進行輸入。例如，於序列處理方法名稱的輸入欄，輸入在處理室PM3進行生產之處理方法名稱之「PM3-生產」。又，於基板的選擇欄，選擇「Product」。於處理室的指定欄，選擇進行生產的處理室之「PM3」。於處理室PM3之處理方法名稱的輸入欄，輸入進行生產之處理方法的名稱之「Product A」。
又，在全部的處理室PM1、PM2、PM3、PM4處理生產用晶圓W時，對設定畫面120的各輸入欄，如圖5所示般地進行輸入。例如，於序列處理方法名稱的輸入欄，輸入在處理室PM1、PM2、PM3、PM4進行生產之處理方法名稱之「ALL」。又，於基板的選擇欄，選擇「Product」。於處理室的指定欄，將進行生產的處理室之「PM1」，「PM2」、「PM3」、「PM4」全部都選擇。於處理室PM1～4的處理方法名稱的輸入欄，分別輸入進行生產之處理方法的名稱之「Product A」。此時，亦可按各處理室改變處理方法來進行設定。雖未圖示，但亦可例如於處理室PM1、PM2的處理方法名稱的輸入欄，分別輸入上述的「Product A」，於處理室PM3、PM4的處理方法名稱的輸入欄，分別輸入「Product B」。此外，雖未圖示，但亦可選擇指定「PM1」、「PM2」、「PM3」、「PM4」中的兩個或三個，以在生產模式運用兩個處理室或三個處理室。
(2)基板處理步驟
繼之，參照圖6、圖7，說明藉本實施形態的基板處理裝置實施之基板處理步驟的一例。
圖6係在本發明之一實施形態的基板處理裝置實施之基板處理步驟的流程圖。圖7係本發明之一實施形態的基板處理步驟的控制手段的動作之示意圖。此外，圖7所示的虛線係顯示基板處理裝置內之訊息的傳送接收。
如圖6及圖7所示，首先，使指示基板處理開始的動作命令M1經由LAN線路80從操作部100傳送至統合控制器90(S1)。
接收到動作命令M1的統合控制器90關閉閘閥G5、G8並打開閘閥G6、G7，將真空搬送室TM、處理室PM1、PM2、PM3、PM4內進行真空排氣。其次，統合控制器90將潔淨空氣(清淨空氣)供給至大氣搬送室LM內，使大氣搬送室LM內成為大致大氣壓。
然後，利用未圖示的搬送裝置，使收納有複數片未處理晶圓W的匣盒PD1載置於裝載埠LP1上(S2)。
接著，統合控制器90使收納於裝載埠LP1所記載之匣盒PD1內的基板位置P1的晶圓W藉大氣搬送機器人AR搬送至大氣搬送室LM內，設置於定向平面對準裝置OFA上的基板位置P2，以實施結晶方位的對位等(S3)。
繼之，統合控制器90使設置基板位置P2的晶圓W被大氣搬送機器人AR拾取，而搬送至真空鎖定室VL1內，並設置於緩衝台ST1上的基板位置P3。接著，統合控制器90關閉閘閥G7，將真空鎖定室VL1內部進行真空排氣(S4)。
待真空鎖定室VL1減壓至既定壓力後，統合控制器90會在保持關閉閘閥G7的狀態下打開閘閥G5。接著，統合控制器90使設置於基板位置P3的晶圓W被真空搬送機器人VR拾取，而搬送至處理室PM1內，並設置於基板位置P4(S5)。
晶圓W被搬入處理室PM1內後，統合控制器90將指示基板處理處理方法之進行開始的動作命令M2經由LAN線路80傳送至製程模組控制器91(S6)。
製程模組控制器91使處理氣體供給至處理室PM1內，以對晶圓W實施既定處理(成膜處理等)(S7)。
晶圓W的處理完成後，製程模組控制器91將表示晶圓W的處理已完成的動作報告M3經由LAN線路80傳送至統合控制器90(S8)。
接收到動作報告M3的統合控制器90係在保持關閉閘閥G7的狀態下打開閘閥G5使設置於基板位置P4之已處理的晶圓W被真空搬送機器人VR拾取，而搬送至真空鎖定室VL2內。
使已處理的晶圓W配置在緩衝台ST2上的基板位置P10後，統合控制器90關閉閘閥G6，將潔淨氣體供給至真空鎖定室VL2內以使真空鎖定室VL2內恢復成大致大氣壓，打開閘閥G8(S9)。又，此時，藉未圖示的冷卻機構冷卻晶圓W。
接著，統合控制器90使設置於基板位置P10之已處理的晶圓W被大氣搬送機器人AR拾取，而搬送至載置於裝載埠LP3的匣盒PD3並收納於空槽(S10)。
之後，重複進行上述步驟，對全部未處理的晶圓W實施自動搬送處理後，統合控制器90將收納有已處理之晶圓W的匣盒PD3從裝載埠LP3搬出。接著，統合控制器90將顯示操作者所指示之已完成基板處理的實的主旨之動作報告M4經由LAN線路80傳送到操作部100，而結束基板處理(S11)。
另外，在上述步驟S1~S11中，從製程模組控制器(PMC1、PMC2、PMC3、PMC4)91、92、93、94發出的螢幕資料或警告(訊息M5)，是直接傳送至操作部100而未經由統合控制器90。
又，上述說明中，雖針對處理室PM1作說明，但其他的處理室PM2、PM3、PM4亦與處理室PM1同様，可進行晶圓W的處理。
(3)維修步驟至生產步驟
繼之，參照圖8、圖9，針對藉本實施形態的基板處理裝置實施之維修步驟至生產步驟的一例作說明。
圖8係在本發明之一實施形態的基板處理裝置實施之維修步驟至生產步驟的流程圖。圖9係例示本發明之一實施形態的維修步驟至生產步驟的基板處理裝置的動作之示意圖。另外，圖9所示的虛線係表示基板處理裝置內之訊息的傳送接收。
在已將生產用晶圓W處理既定次數的處理室PM1、PM2、PM3、PM4中，依據內部的污染情況等實施適當維修。維修是在未使處理室PM1、PM2、PM3、PM4自真空搬送室TM分離的情況下實施。成為此維修對象為，例如：通知氣體分子或反應生成物對處理室PM1、PM2、PM3、PM4之壁面的附著等所導致之真空到達度的輕度劣化、以及因感應面之污垢的輕度附著使感應度降低所導致之異常發生的警告之錯誤作動等。作為解除真空到達度的輕度劣化或污垢的輕度附著的維修方法而言，可例舉；電漿清潔、藉蝕刻的清潔等。此處，所謂的輕度是指可藉清潔解除的程度。又，維修亦包含將處理室PM1、PM2、PM3、PM4自真空搬送室TM拆除來進行的維修。另外，在未使處理室PM1～PM4自真空搬送室TM分離的情況下進行維修的優點，例如有：不須進行處理室PM1～PM4的拆除作業及安裝作業，可縮短維修時間。若要拆除處理室PM1～PM4來進行維修作業，就必須進行處理室PM1～PM4的拆除作業及安裝作業，維修時間會變長。
(維修模式轉換命令的傳送(S21))
例如，在實施處理室PM3的維修時，操作者於顯示裝置110的顯示部115叫出設定畫面120，於序列處理方法名稱的輸入欄，輸入「PM3-維修」。於處理室的指定欄，選擇執行維修的處理室之「PM3」。又，於處理室PM3之處理方法名稱的輸入欄，輸入「維修A」作為所執行之維修的處理方法名稱。
其結果，轉換為維修模式的命令M11經由LAN線路80從操作部100被傳送至統合控制器90。另外，接收到轉換命令M11的統合控制器90係建構成：迄至維修處理完成前(迄至接收到後述的動作報告M13前)，當從操作部100接收到轉換為處理室PM3相關之QC模式或生產模式的命令時會拒絕該命令。
(維修處理的實施(S22))
統合控制器90對製程模組控制器93傳送指令，使閘閥G3關閉。又，統合控制器90對真空搬送機器人VR傳送真空搬送機器人動作命令RM1，該真空搬送機器人動作命令RM1係禁止晶圓W搬送至被指定「維修模式」的處理室PM3內。接收到真空搬送機器人動作命令RM1的真空搬送機器人VR便無法將晶圓W(生產用晶圓W及QC檢查用晶圓W)搬送至處理室PM3內。
藉此，可進行處理室PM3的維修。另外，接收到動作命令M11時，於透過晶圓有無感測器(未圖示)檢測出晶圓W正裝入處理室PM3內之際，係將處理室PM3內的環境氣體設成與真空搬送室TM相同的真空環境氣體後再打開閘閥G3，並藉真空搬送機器人VR事先取出晶圓W。
接著，統合控制器90將指示維修的處理方法之「維修A」的進行開始的動作命令M12經由LAN線路80傳送到製程模組控制器93。接收到動作命令M12的製程模組控制器93使處理室PM3實施既定的維修處理(例如電漿清潔處理、利用蝕刻之清潔處理等)。
維修處理完成後，製程模組控制器93將顯示維修處理完成的動作報告M13經由LAN線路80傳送至統合控制器90。接收到動作報告M13的統合控制器90，將顯示維修結束的動作報告M14經由LAN線路80傳送到操作部100，使該主旨顯示於顯示部115。另外，亦可作成在顯示之同時亦以聲音通知維修結束。
(維修解除及序列處理方法執行之動作命令的傳送(S23、S24))
操作者確認維修結束後，在顯示裝置110的顯示部115叫出設定畫面120(參照上述圖3)，對設定畫面120的各欄，如圖3所示般地進行輸入。亦即，於序列處理方法名稱的輸入欄，輸入在處理室PM3進行QC檢查之處理方法的名稱之「PM3-QC檢查」。又，於基板的選擇欄，選擇「Monitor」。於處理室的指定欄，選擇進行QC檢查的處理室之「PM3」。於處理室PM3之處理方法名稱的輸入欄，輸入進行QC檢查的處理方法名稱之「QC檢查A」。
