JP5296025B2 - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Description
図1に、本実施形態の半導体装置の製造装置の構成を示す。図1に示すように、例えば1ロットを構成する25枚のウェハwを、それぞれ所定の処理位置(処理オーダー)に配置し、第1の処理を行う第1の処理装置であるバッチ成膜装置11A、第1の処理完了後、ウェハwの並び替えを行う処理オーダー変更機構であるウェハソータ12、複数のウェハwに対して、ウェハソータ12により入れ替えられた処理位置で第2の処理を行う第2の処理装置であるバッチ成膜装置11Bが設けられている。
本実施形態において、半導体装置の製造装置の構成は、第1の実施形態と同様であるが、第1の処理装置を枚葉成膜装置とする点で異なっている。
12、72…ウェハソータ
13、73…FOUP
14、74…膜厚測定器
15、75…記憶装置
16、76…演算機構
17、77…制御機構
71A…枚葉成膜装置
Claims (10)
- 複数のウェハを処理する第1の処理装置において、第1の処理オーダーで、前記複数のウェハに第1の処理を行い、
前記第1の処理における前記複数のウェハ毎の処理量を求め、
前記第1の処理の後に、前記複数のウェハを処理する第2の処理装置における第2の処理による前記複数のウェハ毎の処理量を求め、
前記第1の処理による前記複数のウェハ毎の処理量と前記第2の処理による前記複数のウェハ毎の処理量から第1の処理オーダーとは異なる第2の処理オーダーを決定し、
前記第2の処理装置において、前記第2の処理オーダーで、前記複数のウェハに第2の処理を行い、
前記複数のウェハ毎の処理量は、前記第2の処理による加工量の過去の測定値を、最新の測定値に更新し、
更新された前記最新の測定値に基づいて、前記第2の処理の実行後の前記複数のウェハ毎の特性分布を予測することにより求められることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の処理オーダーは、得られる半導体装置における所定の特性のバラツキが最小になるように決定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数のウェハは、一つのロット内に含まれており、
前記測定値は、前記複数のウェハが含まれる前記ロットと異なる、少なくとも一つの他のロットに含まれる他の複数のウェハに対する前記第2の処理による加工量の測定値であり、
前記測定値の更新は、ロット毎に行われることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記最新の測定値は、前記複数のウェハが含まれる前記ロットに対して直近に処理された前記他のロット内に含まれる前記他の複数のウェハの加工量の測定値、
複数の前記他のロット毎に得られる前記加工量の測定値の平均値、
または前記複数の他のロット間における前記加工量の測定値の変化から予測される値、
のいずれかであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の処理オーダーの決定は、前記ロット毎に行われることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体層位置の製造方法。
- 前記測定値の更新は、前記ウェハ毎に行われることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数のウェハに第1の処理オーダーで第1の処理を行う第1の処理装置と、
前記第1の処理の後、前記複数のウェハに第2の処理オーダーで第2の処理を行う第2の処理装置と、
前記第1の処理における前記複数のウェハ毎の処理量を求める機構と、
前記第2の処理における前記複数のウェハ毎の処理量を求める機構と、
前記第1の処理による前記複数のウェハ毎の処理量と前記第2の処理による前記複数のウェハ毎の処理量から前記第2の処理オーダーを決定する機構と、
前記複数のウェハの配置を、前記第1の処理オーダーから前記第2の処理オーダーに変更する機構と、
前記第1及び第2の処理装置、前記第1及び第2の処理におけるウェハ毎の処理量を求める機構、前記第2の処理オーダーを決定する機構、および前記第1の処理オーダーから前記第2の処理オーダーに変更する機構、を制御する機構と、
を備え、
前記第2の処理における前記複数のウェハ毎の処理量を求める機構は、
前記第2の処理による加工量の過去の測定値を、最新の測定値に更新し、更新された前記最新の測定値に基づいて、前記第2の処理の実行後の前記複数のウェハ毎の特性分布を予測することにより、前記処理量を求める機構であることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記第2の処理オーダー、得られる半導体装置における所定の特性のバラツキが最小になるように決定された処理オーダーでることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記複数のウェハは、一つのロット内に含まれており、
前記測定値は、前記複数のウェハが含まれる前記ロットと異なる、少なくとも一つの他のロットに含まれる他の複数のウェハに対する前記第2の処理による加工量の測定値であり、
前記測定値の更新は、ロット毎に行われることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造装置。 - 前記最新の測定値は、前記複数のウェハが含まれるロットに対して直近に処理された他のロット内に含まれる他の複数のウェハの加工量の測定値、
前記ロットに対する前記第2の処理が実行される前に前記第2の処理が実行された複数の他のロット毎に得られる前記加工量の測定値の平均値、
または前記ロットに対する前記第2の処理が実行される前に前記第2の処理が実行された複数の他のロット間における前記加工量の測定値の変化から予測される値、
のいずれかであることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造装置。
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