JP2010073921A - 加工装置、加工方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の半導体ウエハの相互間における加工量のばらつきを抑制できる加工装置、加工方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、保持機構2によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、を具備する。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、保持機構2によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、を具備する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、加工装置、加工方法及び半導体装置の製造方法等に係わり、特に、複数の半導体ウエハの相互間における加工量のばらつきを抑制できる加工装置、加工方法及び半導体装置の製造方法に関する。
一般に、トランジスタのウェル領域は、イオン注入によって形成される。このイオン注入時に発生するイオン注入表面の欠陥(イオン注入時の機械的、力学的ダメージ)をシリコン基板に残さないようにするために次のような方法が用いられる。前記イオン注入表面に犠牲酸化膜を形成しておき、その犠牲酸化膜を通してシリコン基板に不純物のイオン注入を行い、その後、犠牲酸化膜をエッチングにより除去する。
プロセスフローの組み方によっては、犠牲酸化膜を形成する工程とイオン注入工程との間に複数のエッチング工程を挟まざるを得ない場合があり、その複数のエッチング工程によって犠牲酸化膜が複数回エッチングされることがある。このエッチングを行うエッチング装置には、エッチング加工を行う半導体ウエハの順番によって加工量が変わるという加工特性の「くせ」がある場合がある。この場合、犠牲酸化膜を複数回エッチングすることによって、「くせ」による加工量のばらつきが複数枚の半導体ウエハの相互間においてより大きくなることがある。その結果、犠牲酸化膜の膜厚ばらつきが半導体ウエハの相互間において大きくなることがある。このように膜厚ばらつきが大きい犠牲酸化膜を通して不純物のイオン注入を行ってウェル領域を形成すると、ウェル領域の不純物プロファイルのばらつきが半導体ウエハの相互間においてより大きくなる。
やむを得ず同一部分に複数回の加工を行うと、加工装置による加工特性の「くせ」による加工量のばらつきがより大きくなることがある。そこで、加工特性の「くせ」を有する加工装置を用いて複数回の加工を行っても、加工量のばらつきを抑制することが求められている。
本発明に係る幾つかの態様は、複数の半導体ウエハの相互間における加工量のばらつきを抑制できる加工装置、加工方法及び半導体装置の製造方法である。
上記課題を解決するため、本発明に係る幾つかの態様の一つの加工装置は、第1乃至第nの半導体ウエハを保持する保持機構と、
前記保持機構によって保持された第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に加工を行う加工機構と、
前記加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記保持機構によって前記第1の半導体ウエハから前記第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記加工機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜に第1の加工を行った後、前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出し、その後、前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記加工機構によって前記第1の加工を行った部分に第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする。
前記保持機構によって保持された第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に加工を行う加工機構と、
前記加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記保持機構によって前記第1の半導体ウエハから前記第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記加工機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜に第1の加工を行った後、前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出し、その後、前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記加工機構によって前記第1の加工を行った部分に第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする。
上記加工装置によれば、所定の加工特性をキャンセルするように制御部によって制御することにより、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における加工量のばらつきを抑制することができる。
また、前記所定の加工特性は、前記保持機構によって並べられた前記第1の半導体ウエハから前記第nの半導体ウエハの順番に比例して加工量が増減する特性であることも可能である。
また、前記加工装置において、前記加工を行う加工機構は、前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜に熱酸化を行う機構、又は前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜の上にCVD法により成膜する機構であることも可能である。
本発明に係る幾つかの態様の一つの加工装置は、一枚の半導体ウエハを保持する保持機構と、
前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う加工機構と、
前記加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記加工機構によって第1の加工を行い、その後、前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に保持させ、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工機構によって第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする。
前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う加工機構と、
前記加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記加工機構によって第1の加工を行い、その後、前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に保持させ、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工機構によって第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする。
また、前記加工装置において、前記加工を行う加工機構は、前記半導体ウエハ又は前記膜にドライエッチングを行う機構、前記半導体ウエハ又は前記膜の上にスパッタリングにより成膜する機構、前記半導体ウエハ又は前記膜に熱酸化を行う機構、及び前記半導体ウエハ又は前記膜の上にCVD法により成膜する機構のいずれかであることも可能である。
本発明に係る幾つかの態様の一つの加工装置は、一枚の半導体ウエハを保持する第1の保持機構と、
前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う第1の加工機構と、
一枚の半導体ウエハを保持する第2の保持機構と、
前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う第2の加工機構と、
前記第1及び第2の加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記第1の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第1の加工機構によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第2の加工機構によって第1の加工を行い、その後、前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工機構によって第2の加工を行うとともに、前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に前記第2の保持機構によって保持させ、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工機構によって第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする。
前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う第1の加工機構と、
一枚の半導体ウエハを保持する第2の保持機構と、
前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う第2の加工機構と、
