JP2008311461A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、アラームが発生した場合に、アラームの種別に応じて各アラームの復旧手順を操作画面上に表示させることでアラームの回復を可能にする。
【解決手段】操作画面上のボタンの押下等によるオペレータからの指示により基板の処理を実行する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記基板処理装置内で発生したアラームの履歴を格納する格納手段を有し、前記格納手段には、前記アラームに関連付けられた番号毎に、処理番号とその処理トリガを関連付けたテーブルと、前記アラーム毎に復旧処理の詳細が記載された復旧処理詳細テーブルとが予め格納され、前記制御手段は、前記履歴を表示する画面上で自動復旧機能を有するボタンが押下されると、前記復旧処理詳細テーブルから前記履歴画面で選択されていたアラームに応じた復旧処理の詳細を画面に表示し、前記復旧処理の進捗を明示すると共にオペレータが介在する処理については次の復旧処理に移行するための確認ボタンを設ける。
【選択図】図７
【解決手段】操作画面上のボタンの押下等によるオペレータからの指示により基板の処理を実行する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記基板処理装置内で発生したアラームの履歴を格納する格納手段を有し、前記格納手段には、前記アラームに関連付けられた番号毎に、処理番号とその処理トリガを関連付けたテーブルと、前記アラーム毎に復旧処理の詳細が記載された復旧処理詳細テーブルとが予め格納され、前記制御手段は、前記履歴を表示する画面上で自動復旧機能を有するボタンが押下されると、前記復旧処理詳細テーブルから前記履歴画面で選択されていたアラームに応じた復旧処理の詳細を画面に表示し、前記復旧処理の進捗を明示すると共にオペレータが介在する処理については次の復旧処理に移行するための確認ボタンを設ける。
【選択図】図７
Description
本発明は基板処理装置に関し、特に、システムエラーに関する復旧処理の手順を画面に表示させるナビゲーションシステムを搭載した基板処理装置に関するものである。
従来の基板処理装置には、レシピの実行によって、基板処理装置の基板搬送系、例えば、搬送台車、ロボットを制御し、基板処理系のサブコントローラによって、処理室の温度、圧力、反応ガスの流量を制御するコントローラが搭載される。
また、基板処理装置にはエラー（アラーム）を検出するためのセンサが取り付けられており、基板処理装置や基板処理に何等かの異常が発生すると、警告手段としてのブザーが作動するようになっている。
このような、アラームには、例えば、ウェーハの検出不良、ＬＡＮの回線ダウンに関するアラームが知られている。
従来、このようなアラームが発生すると、ユーザ又はシステムを熟知している現地のサービスエンジニアが、必要に応じてマニュアルを参照しながらアラームの原因を突き止め、復旧を行っている。
また、基板処理装置にはエラー（アラーム）を検出するためのセンサが取り付けられており、基板処理装置や基板処理に何等かの異常が発生すると、警告手段としてのブザーが作動するようになっている。
このような、アラームには、例えば、ウェーハの検出不良、ＬＡＮの回線ダウンに関するアラームが知られている。
従来、このようなアラームが発生すると、ユーザ又はシステムを熟知している現地のサービスエンジニアが、必要に応じてマニュアルを参照しながらアラームの原因を突き止め、復旧を行っている。
しかし、復旧のためには、前記マニュアルに記載されていないノウハウが必要とされる場合がある。例えば、物理的なエラーを回復しても装置の初期化を実行しないとエラーが解消されず、新たなエラーが発生してしまい、復旧までには多大な時間が掛ることがある。
また、ノウハウは、通常、研修によって取得されるが、研修者のレベルにはバラつきがある。
そこで、本発明は、アラームが発生した場合に、アラームの種別に応じて各アラームの復旧手順を操作画面上に表示させることでアラームの回復を可能にすることを目的とする。
また、ノウハウは、通常、研修によって取得されるが、研修者のレベルにはバラつきがある。
そこで、本発明は、アラームが発生した場合に、アラームの種別に応じて各アラームの復旧手順を操作画面上に表示させることでアラームの回復を可能にすることを目的とする。
前記目的を達成するための好ましい態様は、操作画面上のボタンの押下等によるオペレータからの指示により基板の処理を実行する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記基板処理装置内で発生したアラームの履歴を格納する格納手段を有し、前記格納手段には、前記アラームに関連付けられた番号毎に、処理番号とその処理トリガを関連付けたテーブルと、前記アラーム毎に復旧処理の詳細が記載された復旧処理詳細テーブルとが予め格納され、前記制御手段は、前記履歴を表示する画面上で自動復旧機能を有するボタンが押下されると、前記復旧処理詳細テーブルから前記履歴画面で選択されていたアラームに応じた復旧処理の詳細を画面に表示し、前記復旧処理の進捗を明示すると共にオペレータが介在する処理については次の復旧処理に移行するための確認ボタンを設けた基板処理装置を提供する。
本発明によれば、アラーム毎の復旧処理の詳細を画面に表示させ、標準化するので、基板処理装置のアラームをマニュアルレスで復旧することができる。また、復旧作業の進捗を表示させ、且つ、確認ボタンの表示、非表示により、ユーザの復旧と自動復旧とを区別するので、作業の進捗状態が明確になる。
また、復旧をする場合に、オペレータに頼らざるを得ない場合はオペレータが、また、
自動で復旧できる場合は自動で復旧をすることができるので、確実に且つ効率的に復旧することができる。
また、復旧をする場合に、オペレータに頼らざるを得ない場合はオペレータが、また、
自動で復旧できる場合は自動で復旧をすることができるので、確実に且つ効率的に復旧することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の一実施の形態を説明する。
なお、以下の説明では、まず、本発明が適用される基板処理装置のプロセスチャンバ及びプロセスチャンバを有するクラスタ型及びインライン型の半導体製造装置の構成とプラズマ処理について説明し、次に、これらの半導体製造装置に適用されるコントロールシステムについて説明する。
なお、以下の説明では、まず、本発明が適用される基板処理装置のプロセスチャンバ及びプロセスチャンバを有するクラスタ型及びインライン型の半導体製造装置の構成とプラズマ処理について説明し、次に、これらの半導体製造装置に適用されるコントロールシステムについて説明する。
＜プロセスチャンバ（基板処理装置）＞
プロセスチャンバは、例えばプラズマにより、低温での反応を可能とするプラズマ方式の基板処理炉（以下、プラズマ処理炉も又は炉という）によって構成される。
プロセスチャンバは、例えばプラズマにより、低温での反応を可能とするプラズマ方式の基板処理炉（以下、プラズマ処理炉も又は炉という）によって構成される。
プラズマ処理炉は、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｔｙｐｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ）を用いてウェーハ等の基板をプラズマ処理する基板処理炉（以下、ＭＭＴ装置と称する）である。ＭＭＴ装置では、基板が真空気密性を確保した処理室に設置され、反応ガスがシャワープレートを介して処理室に導入される。処理室をある一定の圧力に保持し、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成すると共に、磁界をかけてマグネトロン放電を起こすと、放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回する。これにより、電子が長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマが生成される。このように反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化又は窒化等の拡散処理、又は基板表面に薄膜を形成する、又は基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
図１はこのようなＭＭＴ装置の概略構成図である。
ＭＭＴ装置では、第２の容器である下側容器２１１と、この下側容器２１１の上に被せられる第１の容器である上側容器２１０とから処理室２０１が形成される。
上側容器２１０は、ドーム型の酸化アルミニウム又は石英で構成されており、下側容器２１１はアルミニウムで構成されている。
また、後述するヒータ一体型の基板保持手段であるサセプタ２１７は、窒化アルミニウム、セラミックス又は石英で構成される。
サセプタ２１７がこのような材料で構成されると、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染が低減される。
ＭＭＴ装置では、第２の容器である下側容器２１１と、この下側容器２１１の上に被せられる第１の容器である上側容器２１０とから処理室２０１が形成される。
上側容器２１０は、ドーム型の酸化アルミニウム又は石英で構成されており、下側容器２１１はアルミニウムで構成されている。
また、後述するヒータ一体型の基板保持手段であるサセプタ２１７は、窒化アルミニウム、セラミックス又は石英で構成される。
サセプタ２１７がこのような材料で構成されると、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染が低減される。
上側容器２１０の上部には、上壁と下壁からなるシャワーヘッド２３６により、ガス分散空間であるバッファ室２３７が画成される。
シャワーヘッド２３６の上壁にはガス導入のためのガス導入口２３４が設けられる。
シャワーヘッド２３６の下壁は、ガスを噴出する噴出孔であるガス噴出孔２３４ａを有するシャワープレート２４０で構成されており、ガス導入口２３４は、ガスを供給する供給管であるガス供給管２３２により、開閉弁であるバルブ２４３ａ、流量制御手段であるマスフローコントローラ２４１を介して反応ガス２３０のガスボンベ（図中せず）に繋がっている。
シャワーヘッド２３６から反応ガス２３０が処理室２０１に供給される。
また、下側容器２１１の側壁には、ガスを排気するための排気口２３５がサセプタ２１７の周囲から処理室２０１の底方向へ基板処理後のガスが流れるように設けられている。
排気口２３５はガス排気管２３１に接続される。
ガス排気管２３１には、排気装置である真空ポンプ２４６に接続されている。
そして、このガス排気管２３１には、圧力調整器であるＡＰＣバルブ２４２と、開閉弁
であるバルブ２４３ｂとが設けられる。
シャワーヘッド２３６の上壁にはガス導入のためのガス導入口２３４が設けられる。
シャワーヘッド２３６の下壁は、ガスを噴出する噴出孔であるガス噴出孔２３４ａを有するシャワープレート２４０で構成されており、ガス導入口２３４は、ガスを供給する供給管であるガス供給管２３２により、開閉弁であるバルブ２４３ａ、流量制御手段であるマスフローコントローラ２４１を介して反応ガス２３０のガスボンベ（図中せず）に繋がっている。
シャワーヘッド２３６から反応ガス２３０が処理室２０１に供給される。
また、下側容器２１１の側壁には、ガスを排気するための排気口２３５がサセプタ２１７の周囲から処理室２０１の底方向へ基板処理後のガスが流れるように設けられている。
排気口２３５はガス排気管２３１に接続される。
ガス排気管２３１には、排気装置である真空ポンプ２４６に接続されている。
そして、このガス排気管２３１には、圧力調整器であるＡＰＣバルブ２４２と、開閉弁
であるバルブ２４３ｂとが設けられる。