其結果，指示維修模式之解除(即QC模式開始)的動作命令、及在設定畫面120輸入之執行序列處理方法 「PM3-QC檢查」的動作命令M15經由LAN線路80從操作部100被傳送至統合控制器90。藉此，處理室PM3的動作模式從「維修模式」轉換至「QC模式」，開始執行序列處理方法「PM3-QC檢查」。另外，接收到動作命令M15的統合控制器90係建構成：迄至序列處理方法「PM3-QC檢查」的執行完成以前(迄至接收後述的動作報告M17以前)，當從操作部100接收到轉換為處理室PM3相關之QC模式或生產模式的轉換命令時會拒絕該要求。
(真空搬送機器人動作命令的傳送(S25))
接收到動作命令M15的統合控制器90對真空搬送機器人VR傳送真空搬送機器人動作命令RM2，該真空搬送機器人動作命令RM2禁止朝被指定「QC模式」的處理室PM3內搬送生產用晶圓W，而允許搬送QC檢查用晶圓W。
接收到真空搬送機器人動作命令RM2的真空搬送機器人VR便無法朝處理室PM3內進行生產用晶圓W的搬送，但可進行QC檢查用晶圓W的搬送。真空搬送機器人VR係參照上述圖6說明的晶圓搬送順序搬送QC檢查用晶圓W，以將QC檢查用晶圓W搬送至處理室PM3。亦即，依序實施上述之匣盒朝裝載埠的載置(S2)、朝大氣搬送室的搬送(S3)、朝真空鎖定室的搬送(S4)、朝處理室的搬送(S5)。
(QC模式之處理方法動作命令的傳送(S26))
QC檢查用晶圓W被搬入處理室PM3內後，統合控制器90將指示處理方法「QC檢查A」之進行開始的動作命令M16經由LAN線路80傳送至製程模組控制器93。
(QC檢查用晶圓的處理(S27))
接收到動作命令M16的製程模組控制器93使處理室PM3實施處理方法「QC檢查A」，處理QC檢查用晶圓W(例如，成膜等)。
(動作報告的傳送(S28))
對QC檢查用晶圓W的處理完成後，製程模組控制器93將顯示對QC檢查用晶圓W之處理完成的動作報告M17經由LAN線路80傳送至統合控制器90。接收到動作報告M17的統合控制器90將顯示對QC檢查用晶圓W之處理結束的動作報告M18經由LAN線路80傳送至操作部100，使該主旨顯示於顯示部115。另外，亦可作成在顯示之同時亦以聲音通知維修結束。
(真空搬送機器人動作命令的傳送(S29))
接收到動作命令M17的統合控制器90對真空搬送機器人VR傳送搬出處理完成的QC檢查用晶圓W之真空搬送機器人動作命令RM3。搬出QC檢查用晶圓W時，係以參照上述圖6說明的晶圓搬送順序來進行。亦即，依序實施上述之搬送至真空鎖定室(S9)、儲存於載置於裝載埠的匣盒(S10)。
(晶圓的規格檢查(S30))
檢查處理後之QC檢查用晶圓W的品質。以品質檢查的一例而言，係實施成膜於QC檢查用晶圓W上之膜的膜厚測定、附著於QC檢查用晶圓W之微粒數的測定等。品質檢查亦可將QC檢查用晶圓W取出基板處理裝置的外部來實施，亦可在處理室內實施。
(QC模式解除及序列處理方法之動作命令的傳送(S31、S32))
檢查的結果，當成膜於QC檢查用晶圓W上之膜的膜厚、或存在於該膜表面的微粒數等未在既定的規格內時(在S30為「No」時)，操作者從上述維修模式轉換命令的傳送(S21)再次實施。
檢查的結果，有在既定規格內時(在S30為「Yes」時)，操作者在顯示裝置110的顯示部115叫出設定畫面120(參照上述圖3)，對設定畫面120的各欄，如圖4所示般地進行輸入。亦即，於序列處理方法名稱的輸入欄，輸入在處理室PM3進行生產之處理方法名稱之「PM3-生產」。又，於基板的選擇欄，選擇「Product」。於處理室的指定欄，選擇進行生產之處理室的「PM3」。於處理室PM3之處理方法名稱的輸入欄，輸入進行生產之處理方法名稱之「Product A」。
其結果，指示QC模式之解除(即生產模式開始)的動作命令、及在設定畫面120輸入之執行序列處理方法「PM3-QC檢查」的動作命令M19經由LAN線路80從操100被傳送至統合控制器90。藉此，處理室PM3的動作模式從「QC模式」轉換至「生產模式」，開始執行序列處理方法「PM3-生產」。另外，接收到動作命令M19的統合控制器90係建構成：迄至生產模式的執行完成以前(迄至接收到後述的動作報告M20以前)，當從操作部100接收到轉換為處理室PM3相關之維修模式或QC模式的命令時會拒絕該命令。
如上所述，從「QC模式」到「生產模式」的切換僅能由設定畫面120上的畫面操作來進行。因此，在操作者未介入的情況下不會轉換至「生產模式」。
(真空搬送機器人動作命令的傳送(S33))
接收到動作命令M19的統合控制器90對真空搬送機器人VR傳送真空搬送機器人動作命令RM4，該真空搬送機器人動作命令RM4係允許朝被指定「生產模式」的處理室PM3內進行生產用晶圓W的搬送。
接收到真空搬送機器人動作命令RM4的真空搬送機器人VR便可朝處理室PM3內搬送生產用晶圓W。統合控制器90係參照上述圖6說明的晶圓W的搬送順序搬送生產用晶圓W，以將生產用晶圓W亦搬送至處理室PM3。亦即，執行上述之將匣盒載置於裝載埠(S2)至朝處理室的搬送(S5)。
(生產模式之處理方法動作命令的傳送(S34))
待生產用晶圓W被搬入處理室PM3內後，統合控制器90將指示生產處理方法之進行開始的動作命令M20經由LAN線路80傳送至製程模組控制器93。
(生產用晶圓的處理(S35))
接收到動作命令M20的製程模組控制器93係使處理室PM3執行處理方法「ProductA」，以處理生產用晶圓W(例如成膜等)。
(動作報告的傳送(S36))
對生產用晶圓W的處理完成後，製程模組控制器93將顯示對生產用晶圓W之處理完成的動作報告M20經由LAN線路80傳送至統合控制器90。接收到動作報告M20的統合控制器90將顯示對生產用晶圓W之處理結束的動作報告M21經由LAN線路80傳送至操作部100，使該主旨顯示於顯示部115。另外，亦可作成在顯示之同時亦以聲音通知維修結束。
(真空搬送機器人動作命令的傳送(S37))
接收到動作命令M22的統合控制器90對真空搬送機器人VR傳送搬出處理完成的生產用晶圓W之真空搬送機器人動作命令RM5。搬出生產用晶圓W時，係參照上述圖6說明的晶圓搬送順序來進行。亦即，依序對生產用晶圓W實施「搬送至真空鎖定室」S9，「儲存於載置於裝載埠的匣盒」S10。
如以上說明，本發明的基板處理裝置係如圖10所示般，動作模式除了有「維修模式」及「生產模式」之外，還有「QC模式」。對被指定「維修模式」的處理室，禁止晶圓W的搬送。又，對被指定「QC模式」的處理室，禁止生產用晶圓W的搬送，但允許QC檢查用晶圓W的搬送。再者，對被指定「生產模式」的處理室，禁止QC檢查用晶圓W的搬送，允許生產用晶圓W的搬送。因此，生產用晶圓W不會被搬送至QC檢查中的處理室。又，QC檢查用晶圓W不會被搬送至實施生產步驟中的處理室。另外，習知的基板處理裝置中，僅以「維修模式」及「生產模式」，運用維修、QC檢查及生產。
(4)自動運轉中之處理室的運用方法
其次，以下，參照圖11～圖13，說明自動運轉中之處理室的運用方法的一例。
(運用全部的處理室時)
如圖11所示，接收到運用全部的處理室PM1、PM2、PM3、PM4之序列處理方法的指示的情況，是按照例如處理室PM1→處理室PM2→處理室PM3→處理室PM4→處理室PM1→處理室PM2→處理室PM3→處理室PM4的順序，使用處理室來執行晶圓處理。上述各晶圓處理的執行係依據參照上述圖6說明的基板處理步驟。另外，閘閥G1～G8的開閉動作係與上述說明的基板處理步驟相同，故在以下的說明中加以省略。
首先，藉大氣搬送機器人AR將儲存於匣盒PD1之作為生產用基板的晶圓W取出至大氣搬送室LM內(箭頭U1)，轉換並載置於定向平面對準裝置OFA的基板位置P2(箭頭U1A)，以進行晶圓W的定位。接著，藉大氣搬送機器人AR拾取基板位置P2的晶圓W，從大氣搬送室LM(箭頭U1B)轉換並載置於呈大致大氣壓狀態之真空鎖定室VL1的基板位置P3(箭頭U2)。然後，將真空鎖定室VL1設成大致真空狀態，藉真空搬送機器人VR從基板位置P3拾取晶圓W，經由設成大致真空狀態的真空搬送室TM(箭頭U3)，搬送並載置於設成大致真空狀態之處理室PM1的基板位置P4(箭頭U4)。在處理室PM1執行晶圓處理。在處理室PM1執行晶圓處理的期間，與上述同樣，從匣盒PD1將其他的晶圓W搬送並載置於處理室PM2的基板位置P5(箭頭U5)，以執行晶圓處理。接著，在處理室PM1、PM2中執行晶圓處理的期間，與上述同様，再從匣盒PD1將另一晶圓W搬送並載置於處理室PM3的基板位置P6(箭頭U6)，以執行晶圓處理。然後，在處理室PM1、PM2、PM3中執行晶圓處理的期間，與上述同様，再從匣盒PD1將另一晶圓W搬送並載置於處理室PM4的基板位置P7(箭頭U7)，以執行晶圓處理。上述說明中，雖使用真空鎖定室VL1，惟亦可使用真空鎖定室VL2。亦即，可在搬送晶圓W的時點選擇可使用的真空鎖定室VL1、VL2來使用。