前記第1及び第2の加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記第1の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第1の加工機構によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第2の加工機構によって第1の加工を行い、その後、前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工機構によって第2の加工を行うとともに、前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に前記第2の保持機構によって保持させ、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工機構によって第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする。
また、前記加工装置において、前記加工を行う第1の加工機構及び前記加工を行う第2の加工機構それぞれは、前記半導体ウエハ又は前記膜にドライエッチングを行う機構、前記半導体ウエハ又は前記膜の上にスパッタリングにより成膜する機構、及び前記半導体ウエハ又は前記膜の上にプラズマCVD法により成膜する機構のいずれかであることも可能である。
本発明に係る幾つかの態様の一つの加工方法は、複数の半導体ウエハを保持する保持機構を備えた加工装置を用いた加工方法において、
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出す工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出す工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
また、前記加工方法において、前記加工装置は、前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜に熱酸化を行う装置、又は前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜の上にCVD法により成膜する装置であることも可能である。
本発明に係る幾つかの態様の一つの加工方法は、一枚の半導体ウエハを保持する保持機構を備えた加工装置を用いた加工方法において、
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に一枚ずつ保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に一枚ずつ保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
また、前記加工方法において、前記加工装置は、前記半導体ウエハ又は前記膜にドライエッチングを行う機構、前記半導体ウエハ又は前記膜の上にスパッタリングにより成膜する機構、前記半導体ウエハ又は前記膜に熱酸化を行う機構、及び前記半導体ウエハ又は前記膜の上にCVD法により成膜する機構のいずれかであることも可能である。
本発明に係る幾つかの態様の一つの加工方法は、一枚の半導体ウエハを保持する第1の保持機構を備えた第1の加工装置及び一枚の半導体ウエハを保持する第2の保持機構を備えた第2の加工装置を用いた加工方法において、
前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1の加工装置によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2の加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工装置によって第2の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1の加工装置によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2の加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工装置によって第2の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
また、前記加工方法において、前記第1の加工装置及び前記第2の加工装置それぞれは、前記半導体ウエハ又は前記膜にドライエッチングを行う装置、前記半導体ウエハ又は前記膜の上にスパッタリングにより成膜する装置、及び前記半導体ウエハ又は前記膜の上にプラズマCVD法により成膜する装置のいずれかであることも可能である。
本発明に係る幾つかの態様の一つの半導体装置の製造方法は、複数の半導体ウエハを保持する保持機構を備えた加工装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出す工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出す工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
また、前記半導体装置の製造方法において、前記加工装置は、前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜に熱酸化を行う装置、又は前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜の上にCVD法により成膜する装置であることも可能である。
本発明に係る幾つかの態様の一つの半導体装置の製造方法は、一枚の半導体ウエハを保持する保持機構を備えた加工装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に一枚ずつ保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に一枚ずつ保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
また、前記半導体装置の製造方法において、前記加工装置は、前記半導体ウエハ又は前記膜にドライエッチングを行う機構、前記半導体ウエハ又は前記膜の上にスパッタリングにより成膜する機構、前記半導体ウエハ又は前記膜に熱酸化を行う機構、及び前記半導体ウエハ又は前記膜の上にCVD法により成膜する機構のいずれかであることも可能である。
本発明に係る幾つかの態様の一つの半導体装置の製造方法は、一枚の半導体ウエハを保持する第1の保持機構を備えた第1の加工装置及び一枚の半導体ウエハを保持する第2の保持機構を備えた第2の加工装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1の加工装置によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2の加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工装置によって第2の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1の加工装置によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2の加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工装置によって第2の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする。
また、前記半導体装置の製造方法において、前記第1の加工装置及び前記第2の加工装置それぞれは、前記半導体ウエハ又は前記膜にドライエッチングを行う装置、前記半導体ウエハ又は前記膜の上にスパッタリングにより成膜する装置、及び前記半導体ウエハ又は前記膜の上にプラズマCVD法により成膜する装置のいずれかであることも可能である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
図1(A)は、本発明の第1の実施形態による縦型熱処理装置を説明するための模式図である。
(第1の実施形態)
図1(A)は、本発明の第1の実施形態による縦型熱処理装置を説明するための模式図である。
本実施の形態では、本発明に係る幾つかの態様の一つとして縦型熱処理装置を挙げているが、他の熱処理装置、例えば、縦型又は横型の熱CVD(chemical vapor deposition)装置又は横型の熱処理装置などを用いることも可能である。前記熱CVD装置の具体例としては、図1(A)とほぼ同じ構造を有する装置において半導体ウエハにCVD膜の原料ガスを供給するような構造とするものが挙げられる。
図1(A)に示すように、縦型熱処理装置は支持台1を有しており、この支持台1上にはウエハを保持するウエハホルダ2が支持されている。また、縦型熱処理装置はウエハホルダ2を挿入可能なチャンバーとしての石英管3を有しており、石英管3の上部にはアール部3'が形成されるとともに、石英管3の下部には排気管10が設けられている。また、石英管3内には、石英管3の上部を仕切る仕切り板5が設けられており、仕切り板5には、窒素又は酸素などのガスを噴出させる開口部6が散点状に設けられている。
石英管3の上部には、石英管3の上部に形成されたアール部3'と仕切り板5とで囲まれたガス室7が設けられている。そして、ガス室7はガス配管8に連結され、ガス配管8は固定部材9により石英管3本体に固定されている。石英管3の周囲には、石英管3内の熱を均一化する均熱管11が設けられている。均熱管11の周囲には、石英管3内を加熱するヒータ12が設けられている。また、縦型熱処理装置は本装置を制御する制御部(図示せず)を有しており、この制御部によってウエハホルダ2に配置するウエハの位置を後述するように制御している。