また、基板処理装置には、前記反応ガス２３０を励起させるための放電手段として、断面が筒状、好適には円筒状の第１の電極である筒状電極２１５が設けられる。筒状電極２１５は処理室２０１と同心円に且つ処理室２０１を取り囲むように処理室２０１の外側に設置され、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲んでいる。
筒状電極２１５にはインピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して高周波電力印加する高周波電源２７３が接続される。
筒状電極２１５にはインピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して高周波電力印加する高周波電源２７３が接続される。
また、断面が筒状、好適には円筒状の磁界形成手段である筒状磁石２１６が設けられる。この筒状磁石２１６は、前記筒状電極２１５の外側、好ましくは、外表面の上下端近傍にそれぞれ処理室２０１と同心に設置される。
筒状磁石２１６、２１６は、処理室２０１の半径方向に沿った両端、すなわち、内周端と外周端とに磁極をもっており、処理室２０１に対して上下の筒状磁石２１６、２１６の磁極の向きが逆向きなるように設置される。
従って、内周部の磁極同士が異極となり、これにより、筒状電極２１５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線が形成される。
筒状磁石２１６、２１６は、処理室２０１の半径方向に沿った両端、すなわち、内周端と外周端とに磁極をもっており、処理室２０１に対して上下の筒状磁石２１６、２１６の磁極の向きが逆向きなるように設置される。
従って、内周部の磁極同士が異極となり、これにより、筒状電極２１５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線が形成される。
処理室２０１の底側中央には、基板であるウェーハ２００を保持するための基板保持手段として前記サセプタ２１７が設けられる。この実施の形態では、サセプタ２１７は、例えば、窒化アルミニウムで構成され、サセプタ２１７を加熱するために、ヒータ（図示せず）が、例えば、サセプタ２１７に内蔵される。
また、サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを可変するための電極である第２の電極が装備される。この第２の電極は、インピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。
また、サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを可変するための電極である第２の電極が装備される。この第２の電極は、インピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。
前記インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、前記筒状電極２１５及び前記サセプタ２１７を介してウェーハ２００の電位を制御するように構成され、前記ヒータは、高周波電力の印加によりウェーハ２００を所定温度、例えば、５００℃程度に加熱できるようになっている。
ウェーハ２００をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理するための処理炉２０２は、少なくとも前記処理室２０１、サセプタ２１７、筒状電極２１５、筒状磁石２１６、シャワーヘッド２３６、及び排気口２３５から構成されており、処理室２０１でウェーハ２００をプラズマ処理することが可能となっている。
筒状電極２１５及び筒状磁石２１６の周囲には、この筒状電極２１５及び筒状磁石２１６で形成される電界や磁界を外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板２２３が設けられている。
サセプタ２１７は前記下側容器２１１とは絶縁され、サセプタ２１７を昇降させる昇降手段であるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。
また、サセプタ２１７には貫通孔２１７ａが少なくとも３箇所、設けられ、各貫通孔２１７ａを通じてウェーハ２００を突き上げるための基板突上手段としてウェーハ突上げピン２６６が下側容器２１１の底面に設けられている。
これら突上げピン２２６は、前記サセプタ昇降機構２６８により、サセプタ２１７が下降させられたとき、ウェーハ突上げピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを下方側から上方側に突き抜けるサセプタ２１７とウェーハ突上げピン２６６の相対的な動作により、サセプタ２１７からウェーハ２００を浮上させ、この逆の動作によ
り、ウェーハ２００をウェーハ突上げピン２６６からサセプタ２１７から載置する。このように構成すると、ウェーハ２００の炉内搬入、炉外搬出が可能となる。
また、サセプタ２１７には貫通孔２１７ａが少なくとも３箇所、設けられ、各貫通孔２１７ａを通じてウェーハ２００を突き上げるための基板突上手段としてウェーハ突上げピン２６６が下側容器２１１の底面に設けられている。
これら突上げピン２２６は、前記サセプタ昇降機構２６８により、サセプタ２１７が下降させられたとき、ウェーハ突上げピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを下方側から上方側に突き抜けるサセプタ２１７とウェーハ突上げピン２６６の相対的な動作により、サセプタ２１７からウェーハ２００を浮上させ、この逆の動作によ
り、ウェーハ２００をウェーハ突上げピン２６６からサセプタ２１７から載置する。このように構成すると、ウェーハ２００の炉内搬入、炉外搬出が可能となる。
また、下側容器２１１の側壁には、ウェーハ２００の搬入、搬出のため、仕切弁からなるゲートバルブ２４４が設けられる。ゲートバルブ２４４が、開いているときは、搬送手段（図示せず）により処理室２０１に対してウェーハ２００の搬入、又は搬出される。
ゲートバルブ２４４を閉鎖すると、処理室２０１が閉鎖される。この状態では、真空ポンプ２４６によって処理室２０１内の雰囲気の排気し減圧することが可能になり、処理室２０１に反応ガス（処理ガス）を供給することが可能になる。
ゲートバルブ２４４を閉鎖すると、処理室２０１が閉鎖される。この状態では、真空ポンプ２４６によって処理室２０１内の雰囲気の排気し減圧することが可能になり、処理室２０１に反応ガス（処理ガス）を供給することが可能になる。
また、制御手段である管理コントローラＣＣは、高周波電源２７３、整合器２７２、バルブ２４３ａ、マスフローコントローラ２４１、ＡＰＣバルブ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６、サセプタ昇降機構２６８、ゲートバルブ２４４、サセプタ２１７に埋め込まれたヒータに接続され、これらを制御している。
＜プラズマ処理＞
以下、このような構成の基板処理装置において、ウェーハ２００表面、又はウェーハ２００上に形成された下地膜の表面のプラズマ処理方法について説明する。
以下、このような構成の基板処理装置において、ウェーハ２００表面、又はウェーハ２００上に形成された下地膜の表面のプラズマ処理方法について説明する。
ウェーハ２００は、処理室２０１の外部からウェーハ２００を搬送する図中省略の搬送手段によって処理室２０１に搬入され、サセプタ２１７上に搬送される。
この搬送動作の詳細は、まず、サセプタ昇降機構２６８の下降によって、サセプタ２１７が下降した状態となっている。このとき、ウェーハ突上げピン２６６の先端部は、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通過してサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突き出している。
このような状態で、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４が開かれ、前記搬送手段によってウェーハ２００が複数のウェーハ突上げピン２６６の先端面に載置される。
続いて、搬送手段（後述する）が処理室２０１外へ退避される。
この後、ゲートバルブ２４４が閉鎖され、サセプタ昇降機構２６８が上昇に切り替えられる。
サセプタ２１７の上昇によりウェーハ突上げピン２２６が貫通孔２１７ａを通じて相対的に下降すると、サセプタ２１７上面にウェーハ２００が載置される。この後、サセプタ昇降機構２６８の上昇によって、ウェーハ２００は、ウェーハ２００の処理位置に上昇され、この位置に停止される。
この搬送動作の詳細は、まず、サセプタ昇降機構２６８の下降によって、サセプタ２１７が下降した状態となっている。このとき、ウェーハ突上げピン２６６の先端部は、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通過してサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突き出している。
このような状態で、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４が開かれ、前記搬送手段によってウェーハ２００が複数のウェーハ突上げピン２６６の先端面に載置される。
続いて、搬送手段（後述する）が処理室２０１外へ退避される。
この後、ゲートバルブ２４４が閉鎖され、サセプタ昇降機構２６８が上昇に切り替えられる。
サセプタ２１７の上昇によりウェーハ突上げピン２２６が貫通孔２１７ａを通じて相対的に下降すると、サセプタ２１７上面にウェーハ２００が載置される。この後、サセプタ昇降機構２６８の上昇によって、ウェーハ２００は、ウェーハ２００の処理位置に上昇され、この位置に停止される。
サセプタ２１７に内蔵されているヒータは、予め、加熱されており、搬入されたウェーハ２００は室温〜５００℃の範囲内でウェーハ２００の処理温度に加熱され、処理室２０１の圧力は真空ポンプ２４６により減圧される。このとき、処理室２０１の圧力は、ＡＰＣバルブ２４２により所定圧力、例えば、０．１〜１００Ｐａの範囲内の圧力に保持される。
ウェーハ２００が処理温度に加熱されると、ガス導入口２３４からシャワープレート２４０のガス噴出孔２３４ａからウェーハ２００の上面（処理面）に向けて反応ガスがシャワー状に導入され、同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力が印加される。このとき、インピーダンス可変機構２７４は、予め所定のインピーダンス値に制御されている。
筒状磁石２１６、２１６の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウェーハ２００の上方空間のプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。そして、生成
された高密度プラズマにより、サセプタ２１７上のウェーハ２００の表面にプラズマ処理が施される。表面処理を終えた後は、ウェーハ２００は、後述する搬送手段により、基板搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。
された高密度プラズマにより、サセプタ２１７上のウェーハ２００の表面にプラズマ処理が施される。表面処理を終えた後は、ウェーハ２００は、後述する搬送手段により、基板搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。
なお、整合器２７２の調整、バルブ２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２４１の流量、ＡＰＣバルブ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ２４４の開閉、前記ヒータに高周波電力を印加する高周波電源２７３への電力ＯＮ・ＯＦＦは、後述する管理コントローラＣＣによりそれぞれ制御される。
＜クラスタ型半導体製造装置＞
次に、図２を参照して前記プロセスチャンバを備えた半導体製造装置の一例としてクラスタ型半導体製造装置を説明する。