待既定的晶圓處理結束後，將晶圓W從已結束的處理室搬出。通常，在各處理室PM1至PM4執行同一序列處理方法時，晶圓處理時間大致相同。因此，最先搬送有晶圓的處理室PM1，其晶圓處理會最先結束，所以先藉真空搬送機器人VR拾取載置於基板位置P4之已處理的晶圓W，通過真空搬送室TM(箭頭D1)，搬送並載置於設成大致真空狀態之真空鎖定室VL2的基板位置P10(箭頭D5)。接著，將真空鎖定室VL2設成大致大氣壓狀態，藉大氣搬送機器人VR從基板位置P10拾取晶圓W，通過大氣搬送室LM(箭頭D6)，儲存於空匣盒PD1的既定槽(箭頭D7)。其次，與上述同様，藉真空搬送機器人VR從結束處理的處理室PM2的基板位置P5拾取已處理的晶圓W，將其搬出至真空搬送室TM(箭頭D2)。之後，與上述同様，通過真空鎖定室VL2儲存於匣盒PD1(箭頭D5、D6、D7)。然後，與上述同様，藉真空搬送機器人VR從結束處理的處理室PM3的基板位置P6拾取已處理的晶圓W，將其搬出至真空搬送室TM(箭頭D3)，通過真空鎖定室VL1儲存於空匣盒PD1的槽。接著，與上述同樣，藉真空搬送機器人VR從結束處理的處理室PM4的基板位置P7拾取已處理的晶圓W，將其搬出至真空搬送室TM(箭頭D4)，通過真空鎖定室VL1儲存於空匣盒PD1的槽。此外，已處理的晶圓亦可不返回最初所被取出的匣盒PD1而是搬送至其他的匣盒PD2或匣盒PD3來儲存。
(運用四台中的三台的情況)
如圖12所示，接收到運用處理室PM1、PM2、PM3、PM4中之三台處理室PM1、PM2、PM4的序列處理方法的指示時，例如，依處理室PM1→處理室PM2→處理室PM4→處理室PM1→處理室PM2→處理室PM4的順序，使用處理室來執行晶圓處理。各晶圓處理係依據參照上述圖6說明的基板處理步驟。又，未接收到運用處理室之序列處理方法的指示的處理室PM3，則是處於例如停止狀態或執行維修狀態。此外，由於閘閥G1～G8的開閉動作係與上述說明的基板處理步驟相同，故以下的說明中加以省略。
首先，藉大氣搬送機器人AR將儲存於匣盒PD1之作為生產用基板的晶圓W取出至大氣搬送室LM內(箭頭U1)，轉換並載置於定向平面對準裝置OFA的基板位置P2(箭頭U1A)，以進行晶圓W的定位。接著，藉大氣搬送機器人AR拾取基板位置P2的晶圓W，從大氣搬送室LM(箭頭U1B)轉換並載置於呈大致大氣壓狀態之真空鎖定室VL1的基板位置P3(箭頭U2)。然後，將真空鎖定室VL1設成大致真空狀態，藉真空搬送機器人VR從基板位置P3拾取晶圓W，通過設成大致真空狀態的真空搬送室TM(箭頭U3)，搬送並載置於呈大致真空狀態的處理室PM1的基板位置P4(箭頭U4)。接著，在處理室PM1執行晶圓處理。在處理室PM1執行晶圓處理的期間，與上述同様，將其他的晶圓從匣盒PD1搬送並載置於處理室PM2的基板位置P5(箭頭U5)，以執行晶圓處理。接著，在處理室PM1、PM2執行晶圓處理的期間，與上述同様，再將另一晶圓W從匣盒PD1搬送並載置於處理室PM4的基板位置P7(箭頭U7)，以執行晶圓處理。上述的說明中，是使用真空鎖定室VL1，但亦可使用真空鎖定室VL2。亦即，可在搬送晶圓W的時點選擇可使用的真空鎖定室VL1、VL2來使用。
待既定的晶圓處理結束後，將晶圓W從已結束處理的處理室搬出。通常，在各處理室PM1、PM2、PM4執行同一序列處理方法時，晶圓處理時間大致相同。因此，最先搬送有晶圓W的處理室PM1，其晶圓處理會最先結束，所以先藉真空搬送機器人VR拾取載置於基板位置P4之已處理的晶圓W，通過真空搬送室TM(箭頭D1)，搬送並載置於設成大致真空狀態之真空鎖定室VL2的基板位置P10(箭頭D5)。接著，將真空鎖定室VL2設成大致大氣壓狀態，藉大氣搬送機器人VR從基板位置P10拾取晶圓W，通過大氣搬送室LM(箭頭D6)，儲存於空匣盒PD1的既定槽(箭頭D7)。其次，與上述同様，藉真空搬送機器人VR從結束處理的處理室PM2的基板位置P5拾取已處理的晶圓W，將其搬出至真空搬送室TM(箭頭D2)。之後，與上述同様，通過真空鎖定室VL2儲存於匣盒PD1(箭頭D5、D6、D7)。接著，與上述同樣，藉真空搬送機器人VR從結束處理的處理室PM4的基板位置P7拾取已處理的晶圓W，將其搬出至真空搬送室TM(箭頭D4)，通過真空鎖定室VL1儲存於空匣盒PD1的槽。此外，亦可不使已處理的晶圓W返回最初取出的匣盒PD1而是搬送至其他的匣盒PD2或匣盒PD3來儲存。
(運用四台中之一台的情況)
如圖13所示，接收到僅運用處理室PM1、PM2、PM3、PM4中之一台處理室PM2的序列處理方法的指示時，例如，僅使用處理室PM2來執行晶圓處理。晶圓處理係依據參照上述圖6說明的基板處理步驟。又，未接收到運用處理室之序列處理方法的指示的處理室PM1、PM3、PM4則是處於例如停止狀態或執行維修狀態。此外，由於閘閥G1～G8的開閉動作係與上述說明的基板處理步驟相同，故以下的說明中加以省略。
首先，藉大氣搬送機器人AR將儲存於匣盒PD1之作為生產用基板的晶圓W取出至大氣搬送室LM內(箭頭U1)，轉換並載置於定向平面對準裝置OFA的基板位置P2(箭頭U1A)，以進行晶圓W的定位。接著，藉大氣搬送機器人AR拾取基板位置P2的晶圓W，從大氣搬送室LM(箭頭U1B)轉換並載置於呈大致大氣壓狀態之真空鎖定室VL1的基板位置P3(箭頭U2)。然後，將真空鎖定室VL1設成大致真空狀態，藉真空搬送機器人VR從基板位置P3拾取晶圓W，通過設成大致真空狀態的真空搬送室TM(箭頭U3)，搬送並載置於設成大致真空狀態的處理室PM2的基板位置P5(箭頭U5)。在處理室PM2執行晶圓處理。上述說明中，雖是使用真空鎖定室VL1，惟亦可使用真空鎖定室VL2。亦即，可在搬送晶圓W的時點選擇可使用的真空鎖定室VL1、VL2來使用。
待既定的晶圓處理結束後，先藉真空搬送機器人VR拾取載置於基板位置P5之已處理的晶圓W，通過真空搬送室TM(箭頭D2)，搬送並載置於設成大致真空狀態之真空鎖定室VL2的基板位置P10(箭頭D5)。接著，將真空鎖定室VL2設成大致大氣壓狀態，藉大氣搬送機器人VR從基板位置P10拾取晶圓W，通過大氣搬送室LM(箭頭D6)，儲存於空匣盒PD1的既定槽(箭頭D7)。此外，已處理的晶圓亦可不返回最初所被取出的匣盒PD1而是搬送至其他的匣盒PD2或匣盒PD3來儲存。
(5)複數個不同動作模式之處理室的同時運轉
圖14係表示在處理室PM1、PM2、PM3、PM4的自動運轉中，於處理室PM3發生錯誤時，一邊在處理室PM1、PM2、PM4繼續生產一邊在處理室PM3實施維修作業，然後可再次在該處理室PM3中處理生產用晶圓W之流程圖的圖式。
首先，如圖5所示，當在全部的處理室PM1、PM2、PM3、PM4分別設定處理方法時，則執行使用處理室PM1、PM2、PM3、PM4的自動運轉。此時，參照圖14，針對在處理室PM3執行維修的情況說明如下。
(A)PM3的維修作業實施中
此時，有來自操作部100或統合控制器90的維修轉換命令，處理室PM3的動作模式被指定成「維修模式」。因此，生產用晶圓W係如箭頭A1、A2、A4所示般藉真空搬送機器人VR搬入處理室PM1、PM2、PM4，以進行既定的生產處理。結束既定生產處理的晶圓W則如箭頭B1、B2、B4所示般藉真空搬送機器人VR搬出至真空搬送室TM內。又，對已被指定「維修模式」的處理室PM3，禁止生產用晶圓及QC檢查用晶圓的搬送。因此，不會因運用錯誤而使生產用晶圓W及QC檢查用晶圓被運送至維修中的處理室PM3。
(B)PM3的維修作業完成
待處理室PM3的維修作業完成後，一旦維修模式被解除，處理室PM3便會轉換至「QC模式」，而執行QC檢查。此時，禁止生產用晶圓W的搬送，僅允許QC檢查用晶圓W的搬送。因此，不會因運用錯誤而使生產用晶圓W被搬送至QC檢查未完成的處理室PM3。
(C)QC檢查用晶圓處理的自動運轉
繼之，在叫出至顯示部115的設定畫面120，輸入於處理室PM3處理QC檢查用晶圓W的序列處理方法等。藉此，執行QC檢查用晶圓之處理的命令會從統合控制器90傳送至製程模組控制器93。然後，在處理室PM3執行由製程模組控制器93指示的QC檢查用晶圓W的處理(例如成膜)。因此，QC檢查用晶圓W係如箭頭A3所示般藉真空搬送機器人VR搬入處理室PM3，以進行既定的處理。然後，結束既定處理的晶圓W係如箭頭B3所示般藉真空搬送機器人VR搬出至真空搬送室TM內。又，生產用晶圓W係如箭頭A1、A2、A4所示般藉真空搬送機器人VR搬入處理室PM1、PM2、PM4，以進行既定的處理。然後，結束處理的晶圓W係如箭頭B1、B2、B4所示般藉真空搬送機器人VR搬出至真空搬送室TM內。如上所述，可同時進行生產用晶圓W的處理與QC檢查用晶圓的處理，而以自動運轉來進行處理。此時同樣亦對已被指定「QC模式」的處理室PM3，禁止生產用晶圓W的搬送，僅允許QC檢查用晶圓的搬送。因此，不會因運用錯誤而使生產用晶圓W被搬送至QC檢查未完成的處理室PM3。
(D)QC檢查