ウエハの熱酸化処理を行う場合、ウエハホルダ2にウエハを配置し、ウエハが配置されたウエハホルダ2を石英管3内に挿入する。そして、例えば、石英管3内を1150℃以上に加熱し、ガス配管8およびガス室7を介して石英管3内に酸素ガスを噴出させながら、ウエハの熱酸化処理を行う。
図1(B)は、図1(A)に示す縦型熱処理装置を用いて半導体ウエハに熱酸化膜を形成した際の酸化膜の厚さとウエハホルダ2に保持されたウエハ位置との関係(即ち加工特性のくせ)を示す図である。
上記の縦型熱処理装置には、図1(B)に示すような加工特性の「くせ」がある。この加工特性の「くせ」とは、図1(A)に示すウエハホルダ2の上の方に配置されたウエハに形成される酸化膜の厚さが、ウエハホルダ2の下の方に配置されたウエハに形成される酸化膜に比べて厚く形成される傾向にあることである。言い換えると、上記の縦型熱処理装置は、ウエハホルダ2の上の方に配置されたウエハへの加工量が、ウエハホルダ2の下の方に配置されたウエハへの加工量に比べて大きい傾向にあるという加工特性を有している。
次に、上記縦型熱処理装置を用いた加工方法、即ち、上記縦型熱処理装置を用いて半導体ウエハに熱酸化膜を形成する方法について説明する。図2(A)〜(E)は、動作電圧の異なるトランジスタを作製する2電源系ロジックプロセス(拡散(ヒート)の組み合わせの例)を示す断面図である。
まず、図2(A)に示す低電圧(例えば3V)のトランジスタ形成領域13a及び高電圧(例えば5V)のトランジスタ形成領域13bを有するシリコン基板13をn枚用意し、このn枚のシリコン基板を第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハとする。次いで、これら第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを、図1(A)に示すウエハホルダ2に上から順番に並べて保持させる。なお、nは自然数である。次いで、このウエハホルダ2を石英管3内に挿入する。
その後、前記ウエハホルダ2によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハに、加工装置である縦型熱処理装置によって第1の加工である熱酸化膜の形成を行う。これにより、図2(B)に示すようにシリコン基板13の表面には第1のゲート酸化膜14が形成される。次いで、縦型熱処理装置から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出す。
次いで、第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれに次の加工を行う。つまり、図2(C)に示すように、フォトリソグラフィ技術及びウエットエッチング技術により低電圧のトランジスタ形成領域13aの第1のゲート酸化膜14を除去する。
その後、図2(C)に示す状態の第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番にウエハホルダ2に並べて保持させる。つまり、第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを、図1(A)に示すウエハホルダ2に下から順番に並べて保持させる。次いで、このウエハホルダ2を石英管3内に挿入する。
その後、前記ウエハホルダ2によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハの前記第1の加工を行った部分であるシリコン基板13の表面に、加工装置である縦型熱処理装置によって第2の加工である熱酸化膜の形成を行う。これにより、図2(D)に示すように、低電圧のトランジスタ形成領域13aにおけるシリコン基板13の表面には第2のゲート酸化膜15が形成され、高電圧のトランジスタ形成領域13bにおけるシリコン基板13の表面には第3のゲート酸化膜16が形成される。第3のゲート酸化膜16は、前記第1の加工の際のゲート酸化と前記第2の加工の際のゲート酸化の組み合わせで形成されるものである。次いで、縦型熱処理装置から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出す。
次いで、第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれに次の加工を行う。つまり、図2(E)に示すように、第2及び第3のゲート酸化膜15,16それぞれの上に第1及び第2のゲート電極17,18を形成し、シリコン基板13に低濃度不純物領域19,20を形成し、第1及び第2のゲート電極17,18それぞれの側壁にサイドウォール21,22を形成し、シリコン基板13にソース・ドレイン領域23,24を形成する。このようにして、シリコン基板13には低電圧のトランジスタ及び高電圧のトランジスタが形成される。
上記第1の実施形態によれば、第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを、図1(A)に示すウエハホルダ2に上から順番に並べて保持させ、前記ウエハホルダ2によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハに、加工装置である縦型熱処理装置によって第1の加工である熱酸化膜の形成を行い、図2(C)に示す状態の第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番にウエハホルダ2に並べて保持させ、前記ウエハホルダ2によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハの前記第1の加工を行った部分であるシリコン基板13の表面に、加工装置である縦型熱処理装置によって第2の加工である熱酸化膜の形成を行う。これにより、高電圧のトランジスタ形成領域13bにおけるシリコン基板13の表面には、前記第1の加工の際のゲート酸化と前記第2の加工の際のゲート酸化の組み合わせで作製される第3のゲート酸化膜16が形成される。図1(A)に示す縦型熱処理装置には図1(B)に示す加工特性の「くせ」があるため、その「くせ」がキャンセルされて第3のゲート酸化膜16が形成される。
詳細には、第2の加工を行う際にウエハホルダ2に並べられた第1乃至第nの半導体ウエハの順番を、第1の加工を行う際にウエハホルダ2に並べられた順番とは逆の順番に第1乃至第nの半導体ウエハを並べている。これにより、加工特性の「くせ」がキャンセルされた第3のゲート酸化膜16が形成され、その結果、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第3のゲート酸化膜16の膜厚ばらつきを抑制することができる。
なお、上記第1の実施形態では、縦型熱処理装置の例を挙げているが、縦型熱処理装置に代えて縦型又は横型の熱CVD装置を用いることも可能である。この場合、第1の加工は、前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の上に第1のCVD膜を成膜する加工であり、第2の加工は、前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に第2のCVD膜を成膜する加工である。
(第2の実施形態)
図3(A)は、本発明の第2の実施形態によるドライエッチング装置を説明するための模式図である。このドライエッチング装置25は一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。この装置は、前記半導体ウエハを保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にドライエッチング加工を行う加工機構と、制御部26とを有している。
図3(A)は、本発明の第2の実施形態によるドライエッチング装置を説明するための模式図である。このドライエッチング装置25は一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。この装置は、前記半導体ウエハを保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にドライエッチング加工を行う加工機構と、制御部26とを有している。
制御部26は、ドライエッチング装置25を制御するとともに、前記保持機構に保持させる半導体ウエハの順番を後述するように制御するものである。
図3(B)は、図3(A)に示すドライエッチング装置を用いて半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にドライエッチングを行った際のエッチング速度とドライエッチング装置で半導体ウエハを加工する順番との関係(即ち加工特性のくせ)を示す図である。
図3(A)のドライエッチング装置には、図3(B)に示すような加工特性の「くせ」がある。この加工特性の「くせ」とは、図3(A)のドライエッチング装置で半導体ウエハを加工する順番が遅い方のエッチング速度が、前記順番が早い方に比べて速くなる傾向にあることである。
次に、上記ドライエッチング装置を用いた加工方法について説明する。図4(A)〜(D)及び図5(A)〜(C)は、高耐圧トランジスタ(例えばロジックに用いられる)及びPIPキャパシタの混載プロセス(ドライエッチングの組み合わせの例)を説明するための断面図である。
まず、図4(A)に示す高耐圧トランジスタ形成領域27a及びPIPキャパシタ形成領域27bを有するシリコン基板27をn枚(例えば25枚)用意し、このn枚のシリコン基板を第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハとする。次いで、シリコン基板27上にシリコン酸化膜(SiO2膜)28を形成し、このシリコン酸化膜28上に第1のポリシリコン膜29を形成する。