次に、図２を参照して前記プロセスチャンバを備えた半導体製造装置の一例としてクラスタ型半導体製造装置を説明する。
図示されるように、クラスタ型半導体製造装置は筐体内が真空側と大気側とに分かれる。
真空側には、例えば、中央の真空搬送室ＴＭと、その外周に星型にバキュームロックチャンバ（ロードロックチャンバ）ＶＬ１，ＶＬ２、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２、プロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４が設けられる。なお、プロセスチャンバの数、冷却チャンバの有無は、基板処理のプロセスによって適宜、決定される。バキュームロックチャンバ（ロードロックチャンバ）ＶＬ１，ＶＬ２には、ウェーハ２００を水平且つ多段に支持するためのウェーハステージ（図示せず）が多段に設けられる。
バキュームロックチャンバ（ロードロックチャンバ）ＶＬ１，ＶＬ２の大気側と真空側には、それぞれバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２を開閉するゲートバルブＧ１，Ｇ２が設けられ、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２及びプロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４にもそれぞれ開閉自在にゲートバルブＧ５〜Ｇ１０が設けられる。
真空搬送室ＴＭには、１台の真空搬送側ロボットＶＲが設けられ、真空搬送側ロボットＶＲによりチャンバ毎のウェーハ２００の出し入れ、各チャンバ間でのウェーハ２００の搬送がなされる。
大気側には、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続された大気側搬送室（大気ローダ）ＬＭと、この大気側搬送室ＬＭに接続された複数台のロードポートＬＰ１〜ＬＰ３とが設けられ、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に開閉のためのゲートバルブＧ１１〜Ｇ１３が設けられる。
大気側搬送室ＬＭには、ウェーハ２００を搬送するための搬送装置Ｍと、搬送装置Ｍ及びバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に設置されたウェーハステージとの間でウェーハ２００を移動するための大気側ロボットＡＲが設けられる。
真空側には、例えば、中央の真空搬送室ＴＭと、その外周に星型にバキュームロックチャンバ（ロードロックチャンバ）ＶＬ１，ＶＬ２、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２、プロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４が設けられる。なお、プロセスチャンバの数、冷却チャンバの有無は、基板処理のプロセスによって適宜、決定される。バキュームロックチャンバ（ロードロックチャンバ）ＶＬ１，ＶＬ２には、ウェーハ２００を水平且つ多段に支持するためのウェーハステージ（図示せず）が多段に設けられる。
バキュームロックチャンバ（ロードロックチャンバ）ＶＬ１，ＶＬ２の大気側と真空側には、それぞれバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２を開閉するゲートバルブＧ１，Ｇ２が設けられ、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２及びプロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４にもそれぞれ開閉自在にゲートバルブＧ５〜Ｇ１０が設けられる。
真空搬送室ＴＭには、１台の真空搬送側ロボットＶＲが設けられ、真空搬送側ロボットＶＲによりチャンバ毎のウェーハ２００の出し入れ、各チャンバ間でのウェーハ２００の搬送がなされる。
大気側には、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続された大気側搬送室（大気ローダ）ＬＭと、この大気側搬送室ＬＭに接続された複数台のロードポートＬＰ１〜ＬＰ３とが設けられ、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に開閉のためのゲートバルブＧ１１〜Ｇ１３が設けられる。
大気側搬送室ＬＭには、ウェーハ２００を搬送するための搬送装置Ｍと、搬送装置Ｍ及びバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に設置されたウェーハステージとの間でウェーハ２００を移動するための大気側ロボットＡＲが設けられる。
前記真空搬送側ロボットＶＲ及び大気側ロボットＡＲは同じ構成となっている。
これらの真空搬送側ロボットＶＲ及び大気側ロボットＡＲは、それぞれ回転自在な台座と、台座に支持され台座と一体となって鉛直軸回りに回転する折り畳み可能なアームＡＲ１と、アームＲ１及び台座に支持された伸縮自在なシリンダＡＲ２と、シリンダＡＲ２のシリンダロッド先端部に設けられたウェーハ支持部ＡＲ３とで構成され、シリンダＡＲ２及び前記アームＡＲ１がウェーハ支持部に支持されたウェーハ２００を水平面に沿って前後方向に移動させるように台座に取り付けられている。
また、前記ウェーハ支持部ＡＲ３は、図２では、簡略化して表示されているが、ウェーハ支持部ＡＲ３は、詳細には、台座に対する取り付け基部より前方側が水平方向に沿って二股に分かれたフォーク状の二股部となっており、ウェーハ支持部にウェーハ２００を支持させるようにしている。
このため、シリンダＡＲ２の伸長の範囲内、台座の回転範囲内でサセプタ２１７やウェーハステージとの間でのウェーハ２００の移載が可能になり、二股部間の軌道上に設置さ
れたウェーハ検知センサＳによりウェーハ２００の有無を検知することが可能になる。なお、アームＡＲ１は、４枚のリンクを枢支部材により平行四辺形に連結した平行リンクや、図３に示すように、二枚のリンク部材を結合した折り畳みリンクによって形成される。また、真空搬送側ロボットＶＲ及び大気側ロボットＡＲと同様、機内でウェーハ２００を移動するための搬送装置Ｍにも前記台座、アームＡＲ１、シリンダＡＲ２、ウェーハ支持部ＡＲ３からなる移載機構が取り付けられ、真空搬送側ロボットＶＲ及び大気側ロボットＡＲと同様の鉛直軸回りの回転、伸縮により、ウェーハステージ、外部のウェーハ搬送装置（図示せず）との間でウェーハ２００を移載する。
これらの真空搬送側ロボットＶＲ及び大気側ロボットＡＲは、それぞれ回転自在な台座と、台座に支持され台座と一体となって鉛直軸回りに回転する折り畳み可能なアームＡＲ１と、アームＲ１及び台座に支持された伸縮自在なシリンダＡＲ２と、シリンダＡＲ２のシリンダロッド先端部に設けられたウェーハ支持部ＡＲ３とで構成され、シリンダＡＲ２及び前記アームＡＲ１がウェーハ支持部に支持されたウェーハ２００を水平面に沿って前後方向に移動させるように台座に取り付けられている。
また、前記ウェーハ支持部ＡＲ３は、図２では、簡略化して表示されているが、ウェーハ支持部ＡＲ３は、詳細には、台座に対する取り付け基部より前方側が水平方向に沿って二股に分かれたフォーク状の二股部となっており、ウェーハ支持部にウェーハ２００を支持させるようにしている。
このため、シリンダＡＲ２の伸長の範囲内、台座の回転範囲内でサセプタ２１７やウェーハステージとの間でのウェーハ２００の移載が可能になり、二股部間の軌道上に設置さ
れたウェーハ検知センサＳによりウェーハ２００の有無を検知することが可能になる。なお、アームＡＲ１は、４枚のリンクを枢支部材により平行四辺形に連結した平行リンクや、図３に示すように、二枚のリンク部材を結合した折り畳みリンクによって形成される。また、真空搬送側ロボットＶＲ及び大気側ロボットＡＲと同様、機内でウェーハ２００を移動するための搬送装置Ｍにも前記台座、アームＡＲ１、シリンダＡＲ２、ウェーハ支持部ＡＲ３からなる移載機構が取り付けられ、真空搬送側ロボットＶＲ及び大気側ロボットＡＲと同様の鉛直軸回りの回転、伸縮により、ウェーハステージ、外部のウェーハ搬送装置（図示せず）との間でウェーハ２００を移載する。
前記ウェーハ検知センサＳは、バキュームロックチャンバ（ロードロックチャンバ）ＶＬ１、バキュームロックチャンバＶＬ２、真空冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２、プロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４を開閉するゲートバルブＧ１，Ｇ２，Ｇ５〜Ｇ１０のそれぞれと真空搬送側ロボットＶＲとの間、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の大気側を開閉するゲートバルブＧ３，Ｇ４の付近及び機内側のロードポートＬＰ１〜ＬＰ３を開閉するゲートバルブＧ１１〜Ｇ１３付近にそれぞれ設けられる。
詳細には、これらのウェーハ検知センサＳは、搬送装置Ｍや大気側ロボットＡＲ、真空搬送側ロボットＶＲのウェーハ２００の受け渡し位置と受け渡し前位置の略中間で、且つ、ウェーハ支持部の軌道上に設置される。前記ウェーハ検知センサＳを、例えば、一対の受発光センサで構成した場合は、一方の受発光センサは、ウェーハ支持部を挟んで下方又は上方側に配置され、他方の受発光センサはその反対側に配置される。一対の受発光センサがこのように配置されると、ウェーハ２００の遮光によりウェーハ２００の有無が検知される。
ウェーハ検知センサＳは、例えば、検出光が遮光されたときは、ウェーハ２００がアームの二股部に支持されていると判定され、発光センサから受光センサに向かって照射された検出光がそのまま受光センサに入るときは、二股部にウェーハ２００が載置されていないと判定されるように設けられる。これらの判定は、例えば、後述する管理コントローラＣＣ（図３参照）によりなされる。
また、ゲートバルブの開閉を検知するセンサが各ゲートバルブＧ１〜Ｇ１３に設けられ、後述する管理コントローラＣＣに接続される。
このように、半導体製造装置には、基板処理や基板搬送が正常に行えるように各部にセンサが取り付けられる。
詳細には、これらのウェーハ検知センサＳは、搬送装置Ｍや大気側ロボットＡＲ、真空搬送側ロボットＶＲのウェーハ２００の受け渡し位置と受け渡し前位置の略中間で、且つ、ウェーハ支持部の軌道上に設置される。前記ウェーハ検知センサＳを、例えば、一対の受発光センサで構成した場合は、一方の受発光センサは、ウェーハ支持部を挟んで下方又は上方側に配置され、他方の受発光センサはその反対側に配置される。一対の受発光センサがこのように配置されると、ウェーハ２００の遮光によりウェーハ２００の有無が検知される。
ウェーハ検知センサＳは、例えば、検出光が遮光されたときは、ウェーハ２００がアームの二股部に支持されていると判定され、発光センサから受光センサに向かって照射された検出光がそのまま受光センサに入るときは、二股部にウェーハ２００が載置されていないと判定されるように設けられる。これらの判定は、例えば、後述する管理コントローラＣＣ（図３参照）によりなされる。
また、ゲートバルブの開閉を検知するセンサが各ゲートバルブＧ１〜Ｇ１３に設けられ、後述する管理コントローラＣＣに接続される。
このように、半導体製造装置には、基板処理や基板搬送が正常に行えるように各部にセンサが取り付けられる。
＜基板処理＞
基板の搬送処理及び基板処理は、後述するインターフェィスコントローラＯＵからのオペレータの指示により管理コントローラＣＣが実行する。
まず、機内にウェーハ２００が搬入される。この場合、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１，Ｇ２が閉とされる。この状態で、ロードポートのゲートバルブ１１〜Ｇ１３が開とされ、ウェーハ２００が搬送装置Ｍにより機内に導入され、各バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２のウェーハステージに移載される。
次にバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１，Ｇ２を閉として、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２が排気により真空とされた後、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１，Ｇ２を閉として、真空搬送室ＴＭ内の真空搬送側ロボットＶＲがウェーハ２００をバキュームロックチャンバＶＬ１から受け取り、プロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４のいずれかに搬入して、ウェーハ２００の処理が行われる。
ウェーハ２００の処理が完了すると、真空搬送側ロボットＶＲ１により、処理済みのウェーハ２００がプロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４から取り出され、クーリングチャンバ（クーリングステージ）ＣＳ１又はＣＳ２のいずれかに挿入されて、ウェーハ２００の冷却が行われる。
冷却後、真空搬送側ロボットＶＲによりウェーハ２００がクーリングチャンバＣＳ１又はＣＳ２から取り出され、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２のいずれかの真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１又はＧ２が開とされ、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２のウェーハステージに移載される。
次に、払い出し側の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１又はＧ２を閉として、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２の払い出し側を大気圧に戻し、この後、払い出し側のバキュームロックチャンバＶＬ１の大気側搬送室ＬＭのゲートバルブＧ３又はＧ４を開、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のいずれかのゲートバルブＧ１１〜Ｇ１３を開として、処理済みのウェーハ２００が機外の搬送装置Ｍに移載され、この搬送装置Ｍによって搬出される。
基板処理では、このような操作の繰り返しにより、複数のウェーハ２００が処理される。
基板の搬送処理及び基板処理は、後述するインターフェィスコントローラＯＵからのオペレータの指示により管理コントローラＣＣが実行する。
まず、機内にウェーハ２００が搬入される。この場合、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１，Ｇ２が閉とされる。この状態で、ロードポートのゲートバルブ１１〜Ｇ１３が開とされ、ウェーハ２００が搬送装置Ｍにより機内に導入され、各バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２のウェーハステージに移載される。
次にバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１，Ｇ２を閉として、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２が排気により真空とされた後、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１，Ｇ２を閉として、真空搬送室ＴＭ内の真空搬送側ロボットＶＲがウェーハ２００をバキュームロックチャンバＶＬ１から受け取り、プロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４のいずれかに搬入して、ウェーハ２００の処理が行われる。
ウェーハ２００の処理が完了すると、真空搬送側ロボットＶＲ１により、処理済みのウェーハ２００がプロセスチャンバＰＭ１〜ＰＭ４から取り出され、クーリングチャンバ（クーリングステージ）ＣＳ１又はＣＳ２のいずれかに挿入されて、ウェーハ２００の冷却が行われる。
冷却後、真空搬送側ロボットＶＲによりウェーハ２００がクーリングチャンバＣＳ１又はＣＳ２から取り出され、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２のいずれかの真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１又はＧ２が開とされ、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２のウェーハステージに移載される。
次に、払い出し側の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＧ１又はＧ２を閉として、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２の払い出し側を大気圧に戻し、この後、払い出し側のバキュームロックチャンバＶＬ１の大気側搬送室ＬＭのゲートバルブＧ３又はＧ４を開、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のいずれかのゲートバルブＧ１１〜Ｇ１３を開として、処理済みのウェーハ２００が機外の搬送装置Ｍに移載され、この搬送装置Ｍによって搬出される。
基板処理では、このような操作の繰り返しにより、複数のウェーハ２００が処理される。
＜インライン型半導体製造装置＞
次に図３を参照してインライン型基板処理装置の一例を説明する。
このインライン型基板処理装置もクラスタ型半導体製造装置と同様に真空側と大気側とに分かれている。
真空側には、複数のラインを構成する基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２が設けられる。基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２には、それぞれインライン接続されたプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２とバキュームロックチャンバ（真空搬送室）ＶＬ１，ＶＬ２とが設けられる。
各バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、それぞれ１台の真空搬送側ロボットＶＲ１，ＶＲ２が設けられ、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１、又はプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２間でウェーハ２００の搬送を独立して行うことが可能になっている。
大気側には、基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２を構成するバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続された大気ローダＬＭと、この大気ローダＬＭに接続された２台のロードポートＬＰ１，ＬＰ２とが設けられる。
大気ローダＬＭには１台の大気側ロボットＡＲが設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とロードポートＬＰ１，ＬＰ２との間でウェーハ２００の搬送を行うことが可能になっている。
これら大気側ロボットＡＲ及び真空搬送側ロボットＶＲは、クラスタ型半導体製造装置の大気側ロボットＡＲ及び真空搬送側ロボットＶＲと同様に台座（図示せず）が鉛直軸回り回転され、シリンダ（図示せず）の伸縮によりアームＡＲ１が水平面に沿って折り畳みまれ、アームＡＲ１の折り畳みと、台座との一体的な鉛直軸回りの回転によりウェーハ２００の移載が可能とされる。
また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２及び各ロードポートＬＰ１，ＬＰ２は、前記したインライン型基板処理装置と同様に、ゲートバルブＧ１４〜Ｇ１７により開閉される。
なお、このインライン型半導体製造装置では、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１とが一つのゲートバルブＧ１６で開閉され、同様に、プロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ１とが一つのゲートバルブＧ１７で開閉されるようになっており、大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバ（真空搬送室）ＶＬ１，ＶＬ２とがそれぞれゲートバルブＧ１４，Ｇ１５によって開閉する構造となっている。
このようにインライン型基板処理装置では、バキュームロックチャンバＶＬ１、又はプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２間でウェーハ２００の搬送を独立して行うことが可能になっている。
また、前記したように、ウェーハ２００の受け渡し位置にウェーハ２００の有無を検出できるように前記ウェーハ検知センサＳが設けられる。
次に図３を参照してインライン型基板処理装置の一例を説明する。
このインライン型基板処理装置もクラスタ型半導体製造装置と同様に真空側と大気側とに分かれている。
真空側には、複数のラインを構成する基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２が設けられる。基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２には、それぞれインライン接続されたプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２とバキュームロックチャンバ（真空搬送室）ＶＬ１，ＶＬ２とが設けられる。
各バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、それぞれ１台の真空搬送側ロボットＶＲ１，ＶＲ２が設けられ、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１、又はプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２間でウェーハ２００の搬送を独立して行うことが可能になっている。
大気側には、基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２を構成するバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続された大気ローダＬＭと、この大気ローダＬＭに接続された２台のロードポートＬＰ１，ＬＰ２とが設けられる。
大気ローダＬＭには１台の大気側ロボットＡＲが設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とロードポートＬＰ１，ＬＰ２との間でウェーハ２００の搬送を行うことが可能になっている。
これら大気側ロボットＡＲ及び真空搬送側ロボットＶＲは、クラスタ型半導体製造装置の大気側ロボットＡＲ及び真空搬送側ロボットＶＲと同様に台座（図示せず）が鉛直軸回り回転され、シリンダ（図示せず）の伸縮によりアームＡＲ１が水平面に沿って折り畳みまれ、アームＡＲ１の折り畳みと、台座との一体的な鉛直軸回りの回転によりウェーハ２００の移載が可能とされる。
また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２及び各ロードポートＬＰ１，ＬＰ２は、前記したインライン型基板処理装置と同様に、ゲートバルブＧ１４〜Ｇ１７により開閉される。