待QC檢查用晶圓處理終束後，進行成膜於QC檢查用晶圓W之膜的品質檢查。作為檢查項目而言，可列舉：膜厚測定與微粒數測定。品質檢查中之處理室PM3的動作模式維持在「QC模式」，而處理室PM1、PM2、PM4則是在「生產模式」下持續執行自動運轉。因此，與上述同樣，生產用晶圓W被搬送至處理室PM1、PM2、PM4來進行處理。又，對已被指定「QC模式」的處理室PM3，禁止生產用晶圓W的搬送，僅允許QC檢查用晶圓的搬送。因此，不會因運用錯誤而使生產用晶圓W被搬送至QC檢查未完成的處理室PM3。
(E)轉換至生產模式
已確認品質檢查的測定結果是在既定規格後，一旦QC模式被解除，處理室PM3的動作模式便會再次轉換至「生產模式」，處理室PM1至PM4之全部的動作模式成為「生產模式」。因此，生產用晶圓W被搬送至處理室PM1至PM4。此時，對處理室PM1至PM4，禁止QC檢查用晶圓W的搬送，僅允許生產用晶圓W的搬送。因此，不會因運用錯誤而使生產用以外的晶圓W被搬送至處理室PM1至PM4。另外，當膜厚及微粒數之任一者未在既定規格時，則例如再次執行處理室的維修，但此維修處理並未顯示圖中，
(6)本實施形態的效果
根據本實施形態，具有以下所示之一個或複數個效果。
(A)本實施形態的動作模式具有：進行作為處理室之處理室PM1、PM2、PM3、PM4的保養檢查之「維修模式」；在保養檢查後的處理室PM1、PM2、PM3、PM4處理作為品質管理用的基板的QC檢查用晶圓W之「QC模式」；及處理作為生產用基板的生產用晶圓之「生產模式」。因此，執行QC檢查時，可選擇「QC模式」來處理QC檢查用晶圓W。又，執行生產時，可選擇「生產模式」來處理生產用晶圓W。
(B)本實施形態之作為統合控制部的統合控制器90係以對被指定「QC模式」的處理室PM內一邊禁止生產用晶圓W的搬送一邊搬送作為品質管理用的基板的QC檢查用晶圓W，且對被指示「生產模式」的處理室PM內一邊禁止QC檢查用晶圓W的搬送一邊搬送生產用晶圓W的方式，來控制作為搬送機構的真空搬送機器人VR。因此，僅有QC檢查用晶圓W會被搬送至設定有「QC模式」的處理室，可防止對被指定「QC模式」的處理室PM搬送生產用晶圓W。因此，在自動運轉中生產用晶圓W不會被搬入QC檢查中的處理室PM內來處理，故可避免處理室PM的登出(log out)(成為無法使用狀態)。
(C)本實施形態的操作部100具有顯示裝置110。在顯示裝置110的顯示部115可顯示設定畫面120，該設定畫面120係用來選擇在作為動作命令的「QC模式」及「生產模式」下所使用的基板。藉此，操作者可進行QC檢查用晶圓W的搬送指定。
又，設定畫面120具有指定執行生產模式之處理室PM1～PM4的任一者之構成、和設定在生產模式下所執行的處理方法之構成。藉此，操作者可從設定畫面120進行處理室PM的指定及處理方法的指定。
操作部100可將含所選擇的動作模式之既定的動作命令傳送至統合控制器90。統合控制器90對製程模組控制器91～94指示所接收到的動作命令，製程模組控制器91～94依據該動作命令，使分別相對應的處理室PM1～PM4執行晶圓處理。
(D)本實施形態之動作模式的選擇，是在一個處理室PM選擇一個動作模式，且在複數個處理室PM同時選擇一個或複數個動作模式，所以可同時在個別的處理室進行不同的動作模式的指示。亦即，即便在一部分的處理室PM選擇了「維修模式」或「QC模式」，仍可在其他的處理室PM持續進行生產。藉此，可使基板處理裝置的作業比率(operating ratio)提升。
＜本發明之其他實施形態＞
基板處理裝置不限於上述實施形態所示之處理半導體基板的半導體製造裝置，亦可為處理LCD裝置之類的玻璃基板的裝置。又，基板處理的具體內容不限，不僅可進行成膜處理，亦可進行熱處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理、曝光處理、雜質摻雜等的處理。又，處理室亦可為利用被導入其內部的電漿或在其內部產生的電漿，對被搬送至處理室PM內之作為基板的晶圓W實施既定的電漿處理(例如，電漿CVD處理、電漿蝕刻處理、電漿灰化處理、電漿摻雜處理等)之電漿處理室。又，成膜處理亦可為例如CVD、PVD、ALD等的處理、形成氧化膜、氮化膜、炭化膜，氮氧化膜等的處理、形成有機膜的處理、形成含金屬的膜的處理。
＜本發明之較佳態樣＞
以下，附記本發明之較佳態樣。
本發明之第1態樣係一種基板處理裝置，其具備：複數個處理室，係用來處理基板；搬送室，係以可連通的方式與上述處理室連接；搬送機構，係設置於上述搬送室內，在上述搬送室與上述處理室之間搬送上述基板；處理控制部，係與上述各處理室連接而控制上述各處理室內的基板處理；統合控制部，係與上述處理控制部連接而控制上述搬送機構的動作；及操作部，係與上述統合控制部及上述處理控制部連接，將處理命令傳送至上述統合控制部及上述處理控制部，並且經由上述統合控制部從上述搬送機構接收動作報告，經由上述處理控制部從設置於上述處理室的處理機構接收動作報告；在該基板處理裝置中，上述統合控制部係以一邊禁止朝指定的處理室內搬送生產用的上述基板，一邊朝指定的處理室內搬送品質管理用的基板，並且朝上述指定的處理室以外的處理室搬送生產用的基板之方式來控制上述搬送機構。
本發明之第2態樣係如第1態樣所記載的基板處理裝置，其中上述操作部具有顯示裝置，於上述顯示裝置，可按上述各處理室，顯示選擇上述維修模式、上述QC模式及上述生產模式的設定畫面。
本發明之第3態樣係如第2態樣所記載的基板處理裝置，其中，上述設定畫面具有指定執行上述動作模式的上述處理室之構成、和設定在上述動作模式中執行的處理方法之構成。
本發明第4態樣係如第1態樣至第3態樣之任一態樣所記載之基板處理裝置，其中，在一個上述處理室選擇一個上述動作模式，且在複數個上述處理室同時選擇一個或複數個上述動作模式。
本發明第5態樣係如第4態樣所記載的基板處理裝置，其中，上述統合控制部係經由上述處理控制部在複數個上述處理室中的至少一個以上的處理室指定上述動作模式中的一個動作模式，且其他的上述處理室係指定上述指定之動作模式以外的上述動作模式；在已指定上述動作模式中的一個的上述處理室中執行該動作模式的處理、以及在已指定上述指定之動作模式以外的上述動作模式之處理室中執行該動作模式的處理。
本發明第6態樣係一種基板處理裝置，其具備：複數個處理室，係用來處理基板；真空搬送室，係以可連通的方式與上述處理室連接；可減壓的預備室，係以可連通的方式與上述真空搬送室連接；大氣搬送室，係以可連通的方式與上述預備室連接，且在大氣壓狀態下搬送上述基板；基板收納部，係以可連通的方式與上述大氣搬送室連接，用以保持收納上述基板之基板收納容器；真空搬送機構，係設置於上述真空搬送室內，在與上述預備室之間搬送上述基板；大氣搬送機構，係設置於上述大氣搬送室內，在上述預備室與上述基板收納部之間搬送上述基板；處理控制部，係設置於上述處理室，控制上述處理室的動作；統合控制部，係與上述處理控制部連接，經由上述處理控制部控制上述處理室的動作，並且與上述真空搬送機構及上述大氣搬送機構連接以控制各自的搬送動作；及操作部，係構成可與上述統合控制部連接，經由上述統合控制部將動作命令傳送至上述處理控制部，並且經由上述統合控制部從上述處理控制部接收動作報告；在該基板處理裝置中，上述處理室的動作模式具有進行上述處理室之保養檢查的維修模式、在保養檢查後的上述處理室處理品質管理用的上述基板的QC模式、以及處理生產用的上述基板的生產模式；於上述操作部輸入所選擇的上述動作模式作為上述動作命令；經由上述統合控制部對上述處理控制部指示上述選擇的動作模式，上述統合控制部係以對被指定上述維修模式的上述處理室內禁止上述基板的搬送，且對被指定上述QC模式的上述處理室內一邊禁止生產用的上述基板的搬送一邊搬送品質管理用的上述基板，且對被指示上述生產模式的上述處理室內一邊禁止品質管理用的上述基板的搬送一邊搬送生產用的上述基板之方式，控制上述真空搬送機構及上述大氣搬送機構。
本發明第7態樣係在藉搬送機構將基板搬送至處理室內來進行處理的半導體裝置之製造方法中，具有下列步驟：在進行保養檢查的維修模式設定上述處理室的動作模式，禁止利用上述搬送機構所進行之上述基板對上述處理室的搬送，可進行上述處理室的維修之步驟；在處理品質管理用的上述基板的QC模式設定上述處理室的動作模式，一邊禁止藉上述搬送機構所進行之生產用的上述基板的搬送，一邊搬送品質管理用的上述基板，並在上述處理室內處理品質管理用的上述基板之步驟；及檢查已處理之品質管理用的上述基板的品質，當上述品質滿足既定品質時，在處理生產用的上述基板的生產模式設定上述處理室的動作模式，一邊禁止藉上述搬送機構所進行之品質管理用的上述基板的搬送，一邊搬送生產用的上述基板，並在上述處理室內處理生產用的上述基板的步驟。
本發明之第8態樣係如第7態樣所記載之半導體裝置的製造方法，其中，所處理之品質管理用的上述基板的品質檢查具有：成膜於上述基板上之膜的膜厚測定；及附著於上述基板之微粒數的測定。