次いで、図3に示すドライエッチング装置の前記保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ上に形成された第1のポリシリコン膜29に前記ドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行う。詳細には、図4(B)に示すように、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により第1のポリシリコン膜29を選択的に第1のドライエッチングにより加工する。これにより、PIPキャパシタ形成領域27bのシリコン酸化膜28上にはPIPキャパシタの下部電極29aが形成され、且つ、高耐圧トランジスタ形成領域27aの第1のポリシリコン膜29が完全に除去されるとともにシリコン酸化膜28の表面がオーバーエッチングされ(図4(B)の参照符号28a)、シリコン酸化膜28の膜厚が薄くなる。その後、第1の半導体ウエハをドライエッチング装置から取り出す。
次いで、同様の条件で、第2の半導体ウエハ、第3の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハの順番で第1の加工を行う。なお、第1のドライエッチングの終点は、例えばエッチング時間によって管理する。
その後、図4(C)に示すように、第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの下部電極29aを含む全面上にシリコン窒化膜30を形成する。次いで、図4(D)に示すように、PIPキャパシタ形成領域27bのシリコン窒化膜30上にレジストパターン31を形成する。
その後、図3に示すドライエッチング装置の前記保持機構によって第nの半導体ウエハを保持させ、前記保持機構によって保持された第nの半導体ウエハ上に形成されたシリコン窒化膜30及び前記第1の加工を行った部分のシリコン酸化膜28に前記ドライエッチング装置によって第2の加工である第2のドライエッチングを行う。詳細には、図4(D)に示すように、レジストパターン31をマスクとしてシリコン窒化膜30を第2のドライエッチングにより加工する。これにより、高耐圧トランジスタ形成領域27aのシリコン窒化膜30が完全に除去されるとともにシリコン酸化膜28の表面がオーバーエッチングされ(図4(D)の参照符号28b)、その結果、シリコン酸化膜28の膜厚がさらに薄くなる。このシリコン酸化膜28の膜厚は、第1及び第2のドライエッチングによる総エッチング量によって決まる。その後、第nの半導体ウエハをドライエッチング装置から取り出す。
次いで、同様の条件で、第(n−1)の半導体ウエハ、第(n−2)の半導体ウエハ、・・・・第1の半導体ウエハの順番で第2の加工を行う。なお、第2のドライエッチングの終点は、例えばエッチング時間によって管理する。
その後、図5(A)に示すように、高耐圧トランジスタ形成領域27aのシリコン酸化膜28を犠牲膜として用いてイオン注入を行う。詳細には、高耐圧トランジスタ27aのシリコン酸化膜28を介してシリコン基板27に不純物をイオン注入する。
次いで、図5(B)に示すように、シリコン基板27に熱処理を施すことにより、高耐圧トランジスタ27aのシリコン基板27には不純物拡散層からなるウェル32が形成される。このウェル32の不純物プロファイルは、犠牲膜であるシリコン酸化膜28の膜厚によって決まり、このシリコン酸化膜28の膜厚は、前述したように、第1及び第2のドライエッチングによる総エッチング量によって決まる。
次いで、第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれに次の加工を行う。つまり、図5(C)に示すように、シリコン酸化膜28を除去した後に、ウェル32の表面にゲート酸化膜33を形成する。次いで、ゲート酸化膜33及びシリコン窒化膜30の上に第2のポリシリコン膜を形成し、この第2のポリシリコン膜をパターニングする。これにより、高耐圧トランジスタ形成領域27aのゲート酸化膜33上にはゲート電極34が形成され、PIPキャパシタ形成領域27bのシリコン窒化膜30上には第2のポリシリコン膜からなる上部電極34が形成される。次いで、ウェル32に低濃度不純物領域35を形成し、ゲート電極33の側壁にサイドウォール36を形成し、ウェル32にソース・ドレイン領域37を形成する。このようにして、高耐圧トランジスタ及びPIPキャパシタが形成される。
上記第2の実施形態によれば、第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハの上に形成されたシリコン酸化膜28に、第1から第nの順番でドライエッチング装置によって第1の加工を行い、その後、前記第1の加工を行った部分のシリコン酸化膜28に、第nから第1の順番でドライエッチング装置によって第2の加工によってオーバーエッチングを行う。これにより、図3(B)に示す加工特性の「くせ」がキャンセルされる。その結果、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第1及び第2の加工による総エッチング量のばらつきを抑制することができる。従って、犠牲膜であるシリコン酸化膜28の膜厚ばらつきを抑制でき、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間におけるウェル32の不純物プロファイルのばらつきを抑制することができる。
(第3の実施形態)
図6(A)は、本発明の第3の実施形態によるスパッタリング装置を説明するための模式図である。このスパッタリング装置38は一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。この装置は、前記半導体ウエハを保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にスパッタリングにより成膜を行う機構と、制御部39とを有している。
図6(A)は、本発明の第3の実施形態によるスパッタリング装置を説明するための模式図である。このスパッタリング装置38は一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。この装置は、前記半導体ウエハを保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にスパッタリングにより成膜を行う機構と、制御部39とを有している。
制御部39は、スパッタリング装置38を制御するとともに、前記保持機構に保持させる半導体ウエハの順番を後述するように制御するものである。
図6(B)は、図6(A)に示すスパッタリング装置を用いて半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にスパッタリングを行った際の成膜速度とスパッタリング装置で半導体ウエハに成膜する順番との関係(即ち加工特性のくせ)を示す図である。
図6(A)のスパッタリング装置には、図6(B)に示すような加工特性の「くせ」がある。この加工特性の「くせ」とは、図6(A)のスパッタリング装置で半導体ウエハに成膜する順番が遅い方の成膜速度が、前記順番が早い方に比べて速くなる傾向にあることである。
次に、上記スパッタリング装置を用いた加工方法について説明する。
前記保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜に前記スパッタリング装置によって第1の加工である第1のスパッタリングを行った後、第1の半導体ウエハをスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、前記保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜に前記スパッタリング装置によって第1の加工である第1のスパッタリングを行った後、第2の半導体ウエハをスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第3の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハ(例えば第25の半導体ウエハ)の順番で第1の加工を行う。
前記保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜に前記スパッタリング装置によって第1の加工である第1のスパッタリングを行った後、第1の半導体ウエハをスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、前記保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜に前記スパッタリング装置によって第1の加工である第1のスパッタリングを行った後、第2の半導体ウエハをスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第3の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハ(例えば第25の半導体ウエハ)の順番で第1の加工を行う。
その後、第1乃至第nの半導体ウエハに他の処理を施す。
次いで、前記保持機構によって第nの半導体ウエハ(例えば第25の半導体ウエハ)を保持させ、前記保持機構によって保持された第nの半導体ウエハ又は前記第nの半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記スパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングを行った後、第nの半導体ウエハをスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、前記保持機構によって第(n−1)の半導体ウエハ(例えば第24の半導体ウエハ)を保持させ、前記保持機構によって保持された第(n−1)の半導体ウエハ又は前記第(n−1)の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記スパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングを行った後、第(n−1)の半導体ウエハをスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第(n−2)の半導体ウエハ、・・・・第1の半導体ウエハの順番で第2の加工を行う。