なお、このインライン型半導体製造装置では、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１とが一つのゲートバルブＧ１６で開閉され、同様に、プロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ１とが一つのゲートバルブＧ１７で開閉されるようになっており、大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバ（真空搬送室）ＶＬ１，ＶＬ２とがそれぞれゲートバルブＧ１４，Ｇ１５によって開閉する構造となっている。
このようにインライン型基板処理装置では、バキュームロックチャンバＶＬ１、又はプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２間でウェーハ２００の搬送を独立して行うことが可能になっている。
また、前記したように、ウェーハ２００の受け渡し位置にウェーハ２００の有無を検出できるように前記ウェーハ検知センサＳが設けられる。
＜基板処理＞
各基板処理モジュールＭＤ１、ＭＤ２では搬送が独立に行われる。
真空搬送側ロボットＶＲ１又はＶＲ２により、ウェーハ２００をバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２内のウェーハステージ（ウェーハ保持部）ＨＬ１又はＨＬ２から受け取り、プロセスチャンバＰＭ１又はＰＭ２に搬入して、ウェーハ２００の処理を行う。
ウェーハ２００の処理が完了すると、真空搬送側ロボットＶＲ１又はＶＲ２により処理済みウェーハ２００を受け取り、ウェーハステージＨＬ１又はＨＬ２に保持して、ウェーハ２００を冷却する。
バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２を大気圧に復帰させ、大気側ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２から冷却済みウェーハ２００を取り出し、大気ローダＬＭを介してロードポートＬＰ１又はＬＰ２に払い出す。
払い出し後、ロードポートＬＰ１又はＬＰ２から、未処理のウェーハ２００を大気側ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２に搬入して、上述した処理を繰り返す。
各基板処理モジュールＭＤ１、ＭＤ２では搬送が独立に行われる。
真空搬送側ロボットＶＲ１又はＶＲ２により、ウェーハ２００をバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２内のウェーハステージ（ウェーハ保持部）ＨＬ１又はＨＬ２から受け取り、プロセスチャンバＰＭ１又はＰＭ２に搬入して、ウェーハ２００の処理を行う。
ウェーハ２００の処理が完了すると、真空搬送側ロボットＶＲ１又はＶＲ２により処理済みウェーハ２００を受け取り、ウェーハステージＨＬ１又はＨＬ２に保持して、ウェーハ２００を冷却する。
バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２を大気圧に復帰させ、大気側ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２から冷却済みウェーハ２００を取り出し、大気ローダＬＭを介してロードポートＬＰ１又はＬＰ２に払い出す。
払い出し後、ロードポートＬＰ１又はＬＰ２から、未処理のウェーハ２００を大気側ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２に搬入して、上述した処理を繰り返す。
＜制御装置＞
次に、図４を参照して前記した各半導体製造装置を制御する制御システムの一例を説明する。制御システムは、前記した各半導体製造装置に接続され、前記した基板の搬送制御や基板処理、監視制御を実行する。なお、半導体製造装置は、生産ラインにおける単一の半導体装置又は、生産履歴をロギングするホストコンピュータに接続された群管理装置の半導体製造装置として用いられる。
次に、図４を参照して前記した各半導体製造装置を制御する制御システムの一例を説明する。制御システムは、前記した各半導体製造装置に接続され、前記した基板の搬送制御や基板処理、監視制御を実行する。なお、半導体製造装置は、生産ラインにおける単一の半導体装置又は、生産履歴をロギングするホストコンピュータに接続された群管理装置の半導体製造装置として用いられる。
図４に示すように、制御システムは、オペレータの指示を受け付けるインターフェイスコントローラＯＵと、このインターフェィスコントローラＯＵから送信されたオペレータの指示により基板処理を実行させる管理コントローラＣＣと、ホストコンピュータ（集中管理装置）ＨＣとを有する。
前記ホストコンピュータＨＣは、群管理装置の場合は、集中管理装置として制御システムに組み込まれる。
インターフェイスコントローラＯＵは、ホストコンピュータＨＣに直接接続されると共に、管理コントローラＣＣにＬＡＮを介して接続される。
管理コントローラＣＣには、前記サブコントローラとして、前記ヒータの温度を制御する温度制御部１２１、前記ＡＰＣバルブ２４２の開度制御及び前記排気管２３１のバルブ２４３ａの開閉制御により前記処理室２０１の圧力を制御する圧力制御部１２２、処理ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラＰＭＣの開度制御により、前記処理室２０１に供給する処理ガスの供給量を制御するガス流量制御部１２３、前記大気側ロボットＡＲの動作を制御する大気側ロボットコントローラ（図示せず）、前記真空搬送側ロボットＶＲの動作を制御する真空搬送側ロボットコントローラ（図示せず）、前記搬送装置Ｍの移動及び動作を制御する搬送装置コントローラ（図示せず）等、基板の搬送、基板処理に必要なコントローラが接続される。
また、管理コントローラＣＣにはＩ／Ｏが設けられ、前記サセプタ２１７又は処理室２０１の温度を検出する温度センサ（図示せず）、処理室２０１の圧力を検出する圧力センサ（図示せず）、前記処理室２０１への反応ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラＰＭＣのマスフローメータ（図示せず）、大気側ロボットＡＲ、真空側排気装置の動作（回転、伸縮）を検出するための位置センサ（図示せず）、前記搬送装置Ｍの位置（回転、伸縮）を検出するための位置センサ（図示せず）、前記ウェーハ検知センサＳ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ１６の開閉を検出するセンサ（図示せず）等のＩ／Ｏデバイスが、それぞれＩ／Ｏを介して管理コントローラＣＣに接続される。
前記ホストコンピュータＨＣは、群管理装置の場合は、集中管理装置として制御システムに組み込まれる。
インターフェイスコントローラＯＵは、ホストコンピュータＨＣに直接接続されると共に、管理コントローラＣＣにＬＡＮを介して接続される。
管理コントローラＣＣには、前記サブコントローラとして、前記ヒータの温度を制御する温度制御部１２１、前記ＡＰＣバルブ２４２の開度制御及び前記排気管２３１のバルブ２４３ａの開閉制御により前記処理室２０１の圧力を制御する圧力制御部１２２、処理ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラＰＭＣの開度制御により、前記処理室２０１に供給する処理ガスの供給量を制御するガス流量制御部１２３、前記大気側ロボットＡＲの動作を制御する大気側ロボットコントローラ（図示せず）、前記真空搬送側ロボットＶＲの動作を制御する真空搬送側ロボットコントローラ（図示せず）、前記搬送装置Ｍの移動及び動作を制御する搬送装置コントローラ（図示せず）等、基板の搬送、基板処理に必要なコントローラが接続される。
また、管理コントローラＣＣにはＩ／Ｏが設けられ、前記サセプタ２１７又は処理室２０１の温度を検出する温度センサ（図示せず）、処理室２０１の圧力を検出する圧力センサ（図示せず）、前記処理室２０１への反応ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラＰＭＣのマスフローメータ（図示せず）、大気側ロボットＡＲ、真空側排気装置の動作（回転、伸縮）を検出するための位置センサ（図示せず）、前記搬送装置Ｍの位置（回転、伸縮）を検出するための位置センサ（図示せず）、前記ウェーハ検知センサＳ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ１６の開閉を検出するセンサ（図示せず）等のＩ／Ｏデバイスが、それぞれＩ／Ｏを介して管理コントローラＣＣに接続される。
格納手段としてのハードディスクＨＤは、前記インターフェィスコントローラＯＵに搭載され、ハードディスクＨＤには、前記クラスタ型半導体製造装置、インライン型半導体
製造装置に適した基板搬送、基板処理、アラーム処理等を実行させるためのプロセスレシピ、画面データファイルの他、制御のために必要なテーブル、プログラム、データならびに半導体製造装置内で発生したアラーム履歴データが格納される。
なお、これらのコントローラＯＵ，ＣＣ，ＨＣは、ＣＰＵ、メモリの他、通信のための送受信装置を備えた周知のコンピュータで構成されており、コンピュータのハードウェア資源を利用するプログラム（シーケンス）によって後述する各種の機能を実現する。
製造装置に適した基板搬送、基板処理、アラーム処理等を実行させるためのプロセスレシピ、画面データファイルの他、制御のために必要なテーブル、プログラム、データならびに半導体製造装置内で発生したアラーム履歴データが格納される。
なお、これらのコントローラＯＵ，ＣＣ，ＨＣは、ＣＰＵ、メモリの他、通信のための送受信装置を備えた周知のコンピュータで構成されており、コンピュータのハードウェア資源を利用するプログラム（シーケンス）によって後述する各種の機能を実現する。
インターフェィスコントローラＯＵを起動すると実行プログラムとしての画面表示プログラムが起動され、画面表示プログラムにより前記画面データファイルから呼び出された操作画面ＶがインターフェィスコントローラＯＵのモニタ１５０に表示される。
操作画面Ｖには、管理コントローラＣＣ及び前記サブコントローラに基板処理を実行させるためのレシピの実行ボタン（図示せず）、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２や各チャンバＣＳ１，ＣＳ２，ＶＬ１，ＶＬ２等の運転データを、管理コントローラＣＣからインターフェィスコントローラＯＵに送信させるためのモニタボタン（図示せず）、前記アラーム履歴データをモニタ１５０の操作画面Ｖに表示させるためのボタン（図示せず）、レシピ編集やレシピ作成の画面を表示させるためのボタン（図示せず）等、基板制御やモニタのためのボタン（図示せず）が表示される。
これらのボタンはそれぞれ実行プログラムとリンクしており、それぞれ押下すると対応するプログラムを起動させる。これらのボタンは、アラーム履歴画面ＧＲ１上に表示されるアラーム情報のデータと重なることがないように、操作画面Ｖの上下又はサイドに配置される。以下、ボタンとは、このようなプログラムを動作させ、処理を実行させるためのボタンをいうものとする。
操作画面Ｖには、管理コントローラＣＣ及び前記サブコントローラに基板処理を実行させるためのレシピの実行ボタン（図示せず）、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２や各チャンバＣＳ１，ＣＳ２，ＶＬ１，ＶＬ２等の運転データを、管理コントローラＣＣからインターフェィスコントローラＯＵに送信させるためのモニタボタン（図示せず）、前記アラーム履歴データをモニタ１５０の操作画面Ｖに表示させるためのボタン（図示せず）、レシピ編集やレシピ作成の画面を表示させるためのボタン（図示せず）等、基板制御やモニタのためのボタン（図示せず）が表示される。
これらのボタンはそれぞれ実行プログラムとリンクしており、それぞれ押下すると対応するプログラムを起動させる。これらのボタンは、アラーム履歴画面ＧＲ１上に表示されるアラーム情報のデータと重なることがないように、操作画面Ｖの上下又はサイドに配置される。以下、ボタンとは、このようなプログラムを動作させ、処理を実行させるためのボタンをいうものとする。