W．．．晶圓(基板)
PM1．．．處理室(process chamber)
PM2．．．處理室(process chamber)
PM3．．．處理室(process chamber)
PM4．．．處理室(process chamber)
PMC1．．．製程模組控制器(處理控制部)
PMC2．．．製程模組控制器(處理控制部)
PMC3．．．製程模組控制器(處理控制部)
PMC4．．．製程模組控制器(處理控制部)
80．．．LAN線路
90．．．統合控制器(統合控制部)
100．．．操作部
110．．．顯示裝置
115．．．顯示部
120．．．設定畫面
11．．．質流控制器
12．．．自動壓力控制器(APC)
13．．．溫度調整器
14．．．輸入輸出閥I/O
91、92、93、94．．．製程模組控制器
RM1．．．真空搬送機器人動作命令
RM2．．．真空搬送機器人動作命令
RM3．．．真空搬送機器人動作命令
RM4．．．真空搬送機器人動作命令
LP1～LP3．．．裝載埠
PD1～PD3．．．匣盒
P1～P7、P10．．．基板位置
G1～G8．．．閘閥
VL1、VL2．．．真空鎖定室
ST1、ST2．．．緩衝台
AR．．．大氣搬送機器人
EV．．．升降器
OFA．．．平面對準裝置
LM．．．大氣搬送室
TM．．．真空搬送室
圖1係本發明之一實施形態之群集型基板處理裝置的示意構成圖。
圖2係本發明之一實施形態的基板處理裝置的控制手段的方塊構成圖。
圖3係表示在本發明之一實施形態的基板處理裝置的設定畫面選擇品質管理用的基板(螢幕基板)時的一例之畫面構成圖。
圖4係表示在本發明之一實施形態的基板處理裝置的設定畫面選擇生產用基板(製品基板)時的一例之畫面構成圖。
圖5係表示在本發明之一實施形態的基板處理裝置的設定畫面對全部的處理室選擇生產用基板時的一例之畫面構成圖。
圖6係在本發明之一實施形態的基板處理裝置實施之基板處理步驟的流程圖。
圖7係例示本發明之一實施形態的基板處理步驟之控制手段的動作的示意圖。
圖8係表示在本發明之一實施形態的基板處理裝置實施之處理室的動作模式的轉換過程之流程圖。
圖9係在本發明之一實施形態的基板處理裝置實施之各動作模式的流程。
圖10係本發明之一實施形態的基板處理裝置與習知基板處理裝置的動作模式的流程圖。
圖11係表示使本發明之一實施形態的基板處理裝置自動運轉時之處理室的運用方法的一例之示意構成圖。
圖12係使本發明之一實施形態的基板處理裝置自動運轉時之處理室的運用方法的一例之示意構成圖。
圖13係使本發明之一實施形態的基板處理裝置自動運轉時之處理室的運用方法的一例之示意構成圖。
圖14係可一邊持續生產一邊在既定的處理室進行維修作業至生產用晶圓處理的流程圖。
W．．．晶圓(基板)
PM1．．．處理室(process chamber)
PM2．．．處理室(process chamber)
PM3．．．處理室(process chamber)
PM4．．．處理室(process chamber)
LP1～LP3．．．裝載埠
PD1～PD3．．．匣盒
P1～P7、P10．．．基板位置
G1～G8．．．閘閥
VL1、VL2．．．真空鎖定室
ST1、ST2．．．緩衝台
AR．．．大氣搬送機器人
EV．．．升降器
OFA．．．平面對準裝置
LM．．．大氣搬送室
TM．．．真空搬送室

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：複數個處理室，係用來處理複數個基板；搬送室，係與上述複數個處理室連接；搬送機構，係設置於上述搬送室內，在上述搬送室與上述複數個處理室之間搬送上述複數個基板；處理控制部，係與上述複數個處理室之每一處理室連接而控制上述複數個處理室之每一處理室內的基板的處理；統合控制部，係與上述處理控制部連接而控制上述搬送機構的動作；及操作部，係與上述統合控制部及上述處理控制部連接，該操作部係將指令傳送到上述統合控制部及上述處理控制部並經由上述統合控制部接收來自上述搬送機構的動作報告，其中，上述操作部具備顯示設定畫面的顯示部，該設定畫面用於選擇維修模式、QC模式及生產模式其中一者，在上述維修模式中，進行上述複數個處理室之保養檢查；在上述QC模式中，在保養檢查後的上述複數個處理室內處理品質管理用基板；在上述生產模式中，在上述複數個處理室內處理生產用基板，其中，當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中之既定處理室被設定為上述維修模式時，上述統合控制 部係控制上述搬送機構以禁止朝上述既定處理室內搬送上述複數個基板；其中，當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中的上述既定處理室被設定為上述QC模式時，上述統合控制部係控制上述搬送機構以一邊禁止朝上述既定處理室內搬送上述生產用基板，一邊朝上述既定的處理室內搬送上述品質管理用基板；其中，當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中的上述既定處理室被設定為上述生產模式時，上述統合控制部係控制上述搬送機構以禁止朝上述複數個處理室中上述既定處理室以外的處理室搬送上述品質管理用基板，而將上述生產用基板搬送到上述既定處理室。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中當在上述設定畫面上，上述既定處理室被設定為上述維修模式時，上述統合控制部將關閉上述既定處理室與上述搬送室之間的閘閥的指令傳送到上述處理控制部；並且，在閘閥被關閉，且禁止朝上述既定處理室搬送上述複數個基板後，上述統合控制部將開始進行上述保養檢查的處理方法之指示傳送到上述處理控制部，上述處理控制部係藉由在上述既定處理室實施上述保養檢查用的上述處理方法，來實施既定的維修處理。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中的上述既定處理室 被設定為上述QC模式時，上述統合控制部進行以下處理：將上述既定處理室的模式從上述維修模式轉換到上述QC模式，以一邊禁止將上述生產用基板搬送到上述既定處理室內，一邊將品質管理用基板搬送到上述既定處理室內的方式控制上述搬送機構，在上述品質管理用基板被搬入上述既定處理室內之後，指示上述處理控制部開始進行用於處理上述品質管理用基板的處理方法，上述處理控制部執行用於處理上述品質管理用基板的上述處理方法。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，當用於處理上述品質管理用基板的上述處理方法完成時，進行成膜於上述品質管理用基板上之膜厚的測定以及黏附於上述品質管理用基板上之微粒數的檢查，作為上述品質管理用基板的品質檢查；上述統合控制部係根據上述品質檢查的結果，經由上述設定畫面而受理上述既定處理室之動作模式的再設定。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，當上述品質檢查的結果不在既定規格內時，上述統合控制部係受理經由上述設定畫面而使上述既定處理室 的上述動作模式從上述QC模式轉換到上述維修模式的再設定，當上述品質檢查的結果在上述既定規格內時，上述統合控制部係受理經由上述設定畫面而使上述既定處理室的上述動作模式從上述QC模式轉換到上述生產模式的再設定。
  6. 一種基板搬送方法，係在如申請專利範圍第1項之基板處理裝置中執行，該方法具有以下步驟：當在生產用基板的搬送期間於上述複數個處理室中的既定處理室發生錯誤時，將上述既定處理室設定為維修模式，且一邊禁止將上述生產用基板搬送到上述既定處理室內，一邊將上述生產用基板搬送到上述複數個處理室中上述既定處理室以外的處理室；將上述既定處理室設定為QC模式，且一邊持續禁止上述生產用基板朝上述既定處理室的搬送，一邊將上述品質管理用基板搬送到上述既定處理室，在上述QC模式中，在保養檢查完成後處理品質管理用基板；檢查上述品質管理用基板的品質；當上述品質管理用基板的品質滿足既定水準時，將上述既定處理室設定為生產模式，且將上述生產用基板搬送到上述既定處理室；當上述品質管理用基板的品質沒有滿足既定水準時，將上述既定處理室從上述QC模式重設為上述維修模式。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，係在如申請專利範圍第1項之基板處理裝置中執行，該方法具有以下步驟：當生產用基板在進行處理的期間，於上述複數個處理室的既定處理室發生錯誤時，藉由上述統合控制部將上述複數個處理室的上述既定處理室設定為維修模式，且一邊禁止將上述生產用基板搬送到上述既定處理室內，一邊藉由處理控制部在上述複數個處理室中上述既定處理室以外的處理室內處理上述生產用基板；在保養檢查完成後，藉由上述統合控制部將上述既定處理室從上述維修模式設定為用於處理品質管理用基板的QC模式，一邊持續禁止將上述生產用基板朝上述既定處理室的搬送，一邊將上述品質管理用基板搬送到上述既定處理室；藉由上述處理控制部在上述既定處理室內處理上述品質管理用基板，且藉由上述處理控制部在上述複數個處理室中上述既定處理室以外的處理室內處理上述生產用基板；檢查上述品質管理用基板的品質；當上述品質管理用基板的品質滿足既定水準時，藉由上述統合控制部將上述既定處理室設定為生產模式，將上述生產用基板搬送到上述既定處理室，且藉由上述處理控制部在上述複數個處理室內處理上述生產用基板， 當上述品質管理用基板的品質沒有滿足既定水準時，上述處理控制部重新執行保養檢查。