次いで、前記保持機構によって第nの半導体ウエハ(例えば第25の半導体ウエハ)を保持させ、前記保持機構によって保持された第nの半導体ウエハ又は前記第nの半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記スパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングを行った後、第nの半導体ウエハをスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、前記保持機構によって第(n−1)の半導体ウエハ(例えば第24の半導体ウエハ)を保持させ、前記保持機構によって保持された第(n−1)の半導体ウエハ又は前記第(n−1)の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記スパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングを行った後、第(n−1)の半導体ウエハをスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第(n−2)の半導体ウエハ、・・・・第1の半導体ウエハの順番で第2の加工を行う。
上記第3の実施形態によれば、第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に、第1から第nの順番でスパッタリング装置によって第1の加工を行い、その後、第nの半導体ウエハから第1の半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に、第nから第1の順番でスパッタリング装置によって第2の加工を行う。これにより、図6(B)に示す加工特性の「くせ」がキャンセルされる。その結果、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第1及び第2のスパッタリングによる総成膜量のばらつきを抑制することができる。
(第4の実施形態)
図7は、図1(B)に示す加工特性の「くせ」の変形例を示す図である。第1の実施形態の加工特性の「くせ」が図7に示すようなものであっても、第1の実施形態と同様の加工方法によって加工特性の「くせ」をキャンセルすることができる。つまり、加工装置における加工特性の「くせ」が予め分かっている場合であり、且つ、その加工特性の「くせ」をキャンセルするような順番で第1の加工と第2の加工を行うことにより、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第1及び第2の加工による総加工量のばらつきを抑制することができる。
図7は、図1(B)に示す加工特性の「くせ」の変形例を示す図である。第1の実施形態の加工特性の「くせ」が図7に示すようなものであっても、第1の実施形態と同様の加工方法によって加工特性の「くせ」をキャンセルすることができる。つまり、加工装置における加工特性の「くせ」が予め分かっている場合であり、且つ、その加工特性の「くせ」をキャンセルするような順番で第1の加工と第2の加工を行うことにより、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第1及び第2の加工による総加工量のばらつきを抑制することができる。
(第5の実施形態)
図8(A)は、本発明の第5の実施形態によるドライエッチング装置を説明するための模式図である。このドライエッチング装置は、第1及び第2のドライエッチング装置40,41と制御部42を有しており、第1及び第2のドライエッチング装置40,41それぞれは一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。
図8(A)は、本発明の第5の実施形態によるドライエッチング装置を説明するための模式図である。このドライエッチング装置は、第1及び第2のドライエッチング装置40,41と制御部42を有しており、第1及び第2のドライエッチング装置40,41それぞれは一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。
第1のドライエッチング装置40は、前記半導体ウエハを保持する第1の保持機構と、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にドライエッチングにより加工を行う機構とを有している。第2のドライエッチング装置41は、前記半導体ウエハを保持する第2の保持機構と、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にドライエッチングにより加工を行う機構とを有している。
制御部42は、第1及び第2のドライエッチング装置40,41を制御するとともに、前記第1及び第2の保持機構それぞれに保持させる半導体ウエハの順番を後述するように制御するものである。
図8(B)は、図8(A)に示すドライエッチング装置を用いて半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にドライエッチングを行った際のエッチング速度と、ドライエッチング装置で半導体ウエハに成膜する順番との関係(即ち加工特性のくせ)を示す図である。
図8(A)のドライエッチング装置には、図8(B)に示すような加工特性の「くせ」がある。この加工特性の「くせ」とは、図8(A)に示す第1のドライエッチング装置と第2のドライエッチング装置に20枚の半導体ウエハを一枚ずつ交互にドライエッチングを行った場合の半導体ウエハの加工順番とエッチング速度との傾向である。つまり、この加工特性の「くせ」は、第1のドライエッチング装置のエッチング速度が第2のドライエッチング装置のエッチング速度に比べて遅いことである。
次に、上記ドライエッチング装置を用いた加工方法について説明する。
前記第1の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行うとともに、前記第2の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のドライエッチング装置から取り出す。
前記第1の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行うとともに、前記第2の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のドライエッチング装置から取り出す。
次いで、同様の条件で、前記第1の保持機構によって第3の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第3の半導体ウエハ又は前記第3の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行うとともに、前記第2の保持機構によって第4の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第4の半導体ウエハ又は前記第4の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行う。その後、第3及び第4の半導体ウエハを第1及び第2のドライエッチング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第5の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)の順番で第1の加工を行う。
言い換えると、前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハ(例えば第19の半導体ウエハ)を一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)を一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のドライエッチング装置によって第1の加工である第1のドライエッチングを行う。
その後、第1乃至第nの半導体ウエハに他の処理を施す。
次いで、前記第2の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のドライエッチング装置によって第2の加工である第2のドライエッチングを行うとともに、前記第1の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のドライエッチング装置によって第2の加工である第2のドライエッチングを行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のドライエッチング装置から取り出す。
次いで、前記第2の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のドライエッチング装置によって第2の加工である第2のドライエッチングを行うとともに、前記第1の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のドライエッチング装置によって第2の加工である第2のドライエッチングを行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のドライエッチング装置から取り出す。