レシピの実行ボタンが押下されると、インターフェィスコントローラＯＵからレシピの実行指示が管理コントローラＣＣに送信される。管理コントローラＣＣは、レシピの実行指示をメモリ等に受信すると、受信したレシピのシーケンス及びシーケンスのステップの設定値に従ってそれぞれ対応するサブコントローラを制御し、前記の搬送処理、基板処理を実施する。
エラー処理は、ハード又はソフトインターロックやセンサにより半導体製造装置内のエラー（アラーム）が検知されたとき実施される。
エラー処理では、インターフェィスコントローラＯＵの指示により管理コントローラＣＣが、前記ハードディスクＨＤに格納されているアラーム解除プログラムを起動する。
アラーム解除プログラムは、アラームが発生してから解除されるまで、前記レシピによる処理を一時停止（レシピホールド）させ、インターフェィスコントローラＯＵ、管理コントローラＣＣ、又はホストコンピュータＨＰに設けられている警告手段としてのブザーを作動させる。
このとき、アラーム履歴データをロギングデータとしてインターフェイスコントローラ又は集中管理装置としてのホストコンピュータのハードディスクに格納する。
ここで、アラーム履歴データ（アラーム履歴情報）とは、アラーム名（種別）、発生年月日、発生時刻、発生場所、障害情報、発生レベル、コード（アラームコード）、発生状況と、アラームの内容を説明するためのメッセージデータで構成されたアラームを特定するデータをいう。
このとき、アラーム履歴データをロギングデータとしてインターフェイスコントローラ又は集中管理装置としてのホストコンピュータのハードディスクに格納する。
ここで、アラーム履歴データ（アラーム履歴情報）とは、アラーム名（種別）、発生年月日、発生時刻、発生場所、障害情報、発生レベル、コード（アラームコード）、発生状況と、アラームの内容を説明するためのメッセージデータで構成されたアラームを特定するデータをいう。
図５にアラーム履歴画面ＧＲ１の一例を示す。このアラーム履歴画面ＧＲ１は、前記操作画面Ｖ上に表示された「アラーム」ボタンの押下により、インターフェィスコントローラＯＵのハードディスクの画面ファイルから呼び出され、操作画面Ｖ上に表示される。
＜アラーム履歴画面の構成＞
アラーム履歴画面ＧＲ１には、アラーム情報データを表示させるための「アラーム」ボタンと、アラームの復旧に用いる「復旧」ボタン（後述する）とが表示される。
アラーム履歴画面ＧＲ１には、アラーム情報データを表示させるための「アラーム」ボタンと、アラームの復旧に用いる「復旧」ボタン（後述する）とが表示される。
「障害情報」ボタンは、アラーム履歴画面ＧＲ１上に、アラーム毎に、横一列にアラーム情報データを表示させるアラーム履歴情報表示プログラムとリンクしている。アラーム情報データは、発生年月日、時刻（発生時刻）、発生場所、障害情報、レベル（アラームのレベル）、コード（アラームコード）、発生状況、メッセージ等から構成される。
「復旧」ボタンは、アラームを回復させるナビゲーションプログラムとリンクしている。
また、アラーム履歴画面ＧＲ１には、「最新履歴」ボタンが表示される。
「最新履歴」ボタンは、アラームの年月日、時刻により、画面に表示させる現在ないし過去のアラームの履歴時データを、最新順に並び替えてアラーム履歴画面ＧＲ１に表示させる並び替えプログラムとリンクしている。
また、アラーム履歴画面ＧＲ１には「ブザーステップ」ボタンが表示される。
この「ブザーストップ」ボタンは、ブザーを停止させるブザー停止プログラムとリンクしている。
また、この実施の形態では、ナビゲーションプログラムは、各アラームに対応するアラーム情報データの表示領域であるセル内がマウスポインタでクリックされたとき、初めて「復旧」ボタンの押下が有効とするようにプログラムされるが、このようなマウスポインタを用いるステップを省略して直接、「復旧」ボタンの押下が有効となるようにプログラムしてもよい。
「復旧」ボタンは、アラームを回復させるナビゲーションプログラムとリンクしている。
また、アラーム履歴画面ＧＲ１には、「最新履歴」ボタンが表示される。
「最新履歴」ボタンは、アラームの年月日、時刻により、画面に表示させる現在ないし過去のアラームの履歴時データを、最新順に並び替えてアラーム履歴画面ＧＲ１に表示させる並び替えプログラムとリンクしている。
また、アラーム履歴画面ＧＲ１には「ブザーステップ」ボタンが表示される。
この「ブザーストップ」ボタンは、ブザーを停止させるブザー停止プログラムとリンクしている。
また、この実施の形態では、ナビゲーションプログラムは、各アラームに対応するアラーム情報データの表示領域であるセル内がマウスポインタでクリックされたとき、初めて「復旧」ボタンの押下が有効とするようにプログラムされるが、このようなマウスポインタを用いるステップを省略して直接、「復旧」ボタンの押下が有効となるようにプログラムしてもよい。
「復旧」ボタンの押下により、前記ナビゲーションプログラムが起動すると、ナビゲーションプログラムは、アラームに対応した自動復旧のための復旧ナビゲーション画面を操作画面Ｖに上に表示させる。
図６はナビゲーションプログラムが参照する復旧処理詳細テーブルの一例を示す。
図示されるように、復旧処理詳細テーブル１５２には、ナビゲーションプログラムが参照する、アラームＩＤ、処理番号、トリガであるコマンドである発行コマンド、表示テキスト、遷移する画面Ｎｏが設定される。
トリガには次の二種が格納される。
一つは、アラーム回復のための先の回復手順が終了し、次の回復手順に遷移する際にユーザの確認が必要とされる場合に用いられるトリガ、もう一つは、アラームの回復のための先の回復手順が終了し、次の回復手順に遷移する際に、ユーザの確認なしでインターフェイスコントローラＯＵにより次の回復手順が実行される場合に用いられるトリガである。
前者のトリガには、後述する復旧ナビケーション画面に示される「確認ボタン」トリガが該当する。
インターフェィスコントローラＯＵのコマンドを用いて半導体製造装置の復旧操作を自動的に実行する場合は、インターフェィスコントローラＯＵからコマンドが管理コントローラＣＣに送信され、管理コントローラＣＣと前記サブコントローラがコマンドに対応する処理を実行し、処理番号順に対応する復旧操作が実施される。以下、「自動」とはこのような意味で用いる。
表示テキストには、各処理番号のナビゲーションとしてのテキストが格納され、遷移する画面には、回復操作のために前記操作画面Ｖ上に表示させる画面Ｎｏが格納される。
図示されるように、復旧処理詳細テーブル１５２には、ナビゲーションプログラムが参照する、アラームＩＤ、処理番号、トリガであるコマンドである発行コマンド、表示テキスト、遷移する画面Ｎｏが設定される。
トリガには次の二種が格納される。
一つは、アラーム回復のための先の回復手順が終了し、次の回復手順に遷移する際にユーザの確認が必要とされる場合に用いられるトリガ、もう一つは、アラームの回復のための先の回復手順が終了し、次の回復手順に遷移する際に、ユーザの確認なしでインターフェイスコントローラＯＵにより次の回復手順が実行される場合に用いられるトリガである。
前者のトリガには、後述する復旧ナビケーション画面に示される「確認ボタン」トリガが該当する。
インターフェィスコントローラＯＵのコマンドを用いて半導体製造装置の復旧操作を自動的に実行する場合は、インターフェィスコントローラＯＵからコマンドが管理コントローラＣＣに送信され、管理コントローラＣＣと前記サブコントローラがコマンドに対応する処理を実行し、処理番号順に対応する復旧操作が実施される。以下、「自動」とはこのような意味で用いる。
表示テキストには、各処理番号のナビゲーションとしてのテキストが格納され、遷移する画面には、回復操作のために前記操作画面Ｖ上に表示させる画面Ｎｏが格納される。
発行コマンドには、通常、インターフェィスコントローラＯＵが基板処理に用いるコマンド、例えば、「Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｄｌｅ」、「Ｒｂｔ Ｉｎｉｔ」、「Ｓｙｓｔｅｍ Ｓｔａｎｄｂｙ」、「Ｗａｆｅｒ Ｃｏｌｌｅｔｃ」、「Ｅｖａｃ Ｒｅｃｉｐｅ Ｓｔ
ａｒｔ」、「ＬＰ Ｉｎｉｔ」等がある。
ａｒｔ」、「ＬＰ Ｉｎｉｔ」等がある。
図７はウェーハ検知エラー（アラーム）が発生した場合の復旧ナビゲーション画面の一例を示し、図８はＬＰ回線ダウンエラーの復旧ナビゲーション画面の一例を示す。これらの復旧ナビゲーション画面は、アラームの発生時、前記ナビゲーションプログラムによって前記操作画面Ｖに表示される。
図７に示すように、ウェーハ検知エラーの復旧ナビケーション画面ＧＲ２には、処理番号１〜６が表示され、処理番号毎に、ナビゲーションの内容が文字で表示される。また、ユーザが実行する復旧手順において、次の手順に移る際に、ユーザの確認が必要な場合は、確認ボタン（トリガ）として「ＯＫ」ボタンが表示される。この点は、図８に示すＬＰ回線復旧エラーの復旧ナビゲーション画面ＧＲ３の場合も同様である。なお、復旧処理詳細テーブル１５２の表示テキストに格納される各テキストが復旧のためのナビゲーションに用いられ、処理番号が、復旧ナビゲーション画面ＧＲ２の処理番号として表示される。
例えば、復旧処理詳細テーブル１５２の処理番号１の表示テキストに格納されるテキストが“ウェーハの検知センサの位置を確認してください。”となっている場合は、復旧ナビゲーション画面ＧＲ２の処理番号１に対応するナビゲーションとして「ウェーハの検知センサの位置を確認してください。」が表示される。
また、復旧ナビゲーション画面ＧＲ２，ＧＲ３には、「キャンセル」ボタンが表示される。
キャンセルボタンは、ナビケーションプログラムを途中でキャンセルし、それ以降はユーザがマニュアルで実行したい場合等に用いられる。
また、処理番号、ナビケーションを復旧ナビゲーション画面ＧＲ２，ＧＲ３上に表示させるセル毎、色が切替えられるようにナビゲーションプログラムがプログラムされており、処理が終了した場合に、自動的に処理前のセルの色と異なる色に切り替えられる。
例えば、復旧処理詳細テーブル１５２の処理番号１の表示テキストに格納されるテキストが“ウェーハの検知センサの位置を確認してください。”となっている場合は、復旧ナビゲーション画面ＧＲ２の処理番号１に対応するナビゲーションとして「ウェーハの検知センサの位置を確認してください。」が表示される。
また、復旧ナビゲーション画面ＧＲ２，ＧＲ３には、「キャンセル」ボタンが表示される。
キャンセルボタンは、ナビケーションプログラムを途中でキャンセルし、それ以降はユーザがマニュアルで実行したい場合等に用いられる。
また、処理番号、ナビケーションを復旧ナビゲーション画面ＧＲ２，ＧＲ３上に表示させるセル毎、色が切替えられるようにナビゲーションプログラムがプログラムされており、処理が終了した場合に、自動的に処理前のセルの色と異なる色に切り替えられる。
次に、アラームを復旧する場合の具体的な手順を説明する。
ここで、ウェーハ検知エラーとは、前記ウェーハ検知センサＳ、前記搬送装置Ｍ、前記大気側ロボットＡＲ、真空搬送側ロボットＶＲに故障がなく、システムの何等かの誤作動によって、ウェーハ２００の物理的な位置とシステム上のウェーハ２００の位置とが合致しない状態をいう。ウェーハ検知エラーが発生すると、基板処理がどのような状態で行われているかわからないので、処理を停止し、復旧せざるを得ない。
また、ＬＰ回線エラーとは、前記ロードポート側に設けられているロードポートコントローラと通信回線との通信上の断線によって、ゲートバルブの動作とシステム上の動作とが一致しない状態をいう。このため、ＬＰ回線ダウンエラーが発生した場合も、処理を停止し、復旧せざるを得ない。
以下、これらの復旧手順を図７及び図８を参照して説明する。
また、ＬＰ回線エラーとは、前記ロードポート側に設けられているロードポートコントローラと通信回線との通信上の断線によって、ゲートバルブの動作とシステム上の動作とが一致しない状態をいう。このため、ＬＰ回線ダウンエラーが発生した場合も、処理を停止し、復旧せざるを得ない。
以下、これらの復旧手順を図７及び図８を参照して説明する。
＜処理番号１＞