  8. 一種基板處理裝置的控制方法，該基板處理裝置具備：搬送機構，係被設置於以可與處理各種基板的複數個處理室連通的方式連接之搬送室內，在上述搬送室與上述處理室之間搬送上述基板；處理控制部，係與上述各處理室連接而控制上述各處理室內的基板處理；統合控制部，係與上述處理控制部連接而控制上述搬送機構的動作；及操作部，係與上述統合控制部及上述處理控制部連接，將處理命令傳送到上述統合控制部及上述處理控制部並經由上述統合控制部接收來自上述搬送機構的動作報告；該基板處理裝置的控制方法具有：顯示步驟，係顯示設定畫面，該設定畫面係設定包含維修模式、QC模式及生產模式的動作模式，在上述維修模式中，對處理各種基板的處理室進行保養檢查；在上述QC模式中，在保養檢查後的上述處理室處理品質管理用的上述基板；在上述生產模式中，處理生產用的上述基板；及控制步驟，係控制成：當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中之既定處理室被設定為上述維修模式 時，禁止朝上述既定處理室內搬送上述各種基板；當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中的既定處理室被設定為上述QC模式時，一邊禁止朝指定的上述既定處理室內搬送生產用的上述基板，一邊搬送品質管理用基板，並且禁止朝上述指定的上述既定處理室以外的處理室搬送上述品質管理用基板，而將生產用基板搬送到在上述設定畫面上被設定為上述生產模式的上述既定處理室。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置的控制方法，具有：當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中的既定處理室被設定為上述維修模式時，將關閉上述既定處理室與上述搬送室之間的閘閥的指令傳送到上述處理控制部之步驟；在上述閘閥被關閉，且禁止朝上述既定處理室搬送上述各種基板後，將開始進行維修用的處理方法之指示傳送到上述處理控制部之步驟；及上述處理控制部係藉由在設定為維修模式的上述既定處理室執行上述維修用的處理方法，來實施既定的維修處理之步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置的控制方法，其中，當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中的既定處理室被設定為上述QC模式時，該控制方法具有： 將上述既定處理室的動作模式從上述維修模式轉換到上述QC模式之步驟；一邊禁止將生產用基板搬送到上述既定處理室內，一邊將品質管理用基板搬送到上述既定處理室內之步驟；在上述品質管理用基板被搬入上述既定處理室內之後，指示上述處理控制部開始進行用於處理上述品質管理用基板的處理方法之步驟；及上述處理控制部執行用於處理上述品質管理用基板的處理方法之步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置的控制方法，其中，當執行上述處理方法的步驟完成時，該控制方法具有：進行用於測定成膜於上述品質管理用基板上的膜厚之膜厚測定以及存在於上述品質管理用基板上之微粒數的檢查之步驟；及受理在上述設定畫面中因應上述既定處理室中的上述檢查結果的上述動作模式的再設定之步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置的控制方法，其中在進行上述檢查的步驟中，當上述檢查的結果不在既定規格內時，受理在上述設定畫面中使上述既定處理室的動作模 式從上述QC模式轉換到上述維修模式的再設定，當上述檢查的結果在既定規格內時，受理在上述設定畫面中使上述既定處理室的動作模式從上述QC模式轉換到上述生產模式的再設定。
  13. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置的控制方法，其中，上述統合控制部係進行以下步驟：當生產用基板搬送到複數個處理室的期間，在上述複數個處理室中的既定處理室發生錯誤時，將上述既定處理室設定為維修模式，禁止將上述生產用基板搬送到上述既定處理室，並將上述生產用基板搬送到上述既定處理室以外的處理室。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置的控制方法，具有以下步驟：當上述既定處理室的維修作業完成後，從上述維修模式設定為處理品質管理用基板的QC模式，且一邊持續禁止上述生產用基板朝上述既定處理室的搬送，一邊將上述品質管理用基板搬送到上述既定處理室。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置的控制方法，更具有檢查上述品質管理用基板的品質之步驟；當上述品質滿足既定品質時，將上述既定處理室的動作模式設定為處理生產用基板的生產模式，當上述品質沒有滿足既定品質時，將上述既定處理室的動作模式從上述QC模式重設為上述維修模式。
  16. 一種基板處理裝置的維修方法，該基板處理裝置具備：搬送機構，係被設置於以可與處理各種基板的複數個處理室連通的方式連接之搬送室內，在上述搬送室與上述處理室之間搬送上述基板；處理控制部，係與上述各處理室連接而控制上述各處理室內的基板處理；統合控制部，係與上述處理控制部連接而控制上述搬送機構的動作；及操作部，係與上述統合控制部及上述處理控制部連接，將處理命令傳送到上述統合控制部及上述處理控制部並經由上述統合控制部接收來自上述搬送機構的動作報告；該基板處理裝置的維修方法具有：顯示設定畫面的步驟，該設定畫面係設定包含維修模式、QC模式及生產模式的動作模式，在上述維修模式中，對處理各種基板的處理室進行保養檢查；在上述QC模式中，在保養檢查後的上述處理室處理品質管理用的上述基板；在上述生產模式中，處理生產用的上述基板；當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中的既定處理室被設定為上述維修模式時，將關閉上述既定處理室與上述搬送室之間的閘閥的指令傳送到上述處理控制部之步驟；在上述閘閥被關閉，且禁止朝上述既定處理室搬送 上述各種基板後，將開始進行維修用的處理方法之指示傳送到上述處理控制部之步驟；及上述處理控制部係藉由在設定為維修模式的上述既定處理室執行上述維修用的處理方法，來實施既定的維修處理之步驟。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置的維修方法，其中當在上述設定畫面上，上述複數個處理室中的既定處理室被設定為上述QC模式時，該維修方法具有：將上述既定處理室的動作模式從上述維修模式轉換到上述QC模式之步驟；一邊禁止將生產用基板搬送到上述既定處理室內，一邊將品質管理用基板搬送到上述既定處理室內之步驟；在上述品質管理用基板被搬入上述既定處理室內之後，指示上述處理控制部開始進行用於處理上述品質管理用基板的處理方法之步驟；及上述處理控制部執行用於處理上述品質管理用基板的處理方法之步驟。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置的維修方法，其中，當執行上述處理方法的步驟完成時，該維修方法具有：進行用於測定成膜於上述品質管理用基板上的膜厚之膜厚測定以及存在於上述品質管理用基板上之微粒數 的檢查之步驟；及受理在上述設定畫面中因應上述既定處理室中的上述檢查結果的上述動作模式的再設定之步驟。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板處理裝置的維修方法，其中，在進行上述檢查的步驟中，當上述檢查的結果不在既定規格內時，受理在上述設定畫面中使上述既定處理室的動作模式從上述QC模式轉換到上述維修模式的再設定，當上述檢查的結果在既定規格內時，受理在上述設定畫面中使上述既定處理室的動作模式從上述QC模式轉換到上述生產模式的再設定。