次いで、同様の条件で、前記第2の保持機構によって第3の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第3の半導体ウエハ又は前記第3の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のドライエッチング装置によって第2の加工である第2のドライエッチングを行うとともに、前記第1の保持機構によって第4の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第4の半導体ウエハ又は前記第4の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のドライエッチング装置によって第2の加工である第2のドライエッチングを行う。その後、第3及び第4の半導体ウエハを第1及び第2のドライエッチング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第5の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)の順番で第2の加工を行う。
言い換えると、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のドライエッチング装置によって第2の加工を行うとともに、前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のドライエッチング装置によって第2の加工を行う。
上記第5の実施形態によれば、図8(B)に示す加工特性の「くせ」がキャンセルされ、その結果、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第1及び第2のドライエッチングによる総エッチング量のばらつきを抑制することができる。
(第6の実施形態)
図9(A)は、本発明の第6の実施形態によるスパッタリング装置を説明するための模式図である。このスパッタリング装置は、第1及び第2のスパッタリング装置43,44と制御部45を有しており、第1及び第2のスパッタリング装置43,44それぞれは一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。
図9(A)は、本発明の第6の実施形態によるスパッタリング装置を説明するための模式図である。このスパッタリング装置は、第1及び第2のスパッタリング装置43,44と制御部45を有しており、第1及び第2のスパッタリング装置43,44それぞれは一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。
第1のスパッタリング装置43は、前記半導体ウエハを保持する第1の保持機構と、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にスパッタリングにより成膜を行う機構とを有している。第2のスパッタリング装置44は、前記半導体ウエハを保持する第2の保持機構と、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にスパッタリングにより成膜を行う機構とを有している。
制御部45は、第1及び第2のスパッタリング装置43,44を制御するとともに、前記第1及び第2の保持機構それぞれに保持させる半導体ウエハの順番を後述するように制御するものである。
図9(B)は、図9(A)に示すスパッタリング装置を用いて半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にスパッタリングを行った際の成膜速度と、スパッタリング装置で半導体ウエハに成膜する順番との関係(即ち加工特性のくせ)を示す図である。
図9(A)のスパッタリング装置には、図9(B)に示すような加工特性の「くせ」がある。この加工特性の「くせ」とは、図9(A)に示す第1のスパッタリング装置と第2のスパッタリング装置に20枚の半導体ウエハを一枚ずつ交互にスパッタリングを行った場合の半導体ウエハの加工順番と成膜速度との傾向である。つまり、この加工特性の「くせ」は、第1のスパッタリング装置の成膜速度が第2のスパッタリング装置の成膜速度に比べて遅いことである。
次に、上記スパッタリング装置を用いた加工方法について説明する。
前記第1の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のスパッタリング装置43によって第1の加工である第1のスパッタリングによる成膜を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のスパッタリング装置44によって第1の加工である第1のスパッタリングによる成膜を行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のスパッタリング装置43,44から取り出す。
前記第1の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のスパッタリング装置43によって第1の加工である第1のスパッタリングによる成膜を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のスパッタリング装置44によって第1の加工である第1のスパッタリングによる成膜を行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のスパッタリング装置43,44から取り出す。
次いで、同様の条件で、前記第1の保持機構によって第3の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第3の半導体ウエハ又は前記第3の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のスパッタリング装置43によって第1の加工である第1のスパッタリングによる成膜を行うとともに、前記第2の保持機構によって第4の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第4の半導体ウエハ又は前記第4の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のスパッタリング装置によって第1の加工である第1のスパッタリングによる成膜を行う。その後、第3及び第4の半導体ウエハを第1及び第2のスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第5の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)の順番で第1の加工を行う。
言い換えると、前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハ(例えば第19の半導体ウエハ)を一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のスパッタリング装置によって第1の加工である第1のスパッタリングを行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)を一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のスパッタリング装置によって第1の加工である第1のスパッタリングを行う。
その後、第1乃至第nの半導体ウエハに他の処理を施す。
次いで、前記第2の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のスパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングを行うとともに、前記第1の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のスパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングを行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のスパッタリング装置から取り出す。
次いで、前記第2の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のスパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングを行うとともに、前記第1の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のスパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングを行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のスパッタリング装置から取り出す。
次いで、同様の条件で、前記第2の保持機構によって第3の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第3の半導体ウエハ又は前記第3の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のスパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングによる成膜を行うとともに、前記第1の保持機構によって第4の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第4の半導体ウエハ又は前記第4の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のスパッタリング装置によって第2の加工である第2のスパッタリングによる成膜を行う。その後、第3及び第4の半導体ウエハを第1及び第2のスパッタリング装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第5の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)の順番で第2の加工を行う。