エラー復旧画面の処理番号１の手順では、ウェーハ検知エラーを回復する際は、自動的に確認することはできないので、まず、ユーザが目視によりウェーハ２００の位置を確認する。このため、処理番号１のセルには、ユーザにウェーハ検知センサＳの確認を行わせる旨のナビゲーションと、確認したことをナビゲーションプログラムに入力するための処理トリガとしての「ＯＫ」ボタン（確認ボタン）が表示される。
ユーザが「ＯＫ」ボタンを押し下げると、ナビゲーションプログラムは、処理番号２の手順を実行する。
エラー復旧画面の処理番号１の手順では、ウェーハ検知エラーを回復する際は、自動的に確認することはできないので、まず、ユーザが目視によりウェーハ２００の位置を確認する。このため、処理番号１のセルには、ユーザにウェーハ検知センサＳの確認を行わせる旨のナビゲーションと、確認したことをナビゲーションプログラムに入力するための処理トリガとしての「ＯＫ」ボタン（確認ボタン）が表示される。
ユーザが「ＯＫ」ボタンを押し下げると、ナビゲーションプログラムは、処理番号２の手順を実行する。
＜処理番号２＞
処理番号２の手順では、ナビゲーションプログラムが遷移する画面Ｎｏを参照する。詳
細テーブルのＮｏは「１４」であるので、この「１４」によって前記画面ファイルを検索し、ウェーハ補正画面Ｖ１を操作画面上に表示させる。
図９はこのウェーハ補正画面Ｖ１の一例を示す。この例では、アイコンの組み合わせによって半導体製造装置が表現されている。半導体装置の各部を構成しているアイコンは、ウェーハ補正画面Ｖ１上で部品として取り扱うことができ、切り取り、貼り付けが可能である。また、各アイコン画面上の位置は実行プログラムである画面表示プログラムが把握している。
このウェーハ補正画面Ｖ１は、半導体製造装置と同じウェーハ検知エラーの際のシステム上の画面と同じなので、ウェーハ補正画面Ｖ１上では、ウェーハ２００のアイコンがバキュームロックチャンバＶＬ１に存在しているが、現実には、真空搬送室ＴＭに存在している。このため、システム上の位置と物理上のウェーハの位置が相互に不一致となり、ウェーハ検知エラーのアラームが発生する。
そこで、システム上と物理上の位置を合致させ必要がある。
まず、ウェーハ補正画面Ｖ１上に用意されている「切り取り」ボタン、「貼付」ボタン、マウスを用いる。
まず、マウスのポインタでＶＬ１のウェーハ２００のアイコンを指定し、クリックする。
指定されたウェーハ２００のアイコンはクリックによって色が変わる。
次に、マウスのポインタで「切り取り」ボタンを指定し、クリックする。
先に指定したウェーハ２００のアイコンがウェーハ補正画面Ｖ１から消える。
続いて、マウスのポインタで真空搬送室ＭＴの真空側搬送ロボットＶＲのアイコンを指定し、クリックする。
このとき、真空側搬送ロボットＶＲのアイコンの色が変わる。
次に、マウスのポインタで「貼付」ボタンを指定し、クリックすると、先に、ウェーハ補正画面Ｖ１上から消えたウェーハ２００のアイコンが今度は真空搬送側ロボットＶＲのアイコン上に重ねて表示される。これにより、物理上のウェーハ２００の位置にシステム上のウェーハ２００の位置が合致し、ウェーハ検知エラーが解消された状態となる。
ウェーハ補正画面Ｖ１上の「確定」ボタンを押下すると、処理が確定し、ウェーハ補正画面Ｖ１がウェーハ補正画面Ｖ１から前記ウェーハ検知エラー復旧ナビケーション画面ＧＲ２に戻る。
このウェーハ補正画面Ｖ１で、処理番号２の右側に表示されている「ＯＫ」ボタンをユーザが押下すると、これを処理トリガとして次の処理番号３の手順が自動的に実行される。
処理番号３〜６は、コマンドの実行終了を処理トリガにナビゲーションプログラムによって復旧処理が自動的に実行される。
処理番号２の手順では、ナビゲーションプログラムが遷移する画面Ｎｏを参照する。詳
細テーブルのＮｏは「１４」であるので、この「１４」によって前記画面ファイルを検索し、ウェーハ補正画面Ｖ１を操作画面上に表示させる。
図９はこのウェーハ補正画面Ｖ１の一例を示す。この例では、アイコンの組み合わせによって半導体製造装置が表現されている。半導体装置の各部を構成しているアイコンは、ウェーハ補正画面Ｖ１上で部品として取り扱うことができ、切り取り、貼り付けが可能である。また、各アイコン画面上の位置は実行プログラムである画面表示プログラムが把握している。
このウェーハ補正画面Ｖ１は、半導体製造装置と同じウェーハ検知エラーの際のシステム上の画面と同じなので、ウェーハ補正画面Ｖ１上では、ウェーハ２００のアイコンがバキュームロックチャンバＶＬ１に存在しているが、現実には、真空搬送室ＴＭに存在している。このため、システム上の位置と物理上のウェーハの位置が相互に不一致となり、ウェーハ検知エラーのアラームが発生する。
そこで、システム上と物理上の位置を合致させ必要がある。
まず、ウェーハ補正画面Ｖ１上に用意されている「切り取り」ボタン、「貼付」ボタン、マウスを用いる。
まず、マウスのポインタでＶＬ１のウェーハ２００のアイコンを指定し、クリックする。
指定されたウェーハ２００のアイコンはクリックによって色が変わる。
次に、マウスのポインタで「切り取り」ボタンを指定し、クリックする。
先に指定したウェーハ２００のアイコンがウェーハ補正画面Ｖ１から消える。
続いて、マウスのポインタで真空搬送室ＭＴの真空側搬送ロボットＶＲのアイコンを指定し、クリックする。
このとき、真空側搬送ロボットＶＲのアイコンの色が変わる。
次に、マウスのポインタで「貼付」ボタンを指定し、クリックすると、先に、ウェーハ補正画面Ｖ１上から消えたウェーハ２００のアイコンが今度は真空搬送側ロボットＶＲのアイコン上に重ねて表示される。これにより、物理上のウェーハ２００の位置にシステム上のウェーハ２００の位置が合致し、ウェーハ検知エラーが解消された状態となる。
ウェーハ補正画面Ｖ１上の「確定」ボタンを押下すると、処理が確定し、ウェーハ補正画面Ｖ１がウェーハ補正画面Ｖ１から前記ウェーハ検知エラー復旧ナビケーション画面ＧＲ２に戻る。
このウェーハ補正画面Ｖ１で、処理番号２の右側に表示されている「ＯＫ」ボタンをユーザが押下すると、これを処理トリガとして次の処理番号３の手順が自動的に実行される。
処理番号３〜６は、コマンドの実行終了を処理トリガにナビゲーションプログラムによって復旧処理が自動的に実行される。
＜処理番号３＞
処理番号３では、コマンド「ｓｙｓｔｅｍ Ｉｄｌｅ」が発行される。このコマンドにより、管理コントローラＣＣとサブコントローラが、装置ステータスがｉｄｌｅになるように半導体製造装置を制御する。「ｓｙｓｔｅｍ Ｉｄｌｅ」の終了をトリガとして次に処理番号４の手順が実行される。
処理番号３では、コマンド「ｓｙｓｔｅｍ Ｉｄｌｅ」が発行される。このコマンドにより、管理コントローラＣＣとサブコントローラが、装置ステータスがｉｄｌｅになるように半導体製造装置を制御する。「ｓｙｓｔｅｍ Ｉｄｌｅ」の終了をトリガとして次に処理番号４の手順が実行される。
＜処理番号４＞
処理番号４の手順では、コマンド「Ｒｂｔ Ｉｎｉｔ」が発行され、管理コントローラＣＣ及びサブコントローラにより、前記大気側ロボットＡＲ、前記真空搬送側ロボットＶＲのイニシャルが実行される。「Ｒｂｔ Ｉｎｉｔ」の終了をトリガとして次に処理番号５の手順が実行される。
処理番号４の手順では、コマンド「Ｒｂｔ Ｉｎｉｔ」が発行され、管理コントローラＣＣ及びサブコントローラにより、前記大気側ロボットＡＲ、前記真空搬送側ロボットＶＲのイニシャルが実行される。「Ｒｂｔ Ｉｎｉｔ」の終了をトリガとして次に処理番号５の手順が実行される。
＜処理番号５＞
処理番号５では、コマンド「Ｓｙｓｔｅｍ Ｓｔａｎｄｂｙ」が発行され、管理コント
ローラＣＣ、サブコントローラにより半導体装置がスタンバイに切り替えられる「Ｓｙｓｔｅｍ Ｓｔａｎｄｂｙ」の終了をトリガとして次に処理番号６の手順が実行される。
次に、処理手順６、７、８は図７，図８の復旧ナビケーション画面には表示されていないので、図６に示す復旧処理詳細テーブル１５２を参照して説明する。
処理番号５では、コマンド「Ｓｙｓｔｅｍ Ｓｔａｎｄｂｙ」が発行され、管理コント
ローラＣＣ、サブコントローラにより半導体装置がスタンバイに切り替えられる「Ｓｙｓｔｅｍ Ｓｔａｎｄｂｙ」の終了をトリガとして次に処理番号６の手順が実行される。
次に、処理手順６、７、８は図７，図８の復旧ナビケーション画面には表示されていないので、図６に示す復旧処理詳細テーブル１５２を参照して説明する。
＜処理番号６＞
処理番号６では、コマンド「Ｗａｆｅｒ Ｃｏｌｌｅｃｔ」が発行され、管理コントローラＣＣ、サブコントローラにより半導体製造装置内に残っているウェーハ２００が回収される。「Ｗａｆｅｒ Ｃｏｌｌｅｃｔ」の終了をトリガとして次に処理番号７の手順が実行される。
処理番号６では、コマンド「Ｗａｆｅｒ Ｃｏｌｌｅｃｔ」が発行され、管理コントローラＣＣ、サブコントローラにより半導体製造装置内に残っているウェーハ２００が回収される。「Ｗａｆｅｒ Ｃｏｌｌｅｃｔ」の終了をトリガとして次に処理番号７の手順が実行される。
＜処理番号７＞
処理番号７では、前記真空ポンプ２４６の起動確認のため、画面がバルブ画面（図示せず）に切替えられる。画面上で真空ポンプ２４６のアイコンが起動している色、例えば、水色に切り替わっている場合には、ユーザが確認ボタンを押下する。これにより、画面は、復旧ナビゲーション画面に戻る。確認ボタンの押し下げをトリガとして次に処理番号８の手順が実行される。
処理番号７では、前記真空ポンプ２４６の起動確認のため、画面がバルブ画面（図示せず）に切替えられる。画面上で真空ポンプ２４６のアイコンが起動している色、例えば、水色に切り替わっている場合には、ユーザが確認ボタンを押下する。これにより、画面は、復旧ナビゲーション画面に戻る。確認ボタンの押し下げをトリガとして次に処理番号８の手順が実行される。
＜処理手順８＞
処理手順８では、コマンド「Ｅｖａｃ Ｒｅｃｉｐｅ Ｓｔａｔ」が発行され、管理コントローラＣＣ、サブコントローラにより真空レシピが実行され、該当チャンバが減圧される。「Ｅｖａｃ Ｒｅｃｉｐｅ Ｓｔａｒｔ」の終了をトリガとして次に処理番号９の手順が実行される。
処理手順８では、コマンド「Ｅｖａｃ Ｒｅｃｉｐｅ Ｓｔａｔ」が発行され、管理コントローラＣＣ、サブコントローラにより真空レシピが実行され、該当チャンバが減圧される。「Ｅｖａｃ Ｒｅｃｉｐｅ Ｓｔａｒｔ」の終了をトリガとして次に処理番号９の手順が実行される。
＜処理番号９〜Ｎ−２＞
省略。
省略。
＜処理番号Ｎ−１＞
この処理番号Ｎ−１では、図８に例示したＬＰ回線ダウンエラー復旧ナビゲーションの画面に切り替わり、ナビケーションがＬＰ（ロードポート）、管理コントローラＣＣ間の通信ケーブルの確認を要求する。
処理番号Ｎ−１の横に、確認ボタンとして「ＯＫ」ボタンが表示された場合には、確認をユーザが実行する。確認を終了すると、「戻る」ボタン（図示せず）又は「ＯＫ」ボタンの押下により処理番号Ｎに進む。
この処理番号Ｎ−１では、図８に例示したＬＰ回線ダウンエラー復旧ナビゲーションの画面に切り替わり、ナビケーションがＬＰ（ロードポート）、管理コントローラＣＣ間の通信ケーブルの確認を要求する。
処理番号Ｎ−１の横に、確認ボタンとして「ＯＫ」ボタンが表示された場合には、確認をユーザが実行する。確認を終了すると、「戻る」ボタン（図示せず）又は「ＯＫ」ボタンの押下により処理番号Ｎに進む。
＜処理番号Ｎ＞
処理番号Ｎでは、コマンド「ＬＰ Ｉｎｉｔ」を実行し、前記ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のゲートバルブＧ１１〜１３の現実の開閉と、システム上の開閉を合致させるためイニシャライズを実行し、ＬＰ回線ダウンエラー復旧を終了する。
処理番号Ｎでは、コマンド「ＬＰ Ｉｎｉｔ」を実行し、前記ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のゲートバルブＧ１１〜１３の現実の開閉と、システム上の開閉を合致させるためイニシャライズを実行し、ＬＰ回線ダウンエラー復旧を終了する。
このようにして全てのアラームが解除されると、レシピに基づく搬送処理、基板処理の再開が可能となる。