TW100106796A 2010-03-02 2011-03-02 基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法及基板處理裝置的維修方法 TWI471967B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010045764A JP5575507B2 (ja) 2010-03-02 2010-03-02 基板処理装置、基板搬送方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置のメンテナンス方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201203433A TW201203433A (en) 2012-01-16
TWI471967B true TWI471967B (zh) 2015-02-01

Family

ID=44532015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100106796A TWI471967B (zh) 2010-03-02 2011-03-02 基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法及基板處理裝置的維修方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8588950B2 (zh)
JP (1) JP5575507B2 (zh)
KR (1) KR101358090B1 (zh)
TW (1) TWI471967B (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5821689B2 (ja) * 2011-04-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102128722B1 (ko) * 2012-08-21 2020-07-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 검사 방법
US9146551B2 (en) * 2012-11-29 2015-09-29 Asm Ip Holding B.V. Scheduler for processing system
KR20150120436A (ko) 2013-02-20 2015-10-27 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼 소형 제조 장치 및 이것을 사용한 제조 시스템
CN104752128A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 硅片加工处理的系统及方法
JP6113670B2 (ja) * 2014-01-20 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、その運用方法及び記憶媒体
JP2015201598A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP6123740B2 (ja) * 2014-06-17 2017-05-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造ライン及び半導体装置の製造方法
US10062599B2 (en) 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US20170115657A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ
JP6240695B2 (ja) 2016-03-02 2017-11-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
WO2017175408A1 (ja) 2016-04-08 2017-10-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6403722B2 (ja) 2016-07-21 2018-10-10 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム
JP6896682B2 (ja) * 2018-09-04 2021-06-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP7122236B2 (ja) * 2018-11-28 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 検査装置、メンテナンス方法、及びプログラム
JP7379042B2 (ja) * 2019-09-20 2023-11-14 東京エレクトロン株式会社 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法
JP2022076547A (ja) * 2020-11-10 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、および制御プログラム
KR20220085452A (ko) * 2020-12-15 2022-06-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW466622B (en) * 1996-09-11 2001-12-01 Hitachi Ltd Operating method of vacuum processing device and vacuum processing device
US20020133260A1 (en) * 1996-09-11 2002-09-19 Kouji Nishihata Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
TW554385B (en) * 2000-07-07 2003-09-21 Tokyo Electron Ltd Maintenance method of processing apparatus
US20060181699A1 (en) * 2004-12-20 2006-08-17 Tokyo Electron Limited Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3384292B2 (ja) * 1997-08-20 2003-03-10 株式会社日立製作所 真空処理装置の運転方法及び真空処理装置
JP4884594B2 (ja) 2001-03-22 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び制御方法
JP3850710B2 (ja) * 2001-10-29 2006-11-29 株式会社日立製作所 真空処理装置の運転方法
US6733621B2 (en) * 2002-05-08 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Venting apparatus and method for vacuum system
JP2004152961A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 搬送制御システム及び搬送制御方法並びに搬送制御プログラム
US7335277B2 (en) * 2003-09-08 2008-02-26 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
JP4673548B2 (ja) * 2003-11-12 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその制御方法
JP4524132B2 (ja) * 2004-03-30 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP4522783B2 (ja) * 2004-08-03 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7169626B2 (en) * 2004-09-21 2007-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for detecting alignment mark shielding