言い換えると、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のスパッタリング装置によって第2の加工を行うとともに、前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のスパッタリング装置によって第2の加工を行う。
上記第6の実施形態によれば、図9(B)に示す加工特性の「くせ」がキャンセルされ、その結果、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第1及び第2のスパッタリングによる総成膜量のばらつきを抑制することができる。
(第7の実施形態)
図10(A)は、本発明の第7の実施形態によるプラズマCVD装置を説明するための模式図である。このプラズマCVD装置は、第1及び第2のプラズマCVD装置46,47と制御部48を有しており、第1及び第2のプラズマCVD装置46,47それぞれは一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。
図10(A)は、本発明の第7の実施形態によるプラズマCVD装置を説明するための模式図である。このプラズマCVD装置は、第1及び第2のプラズマCVD装置46,47と制御部48を有しており、第1及び第2のプラズマCVD装置46,47それぞれは一枚の半導体ウエハ(図示せず)を処理する枚葉式の装置である。
第1のプラズマCVD装置46は、前記半導体ウエハを保持する第1の保持機構と、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にプラズマCVDにより成膜を行う機構とを有している。第2のプラズマCVD装置47は、前記半導体ウエハを保持する第2の保持機構と、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にプラズマCVDにより成膜を行う機構とを有している。
制御部48は、第1及び第2のプラズマCVD装置46,47を制御するとともに、前記第1及び第2の保持機構それぞれに保持させる半導体ウエハの順番を後述するように制御するものである。
図10(B)は、図10(A)に示すプラズマCVD装置を用いて半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜にプラズマCVDを行った際の成膜速度と、プラズマCVD装置で半導体ウエハに成膜する順番との関係(即ち加工特性のくせ)を示す図である。
図10(A)のプラズマCVD装置には、図10(B)に示すような加工特性の「くせ」がある。この加工特性の「くせ」とは、図10(A)に示す第1のプラズマCVD装置と第2のプラズマCVD装置に20枚の半導体ウエハを一枚ずつ交互にスパッタリングを行った場合の半導体ウエハの加工順番と成膜速度との傾向である。つまり、この加工特性の「くせ」は、第1のプラズマCVD装置46の成膜速度が第2のプラズマCVD装置47の成膜速度に比べて遅いことである。
次に、上記プラズマCVD装置を用いた加工方法について説明する。
前記第1の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のプラズマCVD装置46によって第1の加工である第1のプラズマCVDによる成膜を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のプラズマCVD装置47によって第1の加工である第1のプラズマCVDによる成膜を行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のプラズマCVD装置46,47から取り出す。
前記第1の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のプラズマCVD装置46によって第1の加工である第1のプラズマCVDによる成膜を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のプラズマCVD装置47によって第1の加工である第1のプラズマCVDによる成膜を行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のプラズマCVD装置46,47から取り出す。
次いで、同様の条件で、前記第1の保持機構によって第3の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第3の半導体ウエハ又は前記第3の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のプラズマCVD装置46によって第1の加工である第1のプラズマCVDによる成膜を行うとともに、前記第2の保持機構によって第4の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第4の半導体ウエハ又は前記第4の半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のプラズマCVD装置によって第1の加工である第1のプラズマCVDによる成膜を行う。その後、第3及び第4の半導体ウエハを第1及び第2のプラズマCVD装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第5の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)の順番で第1の加工を行う。
言い換えると、前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハ(例えば第19の半導体ウエハ)を一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1のプラズマCVD装置によって第1の加工である第1のプラズマCVDによる成膜を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)を一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2のプラズマCVD装置によって第1の加工である第1のプラズマCVDによる成膜を行う。
その後、第1乃至第nの半導体ウエハに他の処理を施す。
次いで、前記第2の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のプラズマCVD装置によって第2の加工である第2のプラズマCVDによる成膜を行うとともに、前記第1の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のプラズマCVD装置によって第2の加工である第2のプラズマCVDによる成膜を行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のプラズマCVD装置から取り出す。
次いで、前記第2の保持機構によって第1の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第1の半導体ウエハ又は前記第1の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のプラズマCVD装置によって第2の加工である第2のプラズマCVDによる成膜を行うとともに、前記第1の保持機構によって第2の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第2の半導体ウエハ又は前記第2の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のプラズマCVD装置によって第2の加工である第2のプラズマCVDによる成膜を行う。その後、第1及び第2の半導体ウエハを第1及び第2のプラズマCVD装置から取り出す。
次いで、同様の条件で、前記第2の保持機構によって第3の半導体ウエハを保持させ、前記第2の保持機構によって保持された第3の半導体ウエハ又は前記第3の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のプラズマCVD装置によって第2の加工である第2のプラズマCVDによる成膜を行うとともに、前記第1の保持機構によって第4の半導体ウエハを保持させ、前記第1の保持機構によって保持された第4の半導体ウエハ又は前記第4の半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のプラズマCVD装置によって第2の加工である第2のプラズマCVDによる成膜を行う。その後、第3及び第4の半導体ウエハを第1及び第2のプラズマCVD装置から取り出す。次いで、同様の条件で、第5の半導体ウエハ、・・・・第nの半導体ウエハ(例えば第20の半導体ウエハ)の順番で第2の加工を行う。
言い換えると、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2のプラズマCVD装置によって第2の加工を行うとともに、前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1のプラズマCVD装置によって第2の加工を行う。
上記第7の実施形態によれば、図9(B)に示す加工特性の「くせ」がキャンセルされ、その結果、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第1及び第2のプラズマCVDによる総成膜量のばらつきを抑制することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記第5乃至第7の実施形態それぞれの加工装置における加工特性の「くせ」を他の「くせ」に変更して実施することも可能である。詳細には、加工装置における加工特性の「くせ」が予め分かっている場合であり、且つ、その加工特性の「くせ」をキャンセルするような順番で第1の加工と第2の加工を行うことにより、第1乃至第nの半導体ウエハの相互間における第1及び第2の加工による総加工量のばらつきを抑制することができる。