なお、本実施の形態では、前記復旧処理詳細テーブル１５２をハードディスクに格納する説明をしたが、図１０に示すアラームＩＤ−復旧処理番号テーブルと、処理番号、表示テキスト、遷移画面のテーブル、すなわち、図６において説明した復旧処理詳細テーブル１５２から処理トリガとしての発行コマンドを除いたテーブル、（以下、第２の復旧処理詳細テーブルという）をメモリ上に展開し、図６に示す復旧処理詳細テーブル１５２を作成してもよい。
図１０に示すように、アラームＩＤ−復旧処理番号テーブルは、ナビゲーションプログラムがアラームＩＤと復旧処理番号とよってトリガを決定するためのテーブルである。
アラームＩＤは、アラームの名称ではなく、アラームの名称の代わりに用いられる番号、例えば、１や２である。
これらのアラームＩＤ−復旧処理番号テーブルと、第２の復旧処理詳細テーブルの処理番号には同じ番号が用いられているので、アラームＩＤ−復旧処理番号テーブル、第２の復旧処理詳細テーブルの処理番号同士を、メモリ上で関連付けると、図６で説明した復旧処理詳細テーブル１５２をメモリ上で作成することができる。
この場合、「Ｎｏｎｅ」のトリガは、次の処理を自動で実行する場合に用いられる。
メモリ上に作成した復旧詳細処理テーブルは、メモリ上に保持して参照用として使用してもよいし、メモリからハードディスクＨＤに格納して使用してもよい。
アラームＩＤは、アラームの名称ではなく、アラームの名称の代わりに用いられる番号、例えば、１や２である。
これらのアラームＩＤ−復旧処理番号テーブルと、第２の復旧処理詳細テーブルの処理番号には同じ番号が用いられているので、アラームＩＤ−復旧処理番号テーブル、第２の復旧処理詳細テーブルの処理番号同士を、メモリ上で関連付けると、図６で説明した復旧処理詳細テーブル１５２をメモリ上で作成することができる。
この場合、「Ｎｏｎｅ」のトリガは、次の処理を自動で実行する場合に用いられる。
メモリ上に作成した復旧詳細処理テーブルは、メモリ上に保持して参照用として使用してもよいし、メモリからハードディスクＨＤに格納して使用してもよい。
図１１は制御システムの他の実施形態を示す。この実施の形態では、統括コントローラ９０、ＰＭＣ１コントローラ、ＰＭＣ２コントローラが管理コントローラＣＣを構成しており、統括コントローラ９０がＰＭＣ１コントローラ、ＰＭＣ２コントローラが管理コントローラＣＣを管理し、真空搬送側ロボットＶＲ、大気側ロボットＡＲ、マスフローコントローラなどの真空搬送系を管理する。ＰＭＣ１コントローラ、ＰＭＣ２コントローラはプロセスチャンバ単位で、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、前記ＡＰＣバルブ２４２、温度制御部１２１、バルブ２４３ａを制御し、基板処理を管理する。
インターフェィスコントローラＯＵとしての操作部（以下、操作部ＯＵ）は、ＬＡＮを介して、それぞれＰＭＣ１コントローラ、ＰＭＣ２コントローラに接続され、インターフェィスコントローラＯＵに前記ホストコンピュータＨＣが接続される。
操作部ＯＵには、格納手段としての前記ハードディスクＨＤが格納され、ハードディスクＨＤには、前記アラーム解除プログラム、復旧処理テーブル、ナビゲーションプログラム、復旧処理ナビゲーション画面等、アラーム復旧に必要な、プログラム、画面ファイル、データが格納される。
本実施の形態によれば、ウェーハ検知エラー等のアラームについて復旧処理を、マニュアルレスで行うことができる。更に、熟練を要さずに、短時間でアラームから復旧し、通常の処理を再開することができる。
インターフェィスコントローラＯＵとしての操作部（以下、操作部ＯＵ）は、ＬＡＮを介して、それぞれＰＭＣ１コントローラ、ＰＭＣ２コントローラに接続され、インターフェィスコントローラＯＵに前記ホストコンピュータＨＣが接続される。
操作部ＯＵには、格納手段としての前記ハードディスクＨＤが格納され、ハードディスクＨＤには、前記アラーム解除プログラム、復旧処理テーブル、ナビゲーションプログラム、復旧処理ナビゲーション画面等、アラーム復旧に必要な、プログラム、画面ファイル、データが格納される。
本実施の形態によれば、ウェーハ検知エラー等のアラームについて復旧処理を、マニュアルレスで行うことができる。更に、熟練を要さずに、短時間でアラームから復旧し、通常の処理を再開することができる。
以下、本発明に係る好ましい実施の態様を付記する。
＜実施態様１＞
実施態様１は、操作画面上のボタンの押下等によるオペレータからの指示を受け付ける第１の制御手段と、前記第１の制御手段からの指示により基板の処理を実行させる第２の制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記第１の制御手段は、前記基板処理装置内で発生したアラーム（エラー）の履歴を格納する格納手段を有し、前記格納手段には、前記アラームに関連付けられた番号（アラームＩＤ）毎に、処理番号とその処理トリガを関連付けたテーブルと、前記アラーム毎に復旧処理の詳細が記載された復旧処理詳細テーブルとが予め格納され、前記第１の制御手段は、前記履歴を表示する画面（履歴画面）上で自動復旧機能を有するボタン（復旧ボタン）が押下されると、前記復旧処理詳細テーブルから前記履歴画面で選択されていたアラームに応じた復旧処理の詳細を画面に表示し、前記復旧処理の進捗を明示すると共にオペレータが介在する処理については次の復旧処理に移行するための確認ボタンを表示する基板処理装置を提供する。
＜実施態様１＞
実施態様１は、操作画面上のボタンの押下等によるオペレータからの指示を受け付ける第１の制御手段と、前記第１の制御手段からの指示により基板の処理を実行させる第２の制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記第１の制御手段は、前記基板処理装置内で発生したアラーム（エラー）の履歴を格納する格納手段を有し、前記格納手段には、前記アラームに関連付けられた番号（アラームＩＤ）毎に、処理番号とその処理トリガを関連付けたテーブルと、前記アラーム毎に復旧処理の詳細が記載された復旧処理詳細テーブルとが予め格納され、前記第１の制御手段は、前記履歴を表示する画面（履歴画面）上で自動復旧機能を有するボタン（復旧ボタン）が押下されると、前記復旧処理詳細テーブルから前記履歴画面で選択されていたアラームに応じた復旧処理の詳細を画面に表示し、前記復旧処理の進捗を明示すると共にオペレータが介在する処理については次の復旧処理に移行するための確認ボタンを表示する基板処理装置を提供する。
第１の制御手段は、操作画面上のボタンの押下等によるオペレータからの指示を受け付け、第２の制御手段は、前記第１の制御手段からの指示により基板の処理を実行する。
前記第１の制御手段は、前記履歴を表示する画面（履歴画面）上で自動復旧機能を有するボタン（復旧ボタン）が押下されると、前記復旧処理詳細テーブルから前記履歴画面で選択されていたアラームに応じた復旧処理の詳細をこの画面に表示させ、前記復旧処理の
進捗を明示する。また、前記第１の制御手段は、オペレータが介在する処理については次の復旧処理に移行するための確認ボタンを画面に表示させる。
前記第１の制御手段は、前記履歴を表示する画面（履歴画面）上で自動復旧機能を有するボタン（復旧ボタン）が押下されると、前記復旧処理詳細テーブルから前記履歴画面で選択されていたアラームに応じた復旧処理の詳細をこの画面に表示させ、前記復旧処理の
進捗を明示する。また、前記第１の制御手段は、オペレータが介在する処理については次の復旧処理に移行するための確認ボタンを画面に表示させる。
＜実施の態様２＞
実施の態様２は、前記確認ボタンが押下されない限り、次の復旧処理への移行が禁止される基板処理装置を提供する。
実施の態様２は、前記確認ボタンが押下されない限り、次の復旧処理への移行が禁止される基板処理装置を提供する。
＜実施の態様３＞
実施の態様３は、前記第１の手段は、前記操作画面上でキャンセルボタンが押下されると、前記ナビゲーション機能を中断する基板処理装置を提供する。
実施の態様３は、前記第１の手段は、前記操作画面上でキャンセルボタンが押下されると、前記ナビゲーション機能を中断する基板処理装置を提供する。
なお、本発明に係る基板処理装置は、前記半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を製造する装置でも適用できる。また、成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。また、本実施の形態では枚葉式について説明をしたが縦型、横型だけでなく他の基板処理装置（露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置にも同様に利用することができる。
このように本発明は種々の改変が可能であり、この改変された発明に本発明が及ぶことは当然である。
このように本発明は種々の改変が可能であり、この改変された発明に本発明が及ぶことは当然である。
ＬＭ 大気ローダ（大気搬送室）
ＭＤ１，ＭＤ２ 基板処理モジュール
ＶＬ１，ＶＬ２ バキュームロックチャンバ（前室）
ＰＭ１，ＰＭ２ プロセスチャンバ（基板処理室）
ＬＰ１，ＬＰ２ ロードポート（基板収納部）
ＡＲ 大気側ロボット（第１の基板搬送装置）
ＶＲ 真空搬送側ロボット（第２の基板搬送装置）
ＯＵ インターフェィスコントローラ（第１の制御手段）
ＣＣ 管理コントローラ（第２の制御手段）
ＭＤ１，ＭＤ２ 基板処理モジュール
ＶＬ１，ＶＬ２ バキュームロックチャンバ（前室）
ＰＭ１，ＰＭ２ プロセスチャンバ（基板処理室）
ＬＰ１，ＬＰ２ ロードポート（基板収納部）
ＡＲ 大気側ロボット（第１の基板搬送装置）
ＶＲ 真空搬送側ロボット（第２の基板搬送装置）
ＯＵ インターフェィスコントローラ（第１の制御手段）
ＣＣ 管理コントローラ（第２の制御手段）
Claims (1)
- 操作画面上のボタンの押下等によるオペレータからの指示により基板の処理を実行する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記基板処理装置内で発生したアラームの履歴を格納する格納手段を有し、
前記格納手段には、
前記アラームに関連付けられた番号毎に、処理番号とその処理トリガを関連付けたテーブルと、
前記アラーム毎に復旧処理の詳細が記載された復旧処理詳細テーブルとが予め格納され、
前記制御手段は、
前記履歴を表示する画面上で自動復旧機能を有するボタンが押下されると、
前記復旧処理詳細テーブルから前記履歴画面で選択されていたアラームに応じた復旧処理の詳細を画面に表示し、
前記復旧処理の進捗を明示すると共にオペレータが介在する処理については次の復旧処理に移行するための確認ボタンを設けた
基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007158278A JP2008311461A (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007158278A JP2008311461A (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008311461A true JP2008311461A (ja) | 2008-12-25 |
Family
ID=40238812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007158278A Pending JP2008311461A (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008311461A (ja) |
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2007
- 2007-06-15 JP JP2007158278A patent/JP2008311461A/ja active Pending
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