JP2006179528A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム
US20060176928A1 (en) * 2005-02-08 2006-08-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, control method adopted in substrate processing apparatus and program
US20060215347A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and recording medium
CN101300486B (zh) * 2005-09-02 2013-07-24 Abb公司 模块化气相色谱仪
JP2007081302A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Toshiba Corp 管理システム、管理方法及び電子装置の製造方法
WO2007108370A1 (ja) * 2006-03-22 2007-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置
KR101089841B1 (ko) * 2006-07-31 2011-12-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 프로그램, 기억 매체 및 컨디셔닝 필요여부 결정 방법
JP4697896B2 (ja) * 2007-03-24 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、装置動作パラメータの管理方法、およびプログラム
JP4957426B2 (ja) * 2007-07-19 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
FR2920065A1 (fr) * 2007-08-16 2009-02-20 Commissariat Energie Atomique Procede de codage/decodage spatio-temporel pour systeme de communication multi-antenne de type impulsionnel
JP4986784B2 (ja) * 2007-09-18 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP5089306B2 (ja) 2007-09-18 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
US20090112520A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Applied Materials, Inc. Self-aware semiconductor equipment
US20090114346A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP5294681B2 (ja) * 2008-04-28 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその基板搬送方法
US20100076729A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Applied Materials, Inc. Self-diagnostic semiconductor equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW466622B (en) * 1996-09-11 2001-12-01 Hitachi Ltd Operating method of vacuum processing device and vacuum processing device
US20020133260A1 (en) * 1996-09-11 2002-09-19 Kouji Nishihata Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
TW554385B (en) * 2000-07-07 2003-09-21 Tokyo Electron Ltd Maintenance method of processing apparatus
US20060181699A1 (en) * 2004-12-20 2006-08-17 Tokyo Electron Limited Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201203433A (en) 2012-01-16
US20110218659A1 (en) 2011-09-08
JP5575507B2 (ja) 2014-08-20
KR20110099644A (ko) 2011-09-08
US8972036B2 (en) 2015-03-03
KR101358090B1 (ko) 2014-02-04
JP2011181771A (ja) 2011-09-15
US20140046470A1 (en) 2014-02-13
US8588950B2 (en) 2013-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI471967B (zh) 基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法及基板處理裝置的維修方法
JP6446537B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6368453B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理装置のデータ解析方法並びにプログラム
US7640072B2 (en) Substrate processing apparatus, control method for the apparatus, and program for implementing the method
JP5570775B2 (ja) 基板処理装置のセットアップ方法、基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法及び基板処理装置
TWI638407B (zh) Substrate processing apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and program
US10133264B2 (en) Method of performing aging for a process chamber
JP2012109333A (ja) 基板処理装置
US8904955B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5433290B2 (ja) 基板収納方法及び制御装置
US9818629B2 (en) Substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
WO2012035965A1 (ja) 基板処理システム及び基板処理装置の表示方法
JP4486692B2 (ja) 基板処理装置
JP2014116341A (ja) 基板処理システム及び基板処理装置の縮退運用方法
JP2011054679A (ja) 基板処理装置
JP5972608B2 (ja) 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法並びにプログラム
JP2014120618A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP2013115189A (ja) 基板処理システム
JP2012104702A (ja) 基板処理装置
JP2010166082A (ja) 基板処理装置、基板処理装置の表示方法、及び半導体装置の製造方法
JP2010003920A (ja) 基板処理装置
JP2006092298A (ja) 基板処理装置
JP2009024229A (ja) 基板処理装置
JP2012164850A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の表示方法