1…支持台、2…ウエハホルダ、3…石英管、3'…アール部、5…仕切り板、6…開口部、7…ガス室、8…ガス配管、9…固定部材、10…排気管、11…均熱管、12…ヒータ、25…ドライエッチング装置、26,39,42,45,48…制御部、38…スパッタリング装置、40…第1のドライエッチング装置、41…第2のドライエッチング装置、43…第1のスパッタリング装置、44…第2のスパッタリング装置、46…第1のプラズマCVD装置、47…第2のプラズマCVD装置
Claims (13)
- 第1乃至第nの半導体ウエハを保持する保持機構と、
前記保持機構によって保持された第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に加工を行う加工機構と、
前記加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記保持機構によって前記第1の半導体ウエハから前記第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記加工機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜に第1の加工を行った後、前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出し、その後、前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記加工機構によって前記第1の加工を行った部分に第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする加工装置。 - 請求項1において、前記所定の加工特性は、前記保持機構によって並べられた前記第1の半導体ウエハから前記第nの半導体ウエハの順番に比例して加工量が増減する特性であることを特徴とする加工装置。
- 請求項1又は2において、前記加工を行う加工機構は、前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜に熱酸化を行う機構、又は前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記膜の上にCVD法により成膜する機構であることを特徴とする加工装置。
- 一枚の半導体ウエハを保持する保持機構と、
前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う加工機構と、
前記加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記加工機構によって第1の加工を行い、その後、前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に保持させ、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工機構によって第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする加工装置。 - 請求項4において、前記加工を行う加工機構は、前記半導体ウエハ又は前記膜にドライエッチングを行う機構、前記半導体ウエハ又は前記膜の上にスパッタリングにより成膜する機構、前記半導体ウエハ又は前記膜に熱酸化を行う機構、及び前記半導体ウエハ又は前記膜の上にCVD法により成膜する機構のいずれかであることを特徴とする加工装置。
- 一枚の半導体ウエハを保持する第1の保持機構と、
前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う第1の加工機構と、
一枚の半導体ウエハを保持する第2の保持機構と、
前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に加工を行う第2の加工機構と、
前記第1及び第2の加工機構を制御する制御部と、
を具備する加工装置において、
前記加工装置は、所定の加工特性を有しており、
前記制御部は、前記第1の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第1の加工機構によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第2の加工機構によって第1の加工を行い、その後、前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持させ、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工機構によって第2の加工を行うとともに、前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に前記第2の保持機構によって保持させ、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工機構によって第2の加工を行うことにより、前記所定の加工特性をキャンセルするように制御することを特徴とする加工装置。 - 請求項6において、前記加工を行う第1の加工機構及び前記加工を行う第2の加工機構それぞれは、前記半導体ウエハ又は前記膜にドライエッチングを行う機構、前記半導体ウエハ又は前記膜の上にスパッタリングにより成膜する機構、及び前記半導体ウエハ又は前記膜の上にプラズマCVD法により成膜する機構のいずれかであることを特徴とする加工装置。
- 複数の半導体ウエハを保持する保持機構を備えた加工装置を用いた加工方法において、
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出す工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする加工方法。 - 一枚の半導体ウエハを保持する保持機構を備えた加工装置を用いた加工方法において、
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に一枚ずつ保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする加工方法。 - 一枚の半導体ウエハを保持する第1の保持機構を備えた第1の加工装置及び一枚の半導体ウエハを保持する第2の保持機構を備えた第2の加工装置を用いた加工方法において、
前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1の加工装置によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2の加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工装置によって第2の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする加工方法。 - 複数の半導体ウエハを保持する保持機構を備えた加工装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構から前記第1乃至第nの半導体ウエハを取り出す工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に並べて保持し、前記保持機構によって保持された前記第1乃至第nの半導体ウエハ又は前記第1乃至第nの半導体ウエハそれぞれの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 一枚の半導体ウエハを保持する保持機構を備えた加工装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記保持機構によって第1の半導体ウエハから第nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記保持機構によって前記第1乃至第nの半導体ウエハを前記順番とは逆の順番に一枚ずつ保持し、前記保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 一枚の半導体ウエハを保持する第1の保持機構を備えた第1の加工装置及び一枚の半導体ウエハを保持する第2の保持機構を備えた第2の加工装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記第1の保持機構によって第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第1の加工装置によって第1の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第2の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜に前記第2の加工装置によって第1の加工を行う工程と、
前記第1の保持機構によって前記第2、第4、・・・第2nの半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第1の加工装置によって第2の加工を行うとともに、前記第2の保持機構によって前記第1、第3、・・・第(2n−1)の半導体ウエハを一枚ずつ順番に保持し、前記第1の保持機構によって保持された半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの上に形成された膜の前記第1の加工を行った部分に前記第2の加工装置によって第2の加工を行う工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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